Dispositivos Electrónicos de Potencia

Para valores de voltaje comprendidos entre 1000 V y 250 V, el dispositivo a emplearse no depende de la frecuencia de trabajo. Verdadero. Falso.

Cuando la corriente en un diac pasa por cero se apaga. Verdadero. Falso.

Los transistores bipolares de potencia no se emplean como interruptores por sus bajas velocidades de conmutación y poca ganancia en corriente. Verdadero. Falso.

Los parámetros de bloqueo de un diodo no son relevantes cuando se encuentra en la zona de polarización inversa. Verdadero. Falso.

Los dispositivos PowerMOS son fruto de la tecnología Metal-óxido-semiconductor, permiten trabajar con altas corrientes. Verdadero. Falso.

El bloqueo de un tiristor puede producirse dejando de aplicar una tensión entre los terminales del ánodo y el cátodo suficiente o pasando a una corriente de enganche muy pequeña. Verdadero. Falso.

Los triacs poseen poca estabilidad y en la actualidad su uso es muy poco utilizado. Verdadero. Falso.

El diodo, el tiratron, el transistor bipolar y el IGBT están ordenados según su aparición cronológica. Verdadero. Falso.

Entre las características de un IGBT destaca la alta capacidad de manejar corrientes y potencias altas. Verdadero. Falso.

El uso principal de los triac es aplicaciones de alta potencia. Verdadero. Falso.

Para valores de tensión superiores a los Kilovoltios no es apropiado el uso de IGBTs. Verdadero. Falso.

El diodo Schottky fue descubierto antes que el transistor pero después que el triodo. Verdadero. Falso.

El tiristor permite la conducción de la corriente sujeta al suministro de un pulso de corriente por un terminal adicional denominado puerta. Verdadero. Falso.

Los diodos son dispositivos no controlados de conducción natural cuando se supera una tensión mínima entre sus terminales. Verdadero. Falso.

En aplicaciones con valores de potencia muy elevados (hasta 5 KW) no se emplean transistores bipolares de potencia. Verdadero. Falso.

A los dispositivos de potencia se les pide que no funcionen como interruptor con el máximo rendimiento y mínimas pérdidas. Verdadero. Falso.

En la zona de ruptura el diodo bloquea prácticamente el paso de la corriente, conduciendo una corriente parásita de valor muy pequeño. Verdadero. Falso.

El ángulo de disparo en un triac es el tiempo que transcurre entre la conmutación y el disparo. Verdadero. Falso.

El dispositivo que mezcla las características de un MOSFET y un transistor bipolar se denomina IGBT. Verdadero. Falso.

Para aumentar la tensión inversa de bloque de los diodos se asocian diodos en serie con resistencias, permitiendo considerar un único diodo capaz de soportar una tensión de bloqueo tantas veces mayor como diodos se hayan utilizado. Verdadero. Falso.

La salida de un IGBT es como la de un transistor bipolar controlado por corriente. Verdadero. Falso.

Algunos parámetros importantes para la selección de un PowerMos son la corriente máxima, la tensión de ruptura y la corriente colector emisor en saturación. Verdadero. Falso.

En aplicaciones con valores de potencia muy elevados (hasta 5kW) no se emplean transistores bipolares de potencia. Verdadero. Falso.

El tiempo de recuperación en un Diodo Schottky es elevado. Verdadero. Falso.

Cuando la corriente de un diodo pasa por cero no se apaga. Verdadero. Falso.

Las tensiones de ruptura en los PowerMos son un factor limitante para su elección, tiene unos valores máximos entre los 200 y 1200 V. Verdadero. Falso.

Los dispositivos que permiten el control de transistores bipolares de puerta aislada individuales o en módulos son los Drivers de IGBT. Verdadero. Falso.

Los SCR no pueden apagarse de forma natural. Verdadero. Falso.

La intensidad de pico repetitivo en un diodo de potencia es la máxima intensidad que puede ser soportada cada 20 ms por un tiempo indefinido. Verdadero. Falso.

Para valores de tensión superiores a los Kilovoltios no es apropiado el uso de IGBTs. Verdadero. Falso.

Los modos de disparo de un triac se definen mediante el cuadrante de la gráfica P(potencia)-I(intensidad) en la que se sitúan. Verdadero. Falso.

Los triacs poseen poca estabilidad y en la actualidad su uso es muy poco utilizado. Verdadero. Falso.

Los diodos son dispositivos no controlados de conducción natural cuando se supera una tensión mínima entre sus terminales. Verdadero. Falso.

El tiristor permite la conducción de la corriente sujeta al suministro de un pulso de corriente por un terminal adicional denominado puerta. Verdadero. Falso.

La tensión inversa de pico único en un diodo de potencia no es la tensión inversa máxima que puede ser soportada por una sola vez cada 10 minutos o más, con una duración de pico de 10 ms. Verdadero. Falso.

La tensión inversa de pico repetitivo en un diodo de potencia es la tensión inversa máxima que puede ser soportada en picos de 10 ms repetidos cada 10 ms por un tiempo definido. Verdadero. Falso.

El diodo Schottky fue descubierto antes que el transistor pero después que el triodo. Verdadero. Falso.

El GTO es básicamente igual a un SCR, con una tensión de conducción ligeramente inferior. Verdadero. Falso.

El dispositivo que mezcla las características de un MOSFET y un transistor bipolar se denomina IGBT. Verdadero. Falso.

El tiratrón es una especie de triodo con gas enrarecido (hidrógeno) en su interior, que permite el control de pequeñas corrientes. Verdadero. Falso.

El diodo, el tiratrón, el transistor bipolar y el IGBT están ordenados según su aparición cronológica. Verdadero. Falso.

El diodo de vacío está constituido por una ampolla al vacío y un filamento de silicio frente a una placa de wolframio caliente. Verdadero. Falso.

Entre las características de un IGBT destaca la alta capacidad de manejar corrientes y potencias altas. Verdadero. Falso.

Una vez que el tiristor se activa no se bloquea mientras circule por él un mínimo de tensión. Verdadero. Falso.

Los dispositivos que permiten el control de transistores bipolares de puerta aislada individuales o en módulos son los Drivers de IGBT. Verdadero. Falso.

Un triac no puede dispararse con corriente continua. Verdadero. Falso.

Amplificar señales es una aplicación característica de un tiristor. Verdadero. Falso.

Una corriente entrante por una puerta de un GTO no provoca que el dispositivo entre en corte. Verdadero. Falso.

Cuando la corriente en un diac pasa por cero se apaga. Verdadero. Falso.

En la zona de polarización inversa de un diodo se establece la conducción de una corriente parásita de gran valor. Verdadero. Falso.

Los transistores bipolares de potencia no se emplean como interruptores por sus bajas velocidades de conmutación y poca ganancia en corriente. Verdadero. Falso.

El ángulo de disparo de un triac es el tiempo que transcurre entre la conmutación y el disparo. Verdadero. Falso.

La tensión inversa de pico único en un diodo de potencia no es la tensión inversa máxima que puede ser soportada por una sola vez cada 10 min o más, con una duración de pico de 10 ms. Verdadero. Falso.

El bloqueo de un triac puede llevarse a cabo por inversión de la tensión o aumentando el valor de la corriente por encima de un valor de mantenimiento. Verdadero. Falso.

Los PowerMOS se desarrollaron a finales de los años 80 y lideran el control de tensiones bajas y frecuencias altas. Verdadero. Falso.

La circulación en un tiristor es bidireccional, según el sentido del pulso de corriente suministrado por la puerta. Verdadero. Falso.

Los drivers de IGBT no son capaces de detectar sobrecorrientes ni tensiones de funcionamiento bajas. Verdadero. Falso.

En los diodos reales existe un tipo de respuesta o tiempo en el que el diodo polarizado en directa se descarga por completo para entrar en el modo de bloqueo, al aumentar la frecuencia de trabajo este tiempo de respuesta disminuye. Verdadero. Falso.

El problema de un IGBT es el aumento de las pérdidas de conmutación. Verdadero. Falso.

Los parámetros de bloqueo son relevantes cuando el diodo se encuentra en la zona de polarización. Verdadero. Falso.