CAPITULO UNO

1.- Son una clase especial de elementos cuya conductividad se encuentra entre la de un buen conductor y la de un buen aislante. Semiconductor. Diodo. Transistor. Conductor.

2.- Es un semiconductor de un solo cristal. Germanio. GaAs. Arseniuro de Galio.

3.- Es una clase de semiconductor compuesto. Arseniuro de Galio. Sulfuro de Galio. Nitruro de Cadmio.

4.- Es una clase de semiconductor compuesto. Arseniuro de Cadmio. Sulfuro de Galio. Nitruro de Cadmio. Sulfuro de cadmio.

5.- Es una clase de semiconductor compuesto. Arseniuro de Cadmio. Sulfuro de Galio. Nitruro de Cadmio. Fosfuro de Galio y Arsenico.

6.- Este semiconductor tiene aplicaciones de sensibilidad a la luz y se emplea en fotodetectores y sistema de seguridad. Germanio. Silicio. GaAs.

7.- Este semiconductor es de bajo costo, su corriente de saturacion en inversa es baja, tiene excelentes niveles de voltaje de ruptura. Germanio. Silicio. GaAs.

8.- Este semiconductor inicialmente se utiliazaba porque era facil de encontrar. Germanio. Silicio. GaAs.

9.- En 1970 se desarrolló el primer transistor, material semiconductor que satisfacia las necesidades de velocidad. Germanio. Silicio. GaAs.

10.- Este semiconductor es cinco veces la velocidad del Si, es mas caro y tiene niveles mas altos de pureza. Germanio. Silicio. GaAs.

11.- Este semiconductor en la actualidad se utiliza de manera consistente como material base para nuevos diseños de circuitos integrados a gran escala. Germanio. Silicio. GaAs.

12.- En este semiconductor se observo que en un cristal de este material tenia una grieta hacia la mitad elevaba significativamente la corriente cuando se colocaba cerca de una fuente luminosa. Germanio. Silicio. GaAs.

13.-Indica el potencial requerido para remover cualquiera de los electrones de la estructura atómica. Valencia. Enlace covalente. Material extrinseco. Material intrinseco.

14.- Enlace de atomos, reforzado por compartir electrones. Valencia. Enlace covalente. Portador libre. Portador.

15.- Se aplica a cualquier electrón que se haya separado de la estructura entrelazada fija y sensible a cualquier campo electrico. Valencia. Enlace covalente. Portador libre. Intrinseco.

16.- Se aplica a cualquier material semiconductor que haya sido cuidadosamente refinado para reducir el numero de impurezas a un nivel muy bajo, lo mas puro posible. Valencia. Enlace covalente. Portador libre. Intrinseco.

17.- Son electrones libres presentes en un material debido a solo causas externas. Valencia. Enlace covalente. Portador libre. Portador Intrinseco.

18.- Es la capacidad de los electrones libres de moverse por todo el material. Movilidad relativa. Enlace covalente. Portador libre. Portador Intrinseco.

19.- Es la capacidad de cambiar las caracteristicas de un material. Movilidad relativa. Purificación o dopado. Portador libre. Portador Intrinseco.

19.- Es un material semiconductor que ha sido sometido al proceso de dopado. Material intrisico. Purificación o dopado. Material extrinseco. Portador Intrinseco.

21.- Es un material extrinseco que se forma agregando un numero predeterminado de atomos de impureza a una base de silicio, se crea introduciendo elementos de impureza que contienen cinco electrones de valencia. Material tipo n. Material tipo p. Meterial npn. Material extrinseco.

22.- Es un material extrinseco que es esteticamente neutro. Material tipo n. Material tipo p. Meterial npn. Material extrinseco.

22.- Es un material extrinseco que se forma dopando un cristal de germanio a silicio puro con atomos de impurezas que tienen tres electrones de valencia. Material tipo n. Material tipo p. Meterial npn. Material extrinseco.

24.- Material que contiene cinco electrones de valencia. Antimonio, Arsenico y Fosforo. Antimonio, Arsenico y Galio. Antimonio, Arsenico y Indio. Boro, Galio e Indio.

25.- Existe en materiales tipo "p", es un vacio resultante y se denota con pequeño circulo o signo mas, e indica ausencia de carga positiva. Hueco. Libre. Intrinseco. Extrinseco.

26.- En este material el electron se llama portador mayoritario y el hueco se llama portador minoritario. Material tipo "n". Material tipo "p". Meterial extrinsico. Material intrinseco.

27.- En este material el electron se llama portador minoritario y el hueco se llama portador mayoritario. Material tipo "n". Material tipo "p". Meterial extrinsico. Material intrinseco.

28.- Se crea uniendo un material tipo "p" y un tipo "n". Diodo semiconductor. Transistor. Semiconductor.

29.- Se refiere a la aplicación de un voltaje externo a traves de las terminales del dispositivo para una respuesta. Polarizacion. Transistor. Semiconductor. Saturación.

30.- Esta accion deriva del hecho de que alcanza su nivel maximo con rapidez y que no cambia de manera significativa con los incrementos en el potencial de polarizacion inversa. Saturación. Polarización. Polarización en inversa.

31.- Define las caracteristicas generales de un diodo semiconductor. Ec. Shockley. Region Zener. Dopado. Hueco.

32.- Union p-n permite un flujo abundante de carga. Polarización en directa. Polarización en inversa. Saturación. Región zener.

33.- En la industria se hace sustituion de la frase "circuitio equivalente del diodo" por: Modelo de diodo. Miodo ideal. Modelo equivalente.

34.-Se emplea con mas frecuencia en el analisis de sistemas electronicos. Modelo equivalente simplificado. Diodo idel. Modelo de diodo.

35.- La caracteristica de un diodo ideal son exactamente a las de: Interruptor simple. Corto circuito. Circuito abierto.

35.- Esta aproximación se emplea con frecuencia en el analisis de circuitos semiconductores. Circuito equivalente simplificado. Diodo ideal. Modelo equivalente simplificado. Modelo de diodo.

37.- En esta region de polarización existe capacitancia de almacenamiento o difusión. Polarizacion en directa. Polarización en inversa. Region de saturación.

38.- En esta region de polarización existe capacitancia de transicion o de empobrecimiento. Polarizacion en directa. Polarización en inversa. Region de saturación.

39.- Terminal positiva o mas alto. Anodo. Catodo. Dipolo.

40.- Terminal negativa o mas bajo. Anodo. Catodo. Dipolo.

41.- Esta se mide en candelas. Intensidad. Flujo luminoso. Iluminación.

42.- Mide el flujo luminoso total, es decir cuanto luz emite en todas las direcciones. Candela. Lumen. Pie-candela.

43.- Mide iluminación o iluminancia, luz sobre una superficie. Candela. Lumen. Pie-candela.

44.- Es una medida de la capacidad de un dispositivo de producir un efecto deseado. Eficacia. Pureza. Dopado.

45.- Para los leds de color verde, amarillo, naranja y rojo tienen estos valores de voltaje. 2 V, 20 mA. 5 V, 10 mA. 4.1 V, 20 mA.

46.- Para los led azul le corresponde este voltaje. 2 V, 20 mA. 5 V, 20 mA. 4.1 V, 20 mA.

47.- Para los led blancos le corresponde este voltaje. 2 V, 20 mA. 5 V, 20 mA. 4.1 V, 20 mA.

48.- El voltaje de umbral para este diodo es de 0.7 V. Silicio. Germanio. Cadmio.

49.- El voltaje de umbral para este diodo es de 0.3 V. Silicio. Germanio. Cadmio.

50.- Los diodos emisores de luz emiten luz en condiciones de polarizacion en directa con este voltaje. de 2 a 4 V. 5 V. 4.2 V.