14.- C. E. 1301-1400

1301.- EL VOLTAJE DE SATURACIÓN EN INVERSA DE UN DIODO SEMICONDUCTOR SE INCREMENTARÁ O REDUCIRÁ CON LA TEMPERATURA SEGÚN EL POTENCIAL _______. ZENER. SHOCKLEY. INVERSO. DIFERENCIAL.

1302.- EL VOLTAJE DE SATURACIÓN EN INVERSA DE UN DIODO SEMICONDUCTOR SE INCREMENTARÁ O ______CON LA TEMPERATURA SEGÚN EL POTENCIAL ZENER. REDUCIRÁ. NEUTRALIZARÁ. AUMENTARÁ. ESTABILIZARÁ.

1303.- EL ________ SEMICONDUCTOR SE COMPORTA COMO UN INTERRUPTOR MECÁNICO EN EL SENTIDO DE QUE PUEDE CONTROLAR EL FLUJO DE CORRIENTE ENTRE SUS DOS TERMINALES. LED. DIODO. BULBO. VARISTOR.

1304.- EL DIODO SEMICONDUCTOR SE ______ COMO UN INTERRUPTOR MECÁNICO EN EL SENTIDO DE QUE PUEDE CONTROLAR EL FLUJO DE CORRIENTE ENTRE SUS DOS TERMINALES. AISLA. COMPORTA. UNE. FIJA.

1305.- EL DIODO SEMICONDUCTOR SE COMPORTA COMO UN _______ MECÁNICO EN EL SENTIDO DE QUE PUEDE CONTROLAR EL FLUJO DE CORRIENTE ENTRE SUS DOS TERMINALES. FUSIBLE. CAMPO MAGNETICO. INTERRUPTOR. MOTOR.

1306.- EL DIODO SEMICONDUCTOR SE COMPORTA COMO UN INTERRUPTOR ______ EN EL SENTIDO DE QUE PUEDE CONTROLAR EL FLUJO DE CORRIENTE ENTRE SUS DOS TERMINALES. ELÉCTRICO. NEUMÁTICO. MECÁNICO. HIDRÁULICO.

1307.- EL DIODO SEMICONDUCTOR SE COMPORTA COMO UN INTERRUPTOR MECÁNICO EN EL SENTIDO DE QUE PUEDE CONTROLAR EL _______ DE CORRIENTE ENTRE SUS DOS TERMINALES. CAMPO. MAGNETISMO. SENTIDO. FLUJO.

1308.- EL DIODO SEMICONDUCTOR SE COMPORTA COMO UN INTERRUPTOR MECÁNICO EN EL SENTIDO DE QUE PUEDE CONTROLAR EL FLUJO DE _____ ENTRE SUS DOS TERMINALES. VOLTAJE. CAMPO ELÉCTRICO. CAMPO MAGNETICO. CORRIENTE.

1309.- EL DIODO SEMICONDUCTOR ES ______ DEL INTERRUPTOR MECÁNICO EN EL SENTIDO DE QUE CUANDO ÉSTE SE CIERRA SÓLO PERMITE QUE LA CORRIENTE FLUYA EN UNA DIRECCIÓN. IGUAL. VARIABLE. DIFERENTE. OPUESTO.

1310.- EL DIODO SEMICONDUCTOR ES DIFERENTE DEL ________ MECÁNICO EN EL SENTIDO DE QUE CUANDO ÉSTE SE CIERRA SÓLO PERMITE QUE LA CORRIENTE FLUYA EN UNA DIRECCIÓN. PASA BAJAS. INTERRUPTOR. PASA ALTAS. PASA CORRIENTE.

1311.- EL DIODO SEMICONDUCTOR ES DIFERENTE DEL INTERRUPTOR MECÁNICO EN EL SENTIDO DE QUE CUANDO ÉSTE SE _____ SÓLO PERMITE QUE LA CORRIENTE FLUYA EN UNA DIRECCIÓN. CIERRA. ABRE. HACE MÁS GRANDE. HACE MÁS PEQUEÑO.

1312.- EL DIODO SEMICONDUCTOR ES DIFERENTE DEL INTERRUPTOR MECÁNICO EN EL SENTIDO DE QUE CUANDO ÉSTE SE CIERRA SÓLO PERMITE QUE LA ____ FLUYA EN UNA DIRECCIÓN. CORRIENTE. VOLTAJE. CAMPO MAGNETICO. CAMPO ELECTRICO.

1313.- EL DIODO SEMICONDUCTOR ES DIFERENTE DEL INTERRUPTOR MECÁNICO EN EL SENTIDO DE QUE CUANDO ÉSTE SE CIERRA SÓLO PERMITE QUE LA CORRIENTE FLUYA EN ______. DOS DIRECCIONES. UNA DIRECCIÓN. BIDERECCIONAL. MAYOR A MENOR.

1314.- A MEDIDA QUE EL PUNTO DE OPERACIÓN DE UN ______ SE MUEVE DE UNA REGIÓN A OTRA, SU RESISTENCIA TAMBIÉN CAMBIA DEBIDO A LA FORMA NO LINEAL DE LA CURVA DE CARACTERÍSTICAS. TRANSISTOR. MICROCONTROLADOR. COMPUERTA. DIODO.

1315.- A MEDIDA QUE EL PUNTO DE OPERACIÓN DE UN DIODO SE MUEVE DE UNA _____ A OTRA, SU RESISTENCIA TAMBIÉN CAMBIA DEBIDO A LA FORMA NO LINEAL DE LA CURVA DE CARACTERÍSTICAS. ZONA. REGIÓN. MANERA. FORMA.

1316.- A MEDIDA QUE EL PUNTO DE OPERACIÓN DE UN DIODO SE MUEVE DE UNA REGIÓN A OTRA, SU ______ TAMBIÉN CAMBIA DEBIDO A LA FORMA NO LINEAL DE LA CURVA DE CARACTERÍSTICAS. RESISTENCIA. CORRIENTE. VOLTAJE. TEMPERATURA.

1317.- A MEDIDA QUE EL PUNTO DE OPERACIÓN DE UN DIODO SE MUEVE DE UNA REGIÓN A OTRA, SU RESISTENCIA TAMBIÉN ______ DEBIDO A LA FORMA NO LINEAL DE LA CURVA DE CARACTERÍSTICAS. AUMENTA. DISMINUYE. SE MANTIENE. CAMBIA.

1318.- A MEDIDA QUE EL PUNTO DE OPERACIÓN DE UN DIODO SE MUEVE DE UNA REGIÓN A OTRA, SU RESISTENCIA TAMBIÉN CAMBIA DEBIDO A LA FORMA _____ DE LA CURVA DE CARACTERÍSTICAS. LINEAL. NO LINEAL. EXPONENCIAL. LOGARITMICA.

1319.- EN GENERAL, POR CONSIGUIENTE, CUANTO _________ SEA LA CORRIENTE A TRAVÉS DE UN DIODO, MENOR SERÁ EL NIVEL DE RESISTENCIA DE CD. MENOR. MAYOR. IGUAL. DISMINUYA.

1320.- EN GENERAL, POR CONSIGUIENTE, CUANTO MAYOR SEA LA CORRIENTE A TRAVÉS DE UN _____, MENOR SERÁ EL NIVEL DE RESISTENCIA DE CD. TRANSISTOR. COMPUERTA. MICROCONTROLADOR. DIODO.

1321.- EN GENERAL, POR CONSIGUIENTE, CUANTO MAYOR SEA LA CORRIENTE A TRAVÉS DE UN DIODO, _____ SERÁ EL NIVEL DE RESISTENCIA DE CD. MENOR. MAYOR. IGUAL. AUMENTARA.

1322.- EN GENERAL, POR CONSIGUIENTE, CUANTO MAYOR SEA LA CORRIENTE A TRAVÉS DE UN DIODO, MENOR SERÁ EL NIVEL DE ___ DE CD. CORRIENTE. RESISTENCIA. VOLTAJE. CAMPO ELÉCTRICO.

1323.- EN GENERAL, POR CONSIGUIENTE, CUANTO MÁS _____ ESTÉ EL PUNTO DE OPERACIÓN -MENOR CORRIENTE O MENOR VOLTAJE-, MÁS ALTA ES LA RESISTENCIA DE CA. ELEVADO. IGUALADO. BAJO. RESISTIVO.

1324.- EN GENERAL, POR CONSIGUIENTE, CUANTO MÁS BAJO ESTÉ EL PUNTO DE OPERACIÓN *MENOR _____ O MENOR VOLTAJE*, MÁS ALTA ES LA RESISTENCIA DE CA. VOLTAJE. CORRIENTE. TEMPERATURA. RESISTENCIA.

1325.- EN GENERAL, POR CONSIGUIENTE, CUANTO MÁS BAJO ESTÉ EL PUNTO DE OPERACIÓN *MENOR CORRIENTE O MENOR VOLTAJE*, MÁS ALTA ES LA ______ DE CA. CORRIENTE. TENSIÓN. TEMPERATURA. RESISTENCIA.

1326.- EN GENERAL, POR CONSIGUIENTE, CUANTO MÁS BAJO ESTÉ EL PUNTO DE OPERACIÓN *MENOR CORRIENTE O MENOR _____*, MÁS ALTA ES LA RESISTENCIA DE CA. CORRIENTE. RESISTENCIA. CAMPO MAGNETICO. VOLTAJE.

1327.- LA DERIVADA DE UNA ______ EN UN PUNTO ES IGUAL A LA PENDIENTE DE LA LÍNEA TANGENTE TRAZADA EN DICHO PUNTO. ECUACIÓN. FUNCIÓN. INTEGRAL. DIFERECIAL.

1328.- LA DERIVADA DE UNA FUNCIÓN EN UN PUNTO ES IGUAL A LA _________ DE LA LÍNEA TANGENTE TRAZADA EN DICHO PUNTO. PENDIENTE. ÁREA BAJO LA CURVA. INTERSECCION. SUPERPOSICIÓN.

1329.- LA DERIVADA DE UNA FUNCIÓN EN UN PUNTO ES IGUAL A LA PENDIENTE DE LA LÍNEA ______ TRAZADA EN DICHO PUNTO. TANGENTE. SECANTE. DE RADIO. DE CURVATURA.

1330.- ____ DE UNA FUNCIÓN EN UN PUNTO ES IGUAL A LA PENDIENTE DE LA LÍNEA TANGENTE TRAZADA EN DICHO PUNTO. LA INTEGRAL. LA DERIVADA. LA SOLUCIÓN. EL ÁREA BAJO LA CURVA.

1331.- COMO CON LOS NIVELES DE _____ DE CD Y CA, CUANTO MÁS BAJO SEA EL NIVEL DE LAS CORRIENTES UTILIZADAS PARA DETERMINAR LA RESISTENCIA PROMEDIO, MÁS ALTO SERÁ EL NIVEL DE. CORRIENTE. VOLTAJE. RESISTENCIA. MAGNETISMO.

1332.- COMO CON LOS NIVELES DE RESISTENCIA DE CD Y CA, CUANTO MÁS BAJO SEA EL NIVEL DE LAS CORRIENTES UTILIZADAS PARA DETERMINAR LA ____ PROMEDIO, MÁS ALTO SERÁ EL NIVEL DE RESISTENCIA. TENSIÓN. IMPEDANCIA. RESISTENCIA. POTENCIA ELÉCTRICA.

1333.- COMO CON LOS NIVELES DE RESISTENCIA DE CD Y CA, CUANTO MÁS BAJO SEA EL NIVEL DE LAS CORRIENTES UTILIZADAS PARA DETERMINAR LA RESISTENCIA PROMEDIO, MÁS _______ SERÁ EL NIVEL DE RESISTENCIA. BAJO. IGUALADO. NEUTRAL. ALTO.

1334.- COMO CON LOS NIVELES DE RESISTENCIA DE CD Y CA, CUANTO MÁS BAJO SEA EL NIVEL DE LAS CORRIENTES UTILIZADAS PARA DETERMINAR LA RESISTENCIA PROMEDIO, MÁS ALTO SERÁ EL NIVEL DE _______. RESISTENCIA. VOLTAJE. CORRIENTE. POTENCIA.

1335.- UN ____ ES UNA COMBINACIÓN DE ELEMENTOS APROPIADAMENTE SELECCIONADOS PARA QUE REPRESENTEN MEJOR LAS CARACTERÍSTICAS TERMINALES REALES DE UN DISPOSITIVO O SISTEMA EN UNA REGIÓN DE OPERACIÓN PARTICULAR. CIRCUITO DIFERENTE. CIRCUITO EQUIVALENTE. CIRCUITO EN RED. CIRCUITO EN MALLA.

1336.- UN CIRCUITO EQUIVALENTE ES UNA COMBINACIÓN DE ELEMENTOS APROPIADAMENTE SELECCIONADOS PARA QUE REPRESENTEN MEJOR LAS CARACTERÍSTICAS TERMINALES REALES DE UN DISPOSITIVO O _____EN UNA REGIÓN DE OPERACIÓN PARTICULAR. CONJUNTO. RED. SISTEMA. MALLA.

1337.- UN CIRCUITO EQUIVALENTE ES UNA COMBINACIÓN DE ELEMENTOS APROPIADAMENTE SELECCIONADOS PARA QUE REPRESENTEN MEJOR LAS CARACTERÍSTICAS TERMINALES REALES DE UN DISPOSITIVO O SISTEMA EN UNA _______ PARTICULAR. ZONA DE OPERACIÓN. REGIÓN DE OPERACIÓN. MALLA. RED.

1338.- ___ PARA OBTENER UN CIRCUITO EQUIVALENTE DE UN DIODO ES SIMULAR CON MÁS O MENOS PRECISIÓN LAS CARACTERÍSTICAS DEL DISPOSITIVO MEDIANTE SEGMENTOS DE LÍNEA RECTA. UN PROBLEMA. UNA DIFICULTAD. UNA TÉCNICA. UN RIESGO.

1339.- UNA TÉCNICA PARA OBTENER ________ DE UN DIODO ES SIMULAR CON MÁS O MENOS PRECISIÓN LAS CARACTERÍSTICAS DEL DISPOSITIVO MEDIANTE SEGMENTOS DE LÍNEA RECTA. UN CIRCUITO DE MALLA. UN CIRCUITO DE RED. UN CIRCUITO DIFERENTE. UN CIRCUITO EQUIVALENTE.

1340.- UNA TÉCNICA PARA OBTENER UN CIRCUITO EQUIVALENTE DE UN ______ ES SIMULAR CON MÁS O MENOS PRECISIÓN LAS CARACTERÍSTICAS DEL DISPOSITIVO. DIODO. TRANSISTOR. CIRCUITO RESISTIVO. CIRCUITO INDUCTIVO.

1341.- UNA TÉCNICA PARA OBTENER UN CIRCUITO EQUIVALENTE DE UN DIODO ES SIMULAR CON MÁS O _______ PRECISIÓN LAS CARACTERÍSTICAS DEL DISPOSITIVO MEDIANTE SEGMENTOS DE LÍNEA RECTA. IGUAL. MAYOR. SIN. MENOS.

1342.- UNA TÉCNICA PARA OBTENER UN CIRCUITO EQUIVALENTE DE UN DIODO ES SIMULAR CON MÁS O MENOS PRECISIÓN LAS CARACTERÍSTICAS DEL DISPOSITIVO MEDIANTE SEGMENTOS DE ______,. LÍNEA CURVA. LÍNEA PARALELA. LÍNEA RECTA. LÍNEA PERPENDICULAR.

1343.- TODO DISPOSITIVO ELECTRÓNICO O ELÉCTRICO ES SENSIBLE A LA _________. FRECUENCIA. CORRIENTE. TENSIÓN. POTENCIA.

1344.- TODO DISPOSITIVO ______ O ELÉCTRICO ES SENSIBLE A LA FRECUENCIA. MAGNETICO. MODERNO. MECÁNICO. ELECTRÓNICO.

1345.- LAS ESCALAS ___ SE UTILIZAN A MENUDO PARA PROPORCIONAR UN INTERVALO MÁS AMPLIO DE VALORES DE UNA VARIABLE EN UNA CANTIDAD DE ESPACIO LIMITADA. EXPONENCIALES. LINEALES. LOGARÍTMICAS. ARITMETICAS.

1346.- LAS ESCALAS LOGARÍTMICAS SE UTILIZAN A MENUDO PARA PROPORCIONAR UN INTERVALO MÁS AMPLIO. ILIMITADA. CERCANA. LIMITADA. ALEJADA.

1347.- _____ LOGARÍTMICAS SE UTILIZAN A MENUDO PARA PROPORCIONAR UN INTERVALO MÁS AMPLIO DE VALORES DE UNA VARIABLE EN UNA CANTIDAD DE ESPACIO LIMITADA. LAS REGLAS. LAS ECUACIONES. LAS FORMULAS. LAS ESCALAS.

1348.- LAS ESCALAS LOGARÍTMICAS SE UTILIZAN A MENUDO PARA PROPORCIONAR UN INTERVALO MÁS AMPLIO. CANTIDAD DE MASA. CANTIDAD DE CORRIENTE. CANTIDAD DE ESPACIO. CANTIDAD DE VOLTAJE.

1349.- _____ Y LA POLARIZACIÓN EN INVERSA APLICADA SON FACTORES MUY IMPORTANTES EN DISEÑOS SENSIBLES A LA CORRIENTE DE SATURACIÓN EN INVERSA. LA TENSIÓN. LA CORRIENTE. LA HUMEDAD. LA TEMPERATURA.

1350.- LA TEMPERATURA Y ________ EN INVERSA APLICADA SON FACTORES MUY IMPORTANTES EN DISEÑOS SENSIBLES A LA CORRIENTE DE SATURACIÓN EN INVERSA. LA POLARIZACIÓN. HUMEDAD. CORRIENTE. VOLTAJE.

1351.- LA TEMPERATURA Y LA POLARIZACIÓN EN INVERSA APLICADA SON FACTORES MUY IMPORTANTES EN DISEÑOS _______ A LA CORRIENTE DE SATURACIÓN EN INVERSA. POCO SENSIBLES. SENSIBLES. ALTERABLES. ELECTRICOS.

1352.- LA TEMPERATURA Y LA POLARIZACIÓN EN INVERSA APLICADA SON FACTORES MUY IMPORTANTES EN DISEÑOS SENSIBLES A LA CORRIENTE DE ______ EN INVERSA. IONIZACIÓN. VALENCIA. SATURACIÓN. OHM.

1353.- EL ÁNODO SE REFIERE AL POTENCIAL _________ O MÁS ALTO, Y EL CÁTODO A LA TERMINAL NEGATIVA O MÁS BAJA. NEGATIVO. NEUTRO. MENOR. POSITIVO.

1354.- EL _______ SE REFIERE AL POTENCIAL POSITIVO O MÁS ALTO, Y EL CÁTODO A LA TERMINAL NEGATIVA O MÁS BAJA. CÁTODO. IÓN. ENLACE COVALENTE. ÁNODO.

1355.- EL ÁNODO SE REFIERE AL POTENCIAL POSITIVO O MÁS ALTO, Y EL ______ A LA TERMINAL NEGATIVA O MÁS BAJA. CÁTODO. ÁNODO. ENLACE COVALENTE. IÓN.

1356.- EL ÁNODO SE REFIERE AL POTENCIAL POSITIVO O MÁS ALTO, Y EL CÁTODO A LA TERMINAL ___O MÁS BAJA. POSITIVA. NEGATIVA. NEUTRAL. MAYOR.

1357.- EL ÁNODO SE REFIERE AL POTENCIAL POSITIVO O MÁS ALTO, Y EL CÁTODO A LA TERMINAL NEGATIVA O MÁS ______. ALTA. NEUTRA. BAJA. RESISTIVA.

1358.- ______ DE UN DIODO ZENER ES MUY SENSIBLE A LA TEMPERATURA DE OPERACIÓN. EL POTENCIAL SHOCKLEY. EL VOLTAJE ZENER. LA CORRIENTE ZENER. EL POTENCIAL ZENER.

1359.- EL POTENCIAL ZENER DE UN _________ ZENER ES MUY SENSIBLE A LA TEMPERATURA DE. MICROCONTROLADOR. COMPUERTA. DIODO. TRANSISTOR.

1360.- EL POTENCIAL ZENER DE UN DIODO ZENER ES MUY SENSIBLE A LA _________ DE OPERACIÓN. HUMEDAD. TEMPERATURA. CORRIENTE. POTENCIA.

1361.- EL POTENCIAL ZENER DE UN DIODO ZENER ES MUY SENSIBLE A LA TEMPERATURA DE ____. OPERACIÓN. ALMACENAMIENTO. ABSORCIÓN. DISEMINACIÓN.

1362.- ___ DE SI Y GE EL MAYOR PORCENTAJE DE LA ENERGÍA CONVERTIDA DURANTE LA RECOMBINACIÓN EN LA UNIÓN SE DISIPA EN FORMA DE CALOR DENTRO DE LA ESTRUCTURA Y LA LUZ EMITIDA ES INSIGNIFICANTE. TRANSISTORES. COMPUERTAS. MICROCONTROLADORES. EN DIODOS.

1363.- EN DIODOS DE SI Y GE EL MAYOR PORCENTAJE DE LA ______ CONVERTIDA DURANTE LA RECOMBINACIÓN EN LA UNIÓN SE DISIPA EN FORMA DE CALOR DENTRO DE LA ESTRUCTURA Y LA LUZ EMITIDA ES INSIGNIFICANTE. ENERGÍA. CORRIENTE. TENSIÓN. POTENCIA.

1364.- EN DIODOS DE SI Y GE EL MAYOR PORCENTAJE DE LA ENERGÍA CONVERTIDA DURANTE LA RECOMBINACIÓN EN LA UNIÓN SE DISIPA EN FORMA DE ____ DENTRO DE LA ESTRUCTURA Y LA LUZ EMITIDA ES INSIGNIFICANTE. CALOR. HUMEDAD. TEMPERATURA. CORRIENTE.

1365.- EN DIODOS DE SI Y GE EL MAYOR PORCENTAJE DE LA ENERGÍA CONVERTIDA DURANTE LA RECOMBINACIÓN EN LA UNIÓN SE DISIPA EN FORMA DE CALOR DENTRO DE LA _________ Y LA LUZ EMITIDA ES INSIGNIFICANTE. MOLECULA. ESTRUCTURA. PARTÍCULA. RED.

1366.- EN DIODOS DE SI Y GE EL MAYOR PORCENTAJE DE LA ENERGÍA CONVERTIDA DURANTE LA RECOMBINACIÓN EN LA UNIÓN SE DISIPA EN FORMA DE CALOR DENTRO DE LA ESTRUCTURA Y LA LUZ EMITIDA ES ____. SIGNIFICANTE. ALTA. NEUTRAL. INSIGNIFICANTE.

1367.- ____ DE ONDA Y LA FRECUENCIA DE LA LUZ DE UN COLOR ESPECÍFICO ESTÁN DIRECTAMENTE RELACIONADAS CON LA BRECHA DE LA BANDA DE ENERGÍA DEL MATERIAL. LA AMPLITUD. LA LONGITUD. FRECUENCIA. POTENCIA MEDIA.

1368.- LA LONGITUD DE ONDA Y LA FRECUENCIA DE LA LUZ DE UN COLOR ESPECÍFICO ESTÁN DIRECTAMENTE _________ CON LA BRECHA DE LA BANDA DE ENERGÍA DEL MATERIAL. PROPORCIONALES. ADECUADAS. NEUTRALIZADAS. RELACIONADAS.

1369.- LA LONGITUD DE ONDA Y LA FRECUENCIA DE LA LUZ DE UN COLOR ESPECÍFICO ESTÁN DIRECTAMENTE RELACIONADAS CON LA BRECHA DE LA BANDA DE ____. ENERGÍA DEL MATERIAL. POTENCIA DEL MATERIAL. CORRIENTE DEL MATERIAL. VOLTAJE DEL MATERIAL.

1370.- LA LONGITUD DE ONDA Y LA FRECUENCIA DE LA LUZ DE UN ___ ESPECÍFICO ESTÁN DIRECTAMENTE RELACIONADAS CON LA BRECHA DE LA BANDA DE ENERGÍA DEL MATERIAL. COLOR. MATERIAL. HAZ. ÁTOMO.

1371.- LA LONGITUD DE ONDA Y ___ DE UN COLOR ESPECÍFICO ESTÁN DIRECTAMENTE RELACIONADAS CON LA BRECHA DE LA BANDA DE ENERGÍA DEL MATERIAL. LA AMPLITUD. LA POTENCIA MEDIA. EL CICLO. LA FRECUENCIA DE LA LUZ.

1372.- ______ ES AQUELLA EN LA QUE UNA VARIABLE DE INTERÉS SE GRAFICA CON UN NIVEL ESPECÍFICO DEFINIDO COMO VALOR DE REFERENCIA CON UNA MAGNITUD DE UNO. UNA GRAFICA EXPONENCIAL. UNA GRÁFICA LOGARITMICA. UNA GRÁFICA NORMALIZADA. UNA GRÁFICA LINEAL.

1373.- UNA GRÁFICA NORMALIZADA ES AQUELLA EN LA QUE UNA ______ DE INTERÉS SE GRAFICA CON UN NIVEL ESPECÍFICO DEFINIDO COMO VALOR DE REFERENCIA CON UNA MAGNITUD DE UNO. PARTÍCULA. VARIABLE DEPENDIENTE. VARIABLE. VARIABLE INDEPENDIENTE.

1374.- UNA GRÁFICA NORMALIZADA ES AQUELLA EN LA QUE UNA VARIABLE DE INTERÉS SE GRAFICA CON UN NIVEL ____ COMO VALOR DE REFERENCIA CON UNA MAGNITUD DE UNO. NO ESPECIFICO. MAYOR. MENOR. ESPECÍFICO DEFINIDO.

1375.- UNA GRÁFICA NORMALIZADA ES AQUELLA EN LA QUE UNA VARIABLE DE INTERÉS SE GRAFICA CON UN NIVEL ESPECÍFICO DEFINIDO COMO VALOR DE REFERENCIA CON UNA MAGNITUD ______. DE UNO. DE DOS. VARIABLE. ESTABLE.

1376.- LA INTENSIDAD LUMINOSA DE UN ____ SE INCREMENTARÁ CON LA CORRIENTE EN DIRECTA HASTA QUE SE ALCANZA UN PUNTO DE SATURACIÓN DONDE CUALQUIER INCREMENTO ADICIONAL DE LA CORRIENTE NO INCREMENTA DE FORMA EFECTIVA EL NIVEL DE ILUMINACIÓN. DIODO. LED. TRANSISTOR. FOCO.

1377.- LA INTENSIDAD LUMINOSA DE UN LED SE ___ CON LA CORRIENTE EN DIRECTA HASTA QUE SE ALCANZA UN PUNTO DE SATURACIÓN DONDE CUALQUIER INCREMENTO ADICIONAL DE LA CORRIENTE NO INCREMENTA DE FORMA EFECTIVA EL NIVEL DE ILUMINACIÓN. DISMINUIRÁ. MANTENDRÁ. INCREMENTARÁ. JUNTARÁ.

1378.- LA INTENSIDAD LUMINOSA DE UN LED SE INCREMENTARÁ CON LA CORRIENTE EN DIRECTA HASTA QUE SE ALCANZA UN PUNTO DE SATURACIÓN DONDE CUALQUIER INCREMENTO ADICIONAL DE LA CORRIENTE NO INCREMENTA DE FORMA EFECTIVA EL NIVEL DE ____. VOLTAJE. POTENCIA. RESISTENCIA. ILUMINACIÓN.

1379.- SON LOS COINVENTORES DEL PRIMER TRANSISTOR EN LOS LABORATORIOS BELL: GRAHAM BELL. WALTER H BRATTAIN Y JOHN BARDEEN. FARADAY Y OHM. NICOLAS TESLA Y TOMAS A. EDISON.

1380.- ¿DE QUÉ TIPO FUE EL PRIMER TRANSISTOR ORIGINAL?. UN TRANSISTOR DE PUNTO DE CONTACTO. UN TRASISTOR DE BULBO. DE FLUJO DIRECTO. DE COMPUERTA.

1381.- ES UNA DE LAS VENTAJAS DEL TRANSISTOR DE PUNTO DE CONTACTO DE ESTADO SÓLIDO DE TRES TERMINALES SOBRE EL BULBO. ERA MÁS GRANDE Y PESADO. ERA MÁS BARATO. ERA MÁS PEQUEÑO Y MÁS LIVIANO. ERA DIFÍCIL DE FABRICAR.

1382.- UNA DE LAS VENTAJAS DEL TRANSISTOR DE PUNTO DE CONTACTO DE ESTADO SÓLIDO DE TRES TERMINALES SOBRE EL BULBO ES: TENÍA QUE CALENTARSE Y PERDÍA CALOR. NO TENÍA QUE CALENTARSE NI PERDÍA CALOR. ERA MÁS ROBUSTO. CUMPLÍA CON LAS NORMAS ELECTRICAS.

1383.- ES UNA DE LAS VENTAJAS DEL TRANSISTOR DE PUNTO DE CONTACTO DE ESTADO SÓLIDO DE TRES TERMINALES SOBRE EL BULBO. SU CONSTRUCIÓN ERA LIGERA. SU CONSTRUCCIÓN NO ERA ROBUSTA. CUMPLIA CON LAS NORMAS ELECTRICAS. SU CONSTRUCCIÓN ERA ROBUSTA Y MÁS EFICIENTE.

1384.- UNA DE LAS VENTAJAS DEL TRANSISTOR DE PUNTO DE CONTACTO DE ESTADO SÓLIDO DE TRES TERMINALES SOBRE EL BULBO ES: CONSUMÍA MENOS POTENCIA Y SE PODÍAN OBTENER VOLTAJES DE OPERACIÓN MÁS BAJOS. CONSUMA MÁS POTENCIA. OPERABA A VOLTAJES DE OPERACIÓN ALTOS. CUMPLÍA CON LAS NORMAS ELÉCTRICAS.

1385.- EL TRANSISTOR ES UN DISPOSITIVO ____ DE TRES CAPAS. CONDUCTOR. SEMICONDUCTOR. AISLANTE. HÍBRIDO.

1386.- ES EL TRANSISTOR MANUFACTURADO CON DOS CAPAS DE MATERIAL TIPO N Y UNA DE MATERIAL TIPO P. TRANSISTOR PNP. TRANSISTOR DOBLE "N". TRANSISTOR NPN. TRANISTOR DOBLE "P".

1387.- ES EL TRANSISTOR MANUFACTURADO CON DOS CAPAS DE MATERIAL TIPO P Y UNA DE MATERIAL TIPO N. TRANSISTOR NPN. TRANSISTOR DOBLE "P". TRANSISTOR DOBLE "N". TRANSISTOR PNP.

1388.- ES EL TERMINO DONDE LOS HUECOS Y ELECTRONES PARTICIPAN EN EL PROCESO DE INYECCIÓN HACIA EL MATERIAL OPUESTAMENTE POLARIZADO. UNIPOLAR. POLARIZACIÓN DIRECTA. BIPOLAR. POLARIZACIÓN INVERSA.

1389.- SI SE EMPLEA SÓLO UN PORTADOR -ELECTRÓN O HUECO-, SE CONSIDERA QUE ES UN DISPOSITIVO. BIPOLAR. POLARIZADO DIRECTO. UNIPOLAR. POLARIZADO INVERSO.

1390.- LA UNIÓN P-N DE UN TRANSISTOR SE POLARIZA EN INVERSA EN TANTO QUE LA OTRA SE POLARIZA EN: INVERSA. NEUTRAL. CORTO. DIRECTA.