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Electrónica Básica Telmex V2.0

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Título del Test:
Electrónica Básica Telmex V2.0

Descripción:
Diodos, Op-Amp y Osciladores

Fecha de Creación: 2024/10/28

Categoría: Informática

Número Preguntas: 83

Valoración:(1)
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Se utiliza para tener un voltaje de salida casi sin variación o voltaje regulado (en paralelo). Diodo Zener. Diodo Túnel. Diodo Schockley. Diodo Schottky.

Posee un voltaje inverso de ruptura muy bajo, por lo que suele conducir una alta corriente inversa cuando se le polariza inversamente, también puede realizar funciones de amplificación, conmutación y oscilación. Diodo Túnel. Diodo Schottky. Diodo Zener. Diodo Varactor.

Se utiliza como capacitor variable para variar la frecuencia de un circuito resonante, entre menor voltaje inverso, mayor es su capacitancia. Diodo Varicap. Diodo Túnel. Diodo GUNN. Diodo Impatt.

Presenta velocidades de conmutación muy altas para conmutar circuitos de altas frecuencias. Permite el paso de corrientes relativamente altas cuando se le polariza directamente. Diodo PIN. Diodo Schottky. Diodo GUNN. Diodo Impatt.

Presenta las mismas características que el Diodo PIN, está formado con una parte N con un trozo metálico (oro, plata, o aluminio). Diodo Schottky. Diodo Impatt. Diodo GUNN. Diodo LED.

Su construcción sólo incluye cristales tipo N de Arseniuro de Galio (GaAs), y no uniones NP. Se usan para producir oscilaciones arriba de 3GHz, su construcción se parece a los Diodos PIN pero con una región de agotamiento más ancha. Diodo GUNN. Diodo Impatt. Diodo Varicap. Diodo de Avalancha.

La frecuencia o longitud de onda de los fotones emitidos por un Diodo LED es determinada por: El tipo de material semiconductor. El tipo de polarización aplicada. El voltaje aplicado a sus terminales. El tamaño del LED.

Relaciona los materiales semiconductores al tipo de luz emitida por el LED. Arsenuro de Galio (GaAs). Fósforo de Galio-Arsénico (GaAsP). Fósforo de Galio (GaP).

En este transistor, la unión emisor-base está directamente polarizada mientras que la unión base-colector está polarizada inversamente. Transistor PNP. Transistor NPN. Transistor FET. Transistor BJT.

En relación a las leyes de Kirchhoff, podemos relacionar las corrientes dentro de un transistor, como: IE= IB+IC. IE= IB-IC. IE=IB/IC. IE=IB*IC.

Este valor es el cociente entre la corriente de colector y la de emisor, es decir entre las corrientes de salida y entrada. Esta relación suele estar comprendida entre 0.95 y 0.99. Relación α (Alfa). Relación β (Beta). Relación γ (Gamma). Relación δ (Delta).

Esta relación define la capacidad de un circuito transistorizado para controlar una alta corriente de salida (IC) , con una pequeña corriente de entrada (IB). Relación β (beta). Relación α (alfa). Relación γ (Gamma). Relación δ (Delta).

Los tres arreglos o configuraciones de los circuitos transistorizados se conocen como de: Emisor, Base y Colector común. Fuente, Drenaje y Compuerta. Fuente, Base y Colector. Emisor, Compuerta y Colector común.

¿Cuál es la fórmula de ganancia de corriente de un transitor?. α= IC/IE. β= IC/IB. β= IC+IB. α= IC-IE.

También conocidos como diodo de baja señal o de contacto puntual, están diseñado especialmente para operar en dispositivos de muy altas frecuencias y baja corriente. Podemos encontrarlos de silicio o de germanio, recordando que en el silicio su umbral es entre 0.6 a 0.7 voltios y en el germanio de 0.2 a 0.3 voltios. Dependiendo del dopado del diodo se tendrá una variación en la resistencia y también es más común tener una mayor caída de tensión en el de diodo de silicio. Diodo Detector. Diodo Rectificador. Diodo de Puente Rectificador. Diodo Zener.

Son aquellos dispositivos semiconductores que solo conducen en polarización directa y en polarización inversa no conducen. Esto permite la transformación de los voltajes de corriente alterna (CA) a corriente directa (CD) y con esto tenemos la rectificación de una señal. Diodo Detector. Diodo Rectificador. Diodo GUNN. Diodo Impatt.

Estos diodos producen una mayor cantidad de ondulaciones que los rectificadores de onda completa, por lo tanto, es recomendable utilizar un condensador para suavizar y de esta manera eliminar la frecuencia armónica de corriente alterna (CA) de la salida de corriente directa (CD). Diodo Rectificador de media onda. Diodo Rectificador de media onda con filtro por condensador. Diodo Rectificador. Puente rectificador.

Se caracterizan por permitir el flujo de la corriente inversamente y por su capacidad de mantener un voltaje constante en sus terminales al polarizar inversamente, normalmente son utilizados como dispositivos de control. Diodo Zener. Diodo Túnel. Diodo LED. Diodo Schottky.

Realmente es un JFET. Este tipo de diodos permite una corriente a través de ellos para alcanzar un valor adecuado y así estabilizarse en un valor específico. Diodo Túnel. Diodo de corriente constante. Diodo Schottky. Diodo Schockley.

También conocidos como diodos de recuperación rápida o de portadores calientes, tienen una composición de silicio y se caracterizan por una caída de voltaje muy pequeña (aproximadamente 0.25V o menos) y por tener una respuesta muy rápida. En pocas palabras el tiempo de conmutación es muy corto. Diodo Túnel. Diodo Zener. Diodo Schottky. Diodo de Avalancha.

También conocido como diodo PNPN, se caracteriza por tener dos estados estables: •Bloqueo o alta impedancia. •Conducción o baja impedancia. Diodo de Avalancha. Diodo Túnel. Diodo Schockley. Diodo Schottky.

También conocido como diodo de almacenaje de carga, tiene la característica de almacenar la carga del pulso positivo y utilizan el pulso negativo de las señales sinusoidales. Diodo de recuperación de paso (SRD). Diodo de Cristal. Diodo Varactor. Diodo rectificador controlado por silicio.

También conocidos como diodo Esaki, son utilizados como interruptor de alta velocidad (de orden nano segundos), esto se debe por poseer una zona de agotamiento extremadamente delgada y tener en su curva una región de resistencia negativa donde la corriente disminuye a medida que aumenta el voltaje. Diodo Zener. Diodo Túnel. Diodo de Avalancha. Diodo Varactor.

Actúa como un condensador variable controlados por voltaje y su forma de operar es inversamente. Estos diodos tienen su fama debido a su capacidad de cambiar los rangos de capacitancia dentro del circuito en presencia de un voltaje constante. Diodo Varactor. Diodo Zener. Diodo de Avalancha. Diodo de recuperación de paso (SRD).

Emiten una luz monocromática, generalmente roja o infrarroja, la cual tiene las características de estar fuertemente concentrada, enfocada, coherente y potente. Diodo LED. Diodo Láser. Fotodiodo. Diodo Receptor de Luz.

También conocido como bigotes de gato es un diodo de contacto, consiste de un cable de metal afilad presionado contra un cristal semiconductor. Actualmente están obsoletos. Diodo de Cristal. Diodo de Avalancha. Diodo Rectificador controlado por silicio. Diodo PIN.

Conducen en dirección contraria cuando el voltaje en inverso supera el voltaje de ruptura. Eléctricamente son similares a los diodos Zener, pero funcionan bajo otro fenómeno. Diodo Túnel. Diodo GUNN. Diodo de Avalancha. Diodo Varactor.

Consta de tres terminales: ánodo, cátodo y una puerta. Es similar al diodo Shockley, es utilizado para fines de control cuando se aplican pequeños voltajes en el circuito. Diodo Schottky. Diodo PIN. Diodo Gunn. Diodo Rectificador controlado por silicio.

Se emplean normalmente como resistencias variables por voltaje. Diodo PIN. Diodo GUNN. Fotodiodo. Diodo Resistor.

Cuando aumenta la tensión en el circuito también aumenta la corriente, después de cierto nivel de voltaje la corriente disminuirá exponencialmente. Diodo GUNN. Diodo Schottky. Diodo de Avalancha. Diodo Túnel.

Cuando un haz de luz de suficiente energía incide en el diodo, excita un electrón dándole movimiento y crea un hueco con carga positiva. En otras palabras, es un dispositivo sensible a la luz visible e incluso a la infrarroja, por lo tanto, es un diodo con sensibilidad a la luz. Diodo LED. Diodo Láser. Fotodiodo. Diodo Receptor de Luz.

Existen tres configuraciones para conectar los FET: Emisor, Base y Colector común. Fuente, Compuerta y Drenaje común. Fuente, Compuerta y Colector común. Emisor, Compuerta y Drenaje común.

Este arreglo proporciona una alta impedancia de entrada y buena amplificación de voltaje en bajas y altas frecuencias. Configuración de fuente común. Configuración de compuerta común. Configuración de drenaje común. Configuración de emisor común.

Este arreglo provee amplificación de voltaje medianamente alta, maneja muy bien las altas frecuencias, y al igual que en las otras configuraciones, puede utilizarse JFET, o también MOSFET de agotamiento o de incremento. Configuración de compuerta común. Configuración de fuente común. Configuración de drenaje común. Configuración de base común.

Esta configuración se emplea primordialmente para acoplar un circuito con muy alta impedancia de salida, con otro de muy baja impedancia de entrada, aunque no provee ganancia de voltaje. Su característica de poseer muy alta impedancia de entrada y muy baja impedancia de salida, lo hace ideal para servir como acoplador. Configuración de drenaje común. Configuración de compuerta común. Configuración de fuente común. Configuración de base común.

Es la fórmula de ganancia de voltaje: Av= gm∙rd. Av= gm∙rs. Av= -gm∙rd. Av= gm/rd.

Es la fórmula de un amplificador diferencial, amplifica la diferencia de voltaje entre dos señales de entrada. V0​= A(Vin1​−Vin2​). V0​= A(Vin1​+Vin2​). V0​= -A(Vin1​−Vin2​). V0​= A(Vin2​−Vin1​).

Este circuito es alimentado con un voltaje de cc, pero entrega en su salida una señal de ca, cuya forma y voltaje pueden ser seleccionados a voluntad. Osciladores. Amplificadores. Transistores. Diodos.

Los materiales cristalinos producen: Piezoelectricidad. Corriente Alterna. Una luz infrarroja. Electromagnetismo.

La siguiente ecuación nos permite encontrar la frecuencia "resonante" o de operación de este tipo de oscilador. 1. 2. 3. 4.

Es un componente que almacena energía en un campo magnético cuando pasa corriente a través de él, se utilizan para filtrar señales, regular corrientes, almacenar energía y generar campos magnéticos. Inductor. Capacitor. Transistor. Resistencia.

Son una clase especial de elementos cuya conductividad se encuentra entre la de un buen conductor y la de un aislante. Conductores. Aislantes. Semiconductores. Hyperconductores.

Es una medida del control que ejerce el voltaje de compuerta Vgs, sobre la intensidad de salida ID (la corriente de drenaje). Transconductancia. Conductancia. Superposición. Ganancia.

La fórmula de Transconductancia es: A. B. C. D.

Si la transconductancia de un JFET es igual a 0.6 Siemens, y si ID es igual a 12mA. ¿Qué voltaje de control Vgs se está aplicando?. 0.02 V. 0.2 V. 0.15 V. 0.1 V.

¿Cuál es el valor de la transconductancia de un JFET que al aplicarle una tensión de control Vgs= 0.5V, permite una corriente de salida (de drenaje) ID= 0.4 mA?. 0.0008 V. 0.008 V. 8 V. 0.00008 V.

Si la transconductancia de un JFET es de 0.08 Siemens, ¿Qué valor tendrá la corriente ID si el voltaje de control que se está aplicando es igual a 0.1 V?. 0.008 A. 0.004 A. 0.08 A. 0.04 A.

Los FET (MOSFET y JFET) son controlados por _______, mientras que los BJT son controlados por ________. voltaje, corriente. corriente, voltaje. potencia, resistencia. voltaje, resistencia.

Contiene una parte metálica en la parte superior del substrato, donde la compuerta controla el "agotamiento" de portadores mayoritarios dentro del canal, por lo que realmente es capaz de controlar la magnitud de la corriente que circula por el canal. MOSFET de Agotamiento. MOSFET de Crecimiento. MOSFET de Amplificación. MOSFET de Acoplamiento.

En este transistor, no existe un canal completo por el que pueda circular normalmente corriente eléctrica. Por esto, se consideran como una familia de dispositivos normalmente apagados. Ocupa que Vgs provea una tensión positiva, para que circule una corriente en el circuito. MOSFET de Crecimiento. MOSFET de Agotamiento. MOSFET de Amplificación. MOSFET de Acoplamiento.

Esta configuración de FET es la más usada y proporciona alta impedancia de entrada y buena amplificación de voltaje en bajas y altas frecuencias. Fuente Común. Compuerta Común. Drenaje Común. Emisor Común.

Esta configuración provee una amplificación de voltaje medianamente alta. No tiene alta impedancia de entrada, pero sí una de muy alta salida, de manera que el circuito puede servir bien cuando hay que aplicar una señal a otro circuito de alta impedancia de entrada. Maneja muy bien las altas frecuencias. Compuerta Común. Fuente Común. Drenaje Común. Base Común.

Sirve como acoplador, aunque no provee ganancia de voltaje, su característica de poseer muy alta impedancia de entrada y muy baja impedancia de salida lo hace ideal para servir como acoplador. Fuente Común. Compuerta Común. Drenaje Común. Colector Común.

Un circuito amplificador utiliza un JFET cuya resistencia de drenaje (rd) es de 20kΩ y una ganancia (Av) es igual a 100. ¿Cuál es el valor de la transconductancia del JFET?. 0.005 Ω. 0.05 Ω. 5 Ω. 50 Ω.

Si la transconductancia (gm) de un JFET que es parte de un amplificador, es igual a 4S (Siemens), y la ganancia de voltaje (Av) que proporciona todo el conjunto es igual a 200V, ¿cuál es el valor de rd?. 50 Ω. 5 Ω. 500 Ω. 0.5 Ω.

Los Circuitos Integrados se clasifican en 4 grupos: Dispositivos monolíticos, película delgada, película gruesa, híbridos. Circuitos monolíticos, integrados en película delgada, integrados en película gruesa, dispositivos híbridos. Circuitos monolíticos, dispositivos de película fina, dispositivos de película espesa, circuitos híbridos. Circuitos de película delgada, de película gruesa, híbridos, monolíticos.

¿Cuál de las siguientes características de los CI no es verdadera?. Son tan delgados como 0.256mm, con diámetro 2 a 4cm. Solo el 20% de chips de la oblea son utilizables. La oblea se corta en pequeñas partes llamadas "chips", que son un CI completo. La oblea se conoce como "tableta".

Relacione el nombre de capacidad interna de CI's con número de componentes que contiene. SSI. MSI. LSI. VLSI.

¿Cuál es la matrícula del Op-Amp?. CI 741. CI 555. LM7800. LM7900.

¿Qué matrícula corresponde a los CI Reguladores de Voltaje?. LM7800 y LM7900. LM 7700 y LM7800. LM7600 y LM7800. LM7600 y LM7900.

Reciben en su entrada una tensión de cc variable, y en su salida entregan también un voltaje de cc, pero de valor fijo (o regulado). Amplificadores Operacionales. Reguladores de voltaje. Osciladores. Capacitores.

Su función está relacionada con la producción de señales y puilsos de diferente amplitud, duración y frecuencia. Amplificadores Operacionales. Osciladores. Reguladores de voltaje. Condensadores.

Se construyen utilizando uno o más transistores, bipolares o FETs, o un circuito integrado. Se deben emplear también componentes pasivos como resistores, capacitores, inductores, transformadores, etc. Amplificadores. Osciladores. Reactores. Condensadores.

En esta clase de operación de amplificadores, su señal de entrada es igual a su señal de salida, terminando completa y amplificada. Produce muy poca distorsión y se usa en amplificación de señales de audio, TV, etc. Clase A. Clase B. Clase AB. Clase C.

En esta clase de operación de amplificadores producen solo medio ciclo, se aplica un arreglo Push-Pull para que no tenga distorsión. Clase A. Clase B. Clase AB. Clase C.

Esta clase de operación de amplificadores se utiliza para que su corriente de salida fluya un poco menos que el ciclo completo. Busca evitar la distorsión de un Clase B y mejorar la respuesta de un Clase A en cuanto a consumo de energía. Clase A. Clase B. Clase AB. Clase C.

En esta clase de operación de amplificadores su corriente de salida fluye solo en una pequeña parte de uno de los dos medios ciclos de la señal de entrada. Esta señal es altamente distorsionada y funciona como un multiplicador de frecuencias. Clase A. Clase B. Clase AB. Clase C.

Se emplean para amplificar señales que provienen de transductores o sensores y producen señales de muy baja frecuencia (0 a 20 Hz). Amplificador básico de CC. Amplificador Complementario. Amplificador Darlington. Amplificador Diferencial.

Proporciona dos etapas de amplificación en lugar de una sola, con la consiguiente duplicación de ganancia. Amplificador básico de CC. Amplificador complementario. Amplificador Darlington. Amplificador Diferencial.

Permite conectar dos transistores en una sola unidad conservando la característica de tener tres terminales como si fuera un solo transistor. Amplificador básico de CC. Amplificador complementario. Amplificador Darlington. Amplificador Diferencial.

Suele emplearse este tipo de arreglo en aplicaciones que requieren altos valores de ganancia y buena estabilidad térmica, la señal de salida se toam de los puntos A y B. Amplificador básico de CC. Amplificador complementario. Amplificador Darlington. Amplificador Diferencial.

Se usan cuando se desean amplificar señales de CA en el rango de audiofrecuencias (20 a 20,000 Hz). Amplificador básico de audiofrecuencias. Amplificador de audiofrecuencias de doble etapa. Amplificador de audiofrecuencia de potencia. Amplificador de audiofrecuencia de potencia (Push-pull).

Provee una ganancia que es igual al producto de las ganancias de cada transistor. Amplificador básico de audiofrecuencia. Amplificador de audiofrecuencia de doble etapa. Amplificador de audiofrecuencia de potencia. Amplificador de audiofrecuencia de potencia (Push-Pull).

Se emplea en la etapa final de un sistema de audio, donde la señal final se transpasa al altavoz mediante un transformador de salida. Amplificador básico de audiofrecuencia. Amplificador de audiofrecuencia de doble etapa. Amplificador de audiofrecuencia de potencia. Amplificador de audiofrecuencia de potencia (Push-Pull).

Es de gran poder, el altavoz se conecta a los colectores de ambos transistores, duplicando la ganancia, ya que sus salidas están 180° fuera de fase y se suman. Amplificador básico de audiofrecuencia. Amplificador de audiofrecuencia de doble etapa. Amplificador de audiofrecuencia de potencia. Amplificador de audiofrecuencia de potencia (Push-Pull).

Estos amplificadores deben ser capaces de entregar una ganancia "plana" de hasta por lo menos 10 MHz, su ancho de banda es de aproximadamente 6 MHz. Amplificador de videofrecuencia. Amplificador de audiofrecuencia. Amplificador de radiofrecuencia. Amplificador Operacional.

El ancho de banda de este amplificador va desde los 20 MHz a 18 GHz. Amplificador de videofrecuencia. Amplificador de audiofrecuencia. Amplificador de radiofrecuencia. Amplificador Operacional.

Es una característica que indica la capacidad de un circuito sintonizado (o filtro), para dejar pasar solo las frecuencias deseadas, esta se mide con el valor Q. Selectividad. Sintonización. Sincronización. Eliminación.

Tienen características que básicamente ningún otro amplificador tiene, por ejemplo su ganancia de voltaje es tan alta como 100,000 V. El ancho de banda que manejan puede ser de hasta 1MHz. Su impedancia de salida es tan baja como 75Ω y su impedancia de entrada tan alta como 2MΩ. Amplificador Operacional. Amplificador de CC. Amplificador de CA. Amplificador de audiofrecuencia.

Es el Op-Amp más usado, donde se emplea una retroalimentación negativa en Rf, y su entrada va a la terminal negativa del Op-Amp. Inversor. No Inversor.

Esta configuración de Op-Amp emplea retroalimentación negativa, la señal de salida tiene la misma fase que la señal de entrada. Inversor. No Inversor.

¿Qué valor debe tener la retroalimentación B de un circuito oscilador, en el que el amplificador correspondiente entrega una ganacia de voltaje Av igual a 0.8?. 0.25. 1.25. 1.20. 1.35.

¿Cómo se llama el efecto de oscilación entre el capacitor y la bobina?. Efecto voltante. Efecto oscilante. Efecto avalancha. Efecto retroalimentador.

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