Preguntas Verdadero/Falso Tema 1 EP

1. Algunos parámetros importantes para la selección de un PowerMos son la corriente máxima, la tensión de ruptura y la tensión emisor-colector en directa. Verdadero. Falso.

2. El orden cronológico de los siguientes dispositivos es diodo, tiratrón, transistor bipolar, IGBT. Verdadero. Falso.

3. La velocidad de conmutación de un GTO provoca colas de corriente en el dispositivo, un efecto de rebote en corriente que puede producir efectos no deseados. Verdadero. Falso.

4. En presencia de una tensión mínima entre sus terminales, los diodos dejan de conducir la corriente y se vuelven dispositivos controlados. Verdadero. Falso.

5. El transistor bipolar de puerta aislada tiene un mecanismo de disparo de conducción más simple y con frecuencias de trabajo más altas que un tiristor. Verdadero. Falso.

6. La zona de polarización inversa de un diodo se establece cuando la diferencia de tensión entre los terminales del diodo es inferior a la tensión umbral e inferior a la tensión de bloqueo (ruptura). Verdadero. Falso.

7. El tríodo permitió amplificar señales, así como controlar el flujo de corriente entre el cátodo y el ánodo (regulación lineal). Verdadero. Falso.

8. Los drivers de IGBT no son capaces de detectar sobrecorrientes ni tensiones de funcionamiento altas. Verdadero. Falso.

9. La intensidad de pico repetitivo es la máxima intensidad que puede ser soportada cada 10 ms por tiempo indefinido, con una duración pico de 1 ms. Verdadero. Falso.

10. Un tiristor no tiene una estructura semiconductora NPNP, en la que los niveles de dopaje de cada capa conservan una relación entre ellos. Verdadero. Falso.

11. Los diodos constan de una unión semiconductora que permite el paso de la corriente con una pequeña tensión en directa y un alto valor de corriente de bloqueo para inversa. Verdadero. Falso.

12. Los triacs son bidireccionales, permiten el paso de corriente en ambos sentidos, no conservan la activación por disparo tanto con corrientes entrantes como corrientes salientes. Verdadero. Falso.

13. Un diac es un dispositivo que tiene la capacidad de conducir la corriente cuando se supera un cierto valor de tensión característica Vdiac y deja de conducir cuando la corriente es inferior a un cierto valor IBO. Verdadero. Falso.

14. La intensidad de pico único de un diodo es el pico máximo de intensidad aplicable por una vez cada 10 minutos o más, con una duración de 1 ms. Verdadero. Falso.

15. Un GTO se apaga con corrientes entrantes por la puerta y se enciende con corrientes salientes por la puerta. Verdadero. Falso.

16. En los diodos reales existe un tiempo en el que el diodo polarizado en directa se descarga por completo para entrar en el modo de bloqueo, y que dicho tiempo disminuye proporcionalmente con la frecuencia. Verdadero. Falso.

17. Entre las características de un IGBT destaca la falta incapacidad de manejar corrientes y potencias altas, así como tener una capacidad de conmutación menor que la del MOSFET, debido a su salida tipo bipolar. Verdadero. Falso.

18. Algunas de las características de un diodo Schottky son tener un menor rango de frecuencias de funcionamiento, una menor caída de potencial en directa y una menor tensión de bloqueo. Verdadero. Falso.

19. El diodo de vacío está constituido por una ampolla de vacío y un filamento de wolframio frente a una placa de aluminio caliente. Verdadero. Falso.

20. Cuando la corriente en un diac pasa por cero se apaga. Verdadero. Falso.

21. El dispositivo que mezcla las características de un MOSFET y un transistor bipolar se denomina IGBT. Verdadero. Falso.

22. El bloqueo de un triac puede llevarse a cabo por inversión de la tensión o aumentando el valor de la corriente por encima de un valor de mantenimiento. Verdadero. Falso.

23. Los transistores bipolares de potencia no se emplean como interruptores por sus bajas velocidades de conmutación y poca ganancia en corriente. Verdadero. Falso.

24. Los diodos son dispositivos no controlados de conducción natural cuando se supera una tensión mínima entre sus terminales. Verdadero. Falso.

25. En aplicaciones con valores de potencia muy elevados (hasta 5 kW) no se emplean transistores bipolares de potencia. Verdadero. Falso.

26. La tensión inversa de pico único en un diodo de potencia no es la tensión inversa máxima que puede ser soportada por una sola vez cada 10 min o más, con una duración de pico de 10 ms. Verdadero. Falso.

27. Los parámetros de bloqueo de un diodo no son relevantes cuando se encuentra en la zona de polarización inversa. Verdadero. Falso.

28. A los dispositivos de potencia se les pide que no funcionen como interruptor con el máximo rendimiento y mínimas pérdidas. Verdadero. Falso.

29. Los dispositivos PowerMOS son fruto de la tecnología metal-óxido semiconductor, permiten trabajar con altas corrientes. Verdadero. Falso.

30. El uso principal de los triac es aplicaciones de alta potencia. Verdadero. Falso.

31. Los triacs poseen poca estabilidad y en la actualidad su uso es muy poco utilizado. Verdadero. Falso.

32. El bloqueo de un tiristor puede producirse dejando de aplicar una tensión entre los terminales del ánodo y el cátodo suficiente o pasando a una corriente de enganche muy pequeña. Verdadero. Falso.

33. El diodo, el tiratrón, el transistor bipolar y el IGBT están ordenados según su aparición cronológica. Verdadero. Falso.

34. El diodo Schottky fue descubierto antes que el transistor, pero después que el tríodo. Verdadero. Falso.

35. Para valores de voltaje comprendidos entre 1000 V y 250 V, el dispositivo a emplearse no depende de la frecuencia de trabajo. Verdadero. Falso.

36. Entre las características de un IGBT destaca la alta capacidad de manejar corrientes y potencias altas. Verdadero. Falso.

37. En la zona de ruptura el diodo bloquea prácticamente el paso de la corriente, conduciendo una corriente parásita de un valor muy pequeño. Verdadero. Falso.

38. Para aumentar la tensión inversa de bloqueo de los diodos, se asocian diodos en serie con resistencias, permitiendo considerar un único diodo capaz de soportar una tensión de bloqueo tantas veces mayor como diodos se hayan utilizado. Verdadero. Falso.

39. La salida de un IGBT es como la de un transistor bipolar controlado por corriente. Verdadero. Falso.

40. El tiempo de recuperación en un diodo Schottky es elevado. Verdadero. Falso.

41. Cuando la corriente de un diodo pasa por cero no se apaga. Verdadero. Falso.

42. Las tensiones de ruptura en los PowerMOS son un factor limitante para su elección, tiene unos valores máximos entre los 200 y 1200V. Verdadero. Falso.

43. Los dispositivos que permiten el control de transistores bipolares de puerta aislada individuales o en módulos son los Drivers de IGBT. Verdadero. Falso.

44. Los SCR (Rectificador Controlado de Silicio o Tiristor) no pueden apagarse de forma natural. Verdadero. Falso.

45. Los Drivers de IGBT no son capaces de detectar sobrecorrientes ni tensiones de funcionamiento bajas. Verdadero. Falso.

46. Los modos de disparo de un triac se definen mediante el cuadrante de la gráfica P (potencia) - I (intensidad) en la que se sitúan. Verdadero. Falso.

47. El tiristor permite la conducción de la corriente sujeta al suministro de un pulso de corriente por un terminal adicional denominado puerta. Verdadero. Falso.

48. Algunos parámetros importantes para la selección de un PowerMos son la corriente máxima, la tensión de ruptura y la corriente emisor-colector. Verdadero. Falso.

49. El GTO es básicamente igual a un SCR (Rectificador Controlado de Silicio o Tiristor), pero con una caída de tensión en conducción ligeramente inferior. Verdadero. Falso.

50. El tiratrón es una especie de tríodo con gas enrarecido (hidrógeno) en su interior, que permite el control de pequeñas corrientes. Verdadero. Falso.

51. Una vez que el tiristor se activa no se bloquea mientras circule por él un mínimo de tensión. Verdadero. Falso.

52. La intensidad de pico repetitivo en un diodo de potencia es la máxima intensidad que puede ser soportada cada 20 ms por un tiempo indefinido. Verdadero. Falso.

53. Un triac no puede dispararse con corriente continua. Verdadero. Falso.

54. Para valores de tensión superiores a los Kilovoltios no es apropiado el uso de IGBTs. Verdadero. Falso.

55. Amplificar señales es una aplicación característica de un tiristor. Verdadero. Falso.

56. Una corriente entrante por una puerta de un GTO no provoca que el dispositivo entre en corte. Verdadero. Falso.

57. El problema de un IGBT es el aumento de las pérdidas de conmutación. Verdadero. Falso.

58. El diodo de vacío está constituido por una ampolla al vacío y un filamento de silicio frente a una placa de wolframio caliente. Verdadero. Falso.

59. La tensión inversa de pico repetitivo en un diodo de potencia es la tensión inversa máxima que puede ser soportada en picos de 10 ms repetidos cada 10 ms por un tiempo definido. Verdadero. Falso.

60. Los transistores bipolares de potencia no se emplean como interruptores por sus bajas velocidades de conmutación y poca ganancia en corriente. Verdadero. Falso.

61. El ángulo de disparo de un triac es el tiempo que transcurre entre la conmutación y el disparo. Verdadero. Falso.

62. Cuando la tensión del diodo es mayor que la tensión umbral, el diodo no permite el paso de la corriente, se encuentra en zona inversa. Verdadero. Falso.

63. La circulación en un tiristor es bidireccional, según el sentido del pulso de corriente suministrado por la puerta. Verdadero. Falso.

64. Un diac cuando se dispara no se comporta como un diodo. Verdadero. Falso.

65. Los parámetros de bloqueo son relevantes cuando el diodo se encuentra en la zona de polarización inversa. Verdadero. Falso.

66. En la zona de polarización inversa de un diodo se establece la conducción de una corriente parásita de gran valor. Verdadero. Falso.

67. El símbolo que representa a un triac es: Verdadero. Falso.

68. En los diodos reales existe un tiempo de respuesta o tiempo en el que el diodo polarizado en directa se descarga por completo para entrar en el modo de bloqueo (inversa), al aumentar la frecuencia de trabajo este tiempo de respuesta disminuye. Verdadero. Falso.

69. En los GTO la corriente de disparo necesaria para la conducción es mayor. Verdadero. Falso.

70. El proceso de biselado de la pastilla semiconductora de un diodo de potencia permite aumentar su superficie y generar un gradiente de voltaje menor, aumentando su eficiencia. Verdadero. Falso.

71. En un diodo de potencia, la intensidad de pico único es el valor del pico de la máxima intensidad aplicable por una vez cada 10 minutos o más, con una duración de pico de 1 ms. Verdadero. Falso.

72. La velocidad de conmutación de un IGBT provoca colas de corriente en el dispositivo, un efecto de rebote en corriente que puede producir efectos no deseados. Verdadero. Falso.

73. Los tiristores se consideran interruptores controlados muy robustos que trabajan muy bien a frecuencias inferiores a 500 Hz. Verdadero. Falso.

75. Los PowerMOS se desarrollaron a finales de los años 80 y lideran el control de tensiones bajas y frecuencias altas. Verdadero. Falso.

75. Los PowerMOS se desarrollaron a finales de los años 80 y lideran el control de tensiones bajas y frecuencias altas. Verdaderoe. Falso.

76. La intensidad de pico único de un diodo es el valor máximo de la intensidad aplicable con una periodicidad superior a 10 minutos y con una duración de pico de 10 ms. Verdadero. Falso.

77. El MOSFET es el mejor dispositivo para aplicaciones por debajo de 250V. Verdadero. Falso.

78. El tiempo de recuperación en un Diodo Schottky es nulo. Verdadero. Falso.

79. La salida de un IGBT es como la de un transistor bipolar controlado por tensión. Verdadero. Falso.

80. Un triac puede dispararse con corriente continua y alterna. Verdadero. Falso.

81. El triac conmuta del modo de corte al modo de conducción cuando se produce la inyección de una corriente a la compuerta. Verdadero. Falso.

82. Amplificar señales no es una aplicación propia de un tiristor. Verdadero. Falso.

83. La salida de un IGBT no puede controlarse en corriente ni en tensión. Verdadero. Falso.

84. La asociación de diodos y de resistencia de pequeño valor en serie aumenta la tensión inversa de bloqueo. Verdadero. Falso.

85. La circulación en un tiristor no es unidireccional. Verdadero. Falso.

86. Los dispositivos que permiten el control de transistores bipolares de puerta aislada individuales o en módulos no son los Drivers de IGBT. Verdadero. Falso.

87. En la zona de polarización inversa de un diodo se permite el paso de corriente en el dispositivo de muy pequeño valor. Verdadero. Falso.

88. Algunas de las ventajas de los diodos Schottky frente a los diodos normales son tener una mayor caída de potencial en directa y un mayor rango de frecuencias de funcionamiento. Verdadero. Falso.

89. Un transistor JFET de canal N se representa por el símbolo: Verdadero. Falso.

90. Los rectificadores de alta tensión (>5kV) usualmente: a. Agrupan series de diodos Schottky. b. Agrupan series de diodos de silicio con resistencias en paralelo. c. Agrupan series de Diac con resistencias en serie. d. Son de estructura de selenio.

91. En qué mejora un GTO: a. Hace innecesario el Diac en los tiristores. b. Evita la corriente de cruce en los PowerMos. c. Aumenta la frecuencia de los IGBT. d. Permite apagar el dispositivo sin cortar la corriente.

92. ¿Cuál es la ventaja del driver bootstrap?. a. Permite alcanzar mayor frecuencia de conmutación. b. Permite 2 NMOS en semi-puente. c. Facilitar combinar un PowerMos con un IGBT. d. Aumenta la frecuencia de conmutación de los tiristores.

93. ¿Cuál es el dispositivo más adecuado para bloquear 5kV, a una frecuencia de 500 Hz y a una corriente de 1000 A?. a. Tiristor. b. Transistor bipolar de potencia. c. PowerMOS. e. IGBT (Transistor bipolar de puerta aislada). f. Triac.

94. Los Diac son elementos que se usan específicamente para: a. Paralelizar diodos. b. El funcionamiento de Triac en corriente alterna. c. Rectificar para alta tensión. d. Controlar semi-puentes.

95. La tecnología de uniones Schottky: a. Es adecuada para bloqueo de más de 200 Voltios. b. Es adecuada para bloqueo de menos de 1 kHz. c. Es adecuada para frecuencias mayores de 100 kHz. d. Solo sirve para pequeña señal.

96. ¿Cuál es el principal peligro en un sistema controlado de potencia en semi-puente?. a. Salida a circuito abierto. b. El exceso de frecuencia. c. La conducción cruzada de los dispositivos controlados. d. El salto de chispas.

97. ¿Qué actuador es más adecuado en un sistema conmutado de potencia que está alimentado a 300V con una frecuencia alta de conmutación (300 kHz) y una corriente de 200 A?. a. Tiristor. b. Triac. c. Transistor bipolar de potencia. d. PowerMOS. e. IGBT.

98. Los IGBT se controlan mediante: a. Una corriente entre puerta y colector. b. Una corriente entre puerta y emisor. c. Una tensión entre puerta y emisor. d. Una tensión entre puerta y colector.

99. ¿De qué factor depende la tensión que bloquea un diodo de silicio?. a. Del área de la unión. b. Del espesor de las zonas N y P. c. De la densidad de estados equivalente Nr. d. De la ley de acción de masas.