CSAC TIPO TEST TEMA2

¿Cuál de los siguientes métodos NO se usa en la fabricación de circuitos integrados?. Crecimiento epitaxial. Deposición química de vapor (CVD). Soldadura con estaño. Implantación iónica.

¿Cómo se denomina el proceso de creación de patrones sobre la oblea mediante la exposición a luz?. Implantación iónica. Fotolitografía. Difusión térmica. Oxidación.

En la tecnología CMOS, ¿qué tipo de transistor se encuentra en la región n-well?. PMOS. NMOS. Bipolar NPN. Bipolar PNP.

¿Cuál de los siguientes procesos se usa para crear transistores en tecnología CMOS?. Dopado. Deposición de metales. Oxidación térmica. Todas las anteriores.

¿Qué proceso se usa para eliminar material en la fabricación de circuitos integrados?. Fotolitografía. Grabado químico o seco. Oxidación térmica. Crecimiento epitaxial.

¿Qué es la deposición química de vapor (CVD)?. Un método para eliminar material. Un proceso de crecimiento epitaxial. Un método de deposición de capas delgadas. Un tipo de grabado seco.

¿En qué consiste la implantación iónica en la fabricación de circuitos integrados?. En la inyección de átomos de impurezas a alta velocidad en el sustrato de silicio. En el grabado de patrones sobre la oblea. En la oxidación de la superficie del silicio. En la deposición de capas de dieléctrico.

¿Cuál es una ventaja clave de la implantación iónica frente a la difusión de dopantes?. Permite un mejor control sobre la concentración y profundidad de los dopantes. Es más rápida y menos costosa. No requiere vacío. Genera menos daños en la estructura cristalina del silicio.

¿Qué proceso sigue después de la implantación iónica para reparar los daños estructurales en el silicio?. Un tratamiento térmico de recocido. Un grabado químico. Un nuevo proceso de litografía. La deposición de metales.

En la difusión de dopantes, ¿qué parámetro tiene un impacto más significativo en la profundidad de penetración?. La temperatura. El tipo de gas dopante. La presión de la cámara. La composición del sustrato.

¿Cuál es la ventaja de la oxidación seca en comparación con la húmeda?. Permite fabricar capas más gruesas. Produce una mejor calidad de óxido. Es más rápida. No genera estrés mecánico en la oblea.

¿Qué caracteriza al proceso de deposición por capas atómicas (ALD) en comparación con la deposición química de vapor (CVD)?. ALD deposita material capa por capa con un control preciso del espesor. ALD es más rápida que CVD. CVD no utiliza reacciones químicas. ALD solo se usa en la fabricación de circuitos impresos y no en semiconductores.

¿Cuál es una ventaja clave de ALD en la fabricación de transistores avanzados?. Tiene una mayor tasa de deposición que PVD. Es más económica que la litografía óptica. Permite la deposición de capas extremadamente delgadas y uniformes. No requiere un ambiente de vacío.

¿Cuál es la principal diferencia entre el grabado químico (húmedo) y el grabado físico (seco)?. El grabado químico es anisotrópico, mientras que el físico es isotrópico. El grabado químico es isotrópico, mientras que el físico es anisotrópico. Ambos son isotrópicos. Ambos son anisotrópicos.

¿Cuál es la principal ventaja del grabado químico sobre el grabado físico?. Es más selectivo. Tiene un mayor control sobre la forma de los patrones. Permite evitar la oxidación del silicio. Todas las anteriores.

¿Qué función cumplen las regiones halo en un MOSFET avanzado?. Mejorar la conductividad del canal. Reducir los efectos de canal corto. Aumentar la corriente de fuga. Reducir la capacitancia parásita.

¿Qué beneficio aporta el uso de siliciuro en los contactos de fuente y drenador en MOSFET avanzados?. Mejora la estabilidad térmica. Aumenta la capacitancia del dispositivo. Disminuye la resistencia de contacto. Reduce el voltaje umbral.

En términos de escalamiento de tecnología, ¿qué significa el nodo de proceso (por ejemplo, 5 nm, 7 nm)?. El tamaño de la oblea. La densidad de transistores por mm². La longitud de la puerta del transistor. La resistencia eléctrica del material.

¿Qué significa DRC en el contexto de layout de circuitos integrados?. Diseño de Rutas de Cobre. Design Rule Check. Digital Routing Configuration. Deposited Resistance Control.

¿Cómo afecta la reducción del tamaño del canal en transistores submicrométricos?. Aumenta la movilidad de los electrones. Provoca efectos de canal corto. Reduce la corriente de fuga. Disminuye la corriente de saturación.

En un diseño de layout, ¿por qué es importante minimizar la capacitancia parásita?. Para mejorar la velocidad del circuito. Para aumentar la conductividad térmica. Para evitar la electromigración. Para reducir la cantidad de transistores en el diseño.

¿Cuál es la principal ventaja de los transistores FinFET sobre los MOSFET planos?. Menor consumo de energía. Mayor densidad de integración. Mayor control sobre el canal. Todas las anteriores.