14.- C. E. 1301-1400

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Título del test:
14.- C. E. 1301-1400

Descripción:
PROMOCION2019

Autor:
AVATAR

Fecha de Creación:
27/06/2019

Categoría:
Test de conducir
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Temario:
1301.- EL VOLTAJE DE SATURACIÓN EN INVERSA DE UN DIODO SEMICONDUCTOR SE INCREMENTARÁ O REDUCIRÁ CON LA TEMPERATURA SEGÚN EL POTENCIAL _______. ZENER SHOCKLEY INVERSO DIFERENCIAL.
1302.- EL VOLTAJE DE SATURACIÓN EN INVERSA DE UN DIODO SEMICONDUCTOR SE INCREMENTARÁ O ______CON LA TEMPERATURA SEGÚN EL POTENCIAL ZENER. REDUCIRÁ NEUTRALIZARÁ AUMENTARÁ ESTABILIZARÁ.
1303.- EL ________ SEMICONDUCTOR SE COMPORTA COMO UN INTERRUPTOR MECÁNICO EN EL SENTIDO DE QUE PUEDE CONTROLAR EL FLUJO DE CORRIENTE ENTRE SUS DOS TERMINALES. LED DIODO BULBO VARISTOR.
1304.- EL DIODO SEMICONDUCTOR SE ______ COMO UN INTERRUPTOR MECÁNICO EN EL SENTIDO DE QUE PUEDE CONTROLAR EL FLUJO DE CORRIENTE ENTRE SUS DOS TERMINALES. AISLA COMPORTA UNE FIJA.
1305.- EL DIODO SEMICONDUCTOR SE COMPORTA COMO UN _______ MECÁNICO EN EL SENTIDO DE QUE PUEDE CONTROLAR EL FLUJO DE CORRIENTE ENTRE SUS DOS TERMINALES. FUSIBLE CAMPO MAGNETICO INTERRUPTOR MOTOR.
1306.- EL DIODO SEMICONDUCTOR SE COMPORTA COMO UN INTERRUPTOR ______ EN EL SENTIDO DE QUE PUEDE CONTROLAR EL FLUJO DE CORRIENTE ENTRE SUS DOS TERMINALES. ELÉCTRICO NEUMÁTICO MECÁNICO HIDRÁULICO.
1307.- EL DIODO SEMICONDUCTOR SE COMPORTA COMO UN INTERRUPTOR MECÁNICO EN EL SENTIDO DE QUE PUEDE CONTROLAR EL _______ DE CORRIENTE ENTRE SUS DOS TERMINALES. CAMPO MAGNETISMO SENTIDO FLUJO.
1308.- EL DIODO SEMICONDUCTOR SE COMPORTA COMO UN INTERRUPTOR MECÁNICO EN EL SENTIDO DE QUE PUEDE CONTROLAR EL FLUJO DE _____ ENTRE SUS DOS TERMINALES. VOLTAJE CAMPO ELÉCTRICO CAMPO MAGNETICO CORRIENTE.
1309.- EL DIODO SEMICONDUCTOR ES ______ DEL INTERRUPTOR MECÁNICO EN EL SENTIDO DE QUE CUANDO ÉSTE SE CIERRA SÓLO PERMITE QUE LA CORRIENTE FLUYA EN UNA DIRECCIÓN. IGUAL VARIABLE DIFERENTE OPUESTO.
1310.- EL DIODO SEMICONDUCTOR ES DIFERENTE DEL ________ MECÁNICO EN EL SENTIDO DE QUE CUANDO ÉSTE SE CIERRA SÓLO PERMITE QUE LA CORRIENTE FLUYA EN UNA DIRECCIÓN. PASA BAJAS INTERRUPTOR PASA ALTAS PASA CORRIENTE.
1311.- EL DIODO SEMICONDUCTOR ES DIFERENTE DEL INTERRUPTOR MECÁNICO EN EL SENTIDO DE QUE CUANDO ÉSTE SE _____ SÓLO PERMITE QUE LA CORRIENTE FLUYA EN UNA DIRECCIÓN. CIERRA ABRE HACE MÁS GRANDE HACE MÁS PEQUEÑO.
1312.- EL DIODO SEMICONDUCTOR ES DIFERENTE DEL INTERRUPTOR MECÁNICO EN EL SENTIDO DE QUE CUANDO ÉSTE SE CIERRA SÓLO PERMITE QUE LA ____ FLUYA EN UNA DIRECCIÓN. CORRIENTE VOLTAJE CAMPO MAGNETICO CAMPO ELECTRICO.
1313.- EL DIODO SEMICONDUCTOR ES DIFERENTE DEL INTERRUPTOR MECÁNICO EN EL SENTIDO DE QUE CUANDO ÉSTE SE CIERRA SÓLO PERMITE QUE LA CORRIENTE FLUYA EN ______. DOS DIRECCIONES UNA DIRECCIÓN BIDERECCIONAL MAYOR A MENOR.
1314.- A MEDIDA QUE EL PUNTO DE OPERACIÓN DE UN ______ SE MUEVE DE UNA REGIÓN A OTRA, SU RESISTENCIA TAMBIÉN CAMBIA DEBIDO A LA FORMA NO LINEAL DE LA CURVA DE CARACTERÍSTICAS. TRANSISTOR MICROCONTROLADOR COMPUERTA DIODO.
1315.- A MEDIDA QUE EL PUNTO DE OPERACIÓN DE UN DIODO SE MUEVE DE UNA _____ A OTRA, SU RESISTENCIA TAMBIÉN CAMBIA DEBIDO A LA FORMA NO LINEAL DE LA CURVA DE CARACTERÍSTICAS. ZONA REGIÓN MANERA FORMA.
1316.- A MEDIDA QUE EL PUNTO DE OPERACIÓN DE UN DIODO SE MUEVE DE UNA REGIÓN A OTRA, SU ______ TAMBIÉN CAMBIA DEBIDO A LA FORMA NO LINEAL DE LA CURVA DE CARACTERÍSTICAS. RESISTENCIA CORRIENTE VOLTAJE TEMPERATURA.
1317.- A MEDIDA QUE EL PUNTO DE OPERACIÓN DE UN DIODO SE MUEVE DE UNA REGIÓN A OTRA, SU RESISTENCIA TAMBIÉN ______ DEBIDO A LA FORMA NO LINEAL DE LA CURVA DE CARACTERÍSTICAS. AUMENTA DISMINUYE SE MANTIENE CAMBIA.
1318.- A MEDIDA QUE EL PUNTO DE OPERACIÓN DE UN DIODO SE MUEVE DE UNA REGIÓN A OTRA, SU RESISTENCIA TAMBIÉN CAMBIA DEBIDO A LA FORMA _____ DE LA CURVA DE CARACTERÍSTICAS. LINEAL NO LINEAL EXPONENCIAL LOGARITMICA.
1319.- EN GENERAL, POR CONSIGUIENTE, CUANTO _________ SEA LA CORRIENTE A TRAVÉS DE UN DIODO, MENOR SERÁ EL NIVEL DE RESISTENCIA DE CD. MENOR MAYOR IGUAL DISMINUYA.
1320.- EN GENERAL, POR CONSIGUIENTE, CUANTO MAYOR SEA LA CORRIENTE A TRAVÉS DE UN _____, MENOR SERÁ EL NIVEL DE RESISTENCIA DE CD. TRANSISTOR COMPUERTA MICROCONTROLADOR DIODO.
1321.- EN GENERAL, POR CONSIGUIENTE, CUANTO MAYOR SEA LA CORRIENTE A TRAVÉS DE UN DIODO, _____ SERÁ EL NIVEL DE RESISTENCIA DE CD. MENOR MAYOR IGUAL AUMENTARA.
1322.- EN GENERAL, POR CONSIGUIENTE, CUANTO MAYOR SEA LA CORRIENTE A TRAVÉS DE UN DIODO, MENOR SERÁ EL NIVEL DE ___ DE CD. CORRIENTE RESISTENCIA VOLTAJE CAMPO ELÉCTRICO.
1323.- EN GENERAL, POR CONSIGUIENTE, CUANTO MÁS _____ ESTÉ EL PUNTO DE OPERACIÓN -MENOR CORRIENTE O MENOR VOLTAJE-, MÁS ALTA ES LA RESISTENCIA DE CA. ELEVADO IGUALADO BAJO RESISTIVO.
1324.- EN GENERAL, POR CONSIGUIENTE, CUANTO MÁS BAJO ESTÉ EL PUNTO DE OPERACIÓN *MENOR _____ O MENOR VOLTAJE*, MÁS ALTA ES LA RESISTENCIA DE CA. VOLTAJE CORRIENTE TEMPERATURA RESISTENCIA.
1325.- EN GENERAL, POR CONSIGUIENTE, CUANTO MÁS BAJO ESTÉ EL PUNTO DE OPERACIÓN *MENOR CORRIENTE O MENOR VOLTAJE*, MÁS ALTA ES LA ______ DE CA. CORRIENTE TENSIÓN TEMPERATURA RESISTENCIA.
1326.- EN GENERAL, POR CONSIGUIENTE, CUANTO MÁS BAJO ESTÉ EL PUNTO DE OPERACIÓN *MENOR CORRIENTE O MENOR _____*, MÁS ALTA ES LA RESISTENCIA DE CA. CORRIENTE RESISTENCIA CAMPO MAGNETICO VOLTAJE.
1327.- LA DERIVADA DE UNA ______ EN UN PUNTO ES IGUAL A LA PENDIENTE DE LA LÍNEA TANGENTE TRAZADA EN DICHO PUNTO. ECUACIÓN FUNCIÓN INTEGRAL DIFERECIAL.
1328.- LA DERIVADA DE UNA FUNCIÓN EN UN PUNTO ES IGUAL A LA _________ DE LA LÍNEA TANGENTE TRAZADA EN DICHO PUNTO. PENDIENTE ÁREA BAJO LA CURVA INTERSECCION SUPERPOSICIÓN.
1329.- LA DERIVADA DE UNA FUNCIÓN EN UN PUNTO ES IGUAL A LA PENDIENTE DE LA LÍNEA ______ TRAZADA EN DICHO PUNTO. TANGENTE SECANTE DE RADIO DE CURVATURA.
1330.- ____ DE UNA FUNCIÓN EN UN PUNTO ES IGUAL A LA PENDIENTE DE LA LÍNEA TANGENTE TRAZADA EN DICHO PUNTO. LA INTEGRAL LA DERIVADA LA SOLUCIÓN EL ÁREA BAJO LA CURVA.
1331.- COMO CON LOS NIVELES DE _____ DE CD Y CA, CUANTO MÁS BAJO SEA EL NIVEL DE LAS CORRIENTES UTILIZADAS PARA DETERMINAR LA RESISTENCIA PROMEDIO, MÁS ALTO SERÁ EL NIVEL DE CORRIENTE VOLTAJE RESISTENCIA MAGNETISMO.
1332.- COMO CON LOS NIVELES DE RESISTENCIA DE CD Y CA, CUANTO MÁS BAJO SEA EL NIVEL DE LAS CORRIENTES UTILIZADAS PARA DETERMINAR LA ____ PROMEDIO, MÁS ALTO SERÁ EL NIVEL DE RESISTENCIA. TENSIÓN IMPEDANCIA RESISTENCIA POTENCIA ELÉCTRICA.
1333.- COMO CON LOS NIVELES DE RESISTENCIA DE CD Y CA, CUANTO MÁS BAJO SEA EL NIVEL DE LAS CORRIENTES UTILIZADAS PARA DETERMINAR LA RESISTENCIA PROMEDIO, MÁS _______ SERÁ EL NIVEL DE RESISTENCIA. BAJO IGUALADO NEUTRAL ALTO.
1334.- COMO CON LOS NIVELES DE RESISTENCIA DE CD Y CA, CUANTO MÁS BAJO SEA EL NIVEL DE LAS CORRIENTES UTILIZADAS PARA DETERMINAR LA RESISTENCIA PROMEDIO, MÁS ALTO SERÁ EL NIVEL DE _______. RESISTENCIA VOLTAJE CORRIENTE POTENCIA.
1335.- UN ____ ES UNA COMBINACIÓN DE ELEMENTOS APROPIADAMENTE SELECCIONADOS PARA QUE REPRESENTEN MEJOR LAS CARACTERÍSTICAS TERMINALES REALES DE UN DISPOSITIVO O SISTEMA EN UNA REGIÓN DE OPERACIÓN PARTICULAR. CIRCUITO DIFERENTE CIRCUITO EQUIVALENTE CIRCUITO EN RED CIRCUITO EN MALLA.
1336.- UN CIRCUITO EQUIVALENTE ES UNA COMBINACIÓN DE ELEMENTOS APROPIADAMENTE SELECCIONADOS PARA QUE REPRESENTEN MEJOR LAS CARACTERÍSTICAS TERMINALES REALES DE UN DISPOSITIVO O _____EN UNA REGIÓN DE OPERACIÓN PARTICULAR. CONJUNTO RED SISTEMA MALLA.
1337.- UN CIRCUITO EQUIVALENTE ES UNA COMBINACIÓN DE ELEMENTOS APROPIADAMENTE SELECCIONADOS PARA QUE REPRESENTEN MEJOR LAS CARACTERÍSTICAS TERMINALES REALES DE UN DISPOSITIVO O SISTEMA EN UNA _______ PARTICULAR. ZONA DE OPERACIÓN REGIÓN DE OPERACIÓN MALLA RED.
1338.- ___ PARA OBTENER UN CIRCUITO EQUIVALENTE DE UN DIODO ES SIMULAR CON MÁS O MENOS PRECISIÓN LAS CARACTERÍSTICAS DEL DISPOSITIVO MEDIANTE SEGMENTOS DE LÍNEA RECTA. UN PROBLEMA UNA DIFICULTAD UNA TÉCNICA UN RIESGO.
1339.- UNA TÉCNICA PARA OBTENER ________ DE UN DIODO ES SIMULAR CON MÁS O MENOS PRECISIÓN LAS CARACTERÍSTICAS DEL DISPOSITIVO MEDIANTE SEGMENTOS DE LÍNEA RECTA. UN CIRCUITO DE MALLA UN CIRCUITO DE RED UN CIRCUITO DIFERENTE UN CIRCUITO EQUIVALENTE.
1340.- UNA TÉCNICA PARA OBTENER UN CIRCUITO EQUIVALENTE DE UN ______ ES SIMULAR CON MÁS O MENOS PRECISIÓN LAS CARACTERÍSTICAS DEL DISPOSITIVO DIODO TRANSISTOR CIRCUITO RESISTIVO CIRCUITO INDUCTIVO.
1341.- UNA TÉCNICA PARA OBTENER UN CIRCUITO EQUIVALENTE DE UN DIODO ES SIMULAR CON MÁS O _______ PRECISIÓN LAS CARACTERÍSTICAS DEL DISPOSITIVO MEDIANTE SEGMENTOS DE LÍNEA RECTA. IGUAL MAYOR SIN MENOS.
1342.- UNA TÉCNICA PARA OBTENER UN CIRCUITO EQUIVALENTE DE UN DIODO ES SIMULAR CON MÁS O MENOS PRECISIÓN LAS CARACTERÍSTICAS DEL DISPOSITIVO MEDIANTE SEGMENTOS DE ______, LÍNEA CURVA LÍNEA PARALELA LÍNEA RECTA LÍNEA PERPENDICULAR.
1343.- TODO DISPOSITIVO ELECTRÓNICO O ELÉCTRICO ES SENSIBLE A LA _________. FRECUENCIA CORRIENTE TENSIÓN POTENCIA.
1344.- TODO DISPOSITIVO ______ O ELÉCTRICO ES SENSIBLE A LA FRECUENCIA. MAGNETICO MODERNO MECÁNICO ELECTRÓNICO.
1345.- LAS ESCALAS ___ SE UTILIZAN A MENUDO PARA PROPORCIONAR UN INTERVALO MÁS AMPLIO DE VALORES DE UNA VARIABLE EN UNA CANTIDAD DE ESPACIO LIMITADA. EXPONENCIALES LINEALES LOGARÍTMICAS ARITMETICAS.
1346.- LAS ESCALAS LOGARÍTMICAS SE UTILIZAN A MENUDO PARA PROPORCIONAR UN INTERVALO MÁS AMPLIO ILIMITADA CERCANA LIMITADA ALEJADA.
1347.- _____ LOGARÍTMICAS SE UTILIZAN A MENUDO PARA PROPORCIONAR UN INTERVALO MÁS AMPLIO DE VALORES DE UNA VARIABLE EN UNA CANTIDAD DE ESPACIO LIMITADA. LAS REGLAS LAS ECUACIONES LAS FORMULAS LAS ESCALAS.
1348.- LAS ESCALAS LOGARÍTMICAS SE UTILIZAN A MENUDO PARA PROPORCIONAR UN INTERVALO MÁS AMPLIO CANTIDAD DE MASA CANTIDAD DE CORRIENTE CANTIDAD DE ESPACIO CANTIDAD DE VOLTAJE.
1349.- _____ Y LA POLARIZACIÓN EN INVERSA APLICADA SON FACTORES MUY IMPORTANTES EN DISEÑOS SENSIBLES A LA CORRIENTE DE SATURACIÓN EN INVERSA. LA TENSIÓN LA CORRIENTE LA HUMEDAD LA TEMPERATURA.
1350.- LA TEMPERATURA Y ________ EN INVERSA APLICADA SON FACTORES MUY IMPORTANTES EN DISEÑOS SENSIBLES A LA CORRIENTE DE SATURACIÓN EN INVERSA. LA POLARIZACIÓN HUMEDAD CORRIENTE VOLTAJE.
1351.- LA TEMPERATURA Y LA POLARIZACIÓN EN INVERSA APLICADA SON FACTORES MUY IMPORTANTES EN DISEÑOS _______ A LA CORRIENTE DE SATURACIÓN EN INVERSA. POCO SENSIBLES SENSIBLES ALTERABLES ELECTRICOS.
1352.- LA TEMPERATURA Y LA POLARIZACIÓN EN INVERSA APLICADA SON FACTORES MUY IMPORTANTES EN DISEÑOS SENSIBLES A LA CORRIENTE DE ______ EN INVERSA. IONIZACIÓN VALENCIA SATURACIÓN OHM.
1353.- EL ÁNODO SE REFIERE AL POTENCIAL _________ O MÁS ALTO, Y EL CÁTODO A LA TERMINAL NEGATIVA O MÁS BAJA. NEGATIVO NEUTRO MENOR POSITIVO.
1354.- EL _______ SE REFIERE AL POTENCIAL POSITIVO O MÁS ALTO, Y EL CÁTODO A LA TERMINAL NEGATIVA O MÁS BAJA. CÁTODO IÓN ENLACE COVALENTE ÁNODO.
1355.- EL ÁNODO SE REFIERE AL POTENCIAL POSITIVO O MÁS ALTO, Y EL ______ A LA TERMINAL NEGATIVA O MÁS BAJA. CÁTODO ÁNODO ENLACE COVALENTE IÓN.
1356.- EL ÁNODO SE REFIERE AL POTENCIAL POSITIVO O MÁS ALTO, Y EL CÁTODO A LA TERMINAL ___O MÁS BAJA. POSITIVA NEGATIVA NEUTRAL MAYOR.
1357.- EL ÁNODO SE REFIERE AL POTENCIAL POSITIVO O MÁS ALTO, Y EL CÁTODO A LA TERMINAL NEGATIVA O MÁS ______. ALTA NEUTRA BAJA RESISTIVA.
1358.- ______ DE UN DIODO ZENER ES MUY SENSIBLE A LA TEMPERATURA DE OPERACIÓN. EL POTENCIAL SHOCKLEY EL VOLTAJE ZENER LA CORRIENTE ZENER EL POTENCIAL ZENER.
1359.- EL POTENCIAL ZENER DE UN _________ ZENER ES MUY SENSIBLE A LA TEMPERATURA DE MICROCONTROLADOR COMPUERTA DIODO TRANSISTOR.
1360.- EL POTENCIAL ZENER DE UN DIODO ZENER ES MUY SENSIBLE A LA _________ DE OPERACIÓN. HUMEDAD TEMPERATURA CORRIENTE POTENCIA.
1361.- EL POTENCIAL ZENER DE UN DIODO ZENER ES MUY SENSIBLE A LA TEMPERATURA DE ____. OPERACIÓN ALMACENAMIENTO ABSORCIÓN DISEMINACIÓN.
1362.- ___ DE SI Y GE EL MAYOR PORCENTAJE DE LA ENERGÍA CONVERTIDA DURANTE LA RECOMBINACIÓN EN LA UNIÓN SE DISIPA EN FORMA DE CALOR DENTRO DE LA ESTRUCTURA Y LA LUZ EMITIDA ES INSIGNIFICANTE. TRANSISTORES COMPUERTAS MICROCONTROLADORES EN DIODOS.
1363.- EN DIODOS DE SI Y GE EL MAYOR PORCENTAJE DE LA ______ CONVERTIDA DURANTE LA RECOMBINACIÓN EN LA UNIÓN SE DISIPA EN FORMA DE CALOR DENTRO DE LA ESTRUCTURA Y LA LUZ EMITIDA ES INSIGNIFICANTE. ENERGÍA CORRIENTE TENSIÓN POTENCIA.
1364.- EN DIODOS DE SI Y GE EL MAYOR PORCENTAJE DE LA ENERGÍA CONVERTIDA DURANTE LA RECOMBINACIÓN EN LA UNIÓN SE DISIPA EN FORMA DE ____ DENTRO DE LA ESTRUCTURA Y LA LUZ EMITIDA ES INSIGNIFICANTE. CALOR HUMEDAD TEMPERATURA CORRIENTE.
1365.- EN DIODOS DE SI Y GE EL MAYOR PORCENTAJE DE LA ENERGÍA CONVERTIDA DURANTE LA RECOMBINACIÓN EN LA UNIÓN SE DISIPA EN FORMA DE CALOR DENTRO DE LA _________ Y LA LUZ EMITIDA ES INSIGNIFICANTE MOLECULA ESTRUCTURA PARTÍCULA RED.
1366.- EN DIODOS DE SI Y GE EL MAYOR PORCENTAJE DE LA ENERGÍA CONVERTIDA DURANTE LA RECOMBINACIÓN EN LA UNIÓN SE DISIPA EN FORMA DE CALOR DENTRO DE LA ESTRUCTURA Y LA LUZ EMITIDA ES ____. SIGNIFICANTE ALTA NEUTRAL INSIGNIFICANTE.
1367.- ____ DE ONDA Y LA FRECUENCIA DE LA LUZ DE UN COLOR ESPECÍFICO ESTÁN DIRECTAMENTE RELACIONADAS CON LA BRECHA DE LA BANDA DE ENERGÍA DEL MATERIAL LA AMPLITUD LA LONGITUD FRECUENCIA POTENCIA MEDIA.
1368.- LA LONGITUD DE ONDA Y LA FRECUENCIA DE LA LUZ DE UN COLOR ESPECÍFICO ESTÁN DIRECTAMENTE _________ CON LA BRECHA DE LA BANDA DE ENERGÍA DEL MATERIAL. PROPORCIONALES ADECUADAS NEUTRALIZADAS RELACIONADAS.
1369.- LA LONGITUD DE ONDA Y LA FRECUENCIA DE LA LUZ DE UN COLOR ESPECÍFICO ESTÁN DIRECTAMENTE RELACIONADAS CON LA BRECHA DE LA BANDA DE ____. ENERGÍA DEL MATERIAL POTENCIA DEL MATERIAL CORRIENTE DEL MATERIAL VOLTAJE DEL MATERIAL.
1370.- LA LONGITUD DE ONDA Y LA FRECUENCIA DE LA LUZ DE UN ___ ESPECÍFICO ESTÁN DIRECTAMENTE RELACIONADAS CON LA BRECHA DE LA BANDA DE ENERGÍA DEL MATERIAL. COLOR MATERIAL HAZ ÁTOMO.
1371.- LA LONGITUD DE ONDA Y ___ DE UN COLOR ESPECÍFICO ESTÁN DIRECTAMENTE RELACIONADAS CON LA BRECHA DE LA BANDA DE ENERGÍA DEL MATERIAL. LA AMPLITUD LA POTENCIA MEDIA EL CICLO LA FRECUENCIA DE LA LUZ.
1372.- ______ ES AQUELLA EN LA QUE UNA VARIABLE DE INTERÉS SE GRAFICA CON UN NIVEL ESPECÍFICO DEFINIDO COMO VALOR DE REFERENCIA CON UNA MAGNITUD DE UNO. UNA GRAFICA EXPONENCIAL UNA GRÁFICA LOGARITMICA UNA GRÁFICA NORMALIZADA UNA GRÁFICA LINEAL.
1373.- UNA GRÁFICA NORMALIZADA ES AQUELLA EN LA QUE UNA ______ DE INTERÉS SE GRAFICA CON UN NIVEL ESPECÍFICO DEFINIDO COMO VALOR DE REFERENCIA CON UNA MAGNITUD DE UNO. PARTÍCULA VARIABLE DEPENDIENTE VARIABLE VARIABLE INDEPENDIENTE.
1374.- UNA GRÁFICA NORMALIZADA ES AQUELLA EN LA QUE UNA VARIABLE DE INTERÉS SE GRAFICA CON UN NIVEL ____ COMO VALOR DE REFERENCIA CON UNA MAGNITUD DE UNO. NO ESPECIFICO MAYOR MENOR ESPECÍFICO DEFINIDO.
1375.- UNA GRÁFICA NORMALIZADA ES AQUELLA EN LA QUE UNA VARIABLE DE INTERÉS SE GRAFICA CON UN NIVEL ESPECÍFICO DEFINIDO COMO VALOR DE REFERENCIA CON UNA MAGNITUD ______. DE UNO DE DOS VARIABLE ESTABLE.
1376.- LA INTENSIDAD LUMINOSA DE UN ____ SE INCREMENTARÁ CON LA CORRIENTE EN DIRECTA HASTA QUE SE ALCANZA UN PUNTO DE SATURACIÓN DONDE CUALQUIER INCREMENTO ADICIONAL DE LA CORRIENTE NO INCREMENTA DE FORMA EFECTIVA EL NIVEL DE ILUMINACIÓN. DIODO LED TRANSISTOR FOCO.
1377.- LA INTENSIDAD LUMINOSA DE UN LED SE ___ CON LA CORRIENTE EN DIRECTA HASTA QUE SE ALCANZA UN PUNTO DE SATURACIÓN DONDE CUALQUIER INCREMENTO ADICIONAL DE LA CORRIENTE NO INCREMENTA DE FORMA EFECTIVA EL NIVEL DE ILUMINACIÓN. DISMINUIRÁ MANTENDRÁ INCREMENTARÁ JUNTARÁ.
1378.- LA INTENSIDAD LUMINOSA DE UN LED SE INCREMENTARÁ CON LA CORRIENTE EN DIRECTA HASTA QUE SE ALCANZA UN PUNTO DE SATURACIÓN DONDE CUALQUIER INCREMENTO ADICIONAL DE LA CORRIENTE NO INCREMENTA DE FORMA EFECTIVA EL NIVEL DE ____. VOLTAJE POTENCIA RESISTENCIA ILUMINACIÓN.
1379.- SON LOS COINVENTORES DEL PRIMER TRANSISTOR EN LOS LABORATORIOS BELL: GRAHAM BELL WALTER H BRATTAIN Y JOHN BARDEEN FARADAY Y OHM NICOLAS TESLA Y TOMAS A. EDISON.
1380.- ¿DE QUÉ TIPO FUE EL PRIMER TRANSISTOR ORIGINAL? UN TRANSISTOR DE PUNTO DE CONTACTO UN TRASISTOR DE BULBO DE FLUJO DIRECTO DE COMPUERTA.
1381.- ES UNA DE LAS VENTAJAS DEL TRANSISTOR DE PUNTO DE CONTACTO DE ESTADO SÓLIDO DE TRES TERMINALES SOBRE EL BULBO. ERA MÁS GRANDE Y PESADO ERA MÁS BARATO ERA MÁS PEQUEÑO Y MÁS LIVIANO ERA DIFÍCIL DE FABRICAR.
1382.- UNA DE LAS VENTAJAS DEL TRANSISTOR DE PUNTO DE CONTACTO DE ESTADO SÓLIDO DE TRES TERMINALES SOBRE EL BULBO ES: TENÍA QUE CALENTARSE Y PERDÍA CALOR NO TENÍA QUE CALENTARSE NI PERDÍA CALOR ERA MÁS ROBUSTO CUMPLÍA CON LAS NORMAS ELECTRICAS.
1383.- ES UNA DE LAS VENTAJAS DEL TRANSISTOR DE PUNTO DE CONTACTO DE ESTADO SÓLIDO DE TRES TERMINALES SOBRE EL BULBO SU CONSTRUCIÓN ERA LIGERA SU CONSTRUCCIÓN NO ERA ROBUSTA CUMPLIA CON LAS NORMAS ELECTRICAS SU CONSTRUCCIÓN ERA ROBUSTA Y MÁS EFICIENTE.
1384.- UNA DE LAS VENTAJAS DEL TRANSISTOR DE PUNTO DE CONTACTO DE ESTADO SÓLIDO DE TRES TERMINALES SOBRE EL BULBO ES: CONSUMÍA MENOS POTENCIA Y SE PODÍAN OBTENER VOLTAJES DE OPERACIÓN MÁS BAJOS CONSUMA MÁS POTENCIA OPERABA A VOLTAJES DE OPERACIÓN ALTOS CUMPLÍA CON LAS NORMAS ELÉCTRICAS.
1385.- EL TRANSISTOR ES UN DISPOSITIVO ____ DE TRES CAPAS. CONDUCTOR SEMICONDUCTOR AISLANTE HÍBRIDO.
1386.- ES EL TRANSISTOR MANUFACTURADO CON DOS CAPAS DE MATERIAL TIPO N Y UNA DE MATERIAL TIPO P. TRANSISTOR PNP TRANSISTOR DOBLE "N" TRANSISTOR NPN TRANISTOR DOBLE "P".
1387.- ES EL TRANSISTOR MANUFACTURADO CON DOS CAPAS DE MATERIAL TIPO P Y UNA DE MATERIAL TIPO N. TRANSISTOR NPN TRANSISTOR DOBLE "P" TRANSISTOR DOBLE "N" TRANSISTOR PNP.
1388.- ES EL TERMINO DONDE LOS HUECOS Y ELECTRONES PARTICIPAN EN EL PROCESO DE INYECCIÓN HACIA EL MATERIAL OPUESTAMENTE POLARIZADO. UNIPOLAR POLARIZACIÓN DIRECTA BIPOLAR POLARIZACIÓN INVERSA.
1389.- SI SE EMPLEA SÓLO UN PORTADOR -ELECTRÓN O HUECO-, SE CONSIDERA QUE ES UN DISPOSITIVO. BIPOLAR POLARIZADO DIRECTO UNIPOLAR POLARIZADO INVERSO.
1390.- LA UNIÓN P-N DE UN TRANSISTOR SE POLARIZA EN INVERSA EN TANTO QUE LA OTRA SE POLARIZA EN: INVERSA NEUTRAL CORTO DIRECTA.
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