Tema 8
COMENTARIOS |
ESTADÍSTICAS |
RÉCORDS
|
Título del Test:
 Tema 8 Descripción: Difusión de los materiales |
Nuevo Comentario| Comentarios |
|---|
NO HAY REGISTROS |
|
¿Cuál es la fuerza promotora principal de la difusión en un material?. Diferencia de temperatura entre zonas del material. Gradiente de concentración. Presión aplicada externamente. Respecto a los modos de difusión, ¿Cuál tiene la mayor energía de activación?. Difusión superficial. Difusión por límites de grano. Difusión en volumen. La autodifusión en metales puros depende principalmente de: Energía de activación de los defectos. Factor de empaquetamiento. Presión externa. En la difusión intersticial frente a la difusión sustitucioanal: La difusión intersticial requiere más energía de activación que la sustitucional. La difusión intersticial es más rápida porque los átomos son más pequeños. La difusión sustitucional es independiente de la temperatura. Respecto a la segunda Ley de Fick, cuál de estas afirmaciones es correcta: La concentración de átomos no varía con el tiempo. La difusividad depende del tiempo. La concentración de átomos de soluto cambia con el tiempo. En el contexto industrial, la difusión es importante para: Generar microgrietas en aleaciones. Tratamientos de homogeneización, cementación, nitruración y dopado de semiconductores. Disminuir la densidad de los materiales metálicos. En un material con grano muy fino, la difusión a través de límites de grano: Es despreciable frente a la difusión en volumen. Compite con la difusión en volumen. Siempre es más lenta que la difusión intersticial. La difusión es mas rápida a alta temperatura porque: Aumenta el número de vacantes y la energía de los átomos. Disminuye el coeficiente de difusión. Se reduce la concentración de soluto. La autodifusión en metales puros se refiere a: Movimiento de átomos de un mismo tipo dentro del mismo metal. Movimiento de impurezas intersticiales. Difusión a través de límites de grano únicamente. La difusión a través de superficies y límite de grano: Tiene menor energía de activación que la difusión en volumen. Siempre es más lenta que la difusión volumétrica. No depende de la temperatura. El proceso de dopado de silicio mediante difusión se utiliza para: Fabricar circuitos integrados. Homogeneizar aleaciones de acero. Crear vacantes Frenkel. La energía de activación para difusión sustitucional es mayor que para difusión intersticial porque: Los átomos deben intercambiar posiciones con otros átomos existentes. Los átomos pequeños se mueven más lentamente. La difusión intersticial siempre requiere más energía. |