Ordenar los distintos tipos de ruidos en semiconductores y las causas que los originan. Movimiento de electrones y huecos debidos a la contaminación de semiconductores por metales pesados. Movimiento aleatorio de electrones o huecos por su energía vibracional o térmica: Movimiento de electrones y huecos debidos a capturas y/o emisiones en niveles energéticos interbanda. Movimiento de electrones o huecos debido a la corriente o flujo fluctuante de electrones y huecos.
En la unión PN aparecen dos efectos capacitivos debidos a dos fenómenos concretos: La Capacidad de Transición es debida a a la aparición de la carga iónica espacial en la zona de transición o capa vacía y la Capacidad de Difusión que es debida a la inyección de portadores minoritarios.
Selecciona una o más de una: La capacidad de difusión se da solo cuando el diodo se polariza en directa. La capacidad de transición depende del estado de polarización del diodo. La capacidad de transición es fija y no cambia con el estado de polarización del diodo. La capacidad de difusión se da independientemente de que el diodo se polarice en directa o en inversa.
En los semiconductores extrínsecos existe una disparidad entre el número de electrones y huecos al alterarse su concentración por la presencias de sustancias dopantes donadoras o aceptoras.
Selecciona una o más de una: Las sustancias donadoras son las que ceden un electrón por átomo donador haciendo que el semiconductor sea de tipo P. Al ceder el electrón, el átomo se ioniza positivamente creando una perturbación local de campo en el cristal. Las sustancias donadoras son las que ceden un electrón por átomo donador haciendo que el semiconductor sea de tipo N. Al ceder el electrón, el átomo se ioniza positivamente creando una perturbación local de campo en el cristal. Las sustancias aceptoras son las que captan un electrón por átomo donador haciendo que el semiconductor sea de tipo N. Al capturar el electrón, el átomo dopante se ioniza negativamente creando una perturbación local de campo en el cristal. Las sustancias aceptoras son las que captan un electrón por átomo donador haciendo que el semiconductor sea de tipo P. Al capturar el electrón, el átomo dopante se ioniza negativamente creando una perturbación local de campo en el cristal.
El criterio de Barkhausen puede enunciarse también diciendo que las condiciones para que se de una oscilación de forma mantenida es que la parte real de la ganancia de lazo sea uno y que la parte imaginaria de la ganancia de lazo sea cero. Verdadero. Falso.
El efecto transistor es un fenómeno de distancia relacionado con la vida media de los portadores al atravesar la base del transistor. Para que ocurra el efecto transistor es necesario que la base sea suficientemente ancha frente a la longitud de difusión de los portadores minoritarios que la atraviesan. Verdadero. Falso.
Los procesos de generación y recombinación de portadores se oponen a la existencia de desequilibrios en la densidad local o espacial de portadores a lo largo del semiconductor.
Selecciona una: La evolución de la concentración de portadores fuera del equilibrio en función del tiempo sigue una ley lineal con el tiempo. La evolución de la concentración de portadores fuera del equilibrio sigue una ley exponencial creciente con el tiempo. La evolución de la concentración de portadores fuera del equilibrio sigue una ley exponencial decreciente con el tiempo.
La Capacidad de almacenamiento de una estructura MIS o puerta de un transistor MOS, depende en gran medida de la capacidad del oxido que es una función directa de su espesor. Aunque la capacidad asociada a la superficie del semiconductor en las zonas de inversión y vaciamiento sea mayor, la capacidad total observada siempre viene dominada por la capacidad del oxido.
Selecciona una: Verdadero Falso.
Los tres parámetros que miden la calidad de un transistor bipolar son la Eficiencia de Emisor, el Factor de Transporte y el Factor de multiplicación de Colector. En un transistor ideal los tres factores tendrían un valor unitario. Ordenar sus definiciones: Factor de Transporte Factor de multiplicación de Colector Eficiencia de Emisor.
Los coeficientes de movilidad y de difusión de un material semiconductor están relacionados de forma inversa por las denominadas relaciones de Einstein: Cuando aumenta la movilidad, disminuye la difusión y viceversa.
Selecciona una: Verdadero Falso.
Cuando se polariza a un diodo, la tensión externa aplicada modifica el flujo de portadores, la geometría de la zona de transición y la altura de las bandas. Emparejar las siguientes definiciones: Cuando la unión PN se polariza en directa Cuando la unión PN se polariza en inversa .
La Ley de Acción de Masas dice que el producto de las concentraciones de electrones y huecos en un Semiconductor a una temperatura dada es una constante que coincide con el cuadrado de la concentración intrínseca a esa misma temperatura.
Selecciona una: Verdadero Falso.
El potencial de contacto o potencial Buit-in en una unión semiconductora se produce como consecuencia de la aparición de un campo eléctrico interno en la zona de transición de la unión. Indicar cuáles de las afirmaciones son las correctas:
Selecciona una o más de una: A temperatura ambiente el potencial de contacto depende sólo de las concentraciones de los elementos dopantes de la parte P y de la parte N. El potencial de contacto mide el desplazamiento entre las bandas de energías de la parte P y la parte N. A temperatura ambiente, la anchura de la zona de transición en ausencia de potencial externo depende del potencial de contacto y de las concentraciones de los elementos de la parte P y la parte N El potencial de contacto o potencial buit-in interviene en la expresión de la densidad de corrientes en un diodo según el modelo de Shockley.
El modelo de Ebers-Moll del transistor bipolar no explica una serie de fenómenos de segundo orden que aparecen en el transistor real y que deben corregirse. Los fenómenos de segundo orden mas importantes que tienen en cuenta los modelos actuales de transistor bipolar son:
Selecciona una o más de una: El tamaño de la base en función de la tensión de polarización de la unión Base-Colector. La conductividad finita de las regiones semiconductoras de base, colector y emisor. Los efectos relacionados con las altas corrientes o altos niveles de inyección en Base y Colector La dependencia de las ganancias en corriente con la corriente de colector.
Las Regiones de Inversión y de Vaciamiento en una estructura MIS no dependen del nivel de dopado del semiconductor ya que se trata de un fenómeno superficial dependiente exclusivamente del potencial externo aplicado.
Selecciona una: Verdadero Falso.
En Semiconductores extrínsecos existe una disparidad entre el número de electrones y el número de huecos por unidad de volumen como consecuencia del dopado. Esto es una consecuencia de que las bandas de energía de los electrones de valencia de estos elementos dopantes se encuentran situadas dentro de la zona o banda prohibida del semiconductor.
Selecciona una o más de una: Las sustancias aceptoras tienen bandas de energía prohibida próximas a la banda de conducción. Las sustancias donadoras tienen bandas de energía prohibida próximas a la banda de conducción. Las sustancias donadoras tienen bandas de energía prohibida próximas a la banda de valencia. Las sustancias aceptoras tienen bandas de energía prohibida próximas a la banda de valencia.
El efecto Zener forma parte de los mecanismos de ruptura de una unión semiconductora polarizada en sentido inverso. Este fenómeno suele ocurrir cuando las dos uniones semiconductoras están fuertemente dopadas, la zona de transición es muy estrecha y la tensión inversa alta. También se denomina efecto Túnel por la capacidad que adquiere el electrón para atravesar una barrera energética mas alta que la suya (fenómeno cuántico).
Selecciona una: Verdadero Falso.
Los electrones confinados en redes cristalinas poseen energías que se distribuyen en bandas. En semiconductores intrínsecos, el movimiento de electrones se realiza en la banda de conducción y supone también el movimiento de un hueco en la banda de valencia. Es decir, la conducción tiene lugar por pares electrón-hueco.
Selecciona una o más de una: Habrá mas o menos pares electrón-hueco dependiendo de la temperatura a la que se encuentre el cristal. Se crearán electrones y huecos siempre que las bandas de conducción y valencia tengan niveles vacantes. La aparición de electrones y huecos ocurre cuando aparece la energía térmica necesaria para hacer saltar a un electrón a la banda de conducción. Los electrones pueden moverse en la banda de valencia contribuyendo igualmente a la conducción. Para que un hueco adquiera movilidad es necesario que salte a la banda de conducción. Mientras tanto no contribuye al proceso conductivo. Los pares electrón-hueco creados se cancelan por recombinación haciendo que la conducción se realice en la superficie del cristal.
La Ganancia de lazo es el Producto de la función de transferencia del Amplificador A(jw) por la función de transferencia de la red pasiva beta (jw). Cuando la realimentación es positiva, el denominador de la Función de Transferencia del Sistema realimentado es 1- A(jw)*beta(jw). Si el módulo A(jw)*beta(jw) de la ganancia de lazo es menor que la unidad, el sistema realimentado es estable con independencia del valor de la fase de dicho producto. Si el módulo es 1 y la fase es 0 existirá oscilación y se mantendrá indefinidamente. Sin embargo, el sistema puede no arrancar a oscilar a no ser que el módulo sea mayor que 1. Verdadero Falso.
En situaciones de equilibrio térmico y ausencia de campos eléctricos externos, los electrones y los huecos realizan movimientos aleatorios al azar dentro de la estructura cristalina de un semiconductor. Los electrones y los huecos se mueven de forma ordenada si:
Selecciona una o más de una: se aplica un campo eléctrico externo a un semiconductor intrínseco o extrínseco. hay una diferencia de concentración de elementos dopantes en el cristal. hay una diferencia de concentración espacial de electrones o huecos en el semiconductor. hay una concentración de elementos dopantes dentro del cristal.
Un Semiconductor se define como Semiconductor Intrínseco si
Selecciona una o más de una: se encuentra dopado con aceptores y dadores a una temperatura dada pero se verifica que p=n=ni. no se encuentra dopado con material alguno; es decir, es una estructura cristalina pura. se encuentra dopado por igual número de aceptores y donadores a temperatura ambiente. se encuentra dopado por igual número de aceptores y donadores con independencia de la temperatura.
La Característica de transferencia de un comparador con histéresis sigue caminos distintos dependiendo de si la señal de entrada se desplaza desde un nivel negativo a otro positivo o desde un nivel positivo a otro negativo. La consecuencia de este comportamiento es
Selecciona una o más de una: Que los niveles de salida pueden cambiar en función del nivel de histéresis que depende del divisor de tensión que se realimenta con la entrada. Que existen dos niveles de comparación no simétricos que pueden cambiarse con un divisor de tensión situado a la salida del Amplificador. Que existen dos niveles de comparación positivo y negativo simétricos. Que existen dos niveles de salida que se corresponden con la tensiones de saturación positiva y negativa del amplificador. .
Un filtro causal o físicamente realizable debe cumplir el principio de Paley-Wiener en el que se demuestra que el filtro debe tener una función ponderatriz definida en todo tiempo.
Selecciona una: Verdadero Falso.
Decir que la parte imaginaria de la ganancia de lazo β(ω)⋅A(ω) es cero a una frecuencia determinada, garantiza que esa frecuencia se amplifique continua e indefinidamente manteniéndose así la oscilación tras la condición de arranque.
Selecciona una: Verdadero Falso.
Los conversores D/A a condensador utilizan el principio de escalado de carga basado en la suma de condensadores en serie. Estos conversores poseen un conmutador de reset y un condensador de terminación de forma que la capacidad total escalada es 2C siendo C la unidad base de escalado.
Selecciona una: Verdadero Falso.
La teoría general del filtrado estandariza el comportamiento de los filtros para que los polinomios cumplan una serie de requisitos sobre la frecuencia de corte y sobre el módulo al cuadrado de la función de transferencia. Para filtros del tipo Pasa Baja:
Selecciona una o más de una: Todas las aproximaciones deben pasar por un punto común denominado frecuencia de corte. La frecuencia de corte debe estar normalizada a la frecuencia de 1 Radian por segundo. Se define un factor de rizado que está asociado a la máxima variación del módulo de la Amplitud en la banda pasante. A frecuencia cero, el módulo de la Amplitud debe valer la unidad. Los polos de la función de transferencia deben estar a la derecha de plano complejo. La banda pasante debe ser máximamente plana en el origen de frecuencias. .
Un Condensador conmutado es equivalente a una resistencia si se cumple:
1. La frecuencia de muestreo con la que se conmuta debe verificar el teorema del muestreo.
2. Las impedancias a las que está conectado el condensador deben ser infinitas (teóricamente) ó análogas a la de la entrada + de un Amplificador Operacional. Verdadero Falso.
Para analizar las condiciones de oscilación de un circuito se debe identificar primero el lazo de realimentación y el sentido del lazo. Después el lazo debe abrirse en un punto cualquiera, situar al inicio un generador de tensión auxiliar Vx(w) , y al final una impedancia Zin, equivalente a la impedancia de entrada que se ve desde el inicio. A continuación debemos calcular la señal que llega al final del lazo V'x(w), y la ganancia de lazo beta(w)*A(w)=V'x(w)/Vx(w). Finalmente se aplica el criterio de Barkhausen.
Selecciona una: Verdadero Falso.
Un Filtro Universal o Bicuadrático es un Filtro con una entrada y tres salidas realizado con la Técnica de Variable de estado para implementar en sola topología tres funciones de transferencia cuyo denominador, común a las tres, implementa un par de polos complejos conjugados. Cada uno de los Numeradores se identifican con las configuraciones pasa-baja, pasa-alta y pasa-banda respectivamente.
Selecciona una: Verdadero Falso.
Las señales muestreadas se discretizan en tiempo y amplitud. Normalmente el muestreo en tiempo toma muestras a intervalos regulares de tiempo iguales. El muestreo en Amplitud se llama 'cuantificación' y puede hacerse a intervalos de amplitud iguales o desiguales.
Selecciona una: Verdadero Falso.
Existen dos formas fundamentales de abordar el diseño de circuitos para Filtros. Por un lado, el buscar circuitos que sinteticen polos simples y polos complejos conjugados que se puedan asociar a las Funciones de Transferencia Factorizadas; y por otro, mediante circuitos generalizados que permiten sintetizar Funciones de Transferencia expresadas como cocientes de polinomios de grado arbitrario (Técnicas de variables de Estado).
Selecciona una: Verdadero Falso.
Para que un circuito realimentado oscile y mantenga su oscilación de forma indefinida es necesario que
Selecciona una o más de una: La parte imaginaria de la ganancia de lazo particularizada a la frecuencia de oscilación sea menor que 1 y la parte real de la ganancia de lazo particularizada a la frecuencia de oscilación sea mayor que 1. La parte imaginaria de la ganancia de lazo particularizada a la frecuencia de oscilación sea cero y la parte real de la ganancia de lazo particularizada a la frecuencia de oscilación sea igual a 1. La parte imaginaria de la ganancia de lazo particularizada a la frecuencia de oscilación sea cero y la parte real de la ganancia de lazo particularizada a la frecuencia de oscilación sea mayor que 1. La parte imaginaria de la ganancia de lazo particularizada a la frecuencia de oscilación sea uno y la parte real de la ganancia de lazo particularizada a la frecuencia de oscilación sea cero.
La distorsión armónica que aparece en los osciladores sinusoidales reales es debida a
Selecciona una o más de una: Que no se cumple estrictamente la condición de mantenimiento de la oscilación y como consecuencia de ello, hay un aumento en la ganancia de los amplificadores que pueden saturarse modificándose la forma sinusoidal de las señales de salida. Que se usan diodos zeners en oposición o limitadores de ganancia que alteran la ganancia de lazo del oscilador. Que se mantiene la condición de arranque y no se ajusta después a la condición de mantenimiento. Como consecuencia, la ganancia de los amplificadores crece cada vez mas hasta que la saturación hace aparecer la distorsión. La inestabilidad inherente y propia de un circuito realimentado positivamente que contiene elementos con comportamiento no lineal tales como la saturación en AOs o la limitación de ganancia mediante diodos zeners.
Los filtros activos nos permiten seleccionar una parte del espectro de frecuencias de una señal y eliminar otra parte en base al concepto de banda pasante y banda eliminada. En la banda pasante el contenido en frecuencias de una señal debe quedar inalterado, y en la banda eliminada, suprimido. En la banda pasante de un filtro ideal debe cumplirse que:
Selecciona una o más de una: Debe existir una distorsión lineal de fase constante en todas las componentes espectrales que se encuentren dentro de la banda pasante. No se modifique la amplitud de las frecuencias que formen parte de la banda pasante, por lo que la derivada del módulo de la función de transferencia del filtro debe ser cero. Los retardos de fase y de grupo deberán ser iguales dentro de la banda pasante. El argumento de la función de transferencia no depende de la frecuencia.
La ganancia de Lazo en un circuito realimentado es:
Selecciona una o más de una: La ganancia del circuito que conecta la salida con la entrada. El producto de la función de transferencia del circuito a realimentar y la función de transferencia del circuito que cierra el lazo y realiza la realimentación. La ganancia global del circuito realimentado; es decir, su salida dividida por su entrada en el dominio de la frecuencia. La suma o la diferencia de la señal de entrada con la señal de realimentada dependiendo de que sea una realimentación positiva o negativa.
Un Comparador con histéresis es un amplificador diferencial realimentado positivamente que posee dos niveles de comparación estables y dependientes de la tensión de saturación de dicho amplificador. Verdadero Falso.
Un conversor D/A es un dispositivo que convierte a una palabra digital codificada en un nivel de amplitud (voltios). El nivel de amplitud de salida está cuantificado.
Selecciona una o más de una: Deben funcionar respetando la frecuencia de muestreo a la que se muestrearon las muestras digitales que representan. Para recuperar la señal original mediante un conversor D/A es necesario un proceso de filtrado pasa baja posterior sobre la señal escalonada construida. El número de escalones de salida puede ser arbitrario. Los conversores D/A tienen una respuesta instantánea ya que no consumen ciclos de reloj. Básicamente constan de un conjunto de resistencias o condensadores que escalan tensiones, corrientes o cargas, y de un conjunto de conmutadores que se activan según la palabra código. La característica de transferencia de un conversor D/A depende del tipo de código con el que trabaje.
Los osciladores sinusoidales pueden realizarse con circuitos resonantes o con circuitos que cumplan el Criterio de Barkhausen. En todo caso, todos ellos cumplen el criterio de Barkhausen.
Selecciona una: Verdadero Falso.
El denominador de la función de transferencia de un filtro se describe en términos de productorios de pares de polos complejos conjugados con el de un polo simple (si existe). El par de polos complejos conjugados se caracteriza por cuatros parámetros que tienen relación. Emparejar las siguientes definiciones:
El factor de calidad Q La frecuencia de corte Wc El factor alfa (alfa, beta) El factor beta.
Los Osciladores de Relajación que generan señales de Rampa e Impulso son circuitos circuitos no lineales realimentados positivamente que usan una función no lineal de comparación por histéresis y otra de integración lineal controlada por fuentes de corriente. Los generadores de rampa-impulso se utilizan en muchas aplicaciones de diseño mixto.
Selecciona una o más de una: La duración del impulso se consigue exclusivamente actuando sobre el nivel de histéresis del comparador. Normalmente se utilizan dos transistores FETs o MOSFets para crear las fuentes de corriente. El nivel de corriente constante se consigue manteniendo los transistores FETs o MOSFets en zona lineal. La generación de rampas con distintas pendientes se debe al uso de fuentes de corrientes que cambian su valor en los procesos de carga y descarga de un condensador.
Los Osciladores en Cuadratura generan señales senoidales desplazadas 120 grados gracias al uso de dos integradores en cascada.
Selecciona una: Verdadero Falso.
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