Para medir la corriente que atraviesa una resistencia que forma parte de un circuito eléctrico, ¿qué instrumento debemos emplear y cómo debemos conectarlo? voltímetro, interrumpiendo el circuito e insertándolo de forma que la misma co-
riente que atraviesa la resistencia atraviese también el instrumento. voltímetro, aplicando simplemente los terminales de éste en los extremos de la resistencia. Un amperímetro, interrumpiendo el circuito e insertándolo de forma que la misma
corriente que atraviesa la resistencia atraviese también el instrumento. Un amperímetro, reemplazándolo por la resistencia.
Si unimos los terminales de una resistencia con los de otra de diferente valor, formando la asociación denominada «conexión en paralelo», ¿qué magnitud del circuito se conserva (su valor es idéntico para ambas resistencias) y cuál se suma (posee valores diferentes para cada resistencia) en el nuevo circuito? Se conserva la tensión y se suma la corriente que atraviesa ambas resistencias. Se conserva la corriente que atraviesa ambas resistencias y se suma la tensión. Se conserva la resistencia y se suma la tensión. No se conserva ninguna magnitud y se suman tanto la corriente como la tensión.
¿Qué relación establece la Ley de Ohm entre voltaje y corriente? La caída de potencial ocasionada por una corriente eléctrica que atraviesa una resistencia es directamente proporcional a la corriente que la atraviesa, siendo la resistencia la constante de proporcionalidad. La caída de potencial ocasionada por una corriente eléctrica que atraviesa una resistencia es directamente proporcional a la corriente que la atraviesa, siendo la inversa de la resistencia la constante de proporcionalidad. La caida de potencial ocasionada por una corriente electrica que atraviesa una resis-
encia es inversamente proporcional a la corriente y directamente proporcional a la resistencia. La Ley de Ohm no establece ninguna relación entre voltaje y corriente.
¿Qué propiedad presentan los niveles energéticos de los átomos de los semiconductores que hace que se comporten de forma especial frente al fenómeno de la conducción eléctrica? La separación entre los niveles energéticos de la banda de valencia y la banda de conducción es lo suficientemente grande como para que no sean conductores y lo
suficientemente pequeña como para que puedan serlo con un estímulo. Los niveles energéticos de un semiconductor están dispuestos en orden inverso a los
de los conductores y aislantes. El comportamiento especial de los semiconductores no depende de sus niveles energéti
cos, sino de la capacidad que tienen para formar estructuras cristalinas. En un semiconductor, la capa de valencia se encuentra muy separada del núcleo y eso hace que pierda fácilmente sus electrones, dando lugar a la conducción eléctrica.
En qué consiste el «dopaje» de un semiconductor y qué se obtiene con ello? Consiste en insertar átomos que en su capa más externa poseen diferente número de electrones que los átomos que forman el cristal semiconductor y con esta acción se obtiene un semiconductor extrínseco. Consiste en calentar un cristal semiconductor hasta que algunos enlaces se rompan, de forma que ciertos átomos no participan totalmente de la estructura del cristal y con esta acción se obtiene un semiconductor extrínseco. Consiste en eliminar todos los electrones libres del cristal semiconductor y con esta
acción se obtiene un semiconductor intrínseco. Consiste en contaminar el semiconductor con una mezcla de átomos con diferentes
estructuras electrónicas y con ello se obtiene un semiconductor intrínseco.
¿En qué consiste la zona de agotamiento de una unión PN? En la región espacial del diodo alrededor de la unión PN en que los electrones excedentes del semiconductor dopado N ocupan los huecos excedentes del semiconductor
dopado P. En la región espacial del diodo en que los átomos de dopaje están agotados porque
los electrones ocupan su lugar. En la zona de la gráfica que representa el comportamiento I - V del diodo en la que el diodo empieza a conducir en polarización inversa, dado paso a la zona de avalancha. En la superficie externa del diodo, en la que se producen las corrientes de fuga que hacen que el diodo conduzca levemente en polarización inversa.
¿Cómo se comporta un diodo real en la región de polarización directa ? Apenas deja pasar corriente hasta que la diferencia de potencial entre sus terminales supera la necesaria para que los electrones atraviesen la zona de agotamiento, momento a partir del cual ofrece una resistencia muy pequeña al paso de la corriente.
Cuando la corriente que lo atraviesa alcanza el máximo permitido, se destruye. Ofrece una gran resistencia hasta que se alcanza la tensión de avalancha, momento a partir del cual presenta una resistencia muy pequeña. Cuando la corriente que lo atraviesa alcanza el máximo permitido, se destruye. Deja pasar corriente de forma proporcional a la tensión que se aplica entre sus terminales hasta que la corriente supera el máximo que puede soportar, instante en que se destruye. Presenta una gran resistencia hasta que se alcanza la tensión de avalancha, momento en que se destruye.
¿En qué consiste el comportamiento que presenta un transistor bipolar (BJT) en la región
de conducción? Modifica su resistencia interna de forma que se mantenga constante la proporción
(denominada beta del transistor entre la corriente que entra por su base y la que circula entre colector y emisor. Deja pasar entre su colector y su emisor una cantidad de corriente proporcional (con
constante de proporcionalidad denominada beta) a la tensión presente en su base. Modifica la corriente de su base de forma que se mantenga proporcional (con constante de proporcionalidad denominada beta) a la corriente que circula entre colector y emisor. Reduce al máximo la resistencia entre colector y emisor, dejando pasar la máxima corriente posible (denominada beta del transistor) independientemente de la corriente que entre por su base.
Según el Teorema de Nyquist, ¿qué relación debe existir entre la frecuencia de muestreo de una señal y la máxima frecuencia presente en dicha señal? La frecuencia de muestreo debe ser al menos el doble de la máxima frecuencia presente
en la señal. La frecuencia de muestreo debe ser mayor que la máxima frecuencia presente en la senal. La frecuencia de muestreo debe ser como máximo la mitad de la máxima frecuencia
presente en la señal. La frecuencia de muestreo debe ser menor que la máxima frecuencia presente en la señal.
El proceso de digitalización de una señal ocasiona pérdida de información. Dónde se produce dicha pérdida? ¿Cómo puede evitarse? Al aplicar un muestreo en el dominio del tiempo y al aplicar una cuantificación en el dominio de la amplitud. Ambas pérdidas son inevitables. Al someter a la señal a la acción de un dispositivo de monitorización y retención
(Sample Hold). Puede evitarse eliminado este dispositivo. Al aplicar un muestreo en el dominio del tiempo y al aplicar una cuantificación en el dominio de la amplitud. Se pueden evitar aumentando la frecuencia de muestreo y aumentando el número de bits de la cuantificación, respectivamente. En el proceso de digitalización no se producen pérdidas.
¿Cuál es la principal ventaja del conversor digital/analógico de lazo abierto? Su rapidez. Su facilidad de implementación. Su simplicidad. Su estabilidad.
¡.De qué dos bloques funcionales consta todo conversor analógicodigital (A/D) y por
qué motivo? Un conversor digital/analógico (D/A) y un comparador, porque la técnica empleada
para la conversión A/D siempre es la de ensayo y error. Un amplificador y un comparador, porque la señal de entrada necesita ser acondicionada a los niveles a los que trabaja el conversor. Un filtro LPF (Low Pass Filter - filtro pasa bajo) y un comparador, porque hay que eliminar las frecuencias superiores a la de muestreo y luego comparar la señal de entrada con la de referencia. Un circuito de sample/hold (S/H) y un conversor digital/analógico (D/A), porque la señal debe permanecer constante mientras se procede a su conversión.
En un conversor analógico/digital (A/D), ¿qué se conoce como resolución? El número de bits del valor numérico entregado por el conversor. El número de valores diferentes que es capaz de generar el conversor. La diferencia de la señal de entrada que hace que se generen dos valores consecutivos. El valor mínimo de señal de entrada que hace que la salida cambie su valor.
Mediante qué proceso puede un electrón de la banda de valencia de un semiconductor
promocionar a la banda de conducción? Recibiendo de un fotón una cantidad de energía igual o superior a la necesaria para superar la banda de energía prohibida entre la banda de valencia y la banda de conducción. Unicamente recibiendo de un fotón una cantidad de energía exactamente igual a la que separa la banda de valencia de la banda de conducción. Acumulando progresivamente la energía de varios fotones hasta disponer de energía
suficiente para alcanzar la banda de conducción. Cuando un electrón pasa de la banda de valencia a la de conducción pierde energía y la libera en forma de un fotón.
¿Qué diferencia a una transición BP directa de una transición BP indirecta? En la transición BP directa, la diferencia entre la banda de valencia y la de conducción consiste en un mero cambio en la energía del electrón, mientras que en la transición
BP indirecta también hay una diferencia de momento. En la transición BP directa, el electrón precisa de la participación de un solo fotón, mientras que en la transición BP indirecta deben intervenir necesariamente al menos
dos fotones. La transición BP directa consiste en que el electrón recibe la cantidad de energía exacta para pasar a la banda de conducción, mientras que en la transición BP indirecta el electrón recibe una energía suplementaria que debe disipar para alcanzar la energía
mínima de la banda de conducción. En la transición BP directa interviene la energía del fotón que es transferida al electrón, mientras que en la transición BP indirecta el fotón únicamente transfiere al electrón su momento.
¿Qué fenómeno se produce en el interior de los diodos LED para que produzcan luz?
¿Por qué los hay de diferentes colores? Los electrones de la banda de conducción pierden energía en forma de fotones (luz)
pasando a la banda de valencia. Dependiendo del elemento semiconductor y el dopaje, los fotones presentarán diferentes longitudes de onda, es decir, se producirá luz de diferente color. Los electrones de la banda de valencia pierden energía en forma de fotones (luz)
pasando a la banda de conducción. Dependiendo del elemento semiconductor y el dopaje, los fotones presentarán diferentes longitudes de onda, es decir, se producirá luz de diferente color. Los electrones de la banda de conducción pasan de un átomo a otro emitiendo fotones
(luz). Dependiendo del átomo de inicio y el de destino, los fotones dispondrán de diferentes cantidades de energía, dando lugar a diferentes colores. Los electrones de la banda de valencia pasan a la banda de conducción emitiendo fotones (luz). Empleando diferentes materiales transparentes para la cobertura del semiconductor se obtienen los diferentes colores.
¿Cuál es el efecto que la luz produce en una unión PN y que da lugar al fotodiodo? Que la incidencia de fotones libera gran cantidad de electrones en las inmediaciones de la unión y se desplazan en sentido contrario al de la corriente rectificada de la unión PN, produciendo una corriente eléctrica negativa generada por el diodo. Que los fotones estimulan la conducción del diodo, haciendo que conduzca tanto más
cuanto más luz incide sobre la unión PN. Que los fotones producen electrones libres en la banda de conducción que bloquean a los que circulan impulsados por la diferencia de potencial y reducen la conductividad del diodo tanto más cuanta más luz incide sobre la unión PN. Que al producirse electrones libres en la banda de conducción como consecuencia de los fotones incidentes, desaparece la barrera de potencial del diodo y conduce como una resistencia tradicional.
¿Cómo se consigue que la luz viaje por el interior de una fibra óptica trazando curvas en lugar de desplazarse con una trayectoria rectilínea?. Porque la relación entre el índice de refracción de la cubierta y el del núcleo de la fibra óptica es tal que la luz se refleja constantemente por el interior del núcleo. Por la existencia de los modos de propagación en la fibra óptica que curvan el espacio
al aproximarse a la velocidad de la luz. Porque la fibra óptica se fabrica de forma que su diámetro no exceda la relación entre los índices de refracción del núcleo y la cubierta. De esta forma la luz se comporta como una onda y no puede salir de la fibra óptica. Porque cuando la luz penetra en una estructura tubular con paredes cilíndricas solamente puede escapar por uno de sus extremos.
Que parte de un atomo determina sus propiedades electricas? La corteza El núcleo Los protones Ninguna parte del atomo influye.
Que magnitud representa el numero de cargas electricas (electrones) que pasan por un punto de un circuito por unidad de tiempo y en que unidades se mide? La corriente eléctrica y se mide en Amperios (A) La carga eléctrica y se mide en Culombs (C) La diferencia de potencial y se mide en Voltios (V) La resistencia eléctrica y se mide en Ohmios (Ohm).
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