t.1

En un semiconductor de tipo N, los portadores mayoritarios de carga son: Huecos. Electrones. Iones positivos del dopante.

El bismuto se clasifica como un elemento: Trivalente. Tetravalente. Pentavalente.

Si se eleva la temperatura de un semiconductor intrínseco, su resistencia: Aumenta. Disminuye. Permanece constante.

Las impurezas tipo P presentan en su capa de valencia: Tres electrones. Cinco electrones. Cuatro electrones.

Los semiconductores de uso más común en dispositivos electrónicos son: Cobre y aluminio. Bismuto y fósforo. Silicio y germanio.

La anchura de la banda prohibida, también llamada energía gap, resulta mayor en los materiales: Conductores. Aislantes. Semiconductores.

Un semiconductor intrínseco se comporta básicamente como un: Conductor ideal. Superconductor. Aislante.

El fósforo se considera un elemento: Aceptante. Donante. Intrínseco.

¿Cuál es la relación correcta sobre los electrones de valencia en conductores, aislantes y semiconductores?. Conductores: 1 a 3; aislantes: 5 a 8; semiconductores: 4. Conductores: 4; aislantes: 1 a 3; semiconductores: 5 a 8. Conductores: 5 a 8; aislantes: 4; semiconductores: 1 a 3.

El galio, cuando se añade a un semiconductor, actúa como una impureza tipo: N. Intrínseca. P.

¿En qué tipo de material la banda de valencia y la banda de conducción se encuentran solapadas?. Conductor. Aislante. Semiconductor puro.

Si aumenta la concentración de impurezas en un semiconductor dopado, su conductividad será: Menor. Mayor. Nula.