Para valores de voltaje comprendidos entre 1000 V y 250 V, el dispositivo a emplearse no depende de la frecuencia de trabajo Verdadero Falso.
Cuando la corriente en un diac pasa por cero se apaga Verdadero Falso.
Los transistores bipolares de potencia no se emplean como interruptores por sus bajas velocidades de conmutación y poca ganancia en corriente Verdadero Falso.
Los parámetros de bloqueo de un diodo no son relevantes cuando se encuentra en la zona de polarización inversa Verdadero Falso.
Los dispositivos PowerMOS son fruto de la tecnología Metal-óxido-semiconductor, permiten trabajar con altas corrientes Verdadero Falso.
El bloqueo de un tiristor puede producirse dejando de aplicar una tensión entre los terminales del ánodo y el cátodo suficiente o pasando a una corriente de enganche muy pequeña Verdadero Falso.
Los triacs poseen poca estabilidad y en la actualidad su uso es muy poco utilizado Verdadero Falso.
El diodo, el tiratron, el transistor bipolar y el IGBT están ordenados según su aparición cronológica Verdadero Falso.
Entre las características de un IGBT destaca la alta capacidad de manejar corrientes y potencias altas Verdadero Falso.
El uso principal de los triac es aplicaciones de alta potencia Verdadero Falso.
Para valores de tensión superiores a los Kilovoltios no es apropiado el uso de IGBTs Verdadero Falso.
El diodo Schottky fue descubierto antes que el transistor pero después que el triodo Verdadero Falso.
El tiristor permite la conducción de la corriente sujeta al suministro de un pulso de corriente por un terminal adicional denominado puerta Verdadero Falso.
Los diodos son dispositivos no controlados de conducción natural cuando se supera una tensión mínima entre sus terminales Verdadero Falso.
En aplicaciones con valores de potencia muy elevados (hasta 5 KW) no se emplean transistores bipolares de potencia Verdadero Falso.
A los dispositivos de potencia se les pide que no funcionen como interruptor con el máximo rendimiento y mínimas pérdidas Verdadero Falso.
En la zona de ruptura el diodo bloquea prácticamente el paso de la corriente, conduciendo una corriente parásita de valor muy pequeño Verdadero Falso.
El ángulo de disparo en un triac es el tiempo que transcurre entre la conmutación y el disparo Verdadero Falso.
El dispositivo que mezcla las características de un MOSFET y un transistor bipolar se denomina IGBT Verdadero Falso.
Para aumentar la tensión inversa de bloque de los diodos se asocian diodos en serie con resistencias, permitiendo considerar un único diodo capaz de soportar una tensión de bloqueo tantas veces mayor como diodos se hayan utilizado. Verdadero Falso.
La salida de un IGBT es como la de un transistor bipolar controlado por corriente. Verdadero Falso.
Algunos parámetros importantes para la selección de un PowerMos son la corriente máxima, la tensión de ruptura y la corriente colector emisor en saturación. Verdadero Falso.
En aplicaciones con valores de potencia muy elevados (hasta 5kW) no se emplean transistores bipolares de potencia. Verdadero Falso.
El tiempo de recuperación en un Diodo Schottky es elevado. Verdadero Falso.
Cuando la corriente de un diodo pasa por cero no se apaga. Verdadero Falso.
Las tensiones de ruptura en los PowerMos son un factor limitante para su elección, tiene unos valores máximos entre los 200 y 1200 V. Verdadero Falso.
Los dispositivos que permiten el control de transistores bipolares de puerta aislada individuales o en módulos son los Drivers de IGBT.
Verdadero Falso.
Los SCR no pueden apagarse de forma natural. Verdadero Falso.
La intensidad de pico repetitivo en un diodo de potencia es la máxima intensidad que puede ser soportada cada 20 ms por un tiempo indefinido. Verdadero Falso.
Para valores de tensión superiores a los Kilovoltios no es apropiado el uso de IGBTs. Verdadero Falso.
Los modos de disparo de un triac se definen mediante el cuadrante de la gráfica P(potencia)-I(intensidad) en la que se sitúan. Verdadero Falso.
Los triacs poseen poca estabilidad y en la actualidad su uso es muy poco utilizado. Verdadero Falso.
Los diodos son dispositivos no controlados de conducción natural cuando se supera una tensión mínima entre sus terminales. Verdadero Falso.
El tiristor permite la conducción de la corriente sujeta al suministro de un pulso de corriente por un terminal adicional denominado puerta. Verdadero Falso.
La tensión inversa de pico único en un diodo de potencia no es la tensión inversa máxima que puede ser soportada por una sola vez cada 10 minutos o más, con una duración de pico de 10 ms. Verdadero Falso.
La tensión inversa de pico repetitivo en un diodo de potencia es la tensión inversa máxima que puede ser soportada en picos de 10 ms repetidos cada 10 ms por un tiempo definido. Verdadero Falso.
El diodo Schottky fue descubierto antes que el transistor pero después que el triodo. Verdadero Falso.
El GTO es básicamente igual a un SCR, con una tensión de conducción ligeramente inferior. Verdadero Falso.
El dispositivo que mezcla las características de un MOSFET y un transistor bipolar se denomina IGBT. Verdadero Falso.
El tiratrón es una especie de triodo con gas enrarecido (hidrógeno) en su interior, que permite el control de pequeñas corrientes. Verdadero Falso.
El diodo, el tiratrón, el transistor bipolar y el IGBT están ordenados según su aparición cronológica. Verdadero Falso.
El diodo de vacío está constituido por una ampolla al vacío y un filamento de silicio frente a una placa de wolframio caliente. Verdadero Falso.
Entre las características de un IGBT destaca la alta capacidad de manejar corrientes y potencias altas. Verdadero Falso.
Una vez que el tiristor se activa no se bloquea mientras circule por él un mínimo de tensión. Verdadero Falso.
Los dispositivos que permiten el control de transistores bipolares de puerta aislada individuales o en módulos son los Drivers de IGBT. Verdadero Falso.
Un triac no puede dispararse con corriente continua. Verdadero Falso.
Amplificar señales es una aplicación característica de un tiristor. Verdadero Falso.
Una corriente entrante por una puerta de un GTO no provoca que el dispositivo entre en corte. Verdadero Falso.
Cuando la corriente en un diac pasa por cero se apaga. Verdadero Falso.
En la zona de polarización inversa de un diodo se establece la conducción de una corriente parásita de gran valor.
Verdadero Falso.
Los transistores bipolares de potencia no se emplean como interruptores por sus bajas velocidades de conmutación y poca ganancia en corriente. Verdadero Falso.
El ángulo de disparo de un triac es el tiempo que transcurre entre la conmutación y el disparo. Verdadero Falso.
La tensión inversa de pico único en un diodo de potencia no es la tensión inversa máxima que puede ser soportada por una sola vez cada 10 min o más, con una duración de pico de 10 ms. Verdadero Falso.
El bloqueo de un triac puede llevarse a cabo por inversión de la tensión o aumentando el valor de la corriente por encima de un valor de mantenimiento. Verdadero Falso.
Los PowerMOS se desarrollaron a finales de los años 80 y lideran el control de tensiones bajas y frecuencias altas. Verdadero Falso.
La circulación en un tiristor es bidireccional, según el sentido del pulso de corriente suministrado por la puerta. Verdadero Falso.
Los drivers de IGBT no son capaces de detectar sobrecorrientes ni tensiones de funcionamiento bajas. Verdadero Falso.
En los diodos reales existe un tipo de respuesta o tiempo en el que el diodo polarizado en directa se descarga por completo para entrar en el modo de bloqueo, al aumentar la frecuencia de trabajo este tiempo de respuesta disminuye. Verdadero Falso.
El problema de un IGBT es el aumento de las pérdidas de conmutación Verdadero Falso.
Los parámetros de bloqueo son relevantes cuando el diodo se encuentra en la zona de polarización Verdadero Falso.
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