La Capacidad de almacenamiento de una estructura MIS o puerta de un transistor MOS, depende en gran medida de la capacidad del oxido que es una función directa de su espesor. Aunque la capacidad asociada a la superficie del semiconductor en las zonas de inversión y vaciamiento sea mayor, la capacidad total observada siempre viene dominada por la capacidad del oxido. verdadero falso.
En los semiconductores extrínsecos existe una disparidad entre el número de electrones y huecos al alterarse su concentración por la presencias de sustancias dopantes donadoras o aceptoras.
Selecciona una o más de una Las sustancias donadoras son las que ceden un electrón por átomo donador haciendo que el semiconductor sea de tipo P. Al ceder el electrón, el átomo se ioniza positivamente creando una perturbación local de campo en el cristal. Las sustancias aceptoras son las que captan un electrón por átomo donador haciendo que el semiconductor sea de tipo P. Al capturar el electrón, el átomo dopante se ioniza negativamente creando una perturbación local de campo en el cristal. Las sustancias donadoras son las que ceden un electrón por átomo donador haciendo que el semiconductor sea de tipo N. Al ceder el electrón, el átomo se ioniza positivamente creando una perturbación local de campo en el cristal. Las sustancias aceptoras son las que captan un electrón por átomo donador haciendo que el semiconductor sea de tipo N. Al capturar el electrón, el átomo dopante se ioniza negativamente creando una perturbación local de campo en el cristal. .
En la unión PN aparecen dos efectos capacitivos debidos a dos fenómenos concretos: La Capacidad de Transición es debida a a la aparición de la carga iónica espacial en la zona de transición o capa vacía y la Capacidad de Difusión que es debida a la inyección de portadores minoritarios.
Selecciona una o más de una: La capacidad de transición depende del estado de polarización del diodo., La capacidad de difusión se da solo cuando el diodo se polariza en directa. La capacidad de difusión se da independientemente de que el diodo se polarice en directa o en inversa. La capacidad de transición depende del estado de polarización del diodo. La capacidad de transición es fija y no cambia con el estado de polarización del diodo.
Los coeficientes de movilidad y de difusión de un material semiconductor están relacionados de forma inversa por las denominadas relaciones de Einstein: Cuando aumenta la movilidad, disminuye la difusión y viceversa verdadero falso.
El potencial de contacto o potencial Buit-in en una unión semiconductora se produce como consecuencia de la aparición de un campo eléctrico interno en la zona de transición de la unión. Indicar cuáles de las afirmaciones son las correctas:
Selecciona una o más de una A temperatura ambiente, la anchura de la zona de transición en ausencia de potencial externo depende del potencial de contacto y de las concentraciones de los elementos de la parte P y la parte N El potencial de contacto o potencial buit-in interviene en la expresión de la densidad de corrientes en un diodo según el modelo de Shockley. A temperatura ambiente el potencial de contacto depende sólo de las concentraciones de los elementos dopantes de la parte P y de la parte N. El potencial de contacto mide el desplazamiento entre las bandas de energías de la parte P y la parte N.
El efecto Zener forma parte de los mecanismos de ruptura de una unión semiconductora polarizada en sentido inverso. Este fenómeno suele ocurrir cuando las dos uniones semiconductoras están fuertemente dopadas, la zona de transición es muy estrecha y la tensión inversa alta. También se denomina efecto Túnel por la capacidad que adquiere el electrón para atravesar una barrera energética mas alta que la suya (fenómeno cuántico). Verdadero Falso.
Las Regiones de Inversión y de Vaciamiento en una estructura MIS no dependen del nivel de dopado del semiconductor ya que se trata de un fenómeno superficial dependiente exclusivamente del potencial externo aplicado. Verdadero Falso.
Los tres parámetros que miden la calidad de un transistor bipolar son la Eficiencia de Emisor, el Factor de Transporte y el Factor de multiplicación de Colector. En un transistor ideal los tres factores tendrían un valor unitario. Ordenar sus definiciones: Factor de multiplicación de Colector Factor de Transporte Eficiencia de Emisor.
El criterio de Barkhausen puede enunciarse también diciendo que las condiciones para que se de una oscilación de forma mantenida es que la parte real de la ganancia de lazo sea uno y que la parte imaginaria de la ganancia de lazo sea cero. Verdadero Falso.
Un Semiconductor se define como Semiconductor Intrínseco si
Selecciona una o más de una: no se encuentra dopado con material alguno; es decir, es una estructura cristalina pura. se encuentra dopado con aceptores y dadores a una temperatura dada pero se verifica que p=n=ni. se encuentra dopado por igual número de aceptores y donadores con independencia de la temperatura. se encuentra dopado por igual número de aceptores y donadores a temperatura ambiente.
En Semiconductores extrínsecos existe una disparidad entre el número de electrones y el número de huecos por unidad de volumen como consecuencia del dopado. Esto es una consecuencia de que las bandas de energía de los electrones de valencia de estos elementos dopantes se encuentran situadas dentro de la zona o banda prohibida del semiconductor.
Selecciona una o más de una: Las sustancias aceptoras tienen bandas de energía prohibida próximas a la banda de conducción Las sustancias donadoras tienen bandas de energía prohibida próximas a la banda de valencia Las sustancias donadoras tienen bandas de energía prohibida próximas a la banda de conducción. Las sustancias aceptoras tienen bandas de energía prohibida próximas a la banda de valencia.
En situaciones de equilibrio térmico y ausencia de campos eléctricos externos, los electrones y los huecos realizan movimientos aleatorios al azar dentro de la estructura cristalina de un semiconductor. Los electrones y los huecos se mueven de forma ordenada si:
Selecciona una o más de una: hay una concentración de elementos dopantes dentro del cristal. se aplica un campo eléctrico externo a un semiconductor intrínseco o extrínseco. hay una diferencia de concentración espacial de electrones o huecos en el semiconductor. hay una diferencia de concentración de elementos dopantes en el cristal.
La Ley de Acción de Masas dice que el producto de las concentraciones de electrones y huecos en un Semiconductor a una temperatura dada es una constante que coincide con el cuadrado de la concentración intrínseca a esa misma temperatura. Verdadero Falso.
La Ganancia de lazo es el Producto de la función de transferencia del Amplificador A(jω) por la función de transferencia de la red pasiva β(jω). Cuando la realimentación es positiva, el denominador de la Función de Transferencia del Sistema realimentado es 1-A(jω)*β(jω) . Si el módulo de la ganancia de lazo |A(jω)*β(jω)| es menor que la unidad el sistema realimentado es estable con independencia del valor de la fase de dicho producto. si el módulo de |A(jω)*β(jω)|=1 y la fase arg(A(jω)*β(jω))=0 existirá oscilación y se mantendrá indefinidamente, Sin embargo, el sistema puede no arrancar a oscilar a no ser que |A(jω)*β(jω)|>1 Verdadero Falso.
Los procesos de generación y recombinación de portadores se oponen a la existencia de desequilibrios en la densidad local o espacial de portadores a lo largo del semiconductor. La evolución de la concentración de portadores fuera del equilibrio sigue una ley exponencial decreciente con el tiempo. La evolución de la concentración de portadores fuera del equilibrio sigue una ley exponencial creciente con el tiempo La evolución de la concentración de portadores fuera del equilibrio en función del tiempo sigue una ley lineal con el tiempo.
Ordenar los distintos tipos de ruidos en semiconductores y las causas que los originan Movimiento de electrones y huecos debidos a capturas y/o emisiones en niveles energéticos interbanda. Movimiento de electrones o huecos debido a la corriente o flujo fluctuante de electrones y huecos. Movimiento de electrones y huecos debidos a la contaminación de semiconductores por metales pesados. Movimiento aleatorio de electrones o huecos por su energía vibracional o térmica:.
El efecto transistor es un fenómeno de distancia relacionado con la vida media de los portadores al atravesar la base del transistor. Para que ocurra el efecto transistor es necesario que la base sea suficientemente ancha frente a la longitud de difusión de los portadores minoritarios que la atraviesan Verdadero Falso.
Los electrones confinados en redes cristalinas poseen energías que se distribuyen en bandas. En semiconductores intrínsecos, el movimiento de electrones se realiza en la banda de conducción y supone también el movimiento de un hueco en la banda de valencia. Es decir, la conducción tiene lugar por pares electrón-hueco. Habrá mas o menos pares electrón-hueco dependiendo de la temperatura a la que se encuentre el cristal. Los pares electrón-hueco creados se cancelan por recombinación haciendo que la conducción se realice en la superficie del cristal. Para que un hueco adquiera movilidad es necesario que salte a la banda de conducción. Mientras tanto no contribuye al proceso conductivo. Los electrones pueden moverse en la banda de valencia contribuyendo igualmente a la conducción La aparición de electrones y huecos ocurre cuando aparece la energía térmica necesaria para hacer saltar a un electrón a la banda de conducción. Se crearán electrones y huecos siempre que las bandas de conducción y valencia tengan niveles vacantes.
Cuando se polariza a un diodo, la tensión externa aplicada modifica el flujo de portadores, la geometría de la zona de transición y la altura de las bandas. Emparejar las siguientes definiciones: Cuando la unión PN se polariza en directa Cuando la unión PN se polariza en inversa.
El modelo de Ebers-Moll del transistor bipolar no explica una serie de fenómenos de segundo orden que aparecen en el transistor real y que deben corregirse. Los fenómenos de segundo orden mas importantes que tienen en cuenta los modelos actuales de transistor bipolar son:
Selecciona una o más de una: La dependencia de las ganancias en corriente con la corriente de colector La conductividad finita de las regiones semiconductoras de base, colector y emisor. El tamaño de la base en función de la tensión de polarización de la unión Base-Colector. Los efectos relacionados con las altas corrientes o altos niveles de inyección en Base y Colector.
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