EN UN CIRCUITO EN PARALELO, DONDE R1=R2=R3=R4= 2 OHMS, ¿CUAL ES LA RESISTENCIA TOTAL DEL CIRCUITO? 05 OHM 0.5 OHM 50 OHM.
EN UN CIRCUITO EN PARALELO, ¿CUAL ES LA FORMULA PARA CALCULAR LA RESISTENCIA TOTAL DE DOS RESISTORES EN PARALELO? RT = R1 R2 / R1 + R2 1/RT = 1/R1 + 1/R2 + 1/R3 +1/RN RT = R1- R2 / R1 + R2.
EN UN CIRCUITO EN PARALELO, DONDE R1= 9 OHMS, R2 = 18 OHMS Y E = 27 VOLTS, ¿CUAL ES EL
VOLTAJE EN R2? 27 V 24 V 8 V.
LEY QUE ESTABLECE QUE LA SUMA ALGEBRAICA DE LAS CORRIENTES QUE ENTRAN Y SALEN DE UN AREA,SISTEMA O UNION ES CERO. LEY DE CORRIENTE DE KIRCHHOFF (LCK) LEY DE VOLTAJE DE KIRCHHOFF (LVK) LEY DE OHM.
LEY QUE ESTABLECE QUE LA SUMA DE LAS CORRIENTES QUE ENTRAN A UN AREA, SISTEMA O UNION DEBE SER IGUAL A LA SUMA DE LAS CORRIENTES QUE SALEN DEL AREA, SISTEMA O UNION. LEY DE CORRIENTES DE KIRCHHOFF (LCK) LEY DE VOLTAJE DE KIRCHHOFF (LVK) LEY DE OHM.
DE ACUERDO A LA RDC, PARA ELEMENTOS EN PARALELO CON VALORES DIFERENTES, A MENOR RESISTENCIA,___________SERA LA PORCION DE LA CORRIENTE DE ENTRADA. MAYOR MENOR IGUAL.
¿CUAL ES LA RAZON PRINCIPAL DE COLOCAR EN PARALELO DOS O MAS BATERIAS DEL MISMO VOLTAJE? INCREMENTAR LA CORRIENTE DISMINUYE LA CORRIENTE MISMO.
UN CIRCUITO___________PUEDE TENER UNA DIFERENCIA DE POTENCIAL (VOLTAJE) EN SUS TERMINALES,PERO LA CORRIENTE ES SIMPLEMENTE CERO AMPERE. ABIERTO CERRADO MIXTO.
METODO POR EL CUAL LA CORRIENTE A TRAVES DE ELEMENTOS EN PARALELO SE PUEDE DETERMINAR SIN ENCONTRAR PRIMERO EL VOLTAJE DE ESOS ELEMENTOS REGLA DEL DIVISOR DE CORRIENTE (RDC) REGLA DEL DIVISOR DE VOLTAJE (RDV) SERIE-PARALELO.
SON REDES QUE CONTIENEN CONFIGURACIONES DE CIRCUITO TANTO EN SERIE COMO EN PARALELO SERIE-PARALELO SERIE PARALELO.
METODO QUE SE UTILIZA EN LA SOLUCION DE REDES SERIEPARALELO CON UNA SOLA FUENTE, DONDE EL ANALISIS PROCEDE HACIA LA FUENTE, DETERMINA LA CORRIENTE DE LA FUENTE Y LUEGO REGRESA A LA INCOGNITA BUSCADA METODO DE REDUCCION Y REGRESO METODO DE INDUCCION Y REGRESO METODO DE INCOGNITA.
INSTRUMENTO QUE SE UTILIZA PARA MEDIR VALORES DE RESISTENCIA MUY ALTOS, SIENDO SU PRINCIPAL FUNCION VERIFICAR EL AISLANTE QUE SE ENCUENTRA EN SISTEMA DE TRANSMISION DE POTENCIA, MAQUINARIA ELECTRICA, TRANSFORMADORES, ETC MEGGER VOLTIMETRO AMPERIMETRO.
TIPO DE TIERRA QUE SE ENCUENTRA CONECTADA DIRECTAMENTE CON TIERRA FIRME POR MEDIO DE UNA CONEXION DE BAJA IMPEDANCIA FISICA FLOTANTE MAYOR.
EN UNA TIERRA DE CHASIS, SI EL CHASIS NO ESTA CONECTADO AL POTENCIAL DE TIERRA FISICA, SE DICE QUE SE ENCUENTRA:___. FLOTANDO FISICA FALSEANDO.
DE ACUERDO AL CODIGO ELECTRICO NACIONAL ESTADOUNIDENSE, LOS CONDUCTORES DE TRES HILOS TIENEN UN CABLE DE TIERRA QUE DEBE SER DE COLOR:_________. VERDE AMARILLO CAFE.
EN CONVERSION DE FUENTES, PARA LA FUENTE DE CORRIENTE, EN LA PRACTICA, SIEMPRE SE PRESENTARA UNA RESISTENCIA INTERNA EN________CON LA CON LA FUENTE DE CORRIENTE PARALELO SERIE MIXTO.
EN CONVERSION DE FUENTES, PARA LA FUENTE DE VOLTAJE, EN LA PRACTICA, SIEMPRE SE PRESENTARA UNA RESISTENCIA INTERNA EN________CON LA FUENTE DE VOLTAJE SERIE PARALELO MIXTO.
LAS FUENTES DE CORRIENTE CON DISTINTOS VALORES NOMINALES DE CORRIENTE NO SE CONECTAN
EN___________CON EL CIRCUITO SERIE PARALELO ABIERTO.
LAS FUENTES DE VOLTAJE CON DISTINTOS VALORES NOMINALES DE VOLTAJE NO SE CONECTAN EN___________CON EL CIRCUITO. PARALELO SERIE MIXTO.
EN EL METODO DE ANALISIS DE MALLAS METODO GENERAL, ¿QUE LEY SE APLICA PARA OBTENER LAS ECUACIONES DE LA RED? LVK LCK RVK RCK.
421.- EN EL METODO DE ANALISIS DE NODOS METODO GENERAL, ¿QUE LEY SE APLICA PARA OBTENER LAS ECUACIONES DE LA RED? LVK LCK RCK RVK.
422.- TECNICA PARA DETERMINAR LAS CORRIENTES DE MALLA LAZO DE UNA RED Y DA POR RESULTADO UN CONJUNTO REDUCIDO DE ECUACIONES EN COMPARACION CON EL METODO DE CORRIENTE DE RAMA. ANALISIS DE MALLAS ANALISIS DE NODOS LVK LCK.
423.- CONFIGURACION DE RED QUE TIPICAMENTE TIENE UNA APARIENCIA DE DIAMANTE EN LA QUE NO HAY DOS ELEMENTOS EN SERIE O EN PARALELO. REDES DE PUENTE ANALISIS DE MALLAS ANALISIS DE NODOS.
424.- TEOREMA QUE ESTABLECE QUE LA CORRIENTE O EL VOLTAJE DE UN ELEMENTO EN UNA RED LINEAL BILATERAL ES IGUAL A LA SUMA ALGEBRAICA DE LAS CORRIENTES O VOLTAJES PRODUCIDOS INDEPENDIENTEMENTE POR CADA FUENTE. TEOREMA DE SUPERPOSICION ANALISIS DE MALLAS REDES DE PUENTE.
425.- APLICANDO EL TEOREMA DE SUPERPOSICION EN EL ANALISIS DE REDES, LAS FUENTES DE VOLTAJE SE SUSTITUYEN POR UN___________ Y LAS FUENTES DE CORRIENTE POR UN__________. CORTO CIRCUITO CIRCUITO ABIERTO CORTO CIRCUITO CIRCUITO CERRADO ABIERTO CERRADO.
426.- TEOREMA QUE ESTABLECE QUE CUALQUIER RED DE CORRIENTE DIRECTA LINEAL BILATERAL DE DOS TERMINALES PUEDE SER REEMPLAZADA POR UN CIRCUITO EQUIVALENTE QUE CONSTE DE UNA FUENTE DE VOLTAJE Y UN RESISTOR EN SERIE
TEOREMA DE THEVENIN TEOREMA DE NORTON TEOREMA DE KIRCHOF.
427.- TEOREMA QUE ESTABLECE QUE CUALQUIER RED DE CORRIENTE DIRECTA LINEAL BILATERAL DE DOS TERMINALES PUEDE SER REEMPLAZADA POR UN CIRCUITO EQUIVALENTE QUE CONSISTA DE UNA FUENTE DE CORRIENTE Y UN RESISTOR EN PARALELO.
TEOREMA DE NORTON TEOREMA DE THEVENIN TEOREMA DE KIRCHOF.
428.- EN UN CIRCUITO EQUIVALENTE NORTON, PARA CALCULAR LA RESISTENCIA RN, SE DEBEN REEMPLAZAR TODAS LAS FUENTES DE VOLTAJE POR____________Y LAS FUENTES DE CORRIENTE
POR___________.
CORTO-CIRCUITO CIRCUITO-ABIERTO CORTO-CIRCUITO CIRCUITO-CERRADO FUENTE DE VOLYAJE CIRCUITO-ABIERTO.
429.- TEOREMA QUE ESTABLECE QUE UNA CARGA RECIBIRA POTENCIA MAXIMA DE UNA RED DE CD LINEAL BILATERAL CUANDO SU VALOR RESISTIVO TOTAL SEA EXACTAMENTE IGUAL A LA RESISTENCIA DE THEVENIN DE LA RED COMO ES VISTA POR LA CARGA.
MAXIMA TRANSFERENCIA DE POTENCIA TEOREMA DE NORTON TEOREMA DE THEVIN.
430.- TEOREMA QUE ESTABLECE QUE SI EL VOLTAJE Y LA CORRIENTE A TRAVES DE CUALQUIER RAMA DE UNA RED DE CD BILATERAL SON CONOCIDOS, ESTA RAMA PUEDE SER REEMPLAZADA POR CUALQUIER COMBINACION DE ELEMENTOS QUE MANTENDRA EL MISMO VOLTAJE Y LA MISMA CORRIENTE A TRAVES DE LA RAMA ESCOGIDA. TEOREMA DE SUSTITUCION TEOREMA DE NORTON TEOREMA DE THEVENIN.
431.- TEOREMA APLICABLE A REDES DE UNA SOLA FUENTE, QUE ESTABLECE QUE LA CORRIENTE I EN CUALQUIER RAMA DE UNA RED, DEBIDA A UNA SOLA FUENTE DE VOLTAJE E EN CUALQUIER OTRA PARTE DE LA RED, SERA IGUAL A LA CORRIENTE A TRAVES DE LA RAMA EN QUE LA FUENTE ESTABA ORIGINALMENTE LOCALIZADA SI LA FUENTE ES COLOCADA EN LA RAMA EN QUE LA CORRIENTE I SE MIDIO EN UN PRINCIPIO. TEOREMA DE RECIPROCIDAD TEOREMA DE SUSTITUCION TEOREMA DE NORTON TEOREMA DE THEVENIN.
432.- ES UNA MEDIDA DE LA HABILIDAD DE UN CAPACITOR PARA ALMACENAR CARGA SOBRE SUS PLACAS, EN OTRAS PALABRAS, SU CAPACIDAD DE ALMACENAMIENTO. CAPACITANCIA DESCARGA VOLTAJE DE ENCENDIDO.
433.- UN CAPACITOR TENDRA UNA CAPACITANCIA DE________SI 1 COULOMB DE CARGA SE DEPOSITA SOBRE LAS PLACAS MEDIANTE UNA DIFERENCIA DE POTENCIAL DE 1 VOLT EN LAS PLACAS. 1 FARAD 0.1 FARD 10 FARAD.
434.- ES UNA MEDIDA DE LA FACILIDAD CON LA QUE UN DIELECTRICO PERMITIRA EL ESTABLECIMIENTO DE LINEAS DE FLUJO DENTRO DEL DIELECTRICO, SIENDO ESTA LA RELACION DE LA DENSIDAD DE FLUJO A LA INTENSIDAD DEL CAMPO ELECTRICO DENTRO DEL DIELECTRICO.
PERMISIVIDAD CAPACITANCIA 1 FARD.
435.-¿CON QUÉ OTRO NOMBRE SE LE CONOCE A LA PERMISIVIDAD RELATIVA DE UN DIELECTRICO? CONSTANTE DIELECTRICA 1 FARAD PERMISIVIDAD.
436.- ES EL VOLTAJE REQUERIDO POR LONGITUD DE UNIDAD (INTENSIDAD DE CAMPO ELECTRICO) PARA ESTABLECER LA CONDUCCION DENTRO DE UN DIELECTRICO, ES UNA SEÑAL DE SU RIGIDEZ DIELECTRICA Y SE DENOMINA:________. VOLTAJE DE RUPTURA VOLTAJE PICO VOLTAJE UMBRAL.
437.- TIPO DE CAPACITOR QUE SE ENCUENTRA DISEÑADO PRINCIPALMENTE PARA UTILIZARSE EN REDES DONDE SOLO SE APLICARAN VOLTAJES DE CD EN EL CAPACITOR DEBIDO A QUE TIENEN CARACTERISTICAS DE AISLAMIENTO ADECUADAS ENTRE LAS PLACAS EN UNA DIRECCION, PERO ASUMEN CARACTERISTICAS DE UN CONDUCTOR EN LA OTRA ELECTROLITICO DIELECTRICO CAPACITATIVO.
¿CUALES SON LOS TIPOS DE CAPACITORES DE TANTALIO QUE EXISTEN? SOLIDO Y HUMEDO HUMEDO Y SECO ELECTROLITICO Y CAPACITATIVO.
439.- UN CAPACITOR PUEDE REEMPLAZARSE MEDIANTE UN EQUIVALENTE DE CIRCUITO ________UNA VEZ QUE LA FASE DE CARGA EN UNA RED DE CD HA CONCLUIDO. ABIERTO CERRADO MIXTO.
440.- DURANTE LA FASE DE CARGA DE UN CAPACITOR EN UNA RED DE CD, ¿DESPUES DE CUANTAS CONSTANTES DE TIEMPO LA CORRIENTE IC DE UNA RED CAPACITIVA SERA ESENCIALMENTE IGUAL A CERO 5 10 0.5.
441.- PARA TODO PROPOSITO PRACTICO, DURANTE LA FASE DE CARGA DE UN CAPACITOR EN UNA RED DE CD, ¿DESPUES DE CUANTAS CONSTANTES DE TIEMPO EL VOLTAJE VC DE UNA RED CAPACITIVA SERA ESENCIALMENTE IGUAL A E VOLTS? 5 10 0.5.
¿CUALES SON LAS TRES REGIONES ASOCIADAS CON UNA RESPUESTA TRANSITORIA EN UN CAPACITOR? CONDICION INICIAL, RESPUESTA TRANSITORIA Y REGION DE ESTADO ESTABLE VOLTAJE INICIAL, RESPUESTA TRANSITORIA Y REGION DE ESTADO ESTABLE CONDICION INICIAL, RESPUESTA TRANSITORIA Y REGION DE TRABAJO.
EN UN CIRCUITO SERIE, ¿COMO SE DETERMINA LA CAPACITANCIA TOTAL DEL CIRCUITO? 1/CT = 1/C1 + 1/C2 + 1/C3 + 1/CN 1/CT = 1/C1 -1/C2 - 1/C3 -1/CN CT = C1 + C2 + C3 + CN.
EN UN CIRCUITO PARALELO, ¿COMO SE DETERMINA LA CAPACITANCIA TOTAL DEL CIRCUITO? CT = C1 + C2 + C3 + CN 1/CT = 1/C1 + 1/C2 + 1/C3 + 1/CN CT = C1 - C2 - C3 - CN.
ELEMENTO FUNDAMENTAL ELECTRICO QUE TIENE DOS SUPERFICIES CONDUCTORAS SEPARADAS POR UN MATERIAL AISLANTE Y LA CAPACIDAD DE ALMACENAR CARGA SOBRE SUS PLACAS. CAPACITOR POTENCIOMETRO BOBINA.
446.- CORRIENTE QUE OCASIONARA LA DESCARGA TOTAL DE UN CAPACITOR SI EL CAPACITOR SE DESCONECTA DE LA RED DE CARGA POR UN PERIODO DE TIEMPO SUFICIENTE. CORRIENTE DE FUGA CORRIENTE DE GANANCIA CORRIENTE NEGATIVA.
¿CUAL ES LA ECUACION QUE DEFINE LA FUERZA DE ATRACCION O DE REPULSION ENTRE DOS CARGAS? LEY DE COULOMB LEY DE OHM LEY DE KIRCHOF.
¿CUAL ES EL VOLTAJE MAXIMO QUE PUEDE APLICARSE EN UN CAPACITOR POR PERIODOS MUY CORTOS? VOLTAJE PICO VOLTAJE DE SATURAICION VOLTAJE DE FUGA VOLTAJE DE CORTE.
ES LA PERMISIVIDAD DE UN MATERIAL COMPARADA CON LA DEL AIRE. RELATIVA RESISTENCIA SEMICONDUCTOR ALTA.
450.- ES EL VOLTAJE QUE PUEDE APLICARSE EN UN CAPACITOR POR PERIODOS LARGOS SIN EL RIESGO DE QUE SE PRESENTE UN ROMPIMIENTO DIELECTRICO. VOLTAJE DE TRABAJO VOLTAJE PICO VOLTAJE INVERTIDO.
451.- DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR CUYAS CARACTERISTICAS SON LAS MISMAS QUE LAS DE UN INTERRUPTOR QUE SOLO PERMITE LA CONDUCCION DE CORRIENTE EN UNA SOLA DIRECCION. DIODO IDEAL DIODO ZENER CORTOCIRCUITO TRANSISTOR.
452.-¿COMO SE COMPORTA UN DIODO IDEAL CUANDO VF = 0 VOLTS E IF ES CUALQUIER VALOR POSITIVO? CIRCUITO CERRADO CIRCUITO ABIERTO COMO INTERRUPTOR.
453.- ES UN MATERIAL QUE POSEE UN NIVEL DE CONDUCTIVIDAD QUE SE LOCALIZA ENTRE LOS EXTREMOS DE UN DIELECTRICO Y DE UN CONDUCTOR. SEMICONDUCTOR CONDUCTOR AISLANTE.
454.-¿CUANTOS ELECTRONES EN ORBITA TIENE UN ATOMO DE GERMANIO? 32 4 2 18.
455.-UNA UNION DE ATOMOS, REFORZADO POR ELECTRONES COMPARTIDOS SE DENOMINA: ENLACE COVALENTE ENLACE HUECO.
456.- SON AQUELLOS SEMICONDUCTORES QUE SE HAN REFINADO CUIDADOSAMENTE CON EL OBJETIVO DE REDUCIR LAS IMPUREZAS HASTA UN NIVEL MUY BAJO, TAN PUROS COMO SEA POSIBLE MEDIANTE LA UTILIZACION DE LA TECNOLOGIA MODERNA MATERIALES INTRINSECOS MATERIALES EXTRINSECOS AISLANTES MATERIALES POSITIVOS.
457.- LOS MATERIALES SEMICONDUCTORES COMO GERMANIO Y EL SILICIO QUE PRESENTAN UNA REDUCCION EN LA RESISTENCIA CUANDO SE INCREMENTA LA TEMPERATURA SE DICE QUE TIENE UN COEFICIENTE DE TEMPERATURA: NEGATIVO POSITIVO ALTO BAJO.
458.-UN MATERIAL EXTRINSECO ES UN MATERIAL SEMICONDUCTOR QUE SE HA SUJETADO A UN PROCESO DE: DOPAJE ENLACE IONIZACION.
459.-ES UN MATERIAL SEMICONDUCTOR QUE SE HA SUJETADO HA UN PROCESO DE DOPAJE. MATERIAL EXTRINSECO MATERIAL INTRINSECO GERMANIO MATERIAL NEGATIVO.
460.-UN MATERIAL TIPO N SE FORMA MEDIANTE EL DOPADO DE UN CRISTAL PURO DE GERMANIO O SILICIO CON ATOMOS DE IMPUREZAS QUE CONTIENEN 5 ELECTRONES DE VALENCIA 3 ELECTRONES DE VALENCIA VALENCIA POSITIVA VALENCIA NEGATIVA.
461.- UN MATERIAL TIPO P SE FORMA MEDIANTE EL DOPADO DE UN CRISTAL PURO DE GERMANIO O SILICIO CON ATOMOS DE IMPUREZAS QUE CONTIENEN: 3 ELECTRONES DE VALENCIA 5 ELECTRONES DE VALENCIA VALENCIA NEGATIVA VALENCIA POSITIVA.
462.-EN UN MATERIAL TIPO P EL HUECO SE DENOMINA: PORTADOR MAYORITARIO MATERIAL EXTRINSECO MATERIAL INTRINSECO.
463.- EN UN DIODO SEMICONDUCTOR, LA CORRIENTE QUE SE FORMA BAJO UNA SITUACION DE POLARIZACION INVERSA SE DENOMINA: CORRIENTE DE SATURACION INVERSA CORRIENTE DECORTE CORRIENTE BAJA.
464.- UN DIODO SEMICONDUCTOR SE ENCUENTRA EN POLARIZACION DIRECTA CUANDO SE ESTABLECE UNA ASOCIACION________CON POSITIVO Y ________ CON NEGATIVO. TIPO P - TIPO N TIPO N - TIPO P ABIERTO CERRADO.
465.- EL POTENCIAL MAXIMO DE POLARIZACION INVERSA QUE PUEDE APLICARSE A UN DIODO ANTES DE INGRESAR EN LA REGION ZENER SE DENOMINA: VOLTAJE PICO INVERSO (PIV) VOLTAJE PICO A PICO VOLTAJE INVERSO .
466.-COMO SE COMPORTA EL NIVEL DE RESISTENCIA DE DC DE UN DIODO A MENOR CORRIENTE A TRAVES DE EL AUMENTA DISMINUYE FUGA.
467.- ES LA RESISTENCIA PRESENTADA POR LA CONEXION ENTRE EL MATERIAL SEMICONDUCTOR Y EL CONDUCTOR METALICO EXTERNO. RESISTENCIA DE CONTACTO RESISTENCIA EN FUGA PUENTE DE CONTACTO.
468.- ES UNA COMBINACION DE ELEMENTOS ELEGIDOS DE FORMA APROPIADA PARA REPRESENTAR DE LA MEJOR MANERA LAS CARACTERISTICAS TERMINALES REALES DE UN DISPOSITIVO, SISTEMA O SIMILAR, PARA UNA REGION DE OPERACION PARTICULAR. CIRCUITO EQUIVALENTE CIRCUITO SERIE CIRCUITO PARALELO CIRCUITO MIXTO.
469.- EN EL DIODO SEMICONDUCTOR, ¿QUE EFECTO CAPACITIVO SE PRESENTA EN LA REGION DE POLARIZACION INVERSA? CAPACITANCIA DE TRANSICION EFCTO DE CAPACITANCIA EFECTO AVALANCHA.
470.- EN EL DIODO SEMICONDUCTOR, ¿QUE EFECTO CAPACITIVO SE PRESENTA EN LA REGION DE POLARIZACION DIRECTA? CAPACITANCIA DE DIFUSION CAPACITANCIA DE TRANSICION EFECTO DE CAPACITANCIA.
471.-EN UN DIODO, ES LA SUMA DEL TIEMPO DE ALMACENAMIENTO Y EL INTERVALO DE TRANSICION. TIEMPO DE RECUPERACION INVERSO TIEMPO DE RECUPERACION DIRECTO SUMA DE TIEMPOS.
472.- AL PROCESO DE EMISION DE LUZ MEDIANTE LA APLICACION DE UNA FUENTE DE ENERGIA ELECTRICA SE LE DENOMINA: ELECTROLUMINISCENCIA CANDELA CHISPA.
¿CUAL ES LA UNIDAD DE MEDIDA DE LA INTENSIDAD DE LA LUZ? CANDELA LUMINIS.
474.-LOS NIVELES MAS BAJOS DE CAPACITANCIA DE UN DIODO SE ENCUENTRAN EN LA REGION DE:________ POLARIZACION INVERSA POLARIZACION DIRECTA ZONA DE CORTE ZONA DE SATURACION.
475.- APLICANDO LA LEY DE VOLTAJES DE KIRCHHOFF, PARA OBTENER LA MAGNITUD DE LA CORRIENTE DEL DIODO SOBRE EL EJE VERTICAL OBTENCION DE LA RECTA DE CARGA SE DEBE ESTABLECER QUE EL VOLTAJE DEL DIODO ES IGUAL A:__________. VD= 0 V VD= 10 V VD= 0.1 V.
476.- TIPO DE RECTIFICADOR QUE ELIMINA UN MEDIO DE LA SEÑAL DE ENTRADA PARA ESTABLECER UN NIVEL DE DC DE SALIDA RECTIFICADOR DE MEDIA ONDA RECTIFICADOR DE ONDA COMPLETA DIODO RECTIFICADOR.
477.- SI EN UN DIODO SE EXCEDE EL VALOR PIV EN POLARIZACION INVERSA, ¿EN QUE REGION DE OPERACION ENTRARIA EN DIODO? AVALANCHA ZENER CORTE ENCENDIDO APAGADO.
478.-TIPO DE RECTIFICADOR CUYO VALOR DE SALIDA DE DC ES APROXIMADAMENTE IGUAL A 0.636 VM RECTIFICADOR DE ONDA COMPLETA RECTIFICADOR DE MEDIA ONDA DIODO RECTIFICADOR.
479.- UN RECTIFICADOR DE ONDA COMPLETA DISEÑADO CON DOS DIODOS, REQUIERE DE UN_______PARA ESTABLECER LA SEÑAL DE ENTRADA A TRAVES DE CADA SECCION DEL SECUNDARIO DEL TRANSFORMADOR TRANSFORMADOR CON DERIVACION CENTRAL (CT) CAPACITOR DE CHOQUE DIODO IDEAL.
480.-¿CUALES SON LAS DOS CATEGORIAS DE RECORTADORES QUE EXISTEN? SERIE Y PARALELO SERIE Y MIXTO MALLAS Y NODOS.
481.- ¿CUAL ES LA DIFERENCIA ENTRE UN RECORTADOR SIMPLE EN SERIE Y UN RECORTADOR POLARIZADO EN SERIE? FUENTE DC FUENTE AC REGULADOR DE VOLTAJE.
482.ES UNA RED QUE CAMBIA UNA SEÑAL A UN NIVEL DIFERENTE DE DC. CAMBIADOR DE NIVEL MULTIPLICADORES INVERSORES.
483.- ES UNA RED COMPUESTA POR UN CAPACITOR, UN DIODO Y UN ELEMENTO RESISTIVO, PERO ESTA PUEDE TAMBIEN EMPLEAR UNA FUENTE INDEPENDIENTE DE DC PARA INTRODUCIR UN ESPLAZAMIENTO ADICIONAL. CAMBIADORA DE NIVEL MULTIPLICADORES RECTIFICADOR DE MEDIA ONDA.
484.-LOS DIODOS ZENER SE UTILIZAN MAS FRECUENTEMENTE EN REDES:___ REGULADORES DE VOLTAJE MULTIPLICADORES RECTIFICADOR DE MEDIA ONDA.
485.- LOS CIRCUITOS ___________ DE VOLTAJE SE EMPLEAN PARA MANTENER EL VOLTAJE PICO DE UN TRANSFORMADOR RELATIVAMENTE BAJO, MIENTRAS SE ELEVA EL VOLTAJE DE SALIDA PICO HASTA DOS, TRES, CUATRO, O MAS VECES EL VOLTAJE PICO RECTIFICADO. MULTIPLICADORES CAMBIADOR DE NIVEL FUENTE DE DC.
486.-¿CUANTOS CAPACITORES Y DIODOS TIENE UN DUPLICADOR DE VOLTAJE? 2 CAPACITORES Y 2 DIODOS 3 CAPACITORES Y 3 DIODOS 4 CAPACITORES Y 4 DIODOS.
488.- ES UN DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR DE TRES CAPAS QUE CONSTA DE YA SEA DOS CAPAS DE MATERIAL
TIPO N Y UNA CAPA TIPO P, O BIEN DE DOS CAPAS DE MATERIAL TIPO P Y UNA TIPO N. TRANSISTOR DIODO VARISTOR.
489.- LA CORRIENTE DE COLECTOR ESTA FORMADA POR DOS COMPONENTES, DE LOS CUALES AL COMPONENTE DE
CORRIENTE MINORITARIA SE LE DENOMINA:__________. CORRIENTE DE FUGA GANANCIA DE CORRIENTE SUMA DE CORRIENTE .
490.-¿QUE DEFINE LA FLECHA EN EL SIMBOLO GRAFICO DE UN TRANSISTOR DIRECCION DE LA CORRIENTE DE EMISOR DIRECCION DE LA CORRIENTE DE BASE DIRECCION DE LA CORRIENTE DE COLECTOR.
491.- EN UN TRANSISTOR, ¿CUAL ES LA REGION QUE POR LO GENERAL SE UTILIZA PARA LOS AMPLIFICADORES LINEALES? ACTIVA CORTE SATURACION.
492.- ¿CUAL ES LA REGION DE OPERACION DE UN TRANSISTOR CUANDO LA UNION BASE-EMISOR SE ENCUENTRA POLARIZADA EN FORMA DIRECTA, MIENTRAS QUE LA UNION COLECTORBASE SE ENCUENTRA POLARIZADA EN FORMA INVERSA ACTIVA CORTE SATURACION.
487.-¿CUANTOS CAPACITORES Y DIODOS TIENE UN TRIPLICADOR DE VOLTAJE? 3 CAPACITORES Y 3 DIODOS 2 CAPACITORES Y 2 DIODOS 4 CAPACITORES Y 4 DIODOS.
493.- ¿CUAL ES LA REGION DE OPERACION DE UN TRANSISTOR CUANDO LA UNION BASEEMISOR COMO LA UNION
COLECTOR-BASE SE ENCUENTRAN EN POLARIZACION INVERSA? CORTE SATURACION ACTIVA.
493.- ¿CUAL ES LA REGION DE OPERACION DE UN TRANSISTOR CUANDO LA UNION BASEEMISOR COMO LA UNION
COLECTOR-BASE SE ENCUENTRAN EN POLARIZACION INVERSA? SATURACION CORTE ACTIVA.
495.-EN UN TRANSISTOR, ¿CUAL ES EL VALOR APROXIMADO DE ALFA PARA DISPOSITIVOS REALES? 090 A 0998 09 A 0998 090 A 098.
496.- ¿CUÁLES SON LOS VALORES TIPICOS DE LA AMPLIFICACION DE VOLTAJE PARA LA CONFIGURACION DE BASE-COMUN? ENTRE 50 Y 300 50 Y 400 ENTRE 50 Y 500.
497.POR LO REGULAR, EN LAS HOJAS DE ESPECIFICACIONES DE TRANSISTORES, BETA DE DC SE INCLUYE COMO hFE BETA GANANCIA DE CORRIENTE.
498.- PARA DISPOSITIVOS REALES EN CONFIGURACION EMISORCOMUN, EL NIVEL DE BETA SUELE TENER UN RANGO APROXIMADO ENTRE:_______. 50 Y 400 ENTRE 50 Y 300 090 A 0998 50 Y 500.
499.-¿CUAL ES EL NOMBRE FORMAL DE BETA DE AC? FACTOR DE AMPLIFICACION DE CORRIENTE DIRECTA EN EMISOR COMUN GANANCIA DE CORRIENTE BETA.
500.- TIPO DE CONFIGURACION QUE SE UTILIZA PRINCIPALMENTE PARA PROPOSITOS DE ACOPLAMIENTO DE
IMPEDANCIAS, YA QUE CUENTA CON UNA ALTA IMPEDANCIA DE ENTRADA Y UNA BAJA IMPEDANCIA DE SALIDA COLECTORCOMUN BASECOMUN EMISORCOMUN.
501.- UN TRANSISTOR EN CONFIGURACION COLECTORCOMUN, TIENE UNA IMPEDANCIA DE ENTRADA_________Y UNA IMPEDANCIA DE SALIDA___________. ALTA - BAJA BAJA-ALTA CORTE-SATURACION.
502.-¿COMO SE DENOMINA NORMALMENTE EN LA HOJA DE ESPECIFICACIONES TIPICA DE UN TRANSISTOR A LACORRIENTE MAXIMA DE COLECTOR? CORRIENTE CONTINUA DEL COLECTOR CORRIENTE CONTINUA DEL EMISOR CORRIENTE DE DC DEL COLECTOR.
503.- EN LAS HOJAS DE ESPECIFICACIONES DE TRANSISTORES, LAS CARACTERISTICAS ELECTRICAS SE DIVIDEN
A SU VEZ EN CARACTERISTICAS DE: ENCENDIDO, APAGADO Y DE PEQUEÑA SEÑAL ENCENDIDO, APAGADO Y GANANCIA ENCENDIDO,GANANCIA DE CORRIEMTE Y DE PEQUEÑA SEÑAL.
504.- EN LA MEDICION DE LA UNION BASEEMISOR DE UN TRANSISTOR EN LA REGION ACTIVA, SU RESISTENCIA DEBERA SER:_________. BAJA ALTA CERO INFINITA.
505.- SI LA PUNTA DE PRUEBA POSITIVA DE UN OHMETRO SE CONECTA A LA BASE Y LA NEGATIVA AL EMISOR DE UN TRANSISTOR, ¿QUE TIPO DE TRANSISTOR ES SI LA LECTURA REGISTRADA ES BAJA ESISTENCIA? NPN PNP BIPOLAR.
506.- SI LA PUNTA DE PRUEBA POSITIVA DE UN OHMETRO SE CONECTA A LA BASE Y LA NEGATIVA AL EMISOR DE UN TRANSISTOR, ¿QUE TIPO DE TRANSISTOR ES SI LA LECTURA REGISTRADA ES ALTA RESISTENCIA? PNP NPN BIPOLAR.
¿CUAL DE LAS TRES CORRIENTES DE UN TRANSISTOR ES LA MAYOR? CORRIENTE DE EMISOR CORRIENTE DE COLECTOR CORRIENTE DE BASE.
508.-PARAMETRO DE UN TRANSISTOR QUE RELACIONA LA CORRIENTE DEL EMISOR CON LA DEL COLECTOR. ALFA BETA GANACIA.
508.-PARAMETRO DE UN TRANSISTOR QUE RELACIONA LA CORRIENTE DEL EMISOR CON LA DEL COLECTOR: PUNTO DE REPOSO PUNTO DE CORTE PUNTO DE SATURACION.
510.- EN UN TRANSISTOR INDICA EL GRADO DE CAMBIO EN EL PUNTO DE OPERACION DEBIDO A UNA VARIACION DE TEMPERATURA. FACTOR DE ESTABILIDAD FACTOR DE EQUILIBRIO FACTOR DE VOLTAJE.
511.- PARA QUE UN BJT PUEDA POLARIZARSE EN LA REGION LINEAL O ACTIVA, SE DEBEN CUMPLIR LAS SIGUIENTES CONDICIONES: BASE-EMISOR POLARIZACION DIRECTA BASE-COLECTOR POLARIZACION INVERSA BASE-EMISOR POLARIZACION INVERSA BASE-COLECTOR POLARIZACION INVERSA BASE-EMISOR POLARIZACION DIRECTA BASE-COLECTOR POLARIZACION DIRECTA.
512.- PARA QUE UN BJT PUEDA POLARIZARSE EN LA REGION DE CORTE, SE DEBEN CUMPLIR LAS SIGUIENTES CONDICIONES: BASE-EMISOR POLARIZACION INVERSA BASE-COLECTOR POLARIZACION INVERSA BASE-EMISOR POLARIZACION DIRECTA BASE-COLECTOR POLARIZACION DIRECTA BASE-EMISOR POLARIZACION INVERSA BASE-COLECTOR POLARIZACION DIRECTA.
513.- PARA QUE UN BJT PUEDA POLARIZARSE EN LA REGION DE SATURACION, SE DEBEN CUMPLIR LAS SIGUIENTES CONDICIONES: BASE-EMISOR POLARIZACION DIRECTA BASE-COLECTOR POLARIZACION DIRECTA BASE-EMISOR POLARIZACION INVERSA BASE-COLECTOR POLARIZACION INVERSA BASE-EMISOR POLARIZACION DIRECTA BASE-COLECTOR POLARIZACION INVERSA.
514.- EN UN CIRCUITO CON POLARIZACION FIJA, DONDE LA UNION BE TIENE POLARIZACION DIRECTA, ¿CUÁL ES LA ECUACIÓN QUE DESCRIBE LA CORRIENTE DE BASE (IB)? IB= (VCC-VBE)/RB IB= (VCC-VBE)/IB IB= (VRB-VBE)/RB.
515.- ¿CUAL ES LA DIFERENCIA ENTRE UN CIRCUITO CON POLARIZACION FIJA Y UNO CON POLARIZACION ESTABILIZADO EN EMISOR? RESISTENCIA DE EMISOR RESISTENCIA DE BASE RESISTENCIA DE COLECTOR.
TIPO DE POLARIZACION QUE SE UTILIZA EN UN TRANSISTOR POR TENER UNA SENSIBILIDAD A CAMBIOS EN BETA ES MUY PEQUEÑA POLARIZACION POR DIVISION DE VOLTAJE POLARIZACION POR DIVISION DE CORRIENTE POLARIZACION CON RETROALIMENTACION.
517.- ¿CUALES SON LOS METODOS QUE PUEDEN APLICARSE PARA ANALIZAR LA CONFIGURACION POR DIVISION DE VOLTAJE EN UN TRANSISTOR.? EXACTO Y APROXIMADO APROXIMADO DIVISOR DE VOLTAJE.
518.- EXISTEN TRANSISTORES QUE SE DENOMINAN COMO__________DEBIDO A LA VELOCIDAD CON LA QUE PUEDEN
CONMUTAR DE UN NIVEL DE VOLTAJE A OTRO. TRANSISTORES DE CONMUTACION TRANSISTORES SUPRESOR TRANSISTORES DE VELOCIDAD.
519.- ES EL TIEMPO TOTAL REQUERIDO PARA QUE UN TRANSISTOR CONMUTE DEL ESTADO DE APAGADO AL DE ENCENDIDO. TIEMPO DE ENCENDIDO TIEMPO DE APAGADO TIEMPO DE TRANSICIÓN SUMA DE TIEMPOS.
520.- EN UN TRANSISTOR, ES EL TIEMPO DEFINIDO COMO LA SUMA DEL TIEMPO DE RETRASO EN EL ESTADO DE CARGA DE LA ENTRADA Y EL INICIO DE UNA RESPUESTA DE SALIDA Y EL TIEMPO DE SUBIDA. TIEMPO DE ENCENDIDO TIEMPO DE APAGADO TIEMPO DE TRANSICIÓN.
521.- ES EL TIEMPO TOTAL REQUERIDO PARA QUE UN TRANSISTOR ALTERNE ENTRE EL ESTADO DE ENCENDIDO AL DE APAGADO. TIEMPO DE APAGADO TIEMPO DE ENCENDIDO TIEMPO DE TRANSICIÓN.
522.- EN UN TRANSISTOR, ES EL TIEMPO DEFINIDO COMO LA SUMA DEL TIEMPO DE ALMACENAMIENTO Y EL TIEMPO DE CAIDA. TIEMPO DE APAGADO TIEMPO DE ENCENDIDO TIEMPO DE TRANSICIÓN.
523.- PARA UN TRANSISTOR DE SILICIO EN ESTADO DE ENCENDIDO, EL VOLTAJE BASEEMISOR DEBE ANDAR ALREDEDOR DE:_____. 07 V 05 V 0.7 V 0.5 V.
524.- PARA UN TRANSISTOR AMPLIFICADOR TIPICO EN LA REGION ACTIVA, EL VOLTAJE COLECTOREMISOR NORMALMENTE SE ENCUENTRA ENTRE EL__________DEL VOLTAJE DE VCC 25 AL 75 POR CIENTO 25 AL 100 POR CIENTO 10 AL 75 POR CIENTO.
525.-ES UNA MEDIDA DE LA SENSIBILIDAD DE UNA RED ANTE VARIACIONES EN SUS PARAMETROS. ESTABILIDAD PROTECCION VOLTAJE.
526.- ¿CUAL DE LOS SIGUIENTES PARAMETROS OCASIONA QUE EL PUNTO DE POLARIZACION SE DESVIE DEL PUNTO DE OPERACION DETERMINADO EN UN TRANSISTOR AMPLIFICADOR? TEMPERATURA RESISTENCIA CORRIENTE VOLTAJE PICO.
527.- LAS REDES DE TRANSISTORES QUE SON MUY ESTABLES Y RELATIVAMENTE INSENSIBLES ANTE VARIACIONES DE LA TEMPERATURA TIENEN FACTORES DE ESTABILIDAD BAJOS ALTOS POSITIVOS NEGATIVOS.
528.- EN LA CONFIGURACION DE POLARIZACION FIJA DE UN TRANSISTOR, ¿COMO ES SU FACTOR DE ESTABILIDAD? MUY POBRE CERO ALTA BAJA.
529.- PARA LA MAYORIA DE LAS CONFIGURACIONES DE LOS TRANSISTORES, EL ANALISIS DE DC INICIA CON LA DETERMINACION DE LA CORRIENTE DE:____________. BASE EMISOR COLECTOR.
530.- EN UN TRANSISTOR, ¿QUE EFECTOS TIENE EL VOLTAJE BASE EMISOR CON RESPECTO AL INCREMENTO EN LA TEMPERATURA? DISMINUYE AUMENTA POSITIVO NEGATIVO.
531.-UN TRANSISTOR BJT ES UN DISPOSITIVO CONTROLADO POR:____________. CORRIENTE VOLTAJE BASE POLARISASION.
532.-UN TRANSISTOR JFET ES DISPOSITIVO CONTROLADO POR:____________. VOLTAJE CORRIENTE POLARISASION.
533.-ASI COMO EXISTEN TRANSISTORES BJT NPN Y PNP, TAMBIEN EXISTEN FETS: CANAL N Y CANAL P POLARISASION INVERSA POLARISASION DIRECTA.
534.-LOS FETS CANAL N DEPENDEN UNICAMENTE DE LA CONDUCCION DE: ELECTRONES PROTONES NEUTRONES.
535.-LOS FETS CANAL P DEPENDEN UNICAMENTE DE LA CONDUCCION DE: HUECOS PROTONES ELECTRONES.
536.- ES UN DISPOSITIVO UNIPOLAR QUE DEPENDE UNICAMENTE DE LA CONDUCCION DE ELECTRONES O DE HUECOS. FET BIPOLAR DIODO TRANSISTOR.
537.-ES UNA DE LAS CARACTERISTICAS MAS IMPORTANTES DE UN TRANSISTOR FET SOBRE UN BJT. SU IMPEDANCIA DE ENTRADA SU IMPEDANCIA DE SALIDA GANANCIA DE CORRIENTE.
538.-LOS TRANSISTORES MOSFET SE CLASIFICAN EN: INCREMENTAL Y DECREMENTAL CORTE Y SATURACION TIPO P Y TIPO N.
539.- TIPO DE TRANSISTOR QUE SE HA CONVERTIDO EN UNO DE LOS DISPOSITIVOS MAS IMPORTANTES UTILIZADOS EN EL DISEÑO Y LA CONSTRUCCION DE LOS CIRCUITOS INTEGRADOS PARA COMPUTADORAS DIGITALES. MOSFET BIPOLAR JFET.
540.-LAS TERMINALES DE UN JFET SON: COMPUERTA, FUENTE Y DRENAJE COMPUERTA, EMISOR Y DRENAJE COMPUERTA, FUENTE Y COLECTOR EMISOR,BASE Y COLECTOR.
541.- EN UN JFET LA PARTE SUPERIOR DEL CANAL TIPO N SE ENCUENTRA CONECTADA POR MEDIO DE UN CONTACTO OHMICO A: DRENAJE D FUENTE S COMPUERTA G.
542.- EN UN JFET LA PARTE INFERIOR DEL CANAL TIPO N SE ENCUENTRA CONECTADA POR MEDIO DE UN CONTACTO OHMICO A: FUENTE S DRENAJE D COMPUERTA G.
544.- EN UN TRANSISTOR, ES AQUELLA REGION QUE NO PRESENTA PORTADORES LIBRES Y ES, POR TANTO,INCAPAZ DE SOPORTAR LA CONDUCCION A TRAVES DE ELLA. REGION DE AGOTAMIENTO REGION DE CORTE REGION DE SATURACION .
545.-LA CORRIENTE DE DRENAJE MAXIMA DE UN JFET, SE DENOTA POR IDSS ISSS ISOD.
546.- EN UN TRANSISTOR JFET, LA REGION EMPLEADA NORMALMENTE EN LOS AMPLIFICADORES LINEALES AMPLIFICADORES CON MINIMA DISTORSION DE SEÑAL APLICADA SE LE DENOMINA COMO REGION DE: CORRIENTE CONSTANTE CORRIENTE VARIABLE GANANCIA DE CORRIENTE .
547.- ¿CUAL ES LA REGION DE UN JFET QUE PUEDE SER UTILIZADA COMO UN RESISTOR VARIABLE, CUYA RESISTENCIA SEA CONTROLADA POR MEDIO DEL VOLTAJE DE LA COMPUERTA A LA FUENTE? REGION OHMICA REGION DE CORTE REGION DE SATURACION.
548.- EN UN TRANSISTOR JFET, PARA LOS VOLTAJES DE LA COMPUERTA A LA FUENTE VGS MENORES QUE (MAS NEGATIVOS QUE) EL NIVEL DE ESTRECHAMIENTO, LA CORRIENTE DE DRENAJE ES IGUAL A:__________. ID = 0 A ID = 1 A ID = CASI 0 A.
549.- EN EL SIMBOLO GRAFICO DE UN TRANSISTOR JFET, LA FLECHA SE ENCUENTRA APUNTANDO HACIA__________PARA EL CASO DEL DISPOSITIVO DE CANAL N. DENTRO DEL SIMBOLO AFUERA DEL SIMBOLO HACIA AFUERA HACIA ADENTRO.
550.- EN EL SIMBOLO GRAFICO DE UN TRANSISTOR JFET, LA FLECHA SE ENCUENTRA APUNTANDO HACIA__________PARA EL CASO DEL DISPOSITIVO DE CANAL P. FUERA DEL SIMBOLO DENTRO DEL SIMBOLO AFUERA DENTRO.
551.-LA CURVA DE TRANSFERENCIA PARA UN JFET PUEDE OBTENERSE UTILIZANDO LA: ECUACION DE SHOCKLEY CURVA DE SATURACION ECUACION DE NORTON.
552.- EN LOS JFETS EL TERMINO INVERSO EN VGSR DEFINE EL VOLTAJE MAXIMO CON LA FUENTE POSITIVA CON RESPECTO A LA COMPUERTA ANTES DE QUE OCURRA LA: RUPTURA CORTE SATURACION ACTIVA.
553.- EN LOS JFETS, ES LA REGION QUE DEFINE LOS VALORES MINIMOS PERMISIBLES DE VDS PARA CADA NIVEL DE VGS, Y DE VDSMAX REGION OHMICA REGION CORTE REGION SATURACION.
554-EN LOS JFETS ES LA CORRIENTE MAXIMA DE DRENAJE CORRIENTE DE SATURACION CORRIENTE DE CORTE CORRIENTE FUGA.
555.- INSTRUMENTO QUE PUEDE SER EMPLEADO PARA DESPLEGAR LAS CURVAS CARACTERISTICAS DE LOS JFETS AJUSTANDO ADECUADAMENTE SUS DISTINTOS CONTROLES: TRAZADOR DE CURVAS ECUACION DE SHOCKLEY VOLTIMETRO.
543.- EN UN JFET CANAL N LOS DOS MATERIALES TIPO P SE ENCUENTRAN CONECTADOS ENTRE SI CON LA TERMINAL DE: COMPUERTA G FUENTE S DRENAJE D.
556.- DURANTE EL ANALISIS DE LA CONFIGURACION DE UN JFET, ¿CUAL ES EL PRIMER PARAMETRO QUE DEBE DETERMINARSE? VGS VIP VGD VBE.
557.-LOS TRANSISTORES MOSFET SE DIVIDEN EN:______. TIPO DECREMENTAL E INCREMENTAL CORTE Y SATURACION.
558.-¿QUE SIGNIFICAN LAS SIGLAS MOSFET? TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO METALOXIDO SEMICONDUCTOR TRANSISTOR DE EFECTO DE VOLTAJE METALOXIDO SEMICONDUCTOR TRANSISTOR DE EFECTO DE CORRIENTE SEMICONDUTOR.
559.- DISPOSITIVO QUE TIENE CARACTERISTICAS SIMILARES A LAS DE UN JFET ENTRE EL CORTE Y LA SATURACION PARA IDSS: MOSFET TIPO DECREMENTAL MOSFET TIPO INCREMENTAL MOSFET TIPO N MOSFET TIPO P.
560.-UN TRANSISTOR MOSFET TIENE UNA IMPEDANCIA DE ENTRADA: ALTA BAJA INFINITA.
561.- EN UN TRANSISTOR MOSFET DE TIPO DECREMENTAL DE CANAL N, LA COMPUERTA PERMANECE AISLADA DEL CANAL POR MEDIO DE UNA CAPA MUY DELGADA DE: DIOXIDO DE SILICIO DIOXIDO DE CARBONO AISLANTE.
562.- LA ALTA IMPEDANCIA DE ENTRADA DE UN MOSFET TIPO DECREMENTAL SE DEBE A LA CAPA AISLANTE DE_____ EMPLEADA EN SU CONSTRUCCION DIOXIDO DE SILICIO DIOXIDO DE SILICIO CUARTA PATA.
563.- LOS MOSFET TIPO DECREMENTAL DEBIDO A QUE CUENTAN CON UNA CAPA AISLANTE ENTRE LA COMPUERTA Y
EL CANAL, HA PROVOCADO OTRO NOMBRE PARA EL DISPOSITIVO, CONOCIDO COMO: IGFET JFET MOSFET.
564.- EN LOS MOSFET LA REGION DE VOLTAJES POSITIVOS DE LA COMPUERTA SOBRE EL DRENAJE O LA CARACTERISTICAS DE TRANSFERENCIA A MENUDO ES CONOCIDA COMO: REGION INCREMENTAL REGION OHMINICA : REGION DECREMENTAL.
565.-EN LOS MOSFET LA REGION ENTRE EL NIVEL DE CORTE Y DE SATURACION DE IDSS SE CONOCE COMO: REGION DECREMENTAL REGION UMBRAL REGION INCREMENTAL.
566.- EN EL SIMBOLO GRAFICO DE UN TRANSISTOR MOSFET DE TIPO DECREMENTAL, LA FLECHA SE ENCUENTRA APUNTANDO HACIA__________PARA EL CASO DEL DISPOSITIVO DE CANAL N. DENTRO DEL SIMBOLO FUERA DEL SIMBOLO AFUERA DENTRO.
567.- EN EL SIMBOLO GRAFICO DE UN TRANSISTOR MOSFET DE TIPO DECREMENTAL, LA FLECHA SE ENCUENTRA APUNTANDO HACIA__________PARA EL CASO DEL DISPOSITIVO DE CANAL P. FUERA DEL SIMBOLO DENTRO DEL SIMBOLO FUERA DENTRO.
568.- TIPO DE TRANSISTOR CUYA CURVA DE TRANSFERENCIA NO ESTA DEFINIDA POR LA ECUACION DE SHOCKLEY
Y LA CORRIENTE DE DRENAJE AHORA ESTA EN CORTE HASTA QUE VGS ALCANZA UNA MAGNITUD ESPECIFICA. MOSFET DE TIPO INCREMENTAL MOSFET DE TIPO DECREMENTAL MOSFET DE TIPO N MOSFET DE TIPO P.
569.- ¿CUAL ES LA PRINCIPAL DIFERENCIA ENTRE LA CONSTRUCCION DE LOS MOSFET DE TIPO DECREMENTAL Y LOS DE TIPO INCREMENTAL? AUSENCIA DE UN CANAL ENTRE LAS TERMINALES DEL DRENAJE Y LA FUENTE AUSENCIA DE UN CANAL ENTRE LAS TERMINALES DEL COMPUERTA Y LA FUENTE AUSENCIA DE UN CANAL ENTRE LAS TERMINALES DEL COLECTOR Y LA FUENTE.
570.- EN LOS MOSFET TIPO INCREMENTAL EL NIVEL VGS QUE OCASIONA UN INCREMENTO SIGNIFICATIVO DE LA CORRIENTE DE DRENAJE SE CONOCE COMO: VOLTAJE DE UMBRAL VOLTAJE DECORTE VOLTAJE DE ENCENDIDO.
571.- EN LOS MOSFET TIPO INCREMENTAL PARA VALORES DE VGS MENORES QUE EL NIVEL DE UMBRAL, LA CORRIENTE DEL DRENAJE ES: CERO MILIAMPERES CERO MILIVOLTS UNOMILIAMPERES.
572.-¿CUAL ES LA DIFERENCIA ENTRE LOS SIMBOLOS DE LOS MOSFETS DE TIPO INCREMENTAL CON RESPECTO A LOS TIPOS DECREMENTAL? QUE LA LINEA ENTRE EL DRENAJE Y LA FUENTE ES UNA LINEA PUNTEADA QUE LA LINEA ENTRE EL DRENAJE Y LA COMPUETA ES UNA LINEA PUNTEADA LINEA PUNTEADA.
573.-¿QUE TIPO DE COEFICIENTE DE TEMPERATURA TIENEN LOS FETS VMOS? POSITIVO NEGATIVO.
574.- TIPO DE CONFIGURACION QUE RESULTA DE CONSTRUIR UN MOSFET DE CANAL P Y CANAL N SOBRE EL MISMO SUSTRATO. COMPLEMENTARIO DE MOSFET COMPLEMENTARIO DE JFET COMPLEMENTARIO DE DIOXIDO DE SILICIO.
575.- DISPOSITIVO QUE POR SU ALTA IMPEDANCIA DE ENTRADA, SU RAPIDEZ DE CONMUTACION Y BAJOS NIVELES
DE POTENCIA DE OPERACION ES MUY UTIL PARA LOS CIRCUITOS LOGICOS: CMOS JFET BIPOLAR.
576.-¿CUAL ES LA ABREVIACION QUE SE UTILIZA PARA UN ARREGLO COMPLEMENTARIO DE MOSFET? CMOS BIPOLAR CANAL N.
576.-¿CUAL ES LA ABREVIACION QUE SE UTILIZA PARA UN ARREGLO COMPLEMENTARIO DE MOSFET? NO LINEAL LINEAL BIPOLAR.
578.- ¿QUE ECUACION SE APLICA PARA RELACIONAR LAS CANTIDADES DE ENTRADA Y DE SALIDA DE LOSTRANSISTORES JFET Y MOSFET DE TIPO DECREMENTAL? SHOCKLEY CURVA COMPLEMENRARIA NORTON.
579.- PARA EL ANALISIS DE DC DE UN JFET EN CONFIGURACION DE POLARIZACION FIJA, LA CORRIENTE DE COMPUERTA ES APROXIMADAMENTE IGUAL A: 0 A 1 A 01 MILIAMPERS.
580.-UNA DESVENTAJA DE LA CONFIGURACION DE POLARIZACION FIJA DE UN TRANSISTOR JFET ES: REQUIERE DOS FUENTES DE DC AUTOPOLARIZACION POLARISASION DE TENSIÓN.
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