Fausto I

El Pico de Corriente de Recuperación Inversa, expresado en inglés como Maximum Reverse Recovery Current es: a) Característico de las uniones PN y especialmente crítico en el caso de los diodos denominados lentos, cuando están sometidos a rápidas frecuencias de trabajo. Sin embargo, no se suele tener en cuenta desde el punto de vista de las pérdidas de potencia que produce. b) Característico de las uniones PN y especialmente crítico en el caso de los diodos denominados lentos, cuando están sometidos a rápidas frecuencias de trabajo. Puede producir pérdidas de potencia (y aumento de la temperatura de la unión). c) Característico de los componentes de SiC, que, cuando trabajan en baja frecuencia, puede producir pérdidas de conmutación importantes. d) Característico de los componentes de GaN, que, cuando trabajan en baja frecuencia, puede producir pérdidas de conmutación muy importantes en el encendido del dispositivo.

SiC, en comparación con Si, se caracteriza porque: a) No necesita disipar el calor, tiene mayor ancho de banda prohibida, presenta una mejor respuesta en temperatura y tiene una mayor conductividad térmica. b) Disipa mejor el calor, tiene menos ancho de banda prohibida, presenta una mejor respuesta en temperatura y tiene una mayor conductividad térmica. c) No necesita disipar el calor, tiene mayor ancho de banda prohibida, presenta una peor respuesta en temperatura y tiene una mayor conductividad térmica. d) Disipa mejor el calor, tiene mayor ancho de banda prohibida, presenta una mejor respuesta en temperatura y tiene una mayor conductividad térmica.

El diagrama de la figura representa las corrientes y tensiones de conmutación en un MOSFET y en un IGBT. Indique cuál de las siguientes opciones es la correcta: a) Las pérdidas de potencia se consideran despreciables cuando los interruptores están abiertos y la potencia media de pérdidas por todos los fenómenos que se consideren (ver figura) depende de la frecuencia de conmutación. b) Las pérdidas de potencia se consideran despreciables cuando los interruptores están abiertos y la potencia media de pérdidas por todos los fenómenos que se consideren (ver figura) es siempre mayor en el IGBT que en el MOSFET. c) Las pérdidas de potencia se consideran despreciables cuando los interruptores están cerrados y la potencia media de pérdidas por todos los fenómenos que se consideren (ver figura) es mayor en el MOSFET que en el IGBT. d) Las pérdidas de potencia se consideran despreciables cuando los interruptores están cerrados y la potencia media de pérdidas por todos los fenómenos que se consideren (ver figura) es mayor cuanto menor sea la corriente que conducen los interruptores cuando están cerrados.

Los componentes de GaN: a) Son más tóxicos que los de GaAs. b) Son menos tóxicos que los de GaAs. c) No son tóxicos. d) Son tan tóxicos que no pueden utilizarse en aplicaciones militares, por el riesgo que pueden suponer para la población civil.

¿Cuál de las siguientes técnicas básicas se utiliza para obtener mejor respuesta en frecuencia con dispositivos transistores?. a) Utilizando corrientes de polarización muy bajas, ya que la frecuencia de transición del transistor disminuye con mayor corriente de polarización. b) Trabajando siempre con realimentación negativa, ya que soluciona el problema de estabilidad a alta frecuencia. c) Con circuitos sintonizados, ya que ensanchan la banda de frecuencias que es amplificada. d) Con configuraciones multi-etapa que permiten reducir el efecto Miller, como por ejemplo algunas que incluyen un transistor en base común.

Se realiza una comparación de varias dispositivos fotónicos emisores. Indique qué afirmación es correcta: a) Los diodos superluminiscentes tienen mejor rendimiento que los LEDs en aplicaciones de iluminación, por la potencia emitida y por su espectro de emisión más ancho. b) Los láseres Fabry-Perot son mono-modo gracias a la cavidad Fabry-Perot que actúa como filtro óptico, frente a los DFB que son típicamente multi-modo. c) Los VCSELs (Vertical Cavity Surface Emitting Lasers) tienen menores corrientes umbral y de polarización que los DFB y mayor variación de la longitud de onda con la corriente. d) Los QCL (Quantum Cascade Lasers) permiten disponer de emisores láser en el ultravioleta, pero tienen varias líneas de emisión espectral y apenas son sintonizables.

Analizando las diferencias entre SOAs (Semiconductor Optical Amplifiers) y EDFAs (Erbium Doped Fiber Amplifiers) pueden hacerse las siguientes afirmaciones: a) Los EDFAs son más compactos, pero más ruidosos. b) El control de ganancia de los SOAs es mucho más rápido (responde en ns). c) Los EDFAs tienen mayor distorsión lineal. d) Los SOAs tienen mayor producto ganancia por ancho de banda.

En un filtro óptico sintonizable basado en cristal líquido, el rango espectral libre (FSR, Free Spectral Range): a) Es siempre igual al FWHM (Full Width Half Maximum) y, por lo tanto, limita el máximo ancho de banda del filtro. b) Limita la máxima atenuación que puede tenerse fuera de la banda de paso del filtro. c) Limita el máximo rango de sintonización del filtro. d) El FSR no introduce ninguna limitación en el funcionamiento del filtro.

En un retardador óptico variable basado en cristal líquido, se sabe que para una longitud de onda de 650nm el retardo que produce es de 325nm (d·∆n). Si sobre el retardador incide una onda monocromática de 650nm con polarización horizontal y el eje óptico del retardador está colocado a 45º respecto a la horizontal: a) La polarización de la luz a la salida se mantiene horizontal. b) La polarización de la luz a la salida es vertical. c) La polarización de la luz a la salida es circular. d) A la salida no habrá ninguna luz.

En relación a la técnica conocida como LIGA para la fabricación de MEMS: a) Utiliza siempre un sustrato de silicio que permanece inalterado en el proceso de fabricación. b) Utiliza siempre un sustrato de silicio que se modifica en el proceso de fabricación. c) Se basa en la creación de un molde, con la estructura del componente, por la acción de los rayos X sobre el material PMMA. d) Es la tecnología más antigua utilizada para la fabricación de MEMS.

Los actuadores piezoeléctricos que se utilizan en MEMS. a) Son complejos de fabricar y producen desplazamientos pequeños. b) No se utilizan en ninguna aplicación porque requieren tensiones muy elevadas. c) Se basan en la considerable variación que experimenta la longitud del material piezoeléctrico al aplicar un campo eléctrico de baja frecuencia. d) Solo se utilizan para construir MEMS para cabezales de impresión de impresoras de inyección de tinta del fabricante Hewlett Packard.

El parámetro IFRMS, asociado a un diodo rectificador de potencia, representa: a) El máximo valor de pico de la corriente directa del diodo. b) El valor eficaz máximo de la corriente directa. c) El valor eficaz máximo de la corriente para un pulso cuadrado de 50 Hz. d) El valor eficaz máximo de la corriente para un pulso cuadrado de 60 Hz.

¿Cuál de las siguientes afirmaciones sobre la respuesta en frecuencia con dispositivos transistores es la correcta?. a) Conviene trabajar con bajas tensiones de colector, ya que disminuye la capacidad colector-base. b) Conviene trabajar con muy baja corriente de polarización, ya que la frecuencia de transición es mayor. c) Conviene trabajar con un esquema de un solo dispositivo, dado que cualquier esquema multi-etapa disminuye el ancho de banda en relación al aumento de ganancia que se consigue. d) Se obtiene mayor producto ganancia x ancho de banda para valores altos de la corriente de polarización.

En relación a los moduladores espaciales de luz, ¿cuál de las siguientes afirmaciones es cierta?: a) Los EASLMs funcionan siempre en transmisión y los OASLMs en reflexión. b) Los EASLMs basados en cristal líquido requieren la aplicación de tensiones de control de varias decenas de voltios. c) Para fabricar un OASLM es necesario utilizar microespejos. d) Un EASLM puede construirse utilizando la tecnología LCOS.

¿Cuál de las siguientes afirmaciones relacionadas con los transistores HEMT (Highelectron mobility transistor) es cierta?. a) Son transistores bipolares con alta movilidad de los portadores libres, lo que permite su funcionamiento a frecuencias de GHz. b) Son dispositivos FET donde una hetero-unión PN, ej. GaAs/AlGaAs, produce una capa de muy baja resistividad (electron gas) y control por la tensión de puerta. c) Son transistores para RF con control de puerta basada en una unión de barrera Schottky metal-semiconductor, típica de algunos dispositivos de alta frecuencia. d) Disponen de una hetero-unión PN entre Base y Emisor, formada por distintos materiales como InP/GaInAs, capaz de funcionar hasta ~700 GHz.

¿Cuál de las siguientes afirmaciones relacionadas con los transistores HBT (Heterojunction bipolar transistor) es cierta?. a) Son transistores bipolares con alta movilidad de electrones (electron gas), lo que permite su funcionamiento a frecuencias de GHz. b) Son transistores bipolares para RF con control de la corriente de base a través de una seudo-puerta (unión de barrera Schottky metal-semiconductor). c) Disponen de una hetero-unión PN entre Base y Emisor, formada por distintos materiales como InP/GaInAs, capaz de funcionar hasta ~700 GHz. d) Como transistores bipolares, frente a los FET tienen la ventaja de un coeficiente de temperatura negativo.

El fabricante de un conmutador óptico basado en cristal líquido incluye, entre otras, las siguientes gráficas en las hojas de catálogo del conmutador: ¿Cuál de las siguientes afirmaciones es cierta para este conmutador (ON: conmutador cerrado, OFF: conmutador abierto?. a) El tiempo de conmutación de ON a OFF es prácticamente igual al tiempo de conmutación de OFF a ON. b) El tiempo de conmutación de ON a OFF es de 17ms. c) Cuando el interruptor está en ON no tiene aplicada tensión y para conmutar a OFF se le aplica tensión al dispositivo. d) Los tiempos de conmutación no varían nunca con la temperatura.

El apagado forzado de un tiristor mediante fuente inversa de tensión: a) Aplica una corriente inversa al componente durante un tiempo mayor a 1 ms. b) Aplica una tensión inversa al tiristor que se quiere bloquear. c) Aplica una tensión negativa a la entrada del circuito de potencia. d) Aplica una tensión negativa a la salida del circuito de potencia.

Se realiza una comparación de varias dispositivos fotónicos emisores y detectores. Indique qué afirmación es correcta: a) Los diodos superluminiscentes son láseres de alta potencia para aplicaciones de foto-luminiscencia. b) Los VCSELs (Vertical Cavity Surface Emitting Lasers) son láseres más compactos y con mayor eficiencia (menor corriente umbral y de operación), pero son láseres multi-modo ya que al variar la corriente varía la longitud de onda emitida. c) Los QCL (Quantum Cascade Lasers) permiten disponer de emisores láser en el infrarrojo medio, cuya longitud de onda de emisión además es ajustable. d) Los fotodiodos PiN, a diferencia de los APD (Avalanche Photodiodes), no necesitan ser polarizados con alta tensión inversa para realizar la foto-detección. En consecuencia son más rápidos porque la capacidad parásita es directamente proporcional a la tensión inversa.

El fabricante de un sensor de presión de tipo MEMS con un rango de medida a 0 a 45kPa incluye, entre otras, la siguiente gráfica en las hojas de catálogo del componente: El parámetro “Span Voltage” de este componente es aproximadamente: a) 39mV. b) 35mV. c) 15mV. d) -2.5mV.

Los problemas de ecualización estática y dinámica, cuando se asocian tres interruptores de potencia en paralelo se minimizan cuando: a) Se eligen componentes discretos de distintos fabricantes. b) Se eligen soluciones modulares, que comparten encapsulado. c) Se eligen circuitos resonantes de protección en serie con cada componente. d) Se eligen componentes discretos del mismo fabricante.

A fin de disponer de foto-detectores en diferentes longitudes de onda se utilizan diferentes tecnologías de materiales y estructuras. Indique qué afirmación es FALSA: a) Los foto-diodos de InGaAsP detectan entre 1000 nm y 1350 nm. b) Los foto-diodos de InGaAs tienen buenas características de detección en 1330 nm y 1550 nm. c) Para realizar foto-detección en el infrarrojo medio (MIR, >2 µm) se utilizan estructuras de cascada cuántica (QCL, Quantum Cascade Lasers). d) Los APD de Si detectan mejor entre 800 nm y 900 nm.

¿Cuál de las siguientes afirmaciones sobre los MEMS es FALSA?. a) Los acelerómetros MEMS utilizan habitualmente un masa de prueba de material piezoeléctrico para medir la aceleración. b) Los micrófonos basados en MEMS pueden tener una salida analógica o digital. c) La técnica de fabricación conocida como LIGA se basa en la creación de un molde sobre el material PMMA por la acción de los rayos X. d) Los MEMS para cabezales de impresión de impresoras de inyección de tinta del fabricante Hewlett Packard se basan en la utilización de un material termoeléctrico.

¿Cuál de las siguientes afirmaciones es VERDADERA para los atenuadores ópticos variables basados en cristal líquido?. a) Los tiempos de conmutación son siempre del orden de nanosegundos. b) El tiempo de conmutación de ON a OFF es siempre igual al tiempo de conmutación de OFF a ON. c) Los tiempos de conmutación dependen de la tensión aplicada. d) Todas las afirmaciones anteriores son falsas.

- ¿Cuál de las siguientes afirmaciones relativa a los MEMS es VERDADERA?. a) Son de tamaño micrométrico con parte mecánica, óptica y electrónica. b) En algunos de ellos se utiliza la piezoelectricidad del silicio como mecanismo de sensado. c) En algunos de ellos se utiliza la piezorresistencia del silicio como mecanismo de sensado. d) Se fabrican siempre utilizando una técnica de fabricación específica conocida como LIGA.

¿Cuál de las siguientes afirmaciones sobre la respuesta en frecuencia con dispositivos transistores es la correcta?. a) Conviene trabajar con bajas tensiones de colector, ya que disminuye la capacidad colector-base. b) Conviene trabajar con muy baja corriente de polarización, ya que la frecuencia de transición es mayor. c) Conviene trabajar con un esquema de un solo dispositivo, dado que cualquier esquema multi-etapa disminuye el ancho de banda en relación al aumento de ganancia que se consigue. d) Se obtiene mayor producto ganancia x ancho de banda para valores altos de la corriente de polarización.

- En un diodo genérico tipo se tienen características tales como: ¿En qué zona se tienen las menores pérdidas de potencia?. a) Polarización directa / Forward direction. b) Avalancha o ruptura / Break through. c) Inversa / Blocking area. d) Conducción / Conducting area.

Analizando las diferencias entre SOAs (Semiconductor Optical Amplifiers) y EDFAs (Erbium Doped Fiber Amplifiers) indique qué afirmación es correcta: a) Los EDFAs son más compactos, pero más ruidosos. b) El control de ganancia de los SOAs es mucho más rápido (responde en ns). c) Los EDFAs tienen mayor distorsión lineal. d) Los SOAs tienen mayor producto ganancia por ancho de banda.

En el transistor MOSFET de la siguiente figura, el canal del transistor viene dado por: a) El valor de d. b) La distancia entre el terminal de puerta Gate y el terminal de drenador Drain. c) La distancia entre los dos terminales de fuente Source que aparecen a ambos lados de la figura. d) El espesor del óxido que hay bajo el terminal puerta Gate.

Sólo una de las siguientes frases es cierta: a) En un diodo Schottky de carburo de silicio, SiC, las pérdidas de conmutación se reducen en un factor de 2/3 en comparación con un diodo de silicio, Si, rápido. b) Los dispositivos de carburo de silicio, SiC, tienen una conductividad térmica peor que los de silicio, Si. c) La temperatura interna en un dispositivo de silicio, Si, puede alcanzar valores superiores a 250º sin perjudicar a su funcionamiento. d) El ancho de banda prohibida del silicio, Si, es similar al ancho de banda prohibida del carburo de silicio, SiC.

Hay compatibilidad biológica para su inserción en el cuerpo humano con. a) Los metales. b) Los aislantes. c) Los líquidos. d) Ninguna de las anteriores.

-El fabricante de un sensor de presión de tipo MEMS con un rango de medida a 20kPa a 250kPa incluye, entre otras, la siguiente gráfica en las hojas de catálogo del componente: El parámetro “Span Voltage” de este componente es aproximadamente: a) 250mV. b) 2.5V. c) 4.5V. d) 5V.

A fin de disponer de foto-detectores en diferentes longitudes de onda se utilizan diferentes tecnologías de materiales y estructuras. Indique qué afirmación es FALSA: a) Para realizar foto-detección en el infrarrojo medio (MIR, >2 µm) se utilizan estructuras de cascada cuántica (QCL, Quantum Cascade Lasers). b) Los foto-diodos de InGaAsP detectan entre 1000 nm y 1350 nm. c) Los APD de Si detectan mejor entre 800 nm y 900 nm. d) Los foto-diodos de InGaAs tienen buenas características de detección en 1330 nm y 1550 nm.

Se realiza una comparación de varios dispositivos fotónicos emisores. Indique qué afirmación es correcta: a) Los láseres Fabry-Perot son mono-modo gracias a la cavidad Fabry-Perot que actúa como filtro óptico, frente a los DFB que son típicamente multi-modo. b) Los VCSELs (Vertical Cavity Surface Emitting Lasers) tienen menores corrientes umbral y de polarización que los DFB y mayor variación de la longitud de onda con la corriente. c) Los QCL (Quantum Cascade Lasers) permiten disponer de emisores láser en el ultravioleta, pero tienen varias líneas de emisión espectral y apenas son sintonizables. d) Los diodos superluminiscentes tienen mejor rendimiento que los LEDs en aplicaciones de iluminación, por la potencia emitida y por su espectro de emisión más ancho.

¿Cuál de las siguientes afirmaciones sobre los componentes electro-ópticos comerciales basados en cristal líquido es VERDADERA?. a) Funcionan utilizando una tensión de control continua de baja amplitud. b) Están diseñados mayoritariamente para trabajar en el rango visible, por lo que se suelen utilizar en sistemas de comunicaciones basados en fibra óptica de sílice. c) Presentan un elevado consumo debido a la alta corriente de alimentación que necesitan. d) Todas las afirmaciones anteriores son falsas.

¿Cuál de las siguientes afirmaciones sobre la respuesta en frecuencia con dispositivos transistores es FALSA?. a) Los esquemas con realimentación negativa contribuyen a aumentar el ancho de banda en detrimento de la ganancia, pero debe prestarse atención a la estabilidad. b) Conviene trabajar con un esquema de un solo dispositivo, dado que cualquier esquema multi-etapa disminuye el ancho de banda en relación al aumento de ganancia que se consigue. c) Conviene trabajar con alta corriente de polarización, ya que la frecuencia de transición es mayor. d) Conviene trabajar con altas tensiones de colector, ya que disminuye la capacidad colector-base.

A fin de disponer de foto-detectores en diferentes longitudes de onda se utilizan diferentes tecnologías de materiales y estructuras. Indique qué afirmación es la FALSA: a) Los foto-diodos de Si sólo detectan en el visible (entre 800 nm y 900 nm). b) Los foto-diodos de InGaAsP detectan mejor entre 1100 nm y 1300 nm. c) Los APDs de InGaAs detectan mejor entre 1300 nm y 1600 nm. d) Los detectores foto-voltaicos de InAsSb pueden detectar en 5 µm, 8 µm y 11 µm.

Dentro de las características de un diodo rectificador, cabe mencionar: a) La tensión de ruptura (que depende de la temperatura), junto con la corriente inversa (que entra por el cátodo). b) La tensión de ruptura (que depende de la temperatura), junto con la corriente inversa (que entra por el ánodo). c) La tensión de ruptura (que no depende de la temperatura), junto con la corriente inversa (que entra por el cátodo). d) La tensión de ruptura (que no depende de la temperatura), junto con la corriente inversa (que entra por el ánodo).

En el encapsulado de MOSFETs e IGBTs de potencia: a) Se consiguen tensiones de bloqueo (dispositivos apagados) que no llegan a 5 V. b) Se utilizan celdas individuales, que se conectan en paralelo buscando mejorar la resistencia en conducción de los dispositivos. c) Se utiliza una sola célula para construir el dispositivo, con el tamaño adecuado, para superar los 12.000 V de tensión de bloqueo (dispositivo apagado). d) No se utilizan puertas en estructura trinchera (trench”), porque empeoran la resistencia en conducción de los dispositivos.

¿Cuál de las siguientes afirmaciones relacionadas con MESFETs es cierta?. a) Son transistores bipolares con alta movilidad de los portadores libres, lo que permite su funcionamiento a frecuencias de GHz. b) Son transistores de efecto de campo con unión metal-semiconductor que permite alta corriente de puerta, a diferencia de los MOSFET. c) Son transistores de Arseniuro de Galio y puerta aislada mediante una barrera Schottky, también denominados GaAsFET. d) Son dispositivos FET donde una hetero-unión PN, ej. GaAs/AlGaAs, produce una capa de muy baja resistividad (electron gas) y control por la tensión de puerta.

En la tecnología de SiC (carburo de silicio) el ancho de la banda prohibida (“bandgap”, eV a 300 Kelvin): a) Es algo más pequeño que el del Si (silicio). b) Es 2.10^7. c) Es algo más del doble que el del Si (silicio). d) Es igual que el del Si (silicio).

Los transistores de GaN (nitruro de galio): a) Pueden incluirse directamente en circuitos previos, sustituyendo a los transistores de Si (silicio), sin ninguna necesidad de adaptar los drivers. b) Son mucho más lentos que los transistores de Si (silicio). c) Son muy competitivos en inversores solares con potencias por encima de 10 GW y se usan habitualmente en sustitución de otros componentes más convencionales para estos rangos de potencias de diseño. d) Suelen requerir un cierto rediseño de las soluciones previas con Si (silicio) y se comercializan con los drivers incorporados.

¿Cuál de las siguientes afirmaciones sobre los componentes electroópticos basados en cristal líquido es VERDADERA?. a) Su principio de funcionamiento se basa en el scattering que experimenta un haz de luz al atravesar un medio birrefringente. b) La configuración conocida como PDLC puede utilizarse para construir sistemas de proyección, debido a su bajo consumo. c) Con la configuración IPS se necesita utilizar polarizadores igual que en la configuración TN, pero se mejora el ángulo de visión. d) La señal de control de los dispositivos basados en cristal líquido tiene que ser sinusoidal, para evitar la acumulación de iones en los electrodos.

¿Cuál de las siguientes afirmaciones es VERDADERA para un atenuador óptico variable basado en cristal líquido?. a) El tiempo de activación del dispositivo cuando se le aplica tensión y el tiempo de relajación del material son aproximadamente iguales. b) El tiempo de relajación del material es generalmente de varios ms y no cambia significativamente al variar la tensión de control aplicada al dispositivo. c) El tiempo de relajación del material es generalmente de pocos s y cambia al variar la tensión de control aplicada al dispositivo. d) El tiempo de activación del dispositivo cuando se aplica tensión se incrementa considerablemente cuando se incrementa el valor eficaz de la tensión de control aplicada al dispositivo.

¿Cuál de las siguientes afirmaciones sobre rotadores de Faraday (FR) es FALSA?. a) El principio de funcionamiento de los FR se basa en rotar 45º una polarización lineal. b) La rotación de los FR se obtiene mediante un campo magnético aplicado y es proporcional a la constante de Verdet del material y a la longitud del material. c) El componente principal de los aisladores ópticos (Faraday Isolators) es un FR que rota 90º la polarización de manera que se bloquea la segunda rotación en reflexión. d) La reflexión de los espejos rotadores de Faraday está rotada 90º.

¿Cuál de las siguientes afirmaciones sobre moduladores ópticos es VERDADERA?. a) Los moduladores de Mach-Zehnder (MZM) son moduladores de fase por su esquema de interferómetro. b) Los moduladores acusto-ópticos (AOM) son moduladores de frecuencia desde continua (DC) hasta más de 100 MHz. c) Los moduladores electro-ópticos (EOM) de Niobatio de Litio (LiNbO3) permiten modular la amplitud o la fase óptica desde continua (DC) hasta más de 10 GHz. d) Los moduladores de intensidad están basados en una estructura de doble interferómetro Mach-Zehnder (MZI) en paralelo, también utilizada en modulación IQ.

¿Cuál de las siguientes afirmaciones relativa a los MEMS es VERDADERA?. a) Se fabrican siempre sobre un sustrato de silicio utilizando las técnicas de fabricación conocidas como Bulk Micromachining y LIGA. b) Los acelerómetros MEMS utilizan habitualmente una masa de prueba de material termoeléctrico para medir la aceleración. c) En algunos MEMS se utiliza la piezoelectricidad del silicio como mecanismo de sensado. d) Los MEMS para cabezales de impresión de impresoras de inyección de tinta se basan en la utilización de un material termoeléctrico o piezoeléctrico, dependiendo del fabricante.

¿Cuál de las siguientes afirmaciones sobre los acelerómetros MEMS es VERDADERA?. a) Muchos se construyen utilizando sensado capacitivo y un puente de Wheatstone como circuito de acondicionamiento. b) Desde hace varios años se construyen siempre utilizando una técnica de fabricación nueva conocida como LIGA, que permite conseguir una elevada relación de aspecto en la estructura del sensor. c) En los acelerómetros con sensado capacitivo, la aplicación de aceleración a la estructura del sensor produce un desplazamiento de la masa de prueba que no depende la constante elástica del muelle que la conecta con el sustrato. d) Todas las afirmaciones anteriores son falsas.

¿Cómo influye el punto de polarización de los dispositivos transistores en su respuesta en frecuencia?. a) El mayor ancho de banda se consigue a expensas de potencia disipada. b) Sólo influye la capacidad equivalente de la carga a la que está conectado. c) Depende únicamente de la corriente de polarización del dispositivo. d) Depende únicamente de la tensión soportada por el dispositivo.

Escoja la única respuesta verdadera entre las siguientes relativas al uso de tiristores en la industria electrónica actual. a) Los tiristores pueden soportar muy altos valores de corrientes y tensiones, resultandos adecuados para determinadas aplicaciones industriales. b) Son ideales para poder realizar control de potencia en convertidores DC. c) Sólo se utilizan en aplicaciones de corriente alterna. d) Tienen una caída de voltaje muy pequeña cuando están en conducción.

Destaque la única respuesta correcta en relación con las características de un transistor MOSFET de potencia, en conducción: a) Presenta una alta resistencia en estado de conducción. b) Es un dispositivo que se controla a través de la corriente que se le inyecta por el terminal de puerta. c) Permite una frecuencia de conmutación elevada. d) Necesita corrientes de puerta elevadas para mantener el estado de conducción.

Sólo una de las siguientes frases es correcta: a) Los IGBTs son muy adecuados para ser utilizados en aplicaciones de radiofrecuencia, conmutando a 100 GHz. b) Los IGBTs son ideales para soportar tensiones de bloqueo de varios miles de voltios. c) Los IGBTs se utilizan en inversores para controlar la velocidad de motores eléctricos. d) Los IGBTs no se utilizan en la conversión de la energía solar, que generan los paneles solares, en forma de corriente continua, para convertirla en energía eléctrica, en forma de corriente alterna.

Los componentes de nitruro de galio, GaN, en los circuitos de potencia: a) Sólo pueden utilizarse en circuitos con temperatura ambiente por debajo de los 25 grados centígrados. b) Requieren un mayor volumen y peso en los diseños en los que se aplican, porque tienen valores muy bajos de densidad de potencia. c) No admiten frecuencias de conmutación por encima de los 500 Hz. d) Suponen, en general, menores pérdidas energéticas en forma de calor.

¿Cuál de las siguientes afirmaciones sobre los componentes electroópticos basados en cristal líquido es VERDADERA?. a. Todos los dispositivos basados en cristal líquido se basan en modificar el estado de polarización de la luz que incide sobre ellos. b. La configuración IPS permite mejorar notablemente el tiempo de respuesta, pero no mejora el ángulo de visión, respecto al de la configuración TN. c. Los OASLM basados en cristal líquido no pueden utilizarse para construir sistemas de proyección por su elevado consumo. d. La señal de control de los dispositivos basados en cristal líquido suele ser una señal AC de decenas de Hz ó algún kHz, sin componente continua.

¿Cuál de las siguientes afirmaciones relativas a un filtro óptico sintonizable basado en cristal líquido es VERDADERA?. a) Su principio de funcionamiento se basa en el scattering que experimenta un haz de luz al atravesar un medio birrefringente. b) El parámetro FWHM se define como el rango de longitudes de onda entorno a la longitud de onda de pico (P) para el que la potencia óptica de salida es mayor a 0.5veces la potencia en P. c) El parámetro FSR limita la tensión de alimentación que puede tener el filtro. d) Están diseñados mayoritariamente para trabajar en el rango infrarrojo cercano, por lo que se suelen utilizar en sistemas de comunicaciones basados en fibra óptica de plástico.

A fin de disponer de foto-detectores en diferentes longitudes de onda se utilizan diferentes tecnologías de materiales y estructuras. Indique qué afirmación es FALSA: a) Los APD de Si detectan mejor entre 800 nm y 900 nm. b) Los foto-diodos de InGaAsP detectan entre 1000 nm y 1350 nm. c) Los foto-diodos de InGaAs tienen buenas características de detección en 1330 nm y 1550 nm. d) Para realizar foto-detección en el infrarrojo medio (MIR, >2 µm) se utilizan estructuras de cascada cuántica (QCL, Quantum Cascade Lasers).

Analizando las diferencias entre SOAs (Semiconductor Optical Amplifiers) y EDFAs (Erbium Doped Fiber Amplifiers) indique qué afirmación es correcta: a) Los EDFAs son más compactos, pero más ruidosos. b) El control de ganancia de los SOAs es mucho más rápido (responde en ns). c) Los EDFAs tienen mayor distorsión lineal. d) Los SOAs tienen mayor producto ganancia por ancho de banda.

¿Cuál de las siguientes afirmaciones relativa a los sensores de presión MEMS es VERDADERA?: a) En general, los sensores de presión MEMS con sensado capacitivo tienen un consumo inferior a los que utilizan sensado piezorresistivo. b) Todos los sensores de presión MEMS comerciales utilizan un mecanismo de sensado de tipo piezorresistivo, capacitivo o termoeléctrico. c) Los sensores de presión MEMS que utilizan sensado capacitivo se construyen siempre utilizando una tecnología de fabricación conocida como LIGA. d) Una de sus especificaciones básicas es la sensibilidad que se puede medir en mV/g.

¿Cuál de las siguientes afirmaciones sobre los MEMS es VERDADERA?. a) Los acelerómetros MEMS utilizan habitualmente una masa de prueba de material piezoeléctrico para medir la aceleración. b) La técnica de fabricación conocida como “Surface Micromachining” se basa en la creación de un molde sobre el material PMMA por la acción de los rayos X. c) Los MEMS para cabezales de impresión de impresoras de inyección de tinta del fabricante Hewlett Packard se basan en la utilización de un material piezorresistivo. d) Todas las afirmaciones anteriores son falsas.

¿Cómo influye el punto de polarización de los dispositivos transistores en su respuesta en frecuencia?. a) Sólo influye la capacidad equivalente de la carga a la que está conectado. b) Depende únicamente de la corriente de polarización del dispositivo. c) Depende únicamente de la tensión soportada por el dispositivo. d) El mayor ancho de banda se consigue a expensas de potencia disipada.

¿Cuál de las siguientes afirmaciones relacionadas con HEMTs es cierta?. a) Son transistores de efecto de campo con unión metal-semiconductor que permite alta corriente de puerta, a diferencia de los MOSFET. b) Son transistores de Arseniuro de Galio y puerta aislada mediante una barrera Schottky, también denominados GaAsFET. c) Son dispositivos FET con una hetero-unión PN, ej. GaAs/AlGaAs. d) Son dispositivos mixtos BJT/FET: bipolares para reducir la capacidad de puerta y de efecto de campo para obtener baja resistividad hacia la carga RF.

¿Cuál de las siguientes afirmaciones relativa al tiempo de conmutación es VERDADERA para los retardadores ópticos variables basados en cristal líquido?. a) El tiempo de conmutación depende de la frecuencia de la señal de control que debe ser de decenas de kHz. b) El tiempo de conmutación depende de la forma de onda de la señal de control que debe ser sinusoidal. c) El tiempo de conmutación depende del tiempo de relajación del cristal líquido. d) El tiempo de conmutación puede minimizarse aplicando una señal de control modulada en frecuencia con una moduladora de pocos Hz.

¿Cuál de las siguientes afirmaciones relativa a las ventanas inteligentes construidas con cristal líquido, PDLC, es VERDADERA?. a) Requieren el uso de polarizadores ya que el funcionamiento de los PDLCs se basa en la modificación del estado de polarización de la luz al aplicar una tensión de control al dispositivo. b) Conmutan aplicándoles una tensión de control continua de algunos voltios. c) Sin aplicar tensión son opacas debido al scattering. d) Al aplicar tensión se hacen opacas debido al incremento del coeficiente de absorción al reorientarse las moléculas del cristal líquido por la acción del campo eléctrico aplicado.

¿Qué afirmación es cierta en referencia al dispositivo fotónico al que se corresponde el esquema de la figura?. a) Es el esquema característico de un láser DBR de emisión lateral. b) Es un láser monomodo (1550 nm typ) si se supera la corriente umbral (40 mA typ). c) Es un VCSEL cuya longitud de onda de emisión varía con la corriente al menos 1 nm. d) La capa DBR es un reflector de Bragg que sirve como sensor integrado de temperatura.

¿Qué afirmación es cierta en referencia al esquema de la figura?. a) Es un esquema simplificado de un EDFA que amplifica luz a 980 nm. b) Es un esquema simplificado de un SOA con bombeo óptico. c) Los LD proporcionan la potencia de bombeo a la fibra dopada con Erbio que amplifica típicamente en la banda de 1300 nm. d) Es un esquema simplificado de amplificador basado en fibra óptica; los dos aisladores ópticos con pig-tail reducen la sensibilidad del dispositivo a las reflexiones.

Sólo una de las siguientes frases es cierta: a) El diseño de un inversor trifásico con IGBTs no requiere de varistores, fusibles y elementos de protección frente a sobreintensidades. b) El diseño de un inversor trifásico con IGBTs requiere de varistores, fusibles y elementos de protección frente a sobreintensidades. c) La temperatura interna en un IGBT de silicio, Si, puede alcanzar valores superiores a 250º sin perjudicar a su funcionamiento. d) El ancho de banda prohibida del silicio, Si, es similar al ancho de banda prohibida del nitruro de galio, GaN.

Utilizando nitruro de galio, GaN, en los circuitos de potencia: a) Se requieren filtros de un peso y volumen muy grande. b) No se requieren filtros. c) No se puede utilizar refrigeración por aire. d) No se pueden sustituir en un diseño previo, en general, directamente los interruptores de silicio, Si, por interruptores de nitruro de galio, GaN, manteniendo el resto del diseño sin cambios.

- En un tiristor genérico tipo se tienen características y estructura tales como: ¿Cuál de las siguientes afirmaciones es la correcta?. a) Se trata de un componente muy adecuado para trabajar en convertidores continua/continua, dadas las facilidades de conmutación que permite. b) El dispositivo no presenta efectos de recuperación inversa, por lo que puede utilizarse en una gama de frecuencias altas o muy altas. c) Cuando está bloqueado, su disipación de potencia puede ser importante y ha de tenerse muy en cuenta en los diseños térmicos de protección del dispositivo. d) Una vez disparado, se necesita que la corriente que circula entre ánodo y cátodo se reduzca para conseguir que el componente deje de conducir.

En el transistor MOSFET de la siguiente figura, la conducción importante de corriente: a) Es horizontal. b) Es vertical. c) Es a veces horizontal y a veces vertical, dependiendo de la tensión que se aplique en el terminal de puerta, G. d) Es muy baja, lo que facilita que el componente se diseñe sin necesidad de disipador térmico, disminuyendo volumen y peso.

¿Cuál de las siguientes afirmaciones sobre los sensores de presión MEMS es VERDADERA?. a) Se construyen siempre utilizando la piezorresistencia del silicio como mecanismo de sensado y un puente de Wheatstone como circuito de acondicionamiento. b) No presentan histéresis debido a sus dimensiones micrométricas. c) Desde 1990 se construyen siempre utilizando una técnica de fabricación nueva conocida como LIGA. d) Ninguna de las afirmaciones anteriores es verdadera.

¿Cuál de las siguientes afirmaciones sobre actuadores MEMS/MOEMS es VERDADERA?. a) Los MEMS para cabezales de impresión de impresoras de inyección de tinta se basan siempre en la utilización de un material termoeléctrico. b) Los actuadores piezoeléctricos se basan en la considerable variación que experimenta la longitud del material piezoeléctrico al aplicar un campo eléctrico de baja frecuencia. c) La actuación electrostática se utiliza habitualmente en dispositivos MEMS. d) No es posible fabricar ningún tipo de SLM basado en esta tecnología.

- ¿Cuál de las siguientes estrategias permite obtener mejor respuesta en frecuencia con dispositivos transistores?. a) Usar baja tensión de colector y baja corriente de polarización. b) Usar configuraciones multi-etapa que permiten reducir el efecto Miller, como por ejemplo algunas que incluyen un transistor en base común. c) Trabajar siempre con realimentación negativa, ya que soluciona el problema de estabilidad a alta frecuencia. d) Usar circuitos sintonizados, ya que ensanchan la banda de frecuencias amplificada.

¿Cuál de las siguientes afirmaciones relacionadas con MESFETs es cierta?. a) Son transistores bipolares con alta movilidad de los portadores libres, lo que permite su funcionamiento a frecuencias de GHz. b) Son transistores de efecto de campo con unión metal-semiconductor que permite alta corriente de puerta, a diferencia de los MOSFET. c) Son transistores de Arseniuro de Galio y puerta aislada mediante una barrera Schottky, también denominados GaAsFET. d) Son dispositivos FET donde una hetero-unión PN, ej. GaAs/AlGaAs, produce una capa de muy baja resistividad (electron gas) y control por la tensión de puerta.

En un tiristor genérico tipo se tienen características y estructura tales como:¿Cuál de las siguientes afirmaciones es la correcta?. a) Se trata de un componente muy adecuado para trabajar en convertidores continua/continua, dadas las facilidades de conmutación que permite. b) El dispositivo no presenta efectos de recuperación inversa, por lo que puede utilizarse en una gama de frecuencias altas o muy altas. c) Cuando está bloqueado, su disipación de potencia puede ser importante y ha de tenerse muy en cuenta en los diseños térmicos de protección del dispositivo. d) En circuitos de continua precisa para bloquearse de algún circuito o sistema auxiliar que haga que la corriente baje por debajo de la corriente de mantenimiento.

- En el transistor MOSFET de la siguiente figura, la conducción importante de corriente: a) Es siempre horizontal. b) Es vertical, por lo que resulta muy importante el diseño del componente para reducir la resistencia en conducción, Ron. c) Es a veces horizontal y a veces vertical, dependiendo de la tensión que se aplique en el terminal de puerta, G. d) Es muy baja, lo que facilita que el componente se diseñe sin necesidad de disipador térmico, disminuyendo volumen y peso.

Sólo una de las siguientes frases es cierta: a) El diseño de un inversor trifásico con IGBTs no requiere de varistores, fusibles y elementos de protección frente a sobreintensidades, porque el propio componente se autoprotege. b) El diseño de un inversor trifásico con IGBTs requiere de varistores, fusibles y elementos de protección frente a sobreintensidades. c) La temperatura interna en un IGBT de silicio, Si, puede alcanzar valores superiores a 350º sin perjudicar a su funcionamiento. d) El ancho de banda prohibida del silicio, Si, es similar al ancho de banda prohibida del nitruro de galio, GaN.

Utilizando nitruro de galio, GaN, en los circuitos de potencia: a) Se requieren filtros de un peso y volumen muy grande. b) No se requieren filtros. c) No se puede utilizar refrigeración por aire. d) No se pueden sustituir en un diseño previo, en general, directamente los interruptores de silicio, Si, por interruptores de nitruro de galio, GaN, manteniendo el resto del diseño sin cambios.

¿Cuál de las siguientes afirmaciones es VERDADERA para los atenuadores ópticos variables basados en cristal líquido?. a) El tiempo de activación depende de la forma de onda de la señal de control que debe modulada en frecuencia con una portadora sinusoidal. b) El tiempo de activación depende de la frecuencia de la señal de control que debe ser de decenas de kHz. c) El tiempo de activación es siempre igual al tiempo de relajación del cristal líquido. d) El tiempo de activación depende de la tensión aplicada.

¿Cuál de las siguientes afirmaciones relativa a las ventanas inteligentes construidas con cristal líquido, PDLC, es VERDADERA?. a) No requieren el uso de polarizadores. b) Para conmutar hay que aplicarles una tensión de control continua de algunos voltios. c) Sin aplicar tensión son transparentes debido al scattering. d) Al aplicar tensión se hacen opacas debido al incremento del coeficiente de absorción al reorientarse las moléculas del cristal líquido por la acción del campo eléctrico aplicado.

Se realiza una comparación de varios dispositivos fotónicos emisores y detectores. Indique qué afirmación es correcta: a) Los VCSELs (Vertical Cavity Surface Emitting Lasers) son láseres más compactos y con mayor eficiencia (menor corriente umbral y de operación), pero son láseres multi-modo ya que al variar la corriente varía la longitud de onda emitida. b) Los QCL (Quantum Cascade Lasers) permiten disponer de emisores láser en el ultravioleta, pero tienen varias líneas de emisión espectral y apenas son sintonizables. c) Los fotodiodos de Si detectan mejor entre 800 nm y 900 nm, mientras que los de InGaAs tienen buenas características de detección en 1330 nm y 1550 nm. d) Los fotodiodos PiN, a diferencia de los APD (Avalanche Photodiodes), no necesitan ser polarizados con alta tensión inversa para realizar la foto-detección. Por lo tanto, son más rápidos porque la capacidad parásita aumenta con la tensión inversa.

¿Qué afirmación es cierta en referencia al dispositivo fotónico al que se corresponde el esquema de la figura?. a) Representa cómo la luz experimenta una difracción de Bragg en el dispositivo, por lo que se le suele denominar fiber Bragg grating. b) Es el esquema simplificado de una celda de Bragg que desplaza en frecuencia el haz difractado con respecto al haz transmitido por el efecto acusto-óptico. c) Es el esquema simplificado de funcionamiento de un modulador acusto-óptico capaz de modular la amplitud del haz transmitido a frecuencia de GHz. d) Representa un modulador electro-óptico en el cual el haz difractado está modulado en fase por una señal eléctrica de unos 100 MHz.

¿Cuál de las siguientes afirmaciones sobre los acelerómetros MEMS es VERDADERA?. a) Desde 1982 se construyen siempre utilizando una técnica de fabricación nueva conocida como LIGA. b) Se construyen siempre utilizando la piezorresistencia del silicio como mecanismo de sensado. c) Utilizan siempre una masa de prueba de material piezoeléctrico para medir la aceleración. d) Ninguna de las anteriores afirmaciones es verdadera.

En relación a los moduladores espaciales de luz, ¿cuál de las siguientes afirmaciones es cierta?: a) Los EASLMs funcionan siempre en transmisión y los OASLMs en reflexión. b) Los EASLMs basados en cristal líquido requieren la aplicación de tensiones de control de varias decenas de voltios. c) Un EASLM puede construirse utilizando la tecnología LCOS. d) Para fabricar un OASLM es necesario utilizar microespejos.

El parámetro IFRMS, asociado a un diodo rectificador de potencia, representa: a) El máximo valor de pico de la corriente directa del diodo. b) El valor eficaz máximo de la corriente directa. c) El valor eficaz máximo de la corriente para un pulso cuadrado de 50 Hz. d) El valor eficaz máximo de la corriente para un pulso cuadrado de 60 Hz.

¿Cuál de las siguientes afirmaciones sobre la respuesta en frecuencia con dispositivos transistores es la correcta?. a) Conviene trabajar con bajas tensiones de colector, ya que disminuye la capacidad colector-base. b) Conviene trabajar con muy baja corriente de polarización, ya que la frecuencia de transición es mayor. c) Conviene trabajar con un esquema de un solo dispositivo, dado que cualquier esquema multi-etapa disminuye el ancho de banda en relación al aumento de ganancia que se consigue. d) Se obtiene mayor producto ganancia x ancho de banda para valores altos de la corriente de polarización.

En relación a los moduladores espaciales de luz, ¿cuál de las siguientes afirmaciones es cierta?: a) Los EASLMs funcionan siempre en transmisión y los OASLMs en reflexión. b) Los EASLMs basados en cristal líquido requieren la aplicación de tensiones de control de varias decenas de voltios. c) Para fabricar un OASLM es necesario utilizar microespejos. d) Un EASLM puede construirse utilizando la tecnología LCOS.