Cuestionario sobre Electrónica de Potencia

¿Cuál es una función típica de los dispositivos utilizados en Electrónica de Potencia (EP)?. Aumentar la sensibilidad de sensores. Amplificar señales analógicas. Modificar la forma de la energía eléctrica. Transmitir datos digitales.

¿Qué característica define a los dispositivos activos en EP?. Solo trabajan con señales analógicas. Funcionan de forma continua. Operan en modo ON/OFF. No generan pérdidas durante la conmutación.

¿Cuál de los siguientes dispositivos combina las ventajas del BJT y del Mosfet?. GTO. TRIAC. IGBT. SCR.

¿Qué dispositivo se utiliza para acelerar la descarga de energía almacenada en la carga?. Snubber. SCR. Mosfet. Filtro LC.

En un convertidor Buck, ¿qué sucede con la tensión de salida respecto a la de entrada?. Se mantiene igual. Se reduce. Se eleva. Cambia de polaridad.

¿Cuál es una ventaja del SiC frente al silicio tradicional en dispositivos de potencia?. Mayor resistencia térmica y operación a mayor temperatura. Menor capacidad de conmutación. Incompatibilidad con altas frecuencias. Requiere disipadores más grandes.

¿Qué tipo de circuito convierte corriente alterna en corriente continua sin control sobre el proceso?. Inversor. Rectificador no controlado. Convertidor DC-DC. Convertidor AC-AC.

¿Cuál es una aplicación destacada de la electrónica de potencia?. Modulación de frecuencias de radio. Control de servomecanismos. Conversión energética en aerogeneradores. Codificación de señales digitales.

En la modulación PWM, ¿qué ocurre si la amplitud de la señal de control supera a la portadora?. No hay conmutación. Se produce sobremodulación. Se corta la señal. Disminuye la frecuencia.

¿Qué característica tiene el Mosfet respecto al BJT?. Mayor pérdida en conmutación. Menor velocidad de conmutación. Disparo más complejo. Mayor velocidad de conmutación.

¿Cuál es una de las principales desventajas de los BJT en conmutación en comparación con otros dispositivos?. Requieren alta tensión de compuerta. Presentan pérdidas elevadas al conducir. Tienen pérdidas altas en conmutación. No requieren circuitos de disparo.

¿Qué ventaja presenta el Mosfet frente al BJT en aplicaciones de conmutación?. Menor velocidad de conmutación. SOA con ruptura secundaria. Circuitos de disparo más complejos. Mayor velocidad de conmutación.

En el diseño con IGBT, ¿qué parámetro de conducción es similar al del BJT?. Tiempo de conmutación. Caída de tensión en conducción. SOA sin ruptura secundaria. Tensión de compuerta.

¿Cuál de los siguientes dispositivos permite el control tanto del encendido como del apagado mediante compuerta?. TRIAC. GTO. SCR. Diodo.

¿Qué fenómeno justifica la necesidad de circuitos de protección como el snubber en BJT?. Corriente de fuga inversa. Concentración de calor por zonas. Tensión de ruptura directa. Saturación de la base.

¿Qué tipo de convertidor DC-DC tiene una relación de salida dada por la fórmula [D/(D + α)] * Vin?. Boost. Buck. Buck-Boost. Flyback.

En un convertidor Flyback en modo continuo, ¿cómo se expresa la tensión de salida en función del número de espiras y el ciclo de trabajo?. Vout = (N2/N1) * (D/α) * Vin. Vout = (D / (1 - D)) * Vin. Vout = -(D / (1 - D)) * Vin. Vout = (N2/N1) * Vin.

¿Qué tipo de tecnología se menciona como ganadora del "Little Box Challenge" con un inversor de alta eficiencia en volumen reducido?. Si IGBT. GaN. SiC. UWBG.

En los inversores controlados por modulación PWM, ¿qué fenómeno ocurre cuando la señal de control supera la portadora en amplitud?. Modulación subarmónica. Modulación sincrónica. Sobremodulación. Anulación del ciclo de trabajo.

¿Qué tipo de inversor permite obtener ondas más parecidas a las deseadas mediante una mayor frecuencia de conmutación?. Inversor trapezoidal. Inversor monofásico cuadrado. Inversor trifásico multinivel. Inversor resonante.

¿Qué factor limita principalmente el incremento de la frecuencia de conmutación en dispositivos activos de EP, especialmente en tecnología BJT?. La tensión de ruptura en conducción inversa. Las pérdidas por conducción lineal. El incremento de pérdidas por conmutación Pd(t)=vd(t)·id(t). La histéresis magnética en inductancias.

¿Cuál de las siguientes afirmaciones es correcta respecto al SOA del BJT y su relación con la ruptura secundaria?. La ruptura secundaria ocurre solo por exceso de tensión. La zona segura de operación (SOA) impone límites únicamente térmicos. El BJT presenta ruptura secundaria por concentración localizada de calor. El SOA del BJT no se ve afectado por la frecuencia de conmutación.

¿Cuál es el principal motivo por el que el Mosfet no presenta ruptura secundaria en su SOA, a diferencia del BJT?. No presenta ganancia en corriente. Su resistencia en conducción es despreciable. El canal de conducción se autoequilibra térmicamente. Tiene disipación de potencia negativa en switching.

¿Cuál de los siguientes convertidores DC-DC muestra un comportamiento inversor de tensión y requiere aislamiento galvánico para su funcionamiento seguro?. Boost. Buck. Cuk. Flyback.

En el inversor monofásico de onda cuadrada, ¿cómo se obtiene una onda de salida más parecida a una senoidal?. Reduciendo la amplitud del bus DC. Aumentando el ciclo de trabajo. Aumentando la frecuencia de conmutación. Introduciendo retardo de fase entre interruptores.

¿Qué diferencia clave introduce el inversor trifásico multinivel tipo NPC respecto al inversor de 2 niveles convencional?. Elimina el uso de modulación por ancho de pulso (PWM). Reduce la distorsión armónica total de la onda de salida. Disminuye la necesidad de inductancias de filtro. Permite la operación sin diodos de recuperación.

En los dispositivos SiC frente a los de silicio, ¿qué efecto directo tiene su menor resistencia térmica?. Mayor sensibilidad a variaciones de temperatura. Mayor disipación de potencia. Capacidad de operar a mayores temperaturas con menor tamaño. Limitación en la frecuencia de trabajo debido al calor.

¿Qué impide que los dispositivos GaN puedan reemplazar directamente a los dispositivos de silicio existentes, a pesar de sus excelentes Ton y Toff?. Baja eficiencia energética. Incompatibilidad con tecnologías multinivel. Dificultades en PCB y diseño de circuitos de disparo. Alto coste del silicio comparado con GaN.

¿Por qué el circuito de control basado en modulación SVM (Space Vector) requiere microprocesadores?. Porque se basa en una comparación directa entre portadora y control. Porque calcula vectores temporales en el espacio de tensiones para optimizar el rendimiento. Porque reemplaza el uso de IGBT por Mosfets. Porque requiere sincronización con la red a 60 Hz.

¿Cuál de los siguientes convertidores DC-DC presenta una salida negativa respecto a la entrada y puede trabajar tanto en modo continuo como discontinuo?. Buck. Boost. Cuk. Buck-Boost.