¿Qué circuitos permiten implantar resistencias de gran precisión? Circuitos híbridos de capa gruesa. Circuitos híbridos de capa fina. Ambas opciones son correctas.
¿Cuál de las siguientes opciones se puede corresponder con el número de capas de
un circuito impreso? 14 3 8.
¿Cuál de las siguientes afirmaciones es falsa? Los circuitos integrados de capa fina llevan resistencias sin encapsular Los circuitos integrados de capa fina llevan todos los componentes sin
encapsular.
Los circuitos integrados de capa gruesa llevan todos los componentes
encapsulados, salvo las resistencias.
¿En cuál de los siguientes circuitos la oblea está sin procesar? Full custom Standard cell. Ambas opciones son correctas.
¿En cuál de los siguientes circuitos solo hace falta realizar las interconexiones? Full custom. Gate array. Ninguna de las anteriores.
¿Cuál de las siguientes afirmaciones es verdadera? En los gate array la oblea está sin procesar. Los full custom funcionan a través de módulos prediseñados. Ninguna es verdadera.
¿Cuál de los siguientes materiales tiene mayor movilidad de huecos? Germanio. Arseniuro de galio. Silicio.
¿Cuál de los siguientes materiales tiene menor movilidad de electrones? Germanio. Arseniuro de galio. Silicio.
¿Cuál de las siguientes afirmaciones es verdadera?¿Cuál de las siguientes afirmaciones es verdadera? Con procesos químicos es suficiente para conseguir la pureza necesaria en la
fabricación de circuitos integrados. Es más económico y sencillo conseguir una oblea de silicio con dopado de
tipo p que de tipo n. En el método de la barquilla no hay fuente de contaminación.
¿Cuál de los siguientes sistemas de purificación permite obtener materiales más
intrínsecos? El método de la barquilla. El método de zona flotante. El rendimiento es similar en ambos métodos.
¿Cuál de los siguientes métodos de crecimiento de monocristales es más lento? Método Czochralski Método de la zona flotante. Método de Bridgman.
¿Cuál de los siguientes métodos de crecimiento de monocristales es más
contaminante? Método Czochralski. Método de la zona flotante. Método de Bridgman.
¿Cómo se denomina a la zona plana de una oblea? Bisel. Relieve. Plano de cristalización.
Señala cuál de las siguientes afirmaciones es falsa: El bisel de una oblea indica el tipo de dopaje. Las obleas primero se pasan por un pulido mecánico y después por un pulido
químico. La epitaxia solo puede aplicarse sobre zonas delimitadas de la oblea.
Cuando difundimos, el dopado en superficie… Disminuye. No varía. Depende.
Tanto cuando calentamos como cuando difundimos, el dopado en profundidad… Aumenta. Disminuye. Depende.
Cuando calentamos, el dopado en superficie... Aumenta. Disminuye. No varía.
¿Qué es la solubilidad del sólido? Concentración de impurezas en el sólido / Concentración de impurezas en el
líquido. Concentración de impurezas en el líquido / Concentración de impurezas en el
sólido. Cantidad de dopante de silicio sólido en un tiempo infinito.
Señala cuál de las siguientes afirmaciones es verdadera: Los transistores de tipo n son mejores que los p, porque tienen menor
solubilidad de sólido. El dopado aumenta cuando la temperatura aumenta El coeficiente de difusión aumenta cuando la temperatura aumenta.
¿Se difunde más rápido un material de tipo p que uno de tipo n? Sí. No, un material de tipo n se difunde más rápido. No, la velocidad de difusión no depende del tipo de material.
Señala cuál de las siguientes afirmaciones es falsa: La oblea se mantiene a temperatura ambiente en la implantación iónica. Con una sola implantación iónica de tipo n sobre un sustrato de tipo p se
puede obtener una estructura pnp. La oblea no puede estar en vacío durante el proceso de implantación iónica.
¿Es importante conocer el plano de cristalización? En la epitaxia, sí. En la epitaxia y en la implantación iónica, sí. En la implantación iónica, sí; pero en la difusión no.
Sabiendo que el nitruro de silicio tiene mayor permitividad relativa que el óxido de
silicio, ¿cuál deberá usarse para realizar una línea metálica? El nitruro de silicio El óxido de silicio Ambos materiales ofrecerán el mismo resultado.
Durante la oxidación del sustrato… El espesor de la oblea disminuye. El espesor total aumenta. Ambas opciones son correctas.
La oxidación anódica… Se realiza a temperatura ambiente. No altera el perfil de concentración. Ambas opciones son correctas.
De las siguientes técnicas de litografía, ¿cuál necesita máscara? Litografía de haz de electrones. Litografía de rayos X. Litografía de haz de iones.
Si utilizamos fotorresinas positivas… Lo insolado permanece. El proceso de fotolitografía será más largo. Ninguna de las opciones es correcta.
La litografía por haz de electrones… Tiene gran resolución Tiene gran productividad. Ambas opciones son correctas.
La litografía por haz de iones… Tiene gran resolución. No tiene gran productividad. Ambas opciones son correctas.
La litografía de rayos X… No necesita máscara. Incide sobre toda la oblea. Tiene mala productividad.
Señala cuál de las siguientes afirmaciones es verdadera: La unión de un semiconductor débilmente dopado con cualquier metal
produce un un contacto óhminco. La unión de un semiconductor débilmente dopado de tipo N con cualquier
metal produce un contacto óhmnico. La unión de un semiconductor débilmente dopado de tipo N con cualquier
metal produce una unión rectificadora.
¿Qué es la reactividad con el silicio? La reacción de un material tipo N con el silicio. La reacción de un óxido con el silicio. La reacción del aluminio con el silicio.
Señala cuál de las siguientes afirmaciones es verdadera: Si la tensión de alimentación disminuye, la intensidad absorbida por unidad
de superficie disminuye con 𝛼. El silicio del sustrato próximo a un contacto puede difundirse dentro del
aluminio durante un recocido. La tecnología CMOS no consume durante las transiciones.
¿Qué ocurre cuando se sobrepasa un valor de la densidad de corriente? Los átomos de metal se desplazan lentamente en la dirección de la corriente. El metal conductor adelgaza. Ambas opciones son correctas.
¿Qué conlleva adelgazar el sustrato? Mayor facilidad a la hora de realizar el cortado. Más dificultad a la hora de evacuar el calor, pero evita problemas de los
procesos tecnológicos como oxidaciones y difusiones. Ambas opciones son correctas.
Señala cuál de las siguientes afirmaciones es correcta: El rendimiento de fabricación es mejor cuando el dado de silicio es mayor. El serrado aprovecha mejor el silicio. En el rayado, una parte del metal se evapora.
¿Cuál de los siguientes métodos de cortado tiene mayor aprovechamiento? Serrado. Rayado. Fractura.
¿Cuál de los siguientes métodos de cortado utiliza el plano de cristalización? Serrado. Rayado. Fractura.
Señala cuál de las siguientes afirmaciones sobre el BGA es falsa: Las conexiones se encuentran debajo. No tiene encapsulado Algunos BGA son flip-chips.
Qué diferencia a los flip-chips de los BGA? Tiene menos conexiones. Tiene una mejor disipación. Son más caros.
¿Hasta qué potencia puede disipar un circuito con temperatura ambiente de 25ºC y
resistencia de 1.000 ohmnios, cuya temperatura interna de la caja es de 40ºC? 0.015 W 0.065 W 1 W.
Si aumenta la tensión inversa en una unión p-n, ¿qué ocurre con la zona de deplexión
o anchura de penetración? Aumenta. Disminuye. Depende.
El campo eléctrico disminuye… si el dopado aumenta. si el dopado disminuye. sin ninguna relación con la variación del dopado.
Si aumenta la tensión en la zona n… … aumenta la tensión de la zona p. … disminuye la tensión de la zona p. … la tensión de la zona p no varía.
Si disminuye el dopado de la región n, la zona de deplexión de la región p… aumenta. disminuye. no varía.
Si disminuye el dopado de la región n, la zona de deplexión de la región n… aumenta. disminuye. no varía.
La corriente de saturación… Aumenta cuando disminuye el dopado. Aumenta cuando disminuye la temperatura. Ninguna de las anteriores es correcta.
Señala cuál de las siguiente afirmaciones es falsa: La ruptura por avalancha puede ocurrir si la zona de deplexión es muy
estrecha. La ruptura Zener puede darse en zonas altamente dopadas. Cuando hay ruptura por avalancha, si la temperatura aumenta, la tensión de
polarización directa también.
En la zona de deplexión, la capacidad aumenta cuando… El área disminuye. El dopado aumenta. La tensión de polarización inversa aumenta.
Ordena los siguientes tipos de uniones, siendo la capacidad del primero la que mayor
dependencia tiene de la variación de tensión y la del último la que menos: Hiperabrupta, abrupta, gradual. Gradual, abrupta, hiperabrupta. Gradual, hiperabruta, abruta.
¿Cual de los siguientes tipos de uniones tiene una capacidad inversamente
proporcional a la raíz cuadrada de la tensión de polarización inversa? Gradual. Abrupta. Hiperabrupta.
¿Qué ocurre cuando depositamos un metal sobre un tipo N débilmente dopado? Una unión rectificadora. Un contacto óhmnico. Ninguna de las anteriores.
¿Cuál tiene mayor corriente de saturación? Diodo Schottky. Diodo de silicio. Es la misma.
¿Cuál tiene mejor tiempo de recuperación? Diodo Schottky. Diodo de silicio. Es el mismo.
En un diodo Schottky, la tensión de polarización directa… es mayor que en un diodo de silicio. disminuye al aumentar la temperatura. Ambas son correctas.
Señala cuál de las siguientes afirmaciones es falsa: Cuando la temperatura aumenta, el consumo también. En diodos Zener, la tensión de ruptura V D aumenta al aumentar la
temperatura. En diodos Zener donde la unión está fuertemente dopada, la corriente inversa
aumenta al aumentar la temperatura.
¿Puede haber difusión bajo el polisilicio? Sí. No. Depende.
¿Cómo varía el tiempo de transferencia en un MOSFET? Varía de forma directamente proporcional a la longitud del canal. Varía de forma directamente proporcional a la movilidad Varía de forma inversamente proporcional a la tensión V DS .
¿Cómo varía la corriente al aumentar la anchura de W? La corriente varía de forma directamente proporcional al cuadrado de W. La corriente disminuye cuando W aumenta. La corriente aumenta cuando W aumenta.
¿Cómo varía la resistencia del canal respecto a la longitud del canal? La resistencia disminuye cuando aumenta L. La resistencia aumenta cuando disminuye L. La resistencia aumenta cuando aumenta L.
¿Cómo varía la resistencia del canal respecto a la movilidad? Inversamente proporcional. Directamente proporcional. No afecta.
Un MOSFET de empobrecimiento con tensión de puerta 0… Está en la región de saturación. No conduce. Conduce.
¿Cuál de las siguientes afirmaciones es correcta? Un MOSFET en la zona lineal actúa como un generador de corriente. Un MOSFET en la zona de saturación actúa como un cortocircuito. El factor 𝜆 está relacionado con la región de saturación.
¿Cuál de las siguientes afirmaciones sobre el efecto sustrato es falsa? Debido al efecto sustrato, la tensión umbral varía ligeramente en función de
la tensión entre el drenador y el sustrato. Cuando un transistor tiene una polarización de la tensión de sustrato, la
tensión umbral aumenta. Es la variación de la tensión umbral de un transistor MOS.
Cuando aumenta la temperatura… la corriente de fugas disminuye. la movilidad de portadores aumenta. la corriente de drenador disminuye.
¿Cuál de las siguientes afirmaciones es falsa? Al aumentar la temperatura, Ron aumenta. Al aumentar la temperatura, el tiempo de transferencia disminuye. Al aumentar la temperatura, la tensión umbral disminuye.
Los transistores de empobrecimiento… ocupan más que las resistencias. pueden conducir cuando la tensión de puerta y la tensión en la fuente son
iguales. tienen una tensión umbral mayor que la de los de enriquecimiento.
El factor de forma se define como… la anchura de un transistor entre su longitud. la longitud de un transistor entre su anchura. la relación entre las anchuras de dos transistores.
La tensión umbral de un inversor… disminuye cuando disminuye la longitud del transistor de carga. disminuye cuando disminuye la longitud del transistor de señal. disminuye cuando disminuye la anchura del transistor de señal.
¿Qué ocurre con la ganancia si la relación de aspecto del inversor aumenta? Aumenta. Disminuye. No varía.
¿Qué le ocurre a la tensión umbral del inversor si la carga aumenta? Aumenta. Disminuye. No varía.
¿Cuál de las siguientes afirmaciones sobre el efecto Miller es verdadera? Es provocado por la difusión lateral. Su efecto es el doble que el esperado. Ambas son correctas.
Cuanto más pequeñas sean las dimensiones de un transistor… menor es el número de etapas de inversoras. menor es el tiempo de conmutación absoluto. Ninguna de las anteriores es correcta.
¿Cómo tiene que ser la longitud del transistor de carga respecto a la del de señal
para una puerta NAND de 5 entradas? 20 veces mayor. 15 veces menor. 15 veces mayor.
En tecnología NMOS, ¿Qué es más rápido dando unos? Un inversor. Una puerta NOR. Una puerta NAND.
¿Cuál de las siguientes afirmaciones sobre la lógica con uniones por interruptor es
cierta? Es más compleja, pero más rápida. No disipa potencia en régimen permanente. Es más lenta.
¿Qué ocurre al reducir la escala de un circuito MOS? La densidad de corriente aumenta. Se producen problemas de electromigración. Ambas son correctas.
¿Qué tamaño debe tener la guarda entre el polisilicio y la difusión según las reglas de
diseño? 𝜆. 2𝜆. 3𝜆.
Señala la afirmación correcta: Un chip multiproyecto es un BGA sin encapsular. La lógica FET amplificada no consume corriente por la puerta. La lógica FET de acoplo directo tiene problemas de abanico de salida.
¿Cuál de las siguientes afirmaciones sobre los inversores NMOS es verdadera? Da malos ceros y unos. Da malos ceros, pero buenos unos. Da malos unos, pero buenos ceros.
¿Cuál de las siguientes afirmaciones sobre los inversores CMOS es verdadera? Nunca entra corriente por la salida. Da buenos unos y buenos ceros. Se necesitan menos transistores que en un NMOS para el mismo número de
entradas.
Una puerta NAND en CMOS, ¿es más rápido dando ceros o dando unos? Dando ceros. Dando unos. Es igual de rápida.
Una puerta NAND en CMOS, ¿cuándo presenta menos impedancia? Cuando da un cero. Cuando da un uno. Presenta la misma.
Una puerta NOR… Presenta menor impedancia que una NAND dando ceros. Es más lenta que una NAND dando ceros. Es tan rápida como una NAND dando ceros.
Un inversor CMOS, ¿consume en régimen estático? Sí. No. Depende.
¿Cuál es la relación más común en CMOS entre los transistores de carga y señal? 8:1. 1:2.5. 1:5.
El efecto latch-up… puede ocurrir tanto en tecnología NMOS como en CMOS. provoca un circuito abierto entre VDD y tierra. se produce cuando ocurre el arranque.
¿Cómo se puede solucionar el efecto latch-up? Con buenas conexiones al pozo y al sustrato. Con una variación de tensión no muy brusca en la alimentación. Ambas opciones son correctas.
Señala la afirmación correcta: Un CMOS es más rápido que un NMOS dando ceros. Un NMOS para dar un 1 tarda menos que para dar un 0. Un NMOS es más lento que un CMOS dando un 1.
¿Qué afirmación sobre los precontactos es cierta? Algunos fabricantes no lo permiten. Es un contacto directo entre la difusión y el pozo p. Ambas son correctas.
¿Quién ofrece mayor resistividad por cuadro? El polisilicio. El arseniuro de galio. El metal.
Al número de puertas envueltas en una función entre la entrada y la salida se le
denomina: Profundidad secuencial. Profundidad lógica. Observabilidad.
A la facilidad para inicializar la lógica interna a los estados deseados se le llama: Controlabilidad. Observabilidad. Ninguna de las anteriores.
Al número total posible de estados se le denomina: Controlabilidad. Observabilidad. Ninguna de las anteriores.
A la facilidad de medir externamente los estados lógicos internos se le denomina: Controlabilidad. Observabilidad. Ninguna de las anteriores.
¿Cómo se mejora la controlabilidad y la observabilidad? Con redundancia. Utilizando multiplexores. Ninguna de las anteriores.
¿Qué voltaje debe aplicarse a la puerta de control para que conduzca el transistor de
almacenamiento de una célula de memoria EPROM no programada? VDD 0 Cualquiera de las anteriores.
¿Cuál es cierto respecto a una memoria EPROM? Para reprogramarla hay que retirarla del circuito. Las células son mayores que las de las E2PROM de igual tecnología. Se puede borrar byte a byte.
¿Cuál es cierta respecto a una memoria E2PROM? Para reprogramarla hay que retirarla del circuito. Las células son menores que las de las EPROM de igual tecnología. Se puede borrar byte a byte.
¿Cuál es cierta respecto a una memoria Flash? Para reprogramarla hay que retirarla del circuito. Las células son mayores que las de las EPROM de igual tecnología. Se puede borrar byte a byte.
Las memorias EPROM tienen el mismo mecanismo de programación que las
memorias… Flash. E2PROM. Ambas son correctas.
¿En qué se parecen las memorias EPROM y E2PROM? En el mecanismo de borrado. En el mecanismo de programación. En ninguna de las anteriores.
¿En qué se parecen las memorias Flash y las E2PROM? En el mecanismo de borrado. En el mecanismo de programación. En la resolución de borrado.
¿Cuál es más lenta a la hora de borrar? EPROM. E2PROM. Flash.
¿Cuál de las siguientes series tiene la puerta de material metálico? 74C. 4000. 4000B.
¿Cuál tiene entrada compatible con TTL? 74HC. 74HTC. Ambos.
¿Cuál tiene salida compatible con TTL? 74HC. 74HTC. Ambos.
¿Una salida TTL es compatible con cualquier entrada CMOS dando 1? Sí. No, con ninguna. Depende.
¿Una salida TTL es compatible con cualquier entrada CMOS dando 0? Sí. No, con ninguna. Depende.
¿Qué circuito utilizarías para un oscilador? Uno con histéresis. Uno sin histéresis. Uno con salida compatible con TTL.
En tecnología bipolar, ¿qué ocurre con la 𝛽 cuando aumenta la temperatura? Aumenta. Disminuye. No varía.
¿Cuál es la parte más dopada de un transistor bipolar? La parte inferior. La parte superior. Los laterales.
La unión del sustrato con la parte epitaxial es una unión… Gradual. Abrupta. Hiperabrupta.
La unión de borde lateral en un transistor BJT es una unión… Gradual. Abrupta. Hiperabrupta.
¿Para qué sirve la capa enterrada? Para aumentar la resistencia de colector. Para disminuir la V CS . Ambas son correctas.
¿Qué configuración ocupa más? Ánodo común. Cátodo común. Ocupan lo mismo.
Al aumentar el dopado, la dependencia de la resistencia con la temperatura… no varía. aumenta. disminuye.
¿Qué lógica de arseniuro de galio permite usar una única tensión de
alimentación? Lógica FET amplificada BFL. Lógica FET a diodo Schottky SDFL Lógica FET de acoplo directo DCFL.
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