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Tema 3- La escala atómica de los materiales metálicos

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Título del Test:
Tema 3- La escala atómica de los materiales metálicos

Descripción:
Tema 3 Ciencia de los materiales

Fecha de Creación: 2024/07/04

Categoría: Ciencia

Número Preguntas: 28

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Temario:

En general, los materiales con estructura CCC son más densos que los que tienen estructura CCI. Verdadero. Falso.

Las estructuras CCI y CCC presentan intersticios regulares, mientras que, en la estructura HC, los intersticios son irregulares. Verdadero. Falso.

La estructura HC es una red de Bravais. Verdadero. Falso.

Una de las estructuras cristalinas que sigue no es típica en los metales: Cúbica simple. Cúbica centrada en las caras. Cúbica centrada en el interior.

En la estructura CCI, la relación entre el radio del átomo (r) y la arista de la celdilla (a) es: a=4r/√2. a=2r/√3. a=4r/√3. a=2r/√2.

El área del plano (101) en una celdilla CCI es: 4√(3r^2). (16/√3)r^2. (16/√2r^2)/3.

Entre las siguientes características, ¿cuál no corresponde a una estructura CCI?. 2 átomos/celdilla. Direcciones de máxima fracción de empaquetamiento lineal: <111>. fv =0.68. 1 intersticio octaédrico/átomo.

En una estructura CCI, una dirección de máxima fracción de empaquetamiento lineal es: [100]. [1-10]. [11-1]. Ninguna de las anteriores opciones es correcta.

El área del plano (101) en una celdilla CCC es: 4r√3. 8r^2√2. (16r^2√2)/3.

En una estructura CCC, un plano de máxima fracción de empaquetamiento superficial: (111). (010). (110). Ninguna de las anteriores opciones es correcta.

Las estructuras cristalinas CCC yHC poseen: Igual número de coordinación y distinta fracción de empaquetamiento. Igual número de intersticios tetraédricos e igual fracción de empaquetamiento. Igual número de coordinación y distinto número de intersticios tetraédricos. Igual número de átomos por celdilla e igual fracción de empaquetamiento.

En relación con las celdillas CCC y HC, una de las siguientes afirmaciones es incorrecta: Los intersticios octaédricos son mayores que los tetraédricos. El número de intersticios octaédricos es el doble que el de los tetraédricos. Los intersticios octaédricos y tetraédricos son regulares (simétricos). Ambas se originan con apilamientos de secuencia ABCABC...

El número de coordinación presentado por metales que tienen una estructura de máxima fracción de empaquetamiento es: 6. 8. 10. 12.

¿Cuál de las parejas siguientes tiene una fracción de empaquetamiento de 0.74?. CCI y CS. CCC y HC. CCC y CCI. CS y HC.

En una celdilla HC, la relación n°de intersticios octaédricos/n° de átomos es de: 0.50. 1. 1.50. 2.

Una delas siguientes afirmaciones acerca de una celdilla HC es incorrecta: Tiene seis intersticios octaédricos. Tiene un intersticio tetraédrico por cada átomo. Tiene planos de máxima fracción de empaquetamiento superficial. Tiene seis átomos por celdilla.

¿Cuál será al razón c/a en una estructura HC para obtener una fracción de empaquetamiento de 0.74?. 0.816. 1.632. 2.448.

En relación a los intersticios de las estructuras cristalinas CCC, CCI y HC: Los octaédricos son siempre mayores que los tetraédricos. Los octaédricos resultan mayores que los tetraédricos solo en las estructuras de máxima fracción de empaquetamiento volumétrico. En la estructura CCI, solo los intersticios tetraédricos presentan una forma no regular.

Podemos decir que la estructura CCC surge a partir de un apilamiento de planos de máxima fracción de empaquetamiento superficial, de secuencia ABABA... Verdadero. Falso.

En relación a las estructuras cristalinas metálicas. Los materiales más deformables son aquellos que presentan planos de deslizamiento de menor fracción de empaquetamiento superficial. Los materiales con estructura cristalina HC suelen ser muy deformables. Los materiales con estructura cristalina CCC son más deformables que los de estructura CCI.

Los planos de deslizamiento (100) de al estructura CCI son planos de máxima fracción de empaquetamiento superficial. Verdadero. Falso.

Si, en un sistema cúbico, con átomos de un único tipo, la relación entre el radio atómico y el parámetro de red es de √3/8, ¿cuál sería el mayor número de átomos por celdilla posible de entre los indicados?. 4. 8. 16.

El volumen de una SSI prácticamente no cambia respecto del volumen del disolvente, pero su masa sí. Verdadero. Falso.

Para incrementar la solubilidad de dos elementos en estado sólido resultan adecuadas las siguientes características, excepto una: Tamaños atómicos parecidos. La misma estructura cristalina. Dureza similar. Electronegatividad parecida.

En una solución sólida sustitutiva puede suponerse que, aproximadamente: La densidad de la solución es igual a la del disolvente puro. La masa de la solución es igual a la del disolvente puro. El volumen de la solución es igual al del disolvente puro. Ninguna de las afirmaciones anteriores es correcta.

Las soluciones sólidas de sustitución: Conservan la estructura cristalina del elemento con radio atómico mayor. Se ven favorecidas con distintas estructuras electrónicas de los elementos. De tipo ordenadas, se forman en al solidificación durante el enfriamiento lento del sólido. Se forman si, y solos si , la diferencia de tamaño entre los átomos es menor al 15 %.

En una solución sólida en la que el disolvente es hierro: Los átomos de H, B o Ni pueden actuar como átomos de soluto intersticiales. Los átomos de Ni pueden actuar como átomos de soluto sustitutivos y los de Cr, como átomos de soluto intersticiales. Los átomos de C o N pueden actuar como átomos de soluto intersticiales y los de Ni, como átomos de soluto sustitutivos. Ninguna de las anteriores opciones es correcta.

El Fe, a temperatura ambiente, presenta una estructura CCI, mientras que, a 1000 °C, su estructura es CCC. Comparando el material a ambas temperaturas: A 1000 °C, el Fe puede disolver una mayor cantidad de C debido a que presenta intersticios de mayor tamaño. A temperatura ambiente, el Fe puede disolver una mayor cantidad de C debido a que presenta una menor fracción de empaquetamiento. El hierro no puede disolver C debido a que ambos elementos tienen un tamaño atómico parecido.

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