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qwerty 7

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REALIZAR TEST
Título del test:
qwerty 7

Descripción:
actividad

Autor:
AVATAR

Fecha de Creación:
21/06/2019

Categoría:
Test de conducir

Número preguntas: 133
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Temario:
843.- ¿COMO SON ETIQUETADOS O IDENTIFICADOS LOS TIEMPOS DE APAGADO DE LA FORMA DE ONDA DE CONMUTACION DE UN DIODO? T1 T2 Y T3 T3 T4 Y T5 T2 T3 Y T5 T5 T4 Y T1.
844.- EN EL TRANSITORIO DE APAGADO DE UN DIODO, DESPUES DE QUE LA CORRIENTE SE CONVIERTE EN NEGATIVA Y EL BARRIDO DE PORTADORES ACURRE DURANTE EL TIEMPO SUFICIENTE (T4) PARA REDUCIR LA DENSIDAD DE PORTADORES EXCEDENTES EN UNA O LAS DOS UNIONES A CERO, LA UNION O UNIONES ADQUIEREN UNA POLARIZACION: INVERSA DIRECTA POSITIVA NEGATIVA.
845.- EN EL TRANSITORIO DE APAGADO DE UN DIODO ¿CUANDO TIENE SU MAXIMO VALOR INVERSO LA CORRIENTE INVERSA IRR? AL INICIO DEL INTERVALO T3 AL FINAL DEL INTERVALO T1 AL FINAL DEL INTERVALO T4 AL INICIO DEL INTERVALO T2.
846.- ¿COMO SE REPRESENTA EL TIEMPO DE RECUPERACION INVERSA? TRR=T1+T4 TRR=T4+T5 TRR=T2+T3 TRR=T4-T5.
847.- HABLANDO DEL TIEMPO DE RECUPERACION INVERSA EN UN DIODO ¿QUE SE ENTIENDE POR LA CARGA TOTAL QF? CARGA ALMACENADA EN EL DIODO DURANTE LA POLARIZACION INVERSA CARGA ALMACENADA EN EL DIODO DURANTE LA POLARIZACION DIRECTA CARGA QUE NO SE ALMACENA EN EL DIODO DURANTE LA POLARIZACION DIRECTA CARGA QUE NO SE ALMACENA EN EL DIODO DURANTE LA POLARIZACION INVERSA.
848.- ESTE TIPO DE DIODO SE FORMA AL PONER UNA DELGADA PELICULA DE METAL EN CONTACTO DIRECTO CON UN SEMICONDUCTOR DIODO VARACTOR DIODO ZENER DIODO RECTIFICADOR DIODO SCOTTKY.
849.- HABLANDO DE FISICA DE SEMICONDUCTORES, EN UN DIODO SCHOTTKY LA PELICULA METALICA ES EL ELECTRODO ________ Y EL SEMICONDUCTOR ES EL ________ NEGATIVO-CATODO POSITIVO-ANODO POSITIVO-CATODO NEGATIVO-ANODO.
850.- ¿QUE RANGO DE TENSION DE ESTADO ACTIVO TRABAJA EL DIODO SCHOTTKY? DE 0.4 A 0.3V DE 0.3 A 0.4 V DE 0.5 A 0.7 V DE 0.4 A 0.7 V.
851.- ¿COMO ES LA TENSION DE ESTADO ACTIVO DEL DIODO SCHOTTKY COMPARADO CON LA DE UN DIODO DE SILICIO? MAS ALTA IGUAL MAS BAJA IDENTICA.
852.- HABLANDO DE FISICA DE SEMICONDUCTORES, ¿CUAL ES EL RANGO DE TENSION DE RUPTURA DE UN DIODO SCHOTTKY EN LA ACTUALIDAD? DE 100 A 250 V DE 100 A 200 V DE 50 A 100 V DE 50 A 200 V.
853.- HABLANDO DE FISICA DE SEMICONDUCTORES, ¿CUAL ES LA RAZON DE QUE HAYA UNA MENOR CAIDA DE TENSION A TRAVES DEL DIODO SCHOTTKY COMPARADO CON UN DIODO DE UNION PN? QUE LA CORRIENTE DE SATURACION INVERSA ES MUCHO MENOR QUE LA DE UN DIODO NP QUE LA CORRIENTE DE SATURACION DIRECTA ES MUCHO MAYOR QUE LA DE UN DIODO NP QUE LA CORRIENTE DE SATURACION DIRECTA ES MUCHO MENOR QUE LA DE UN DIODO PN QUE LA CORRIENTE DE SATURACION INVERSA ES MUCHO MAYOR QUE LA DE UN DIODO PN.
854.- HABLANDO DE DIODOS SCHOTTKY´S ¿QUE ES LO QUE FORMA CON UNA ESTRUCTURA METAL/SEMICONDUCTOR CON MATERIALES SEMICONDUCTORES DE TODO TIPO? APAGADORES OHMICOS CONTACTOS OHMICOS ELEVADORES OHMICOS TRANSFORMADORES OHMICOS.
855.- EN FISICA DE SEMICONDUCTORES, ¿A QUE TERMINO NOS REFERIMOS AL DECIR QUE ES UN CONTACTO SIN CARACTERISTICAS DE RECTIFICACION? ELEVADOR OHMICO RECTIFICADOR OHMICO CONTACTOS OHMICO INTERRUPTOR OHMICO.
856.- LOS MISMOS FACTORES QUE DETERMINAN LA TENSION DE RUPTURA DE UN DIODO DE UNION PN TAMBIEN RIGEN LA TENSION DE RUPTURA DE UN DIODO _______ ZENER VARACTOR SCHOTTKY RECTIFICADOR.
857.- UN DIODO DE SCHOTTKY SE ENCIENDE Y APAGA CON MAS VELOCIDAD QUE UN DIODO DE _________ COMPARABLE UNION NP UNION PN SATURACION RECTIFICACION.
858.- LA RAZON DE QUE UN DIODO DE SCHOTTKY SEAN DISPOSITIVOS DE PORTADORES MAYORITARIOS Y NO TENGAN PORTADORES MINORITARIOS ALMACENADOS QUE SE INYECTEN EN EL DISPOSITIVO DURANTE EL ENCENDIDO Y SE SAQUEN DURANTE EL APAGADO ¿LOGRA QUE UN DIODO DE SCHOTTKY? SE ENCIENDA Y SE APAGUE CON MAS VELOCIDAD SE APAGUE CON MAS VELOCIDAD SE ENCIENDA CON MAS VELOCIDAD SE ENCIENDA Y SE APAGUE CON MENOS VELOCIDAD.
859.- LOS DIODOS DE SCHOTTKY TIENEN MUCHO MENOS SOBRETENSION MOMENTANEA DURANTE EL ENCENDIDO DEL DISPOSITIVO QUE LOS DIODOS DE _____ COMPARABLES UNION NP ZENER UNION PN RECTIFICACION.
860.- HABLANDO DE DIODOS DE SCHOTTKY, DURANTE EL APAGADO ¿A QUE SE DEBE,QUE LA RECUPERACION RAPIDA PUEDA GENERAR GRANDES PICOS DE TENSION? A LA INDUCTANCIA DE RECTIFICACION A LA INDUCTANCIA DE DISPERSION A LA CONDUCTIVIDAD DE SUS ELECTRONES AL VOLTAJE DE DISTORSION.
861.- HABLANDO DE TRANSISTORES DE UNION BIPOLAR, LA NECESIDAD DE UNA TENSION DE BLOQUEO GRANDE EN ESTADO PASIVO Y UNA GRAN CAPACIDAD DE CONDUCCION DE CORRIENTE EN ESTADO ACTIVO SIGNIFICA QUE UN TRANSISTOR DE UNION BIPOLAR (_____), DEBE TENER UNA ESTRUCTURA SUSTANCIALMENTE DIFERENTE A LA DE SU CONTRAPARTE DEL NIVEL LOGICO DE POTENCIA PNP BJT FET.
862.- HABLANDO DE ELECTRONICA DE POTENCIA, ¿COMO ES LA ESTRUCTURA DE UN TRANSISTOR DE POTENCIA? VERTICAL HORIZONTAL POSITIVO NEGATIVO.
863.- ¿DE QUE ESTA COMPUESTA LA ESTRUCTURA VERTICAL DE UN TRANSISTOR DE POTENCIA? DE DOS CAPAS DE IONIZACION ALTERNANTE DE TIPO P Y TIPO N DE TRES CAPAS DE DOPAJE ALTERNANTE DE TIPO N Y TIPO P DE CUATRO CAPAS DE DOPAJE ALTERNANTE DE TIPO P Y TIPO N DE CINCO CAPAS DE DOPAJE ALTERNANTE DE TIPO N Y TIPO P.
864.- ¿CUALES SON LAS TRES TERMINALES QUE TIENE UN TRANSISTOR? PUERTA BASE Y TRANSMISOR COLECTOR BASE Y EMISOR BASE COLECTOR Y PUERTA EMISOR COLCTOR Y DRENADO.
865.- NORMALMENTE, ¿CUANTAS TERMINALES TIENE UN TRANSISTOR? CUATRO DOS UNA TRES.
866.- EN LA MAYORIA DE LAS APLICACIONES DE POTENCIA DE UN TRANSISTOR ¿QUE TERMINAL REPRESENTA LA BASE? LA ENTRADA LA SALIDA LA RUPTURA LA SATURACION.
867.- EN LA MAYORIA DE LAS APLICACIONES DE POTENCIA DE UN TRANSISTOR ¿QUE TERMINAL REPRESENTA LA COLECTOR? LA SATURACION LA ENTRADA LA SALIDA LA RUPTURA.
868.- EN LA MAYORIA DE LAS APLICACIONES DE POTENCIA DE UN TRANSISTOR ¿QUE TERMINAL REPRESENTA LA EMISOR? LA ENTRADA Y SALIDA COMPARTE LA ENTRADA Y SALIDA LA ENTRADA LA SALIDA.
869.- AL EMISOR DE UN TRANSISTOR EL CUAL REPRESENTA LA TERMINAL QUE COMPARTE LA ENTRADA Y SALIDA ¿COMO SE LE SUELE DENOMINAR? SALIDA COMUN COLECTOR COMUN ENTRADA COMUN EMISOR COMUN.
870.- HABLANDO DE SEMICONDUCTORES, ¿QUE TIPO DE TRANSISTOR ES MUCHO MAS USADO COMO INTERRUPTOR DE POTENCIA? TRANSISTORES PN TRANSISTORES NP TRANSISTORES PNP TRANSISTORES NPN.
871.- HABLANDO DE SEMICONDUCTORES, ¿QUE TIPO DE TRANSISTOR ES MENOS USADO COMO INTERRUPTOR DE POTENCIA? TRANSISTORES PNP TRANSISTORES PN TRANSISTORES NP TRANSISTORES NPN.
872.- ¿DEBIDO A QUE SE PREFIERE UNA ESTRUCTURA VERTICAL PARA LOS TRANSISTORES DE POTENCIA? QUE MINIMIZA EL AREA DE SECCION TRANSVERSALES A TRAVES DEL CUAL FLUYE EL VOLTAJE EN EL DISPOSITIVO QUE MAXIMIZA EL AREA DE SECCION TRANSVERSALES A TRAVES DEL CUAL FLUYE LA CORRIENTE EN EL DISPOSITIVO QUE MAXIMIZA EL AREA DE SECCION TRANSVERSALES QUE MINIMIZA EL AREA DE SECCION TRANSVERSALES.
873.- ¿QUE SE REDUCE AL IMPLEMENTAR LA ESTRUCTURA VERTICAL DE LOS TRANSISTORES DE POTENCIA? EL VOLTAJE DEL ESTADO NEUTRO LA CORRIENTE DEL ESTADO ACTIVO LA RESISTENCIA DEL ESTADO ACTIVO LA RESISTENCIA DEL ESTADO ANACTIVO.
874.- HABLANDO DE FISICA DE SEMICONDUCTORES, ¿COMO ES EL DOPAJE EN LA CAPA DEL EMISOR DE UN TRANSISTOR? CONMUTADO CONSTANTE MUY CHICA MUY GRANDE.
875.- DE ACUERDO A LA FISICA DE SEMICONDUCTORES, ¿DE CUANTO ES EL DOPAJE EN LA CAPA DEL EMISOR DE UN TRANSISTOR? POR LO GENERAL DE 10^-3 CM^19 POR LO GENERAL DE 10^29 CM^-3 POR LO GENERAL DE 10^19 CM^-3 POR LO GENERAL DE 10^30 CM^-19.
876.- ¿COMO ES EL DOPAJE EN LA CAPA DEL BASE DE UN TRANSISTOR? ALTO MODERADO BAJO IGUAL.
877.- DE ACUERDO A FISICA DE SEMICONDUCTORES, ¿DE CUANTO ES EL DOPAJE EN LA CAPA BASE DE UN TRANSISTOR? DE 10^46 CM^-3 DE 10^26 CM^-3 DE 10^-3 CM^16 DE 10^16 CM^-3.
878.- ¿COMO ES EL NIVEL DE DOPAJE DE LA REGION DE ARRASTRE DEL COLECTOR? MODERADO ALTO BAJO LEVE.
879.- DE A CUERDO A FISICA DE SEMICONDUCTORES, ¿DE CUANTO ES EL NIVEL DE DOPAJE DE LA REGION DE ARRASTRE DEL COLECTOR? DE 10^14 CM^-3 DE 10^-3 CM^14 DE 10^28 CM^-3 DE 10^38 CM^-3.
880.- EN UN TRANSISTOR, EL ESPESOR DE LA REGION DE ARRASTRE DETERMINA _______________ LA TENSION DE DOPAGE DEL TRANSISTOR LA CORRIENTE DE RUPTURA DEL TRANSISTOR LA TENSION DE RUPTURA DEL TRANSISTOR LA TENSION DE RUPTURA DEL VARISTOR.
881.- EN UN TRANSISTOR ¿PARA QUE SE REDUCE EL ESPESOR DE LA BASE? A FIN DE TENER MEJOR AMPLIFICACION A FIN DE TENER MEJORES CAPACIDADES DE AMPLIFICACION A FIN DE NO TENER CAPACIDADES DE RUPTURA A FIN DE TENER CAPACIDADES DE DOPAJE.
882.- ¿QUE SUCEDE SI EL ESPESOR DE LA BASE ES DEMASIADO PEQUEÑO? NO SUCEDE NADA SE REDUCE LA CAPACIDAD DE RUPTURA DE LA TENSION SE LIBERAN MAS CANTIDADES DE ELCTRONES SE PONE EN PELIGRO LA CAPACIDAD DE LA TENSION DE RUPTURA.
883.- ¿CUAL ES EL RANGO DEL ESPESOR DE LA BASE DE UN TRANSISTOR? DE VARIOS MICROMETRO HASTA UNAS CENTENAS DE MICROMETROS DE VARIOS MICROMETRO HASTA UNAS DECENAS DE MICROMETROS DE UN MICROMETRO HASTA UNA DECENAS DE MICROMETROS DE UN MILIMETRO HASTA DOS DECENAS DE MILIMETROS.
884.- EN FISICA DE SEMICONDUCTORES, ¿COMO TIENEN SUS EMISORES Y BASES LOS TRANSISTORES DE POTENCIA PRACTICOS? INTERFOLIADAS ENTRELAZADOS EN PARALELO EN SERIE.
885.- DEBIDO A LA POCA GANACIA DE CORRIENTE QUE SE OBTIENE EN LOS TRANSISTORES DE BASE RELATIVAMENTE GRUESA, SE DESARROLLARON DISEÑOS DE: CONEXION DE PUENTE CONEXION DARLINGTON INTERCONEXION DE ESTRELLA INTERCONEXION DELTA.
886.- HABALNDO DE FISICA DE SEMICONDUCTORES, A LA ZONA DE RUPTURA CONVENCIONAL DE AVALANCHA DE LA UNION DE C-B Y EL FLUJO GRANDE DE CORRIENTE ¿SE LE DENOMINA? RUPTURA RUPTURA SECUNDARIA CUASISATURACION RUPTURA PRIMARIA.
887.- LA FALLA DEL TRANSISTOR BIPOLAR A MENUDO SE ASOCIA A LA RUPTURA ___ INVERSA SECUNDARIA DE AVALANCHA SATURADA.
888.- EN FISICA DE SEMICONDUCTORES, ¿EN QUE ZONA SE OBSERVA LA DIFERENCIA MAS IMPORTANTE ENTRE LAS CARACTERISTICAS I-V DE UN TRANSISTOR DE POTENCIA Y LAS DE UN TRANSISTOR DE NIVEL LOGICO? SATURACION CUASIDOPAJE CUASISATURACION RUPTURA.
889.- ¿POR QUE MOTIVO LOS TRANSISTORES DE NIVEL LOGICO NO MUESTRAN LA CUASISATURACION? POR QUE NO TIENEN ZONA DE AVALANCHA POR QUE NO TIENEN ZONA DE ARRASTRE POR QUE TIENEN UNA ZONA DE ARRASTRE POR QUE TIENEN UNA ZONA DE AVALANCHA.
890.- EN UN TRANSISTOR BJT EN LA ZONA ACTIVA, LA UNION B-E (BASE-EMISOR) ES DE POLARIZACION ________, Y LA UNION C-B, DE POLARIZACION _________ VERTICAL INVERSA-DIRECTA DIRECTA-INVERSA HORIZONTAL.
891.- EN UN TRANSISTOR ¿QUE ES LO QUE CAUSA UNA CORRIENTE DE BASE PEQUEÑA? EL FLUJO DE CORRIENTE UN FLUJO DE CORRIENTE MUCHO MAS GRANDE ENTRE EL COLECTOR Y EL EMISOR UN FLUJO DE CORRIENTE MUCHO MAS PEQUEÑA ENTRE EL COLECTOR Y LA BASE UN FLUJO DE VOLTAJE MUCHO MAS GRANDE ENTRE EL COLECTOR Y EL EMISOR.
892.- ¿EN CUANTAS COMPONENTES SE DIVIDE LA CORRIENTE QUE FLUYE EN EL INTERIOR DEL EN CUATRO EN CINCO EN UNA EN TRES.
893.- HABLANDO DE LAS CUATRO COMPONENTES DE LA CORRIENTE QUE FLUYE EN EL INTERIOR DE UN TRANSISTOR, ES LA CORRIENTE DE DIFUSION QUE PROVIENE DE LA INYECCION DE ELECTRONES DESDE EL EMISOR A LA BASE A FIN DE SOPORTAR LA DISTRIBUCION DE ELECTRONES EN LA BASE LA CORRIENTE PARASITA LA CORRIENTE IFE LA CORRIENTE INE LA CORRIENTE DUAL.
894.- HABLANDO DE LAS CUATRO COMPONENTES DE LA CORRIENTE QUE FLUYE EN EL INTERIOR DE UN TRANSISTOR, ES LA CORRIENTE QUE PROVIENE DE LOS HUECOS GENERADOS TERMICAMENTE EN LA ZONA DE DESPOBLACION C-B Y LUEGO BARRIDOS A ZONA DE BASE POR LOS GRANDES CAMPOS ELECTRICOS EN LA ZONA DE DEGRADACION LA CORRIENTE IPC LA CORRIENTE INE LA CORRIENTE PARACITA LA CORRIENTE IFE.
895.- HABLANDO DE LAS CUATRO COMPONENTES DE LA CORRIENTE QUE FLUYE EN EL INTERIOR DE UN TRANSISTOR, CUANDO LOS ELECTRONES SE DIFUNDEN POR LA BASE, Y LOS QUE SOBREVIVEN A LA RECOMBINACION ARRIBAN A LA ZONA DE DESPOBLACION DE C-B, SE CONOCE COMO CORRIENTE: LA CORRIENTE IPC LA CORRIENTE INE LA CORRIENTE INC LA CORRIENTE IFE.
896.- ¿CUAL ES VALOR DE CORRIENTE EN TRANSISTORES DE NIVEL LOGICO PARA QUE SE GENERE LA CAIDA DE GANANCIA DE CORRIENTE DEL COLECTOR? MAS DE 0.5 A MAS DE 1 A MENOS DE 0.5 A MENOS DE 1 A.
897.- EN ELECTRONICA DE POTENCIA, ¿CUAL ES VALOR DE CORRIENTE EN ALGUNOS DISPOSITIVOS DE POTENCIA PARA QUE SE GENERE LA CAIDA DE GANANCIA DE CORRIENTE DEL COLECTOR? DE 101 A DE 100 A DE 200 A DE 50 A.
898.- HABLANDO DEL COMPORTAMIENTO DEL TRANSISTOR BJT, EN LOS VALORES MAYORES DE LA CORRIENTE DEL COLECTOR, BETA ES: ES INVERSAMENTE PROPORCIONAL AL VOLTAJE DEL COLECTOR ES DIRECTAMENTE PROPORCIONAL A LA CORRIENTE DEL COLECTOR ES MAS U MENOS INVERSAMENTE PROPORCIONAL A LA CORRIENTE DEL COLECTOR ES MAS U MENOS DIRECTAMENTE PROPORCIONAL AL VOLTAJE DEL EMISOR.
899.- EN UN TRANSISTOR BJT ¿QUE MECANISMO CAUSA UNA DISMINUCION DE (BETA)? EL APIÑAMIENTO DEL VOLTAJE DEL COLECTOR LA DISMINUCION DE LA CORRIENTE DEL EMISOR EL APIÑAMIENTO DE LA CORRIENTE DEL EMISOR LA DISMINUCION DE LA CORRIENTE DEL COLECTOR.
900.- HABLANDO DE TRANSISTORES, ES LA IRRUPCION DE INYECCIONES DE ALTO NIVEL Y LA REDUCCION DE BETA QUE CONLLEVA OCURREN EN CORRIENTES TOTALMENTE MAS BAJAS QUE SI LA DENSIDAD DE CORRIENTE SE EXTENDIESE DE MANERA UNIFORME A TRAVES DEL AREA COMPLETA DEL EMISOR EL APIÑAMIENTO DE CORRIENTE EL APIÑAMIENTO DE CORRIENTE DEL EMISOR EL APIÑAMIENTO DE VOLTAJE EL APIÑAMIENTO DE VOLTAJE DE LA BASE.
901.- ¿CON QUE FINALIDAD LOS TRANSISTORES BJT MODERNOS TIENEN SUS EMISORES SEPARADOS EN MUCHAS AREAS RECTANGULARES ANGOSTAS? A FIN DE AUMENTAR EL APIÑAMIENTO DE VOLTAJE A FIN DE AUMENTAR EL APIÑAMIENTO DE CORRIENTE A FIN DE MINIMIZAR EL APIÑAMIENTO DE CORRIENTE A FIN DE MINIMIZAR EL APIÑAMIENTO DE VOLTAJE.
902.- HABLANDO DE FISICA DE SEMICONDUCTORES, EN LA CUASISATURACION OCURRE LA DOBLE INYECCION EN LA REGION DE ARRASTRE DE MANERA SIMILAR A LA DE LA REGION DE DERIVA DEL: TRANSISTOR DE POTENCIA DE POLARIZACION INVERSA DIODO DE POTENCIA DE POLARIZACION DIRECTA DIODO DE POLARIZACION DIRECTA TRANSISTOR DE POLARIZACION HORIZONTAL.
903.- EN LA CUASISATURACION, LA REGION DE ARRASTRE NO SE PONE POR COMPLETO EN _________ POR LA INYECCION DE ALTO NIVEL; POR TANTO, LA DISIPACION DE POTENCIA EN EL BJT ES _______ QUE CUANDO SE ENTRA EN LA SATURACION SEVERA CORTOCIRCUITO-MENOR CORTOCIRCUITO-MAYOR CIRCUITO ABIERTO-MAYOR CIRCUITO ABIERTO-MENOR.
904.- ESTE TIPO DE SATURACION SE OBTIENE CUANDO LA DENSIDAD DE PORTADORES EXCEDENTES LLEGA AL OTRO LADO DE LA REGION DE ARRASTRE DIRECTA INVERSA LOGICA SEVERA.
905.- EN UN TRANSISTOR BJT ¿QUE SE REQUIERE PARA CONMUTAR EL TRANSISTOR DEL ESTADO PASIVO AL ACTIVO? SUMINISTRAR UNA CORRIENTE AL COLECTOR SUMINISTRAR UNA CORRIENTE AL EMISOR SUMINISTRAR UNA CARGA SUMINISTRAR UNA CARGA AL TRANSISTOR.
906.- EN FISICA DE SEMICONDUCTORES, ¿QUE IMPLICA EL APAGADO DE UN TRANSISTOR? RETIRAR TODA LA CARGA ALMACENADA EN EL TRANSISTOR QUITAR LA CARGA ALMACENADA EN EL TRANSISTOR QUITAR LA CARGA QUE SE ENCUENTRA EN EL COLECTOR RETIRAR TODA LA CARGA ALMACENADA EN EL COLECTOR.
907.- ¿QUE SE LOGRA AL REDUCIR LA CORRIENTE DE LA BASE A CERO? ENCENDER EL TRANSISTOR DISPARAR EL TRANSISTOR APAGAR EL TRANSISTOR SATURAR EL TRANSISTOR.
908.- AL PONER LA CORRIENTE DE LA BASE A CERO SE LOGRA APAGAR A UN TRANSISTOR, PERO MEDIANTE ESTE METODO SE TARDARÍA DEMASIADO ¿QUÉ SE HACE DE MODO PRÁCTICO PARA LOGRAR UN APAGADO MÁS RAPIDO? LA CORRIENTE DE LA BASE SE VUELVE NEGATIVA EL VOLTAJE DE LA BASE SE VUELVE POSITIVA SE OBLIGA A LA CORRIENTE DE LA BASE A VOLVERSE NEGATIVA SE OBLIGA AL VOLTAJE DE DEL COLECTOR A VOLVERSE POSITIVA.
909.- EN FISICA DE SEMICONDUCTORES, ¿COMO SE LE LLAMA AL TIEMPO EN UN TRANSISTOR EN DONDE LA CORRIENTE DEL COLECTOR PERMANECE EN SU VALOR DE ESTADO ACTIVO MIENTRAS SE RETIRA LA CARGA EXCESIVA ALMACENADA Q2? TIEMPO DE ALMACENAMIENTO TIEMPO DE ALMACENAMIENTO TS TIEMPO DE RESERVA TIEMPO MEDIO DE ALMACENAMIENTO.
910.- EN FISICA DE SEMICONDUCTORES, ¿QUE SUCEDE DESPUES DEL INTERVALO TS (TIEMPO DE ALMACENAMIENTO) EN UN TRANSISTOR? SE INGRESA LA CUASISATURACION SE INGRESA LA CUASISATURACION Y LA TENSION EMPIEZA A SUBIR CON UNA PENDIENTE LLANA SE INGRESA LA TENSION PARA QUE EMPIECE A SUBIR CON UNA PENDIENTE LLANA SE SATURA EL TRANSISTOR.
911.- CUANDO LA DISTRIBUCION DE CARGA ALMACENADA SE REDUCE A CERO EN EL EXTREMO DE C-B DE LA REGION DE ARRASTRE DESPUES DE UN INTERVALO TRV1, EL TRANSISTOR ENTRA EN LA ZONA ________ SATURACION RUPTURA ACTIVA INVERSA.
912.- HABLANDO DE TRANSISTORES ¿COMO ES ABREVIADO LA DENOMINACION CONMUTACION DARLINGTON MONOLITICO? DM MD CM TR.
913.- ¿CUANTAS DIFERENCIAS CUALITATIVAS IMPORTANTES TIENE EL COMPORTAMIENTO DE TRANSITORIOS DE ENCENDIDO DE UN TRANSISTOR DARLINGTON MONOLITICO COMPARADO CON UN BJT SENCILLO? UNA CUATRO DOS TRES.
914.- ¿COMO ES LA POTENCIA DE ESTADO ACTIVO DE UN TRANSISTOR DARLINGTON MONOLITICO (MD) COMPARADO CON UN BJT DE POTENCIA SENCILLO? ES MENOR ES NEUTRA ES IGUAL ES MAYOR.
915.- ¿COMO ES EL TIEMPO GENERAL DE CONMUTACION AL ESTADO ACTIVO EN UN TRANSISTOR MD COMPARADO CON UN BJT SENCILLO? ES MAS LENTO ES MAS RAPIDO ES MAS CORTO ES MAS LARGO.
916.- CUANDO UN TRANSISTOR BJT ESTA EN ESTADO DE BLOQUEO ¿QUE UNION DEBE SOPORTAR LA TENSION APLICADA? LA UNION B-E LA UNION E-C LA UNION E-B LA UNION B-C.
917.- EN FISICA DE SEMICONDUCTORES, ¿CUAL ES EL RANGO DE TENSION DE RUPTURA DE UN TRANSISTOR BJT? DE 1 A 15 V DE -5 A 15 V DE 4 A 20 V DE 5 A 20 V.
918.- EN FISICA DE SEMICONDUCTORES, LO QUE APARECE EN LAS CARACTERISTICAS DE SALIDA DEL BJT COMO UNA CAIDA EN PICADA DE LA TENSION DE COLECTOR-EMISOR CON GRANDES CORRIENTES DEL COLECTOR, SE LE CONOCE COMO: RUPTURA SECUNDARIA RUPTURA PRIMARIA CONTROL DE RUPTURA CONTROL DE APERTURA.
919.- EL RIESGO PARTICULAR DE LA RUPTURA SECUNDARIA PARA UN TRANSISTOR BJT, ES QUE LA DISIPACION NO SE EXTIENDE DE MANERA UNIFORME A TRAVES DEL VOLUMEN ENTERO DEL DISPOSITIVO, SINO QUE SE CONCENTRA EN ZONAS MUY LOCALIZADAS DONDE LA TEMPERATURA LOCAL PUEDE SUBIR MUY RAPIDO A VALORES DE ALTURA INACEPTABLE ¿QUE SUCEDE SI ESA SITUACION NO TERMINA EN UN TIEMPO MUY BREVE? PROVOCARA LA DESTRUCCION DEL TRANSISTOR PROVOCARA LA RUPTURA DEL DISPOSITIVO PROVOCARA LA DESTRUCCION DELL DISPOSITIVO PROVOCARA LA RUPTURA DEL TRANSISTOR.
920.- DE ACUERDO A LA FISICA DE SEMICONDUCTORES, ¿ES UNA DE LAS CLAVES PARA EVITAR LA RUPTURA SECUNDARIA? CONTROLAR EL DISPARO DEL VOLTAJE CONTROLAR LA DISIPACION TOTAL DE POTENCIA CONTROLAR EL DISPARO DE LA POTENCIA CONTROLAR EL DISPARO DE LA CORRIENTE.
921.- DE ACUERDO A LA FISICA DE SEMICONDUCTORES, ¿ES UNA DE LAS CLAVES PARA EVITAR LA RUPTURA SECUNDARIA? EVITAR LA UNIFORMIDAD DE DENSIDAD DE LA ENERGIA EVITAR TODA LA FALTA DE UNIFORMIDAD DE DENSIDAD DE LA CORRIENTE EVITAR LA UNIFORMIDAD DE DENSIDAD DEL VOLTAJE LA FALTA DE UNIFORMIDAD DE DENSIDAD DE LA ENERGIA.
922.- SALVO EN FRECUENCIAS ALTAS DE CONMUTACION, CASI TODA LA POTENCIA DISIPADA EN EL MODO DE OPERACION CONMUTADO DE UN BJT OCURRE CUANDO EL TRANSISTOR ESTA EN ESTADO ACTIVO, POR LO REGULAR, EN SATURACION ________ INVERSA DIRECTA SEVERA SIMPLE.
923.- ¿COMO SE ABREVIAN LAS AREAS DE OPERACION SEGURA DE UN TRANSISTOR POR SUS SIGLAS EN INGLES? ASA OSA SOA AST.
924.- EN DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES, ¿CUANTOS SOA (AREA DE OPERACION SEGURA) SEPARADOS SE USAN EN EL CONJUNTO DE UN TRANSISTOR BJT? TRES DOS CUATRO UNA.
925.- DE ACUERDO A LA FISICA DE SEMICONDUCTORES, ¿COMO ES ABREVIADO EL AREA DE OPERACION SEGURA DE POLARIZACION DIRECTA POR SUS SIGLAS EN INGLES? FBASO DPSOA AOSPD FBSOA.
926.- DE ACUERDO A FISICA DE SEMICONDUCTORES, ¿COMO ES ABREVIADO EL AREA DE OPERACION SEGURA DE POLARIZACION INVERSA POR SUS SIGLAS EN INGLES? RBSOA AOSRB RBAOS RECOA.
927.- ESTOS TERMINOS SE REFIEREN A QUE LA FUENTE DE POLARIZACION DE LA CORRIENTE DE BASE PONE A LA UNION B-E EN POLARIZACION DIRECTA O INVERSA POLARIZACION DIRECTA POLARIZACION INVERSA POLARIZACION DIRECTA Y POLARIZACION INVERSA POLARIZACION INVERSA E INDIRECTA.
928.- ¿DESDE QUE DECADA ESTAN DISPONIBLES LOS TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO POR SEMICONDUCTOR DE OXIDO METALICO (MOSFET)? DESDE LA DECADA DE 1980 DESDE LA DECADA DE 1960 DESDE LA DECADA DE 1990 DESDE LA DECADA DE 1970.
929.- EN FISICA DE SEMICONDUCTORES, ¿EN QUE APLICACIONES EN ESPECIALES ESTAN REEMPLAZANDO LOS TRANSISTORES MOSFET A LOS BJT? IMPORTA MUCHO LAS VELOCIDADES ALTAS EN LAS QUE NO IMPORTAN LAS VELOCIDADES ALTAS EN LAS QUE NO SON IMPORTANTES LAS VELOCIDADES DE CONMUTACION EN LAS QUE SON IMPORTANTES LAS VELOCIDADES DE CONMUTACION ALTAS.
930.- UN ___ DE POTENCIA TIENE UNA ESTRUCTURA DE ORIENTACION VERTICAL DEL DOPAJE ALTERNO DE TIPO P Y TIPO N , PARA UNA CELDA INDIVIDUAL DE LAS MULTIPLES CELDAS PARALELAS DE UN DISPOSITIVO COMPLETO FET MOSFET BJT JT.
931.- DE ACUERDO A FISICA DE SEMICONDUCTORES, ¿COMO SE LE LLAMA A LA CAPA CENTRAL DE TIPO P DE UN MOSFET? FET CUERPO MOSFET CENTRAL.
932.- HABLANDO DE TRANSISTOR MOSFET ¿QUE ES EL CUERPO? ES LA ZONA DONDE SE ESTABLECE EL CANAL EL CANAL ES LA ZONA DONDE SE ESTABLECE EL CANAL ENTRE FUENTE Y DRENAJE EL CANAL ENTRE FUENTE Y DRENAJE.
933.- ¿CUALES SON LAS TRES TERMINALES QUE TIENE UN TRANSISTOR MOSFET? FUENTE DRENAJE Y BASE COMPUERTA BASE Y COLECTOR EMISOR BASE Y COLECTOR COMPUERTA FUENTE Y DRENAJE.
934.- ¿QUE DETERMINA LA REGION DE ARRASTRE DE UN MOSFET? LA ENERGIA DE RUPTURA DEL DISPOSITIVO EL VOLTAJE DE RUPTURA DEL DISPOSITIVO LA TENSION DE RUPTURA DEL DISPOSITIVO LA CORRIENTE DE RUPTURA DEL DISPOSITIVO.
935.- HABLANDO DE TRANSISTORES MOSFET ¿QUE SE ENTIENDE POR VDMOS? MOSFET DE DIFUSION HORIZANTAL MOSFET DE DIFUSION VERTICAL BJT DE DIFUSION VERTICAL BJT DE DIFUSION HORIZONTAL.
936.- ¿COMO SE ABREVIA O SE REPRESENTA MOSFET DE DIFUSION VERTICAL? VDMOS VDMAZ BDNOZ BDNOS.
937.- ¿CUANTOS TIPOS DE MOSFET REFERENTE A SU CANAL EXISTEN? TRES DOS UNA CUATRO.
938.- ¿CUALES SON LOS TIPOS DE MOSFET QUE EXISTEN REFERENTE A SU CANAL? DE CANAL NP Y DE CANAL PN DE CANAL NN Y DE CANAL PP DE CANAL PN Y DE CANAL PN DE CANAL N Y DE CANAL P.
939.- DE ACUERDO A FISICA DE SEMICONDUCTORES, ¿CUANTAS TERMINALES TIENE UN MOSFET? TRES DOS CUATRO UNA.
940.- ¿COMO SE LE LLAMA A LA TERMINAL DE ENTRADA DE UN MOSFET? EMISOR COMPUERTA COLECTOR FUENTE.
941.- DE ACUERDO A FISICA DE SEMICONDUCTORES, ¿QUE CONTROLA LA TERMINAL COMPUERTA DE UN MOSFET? CONTROLA EL FLUJO DE VOLTAJE ENTRE LAS TERMINALES DE SALIDA CONTROLA EL FLUJO DE CORRIENTE ENTRE LAS TERMINALES DE ENTRADA CONTROLA EL FLUJO DE CORRIENTE ENTRE LAS TERMINALES DE SALIDA CONTROLA EL FLUJO DE VOLTAJE ENTRE LAS TERMINALES DE ENTRADA.
942.- ¿COMO SE LLAMAN LAS TERMINALES DE SALIDA DE UN MOSFET? COLECTOR Y EMISOR FUENTE Y DRENAJE DRENAJE Y BASE FUENTE Y COMPUERTA.
943.- EN APLICACIONES DE ELECTRONICA DE POTENCIA, EL MOSFET SIRVE COMO INTERRUPTOR PARA CONTROLAR EL FLUJO DE POTENCIA A LA CARGA DE UNA MANERA ________ AL BJT ANALOGICA DIGITAL ANALOGICA-DIGITAL DIGITAL-ANALOGICA.
944.- DE ACUERDO A FISICA DE SEMICONDUCTORES, CUANDO LA TENSION DE COMPUERTA-FUENTE DE UN MOSFET ES MENOR QUE LA TENSION DE UMBRAL VGS(TH), SE DICE QUE ESTA: EN ESTRANGULAMIENTO EN ZONA ACTIVA EN ZONA ABIERTA EN ZONA DIRECTA.
945.- ¿COMO SE LE LLAMA A LA ZONA DE UN MOSFET LA CUAL ES EL EQUIVALENTE DE LA ZONA DE SATURACION DE UN BJT? ESTRANGULAMIENTO ZONA INVERSA ZONA ACTIVA ZONA DIRECTA.
946.- ¿CON QUE MOTIVO SE LE LLAMA ZONA ACTIVA EN UN MOSFET Y ZONA DE SATURACION EN UN BJT? POR QUE SON DIFERENTES POR QUE UNA ZONA ES DE UN MOSFET Y LA OTRA DE UN BJT PARA EVITAR CONFUSION PARA CONFUNDIRLAS.
947.- ¿COMO ES LA CURVA DE TRANSFERENCIA DE UN MOSFET? EXPONENCIAL LINEAL LOGARITMICA CUADRATICA.
948.- EN LAS CARACTERISTICAS DE LOS MOSFET, LA PARTE DE LA COMPUERTA CONSTA DE LA METALIZACION DE LA COMPUERTA, EL DIOXIDO DE SILICIO DEBAJO DEL CONDUCTOR, QUE SE DENOMINA OXIDO DE LA COMPUERTA, Y EL SILICIO DEBAJO DEL OXIDO. ESTA ZONA FORMA UN CONDENSADOR (O CAPACITOR) DE ALTA CALIDAD, Y A VECES SE LE DENOMINA: RELEVADOR MOSFET CONDENSADOR MOS CONDENSADOR FET RELEVADOR BJT.
949.- EN FISICA DE SEMICONDUCTORES, EL POLISILICIO, METALES REFRACTORIOS COMO EL TUNGSTENO Y OTROS METALES SE HAN USADO EN DISPOSITIVOS _________ FET BJT MOS MOSFET.
950.- ¿COMO SE REPRESENTA EL FACTOR DE CAPACITANCIA DE OXIDO POR UNIDAD DE SUPERFICIE? COX COS SEN FCO.
951.- EN UN MOSFET ¿COMO ES LA TENSION DE UMBRAL? DIRECTAMENTE PROPORCIONAL A LA CAPACITANCIA INVERSAMENTE PROPORCIONAL A LA CAPACITANCIA DE OXIDO POR UNIDAD DE SUPERFICIE -COX- DIRECTAMENTE PROPORCIONAL A LA INDUCTANCIA DE OXIDO POR UNIDAD DE SUPERFICIE -COZ- INVERSAMENTE PROPORCIONAL A LA INDUCTANCIA.
952.- LOS AJUSTES MENORES DE LA TENSION DE UMBRAL DURANTE LA FABRICACION DE UN MOSFET SE HACEN POR MEDIO DE LA IMPLANTACION DE ______ DE IMPUREZAS EN LA ZONA DEL CUERPO JUSTO DEBAJO DEL OXIDO DE LA _________ CELDAS-PLACA ELCTRONES-BASE IONES-COMPUERTA IONES-BASE.
953.- LOS MOSFET SON INTRINSECAMENTE MAS RAPIDOS QUE LOS DISPOSITIVOS BIPOLARES PORQUE NO TIENEN PORTADORES ____ EXCEDENTES QUE SE DEBAN INTRODUCIR O SACAR DEL DISPOSITIVO CUANDO SE ENCIENDE O _______ MINORITARIOS-APAGA MAYORITARIOS-APAGA INVERSOS-EJECUTA MAYORITARIOS-ELIMINA.
954.- ¿CUANDO ENTRA EN LA ZONA OHMICA UN MOSFET? CUANDO VCC ES IGUAL QUE VGS-VGS-TH- CUANDO VDC ES IGUAL O MENOR QUE VGS-VGS-TH- CUANDO VCC ES IGUAL O MAYOR QUE VGS-VGS-TH- CUANDO VDC ES MAYOR QUE VGS-VGS-TH-.
955.- EL APAGADO DEL MOSFET IMPLICA LA SECUENCIA INVERSA DE EVENTOS QUE OCURRIERON DURANTE EL ________ APAGADO EL TIEMPO DE VIDA FUNCIONAMIENTO ENCENDIDO.
956.- EL MISMO PLANTEAMIENTO ANALITICO BASICO QUE SE EMPLEA PARA ENCONTRAR LAS FORMAS DE ONDA DE CONMUTACION SIRVE PARA ENCONTRAR LAS FORMAS DE ONDA DE _________ PROPAGACION APAGADO ENCENDIDO TRANSMISION.
957.- ¿CUALES SON LAS DOS TENSIONES ESPECIFICAS QUE NO SE DEBEN EXCEDER EN UN MOSFET? VGS-MAX- Y BVD VGS-MIN Y BVDSS VGS-MAX- Y BVDSS VGS-MIN- Y BVD.
958.- EN UN MOSFET ¿CON QUE VALORES DE CAMPO ELECTRICO SE ROMPE EL SIO2 TERMICAMENTE CULTIVADO DE BUENA CALIDAD? DEL ORDEN DE 5X10^9 A 10X10^9 V/MM DEL ORDEN DE 7X10^16 A 10X10^6 V/MM DEL ORDEN DE 7X10^16 A 10X10^16 V/CM DEL ORDEN DE 5X10^6 A 10X10^6 V/CM.
959.- HABLANDO DE MOSFET, SI CUENTA CON UN OXIDO DE COMPUERTA DE UN ESPESOR DE 1000 Å ¿QUE VOLTAJE DE COMPUERTA-FUENTE PUEDE RESISTIR EN TEORIA? DE 60 A 120 V DE 50 A 100 V DE 30 A 110 V DE 55 A 100 V.
960.- EN UN MOSFET ¿QUE PUEDE LLEGAR A SIGNIFICAR UNA RUPTURA DEL OXIDO DE COMPUERTA? QUE NO FUNCIONE UNA AVERIA PERMANENTE DEL DISPOSITIVO UNA AVERIA UNA PERTURBACION DEL DISPOSITIVO.
961.- SALVO CON FRECUENCIAS DE CONMUTACION MAYORES, CASI TODA LA POTENCIA DISIPADA EN UN MOSFET EN UNA APLICACION DE POTENCIA DE MODO CONMUTADO OCURRE CUANDO EL DISPOSITIVO ESTA EN ESTADO SOLIDO ACTIVO LIQUIDO DE CONMUTACION.
962.- ¿CUANTOS COMPONENTES DE RESISTENCIA EN UN MOSFET, SE VEN AFECTADOS TANTO POR LA POLARIZACION DE COMPUERTA-FUENTE COMO POR CONSIDERACIONES DE DOPAJE Y DIMENSIONES? CINCO TRES UNO DOS.
963.- ¿CUÁLES SON LOS COMPONENTES DE RESISTENCIA DE UN MOSFET LOS CUALES SE VEN AFECTADOS TANTO POR LA POLARIZACION DE COMPUERTA-FUENTE COMO POR CONSIDERACIONES DE DOPAJE Y DIMENSIONES? LA DE CANAL Y LA DE LA CAPA DE ACUMULACIÓN LA DE CANAL LA CAPA DE ACUMULACIÓN LA CAPA DE ACUMULACIÓN DIRECTA.
964.- ¿COMO SE PUEDEN EVITAR LAS OSCILACIONES DE ALTA FRECUENCIA NO DESEADAS EN LOS MOSFET? CON LA IMPLEMENTACION DE UNA CORRIENTE DESAMORTIGUADORA CON LA INDUCCION DE UN VOLTAJE AMORTIGUADOR CON LA IMPLEMENTACION DE UNA RESISTENCIA AMORTIGUADORA CON LA INDUCCION DE UNA RESISTENCIA QUE AMORTIGüE.
965.- ¿QUE ES LO QUE GENERA LAS OSCILACIONES DE ALTA FRECUENCIA NO DESEADAS EN LOS MOSFET? LAS CAPACITANCIAS DE LA COMPUERTA LAS INDUCTANCIAS PARASITÍCAS LAS CAPACITANCIAS PARASITÍCAS EN COMBINACION CON LAS INDUCTACIAS DE LA COMPUERTA LAS INDUCTANCIAS PARASITÍCAS EN COMBINACION CON LAS CAPACITANCIAS DE LA COMPUERTA.
966.- ¿CUAL ES UNA DE LAS CONSIDERACIONES QUE SE DEBEN TENER EN CUENTA PARA LA CONEXION DE MOSFET EN PARALELO? POSICION SIMETRICA DISPOSICION SIMETRICA POSICION ASIMETRICA LA SIMETRIA.
967.- ¿QUE DISPOSITIVO TIENE UN MOSFET COMO PARTE INTEGRAL DE SU ESTRUCTURA? BASE EMISOR BJT COLECTOR.
968.- EL CUERPO DEL MOSFET SIRVE COMO______ DEL BJT PARASITO BASE COLECTOR EMISOR COMPUERTA.
969.- LA FUENTE DEL MOSFET SIRVE COMO ________ DEL BJT PARASITO BASE COLECTOR EMISOR COMPUERTA.
970.- EL DRENAJE DEL MOSFET SIRVE COMO ________ DEL BJT PARASITO BASE EMISOR COMPUERTA COLECTOR.
971.- ES MUY NECESARIO QUE EL BJT PARASITO DE UN MOSFET SE MANTENGA _______ EN TODO MOMENTO, MANTENIENDO EL POTENCIAL DE LA BASE O PARASITA LO MAS CERCANO POSIBLE AL POTENCIAL DE LA ________ LATENTE-COMPUERTA ENERGIZADO-FUENTE CORTADO-FUENTE IONIZADO-COMPUERTA.
972.- EN LOS MOSFET, ¿CUAL ES LA UNICA MANERA DE PODER APAGAR UN BJT PARASITO DE UN MOSFET CUANDO ACURRE EL LATCHUP? INTERRUMPIENDO EL FLUJO DE LA CORRIENTE DE DRENAJE EXTERNO AL DISPOSITIVO CORTANDO EL FLUJO DE VOLTAJE DE DRENAJE EXTERNO AL MOSFET INTERRUMPIENDO EL FLUJO DE LA CORRIENTE DE DRENAJE INTERNO AL MOSFET CORTANDO EL FLUJO DE POTENCIAL DE DRENAJE INTERNO AL MOSFET.
973.- EN UN MOSFET, ¿CUANTOS FACTORES DETERMINAN AL AREA DE OPERACION SEGURA (AOS)? UNO CUATRO DOS TRES.
974.- ¿CUALES SON LOS FACTORES QUE DETERMINAN AL AREA DE OPERACION SEGURA (AOS)? TEMPERATURA EXTERNA DE UNION Y LA CORRIENTE DE DRENAJE MINIMA CORRIENTE DE RUPTURA TEMPERATURA EXTERNA DE UNION Y LA TENSION DE RUPTURA MAXIMA CORRIENTE DE DRENAJE TEMPERATURA INTERNA DE UNION Y LA TENSION DE RUPTURA TEMPERATURA INTERNA DE UNION Y LA TENSION DIRECTA.
975.- ¿COMO SE REPRESENTA LA MAXIMA CORRIENTE DE DRENAJE DEL AREA DE OPERACION SEGURA (AOS)? IMD MDI HDMI IDM.
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