E5

401.- EL CIRCUITO BÁSICO DE CADA FAMILIA LÓGICA DIGITAL EN CI ES UNA COMPUERTA: NAND O NOR. AND O OR. XNOR O XNAND. NOR O NOT.

402.- HABLANDO DE LAS FAMILIAS DE LÓGICA DIGITAL, QUE SIGNIFICAN LAS SIGLAS CMOS: METAL ÓXIDO SEMICONDUCTOR. METAL ÓXIDO SEMICONDUCTOR COMPLEMENTARIO. METAL ÓXIDO SEMICONDUCTOR ACOPLADO. METAL ÓXIDO COMPLEMENTARIO SEMICONDUCTOR.

403.- LA ASIGNACIÓN DE 1 BINARIO A H (HIGH) DA PIE A UN SISTEMA DE LÓGICA: POSITIVA. DISCRETA. DIRECTA. INVERSA.

404.- LAS PRIMERAS CUATRO FAMILIAS DE LÓGICA DIGITAL (RTL, DTL, TTL Y ECL), USAN TRANSISTORES: BJT. JFET. FET. CMOS.

405.- ESPECIFICA EL NÚMERO DE CARGAS ESTANDAR QUE ES POSIBLE CONECTAR A LA SALIDA DE LA COMPUERTA SIN DEGRADAR SU FUNCIONAMIENTO NORMAL: ABANICO DE ENTRADA. ABANICO DE SALIDA. UMBRAL DE CARGA. UMBRAL DE SALIDA.

406.- ES EL NÚMERO MÁXIMO DE ENTRADAS QUE ES POSIBLE CONECTAR A LA SALIDA DE UNA COMPUERTA Y SE EXPRESA CON UN NÚMERO: ABANICO DE SALIDA. ABANICO DE CARGA. UMBRAL DE CARGA. UMBRAL DE SALIDA.

407.- SE CALCULA A PARTIR DE LA CANTIDAD DE CORRIENTE QUE ESTA DISPONIBLE EN LA SALIDA DE UNA COMPUERTA Y LA CANTIDAD DE CORRIENTE QUE CADA ENTRADA DE UNA COMPUERTA NECESITA: ABANICO DE SALIDA. ABANICO DE UMBRAL. ABANICO DE ENTRADA. ABANICO DE CARGA.

408.- ES EL TIEMPO MEDIO DE TRANSICIÓN QUE LA SEÑAL TARDA EN PROPAGARSE DE LA ENTRADA A LA SALIDA DE UNA COMPUERTA, CUANDO LA SEÑAL BINARIA CAMBIA DE VALOR: RETARDO DE SEÑAL. RETARDO DE TIEMPO. RETARDO DE PROPAGACIÓN. RETARDO DEL PROCESO.

409.- TODAS LAS COMPUERTAS CONECTADAS A ENTRADAS EXTERNAS CONSTITUYEN EL _________________ DEL CIRCUITO. PRIMER NIVEL LÓGICO. SEGUNDO NIVEL LÓGICO. ABANICO DE SALIDA. ABANICO DE CARGA.

410.- ESTE RUIDO SE DEBE A UNA DERIVA EN LOS NIVELES DE VOLTAJE DE UNA SEÑAL: RUIDO ELÉCTRICO. RUIDO BLANCO. RUIDO DE CORRIENTE CONTINUA. RUIDO DIGITAL.

411.- ESTE RUIDO ES UN PULSO ALEATORIO QUE PODRÍA TENER SU ORIGEN EN OTRAS SEÑALES DE CONMUTACIÓN. RUIDO DIGITAL. RUIDO ELÉCTRICO. RUIDO DE CORRIENTE CONTINUA. RUIDO BLANCO.

412.- ES EL VOLTAJE MÁXIMO DE RUIDO AÑADIDO A UNA SEÑAL DE ENTRADA DE UN CIRCUITO DIGITAL QUE NO CAUSA UN CAMBIO INDESEABLE EN LA SALIDA DEL CIRCUITO: IMAGEN DE RUIDO. RUIDO DE CD. IMAGEN DE DISTORSIÓN. RUIDO DIGITAL.

413.- LOS TRANSISTORES BIPOLARES EMPLEADOS EN CIRCUITOS INTEGRADOS DIGITALES, SE HACEN CON ___________ Y SUELEN SER DEL TIPO ______. SILICIO/NPN. GERMANIO/NPN. SILICIO/PNP. GERMANIO/PNP.

414.- DENTRO DE LAS CARACTERÍSTICAS DE OPERACIÓN DE LOS TRANSISTORES BIPOLARES APLICADO A CIRCUITOS DIGITALES, SI EL VOLTAJE BASE EMISOR ES MENOR QUE 0.6 V, SE DICE QUE EL TRANSISTOR ESTA EN: CORTE. SATURACIÓN. ABIERTO. REGIÓN ACTIVA.

415.- DENTRO DE LAS CARACTERÍSTICAS DE OPERACIÓN DE LOS TRANSISTORES BIPOLARES APLICADO A CIRCUITOS DIGITALES, EN LA _______________, EL VOLTAJE DEL COLECTOR VCE, PUEDE TENER CUALQUIER VALOR ENTRE APROXIMADAMENTE 0.8 V Y VCC. REGIÓN ACTIVA. REGIÓN DE SATURACIÓN. REGIÓN DE CORTE. REGIÓN DE TRABAJO.

416.- DENTRO DE LAS CARACTERÍSTICAS DE OPERACIÓN DE LOS TRANSISTORES BIPOLARES APLICADO A CIRCUITOS DIGITALES, EL VOLTAJE ________________ NO ES EXACTAMENTE CERO EN LA REGIÓN DE SATURACIÓN, PERO NORMALMENTE ANDA CERCA DE 0.2 V. COLECTOR BASE VCB. COLECTOR EMISOR VCE. VCC. BASE EMISOR VBE.

417.- DENTRO DE LAS CARACTERÍSTICAS DE OPERACIÓN DE LOS TRANSISTORES BIPOLARES APLICADO A CIRCUITOS DIGITALES, CUANDO EL TRANSISTOR ESTÁ CONDUCIENDO, SEA EN LA REGIÓN ACTIVA O LA DE SATURACIÓN, EL VOLTAJE BASE EMISOR SERÁ APROXIMADAMENTE: 0.5 V. 05 V. 07 V. 0.7 V.

418.- EN CIRCUITOS INTEGRADOS POR LO REGULAR UN DIODO SE CONSTRUYE A PARTIR DE UN TRANSISTOR CON SU COLECTOR CONECTADO ________________. A LA BASE. AL EMISOR. AL COLECTOR. A LA COMPUERTA.

419.- EL CIRCUITO BÁSICO DE LA FAMILIA DE LÓGICA RTL ES LA COMPUERTA: AND. NOT. NAND. NOR.

420.- PARA LA FAMILIA LÓGICA __________, LOS NIVELES DE VOLTAJE PARA EL CIRCUITO SON: 0.2 V PARA EL NIVEL BAJO Y DE 1 A 3.6 V PARA EL NIVEL ALTO. TTL. RTL. ECL. DTL.

421.- LA DISIPACIÓN DE POTENCIA DE LA COMPUERTA _____________ ES DE APROXIMADAMENTE 12 MW Y EL RETARDO DE PROPAGACIÓN ES DE 25 NS. TTL. RTL. ECL. DTL.

422.- EL CIRCUITO BÁSICO DE LA FAMILIA DE LÓGICA DTL ES LA COMPUERTA: NAND. AND. OR. NOR.

423.- PARA LA FAMILIA LÓGICA ___________, LOS NIVELES DE VOLTAJE PARA EL CIRCUITO SON: 0.2 V PARA EL NIVEL BAJO Y DE 4 A 5 V EL NIVEL ALTO. TTL. ECL. DTL. RTL.

424.- LA DISCIPACIÓN DE POTENCIA DE LA COMPUERTA ______________ ES DE APROXIMADAMENTE 12 MW Y EL RETARDO DE PROPAGACIÓN ES DE 30 NS. ECL. DTL. TTL. RTL.

425.- EN LA FAMILIA DE LÓGICA TTL, ES EL PRODUCTO DEL RETARDO DE PROPAGACIÓN Y LA DISIPACIÓN DE POTENCIA, Y SE MIDE EN PICOJOULES: RAPIDEZ POTENCIA. RAPIDEZ WHATS. VELOCIDAD DE PROPAGACIÓN. VELOCIDAD DE DISIPACIÓN.

426.- EN UN CIRCUITO DE TRANSISTORES QUE ENTRA EN SATURACIÓN, DEPENDE PRINCIPALMENTE DE DOS FACTORES: EL TIEMPO DE ALMACENAMIENTO Y CONSTANTE DE TIEMPO RC: RAPIDEZ DE PROPAGACIÓN. RAPIDEZ DE POTENCIA. RETARDO DE PROPAGACIÓN. TIEMPO DE PROPAGACIÓN.

427.- EN LA COMPUERTA TTL DE ALTA VELOCIDAD, SE REDUCEN LOS VALORES DE LOS RESISTORES PARA ACORTAR EL RETARDO DE PROPAGACIÓN, PERO AUMENTA: LA DISIPACIÓN DE POTENCIA. EL RETARDO DE POTENCIA. LA RAPIDEZ POTENCIA. EL TIEMPO DE PROPAGACIÓN.

428.- EL EFECTO DEL TRANSISTOR SCHOTTKY EN LA LÓGICA TTL ES ELIMINAR EL RETARDO DE ________________ IMPIDIENDO AL TRANSISTOR ENTRAR EN SATURACIÓN. TIEMPO DE RETARDO. TIEMPO DE ALMACENAMIENTO. PROPAGACIÓN. TRANSICIÓN.

429.- LOS NIVELES DE VOLTAJE DE LA COMPUERTA TTL SON: 0.2 V PARA EL NIVEL BAJO Y DE 2.4 A 5 V PARA EL NIVEL ALTO: TTL. ECL. DTL. RTL.

430.- UN CIRCUITO ABIERTO EN UNA ENTRADA DE COMPUERTA TTL SE COMPORTA COMO SI TUVIERA UNA ENTRADA DE: 1. 0. BAJO NIVEL. ALTO NIVEL.

431.- ESTE TIPO DE SALIDA DE COMPUERTA SE USA PRINCIPALMENTE PARA CONTROL DE LAMPARAS O RELEVADORES, EJECUCIÓN DE LÓGICA ALAMBRADA Y CONSTRUCCIÓN DE UN SISTEMA DE BUS COMÚN: COLECTOR ABIERTO. EMISOR SEGUIDOR. BASE COMÚN. COLECTOR COMÚN.

432.- LA IMPEDANCIA DE __________ DE UNA COMPUERTA NORMALMENTE ES UNA CARGA RESISTIVA MÁS UNA CAPACITIVA. ENTRADA. SALIDA. PROPAGACIÓN. ACTIVACIÓN.

433.- EL USO DE TRANSISTORES SCHOTTKY EN UN CIRCUITO TTL REDUCE EL RETARDO DE PROPAGACIÓN, SIN QUE AUMENTE LA: FRECUENCIA DE TRABAJO. DISIPACIÓN DE POTENCIA. TIEMPO DE PROPAGACIÓN. RETARDO DE PROPAGACIÓN.

434.- UNA CARACTERÍSTICA IMPORTANTE DE CASI TODAS LAS COMPUERTAS _____________ ES QUE EL RETARDO DE HABILITACIÓN DE LA SALIDA ES MAS LARGO QUE EL DE INHABILITACIÓN DE LA SALIDA. DE TRES ESTADOS. DOS ESTADOS. TTL. NAND.

435.- ES UNA FAMILIA DE LÓGICA DIGITAL NO SATURADA, DADO QUE LOS TRANSISTORES NO SE SATURAN: TTL. RTL. ECL. DTL.

436.- DADO QUE LOS TRANSISTORES NO SE SATURAN EN ESTA FAMILIA LÓGICA, ES POSIBLE LOGRAR RETARDOS DE PROPAGACIÓN DE 1 2 NS. TTL. RTL. ECL. DTL.

437.- SU INMUNIDAD AL RUIDO Y DISIPACIÓN DE POTENCIA SON LAS PEORES DE TODAS LAS FAMILIAS DE LÓGICA DISPONIBLES: RTL. ECL. DTL. TTL.

438.- ESTA FAMILIA LÓGICA TIENE EL RETARDO DE PROPAGACIÓN MAS BAJO DE TODAS Y SE UTILIZA PRINCIPALMENTE EN SISTEMAS QUE DEBEN A GRAN VELOCIDAD: ECL. TTL. RTL. DTL.

439.- EL TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO MOS "METAL ÓXIDO SEMICONDUCTOR", SE USA EN: CIRCUITOS ANALÓGICOS. CIRCUITOS DIGITALES. CIRCUITOS BINARIOS. CIRCUITOS LÓGICOS.

440.- EL MODO DE OPERACIÓN DEL TRANSISTOR "MOS" PUEDE SER DE: SATURACIÓN O CORTE. SATURACIÓN O VACÍO. ENRIQUECIMIENTO O EMPOBRECIMIENTO. ENRIQUECIMIENTO O SATURACIÓN.

441.- EN UN "MOS" DE _______, LA TERMINAL DE FUENTE ESTA CONECTADA AL SUSTRATO Y SE APLICA UN VOLTAJE NEGATIVO AL TERMINAL DE DRENAJE. CANAL NP. CANAL PN. CANAL N. CANAL P.

442.- EN EL "MOS" DE CANAL N, LA TERMINAL DE FUENTE SE CONECTA AL SUSTRATO Y SE APLICA UN VOLTAJE _________ AL TERMINAL DE DRENANJE. -5 V. 5 V. POSITIVO. NEGATIVO.

443.- UNA VENTAJA DEL DISPOSITIVO "MOS" ES QUE SE LE PUEDE USAR COMO TRANSISTOR Y TAMBIÉN COMO: DIODO. RESISTOR. CAPACITOR. TRIAC.

444.- SE OBTIENE UN RESISTOR DEL "MOS" POLARIZANDO DE FORMA PERMANENTE LA TERMINAL ______________ PARA QUE CONDUZCA. COMPUERTA. DRENAJE. FUENTE. POSITIVA.

445.- CONSTAN DE DISPOSITIVOS "MOS" CANAL N Y P INTERCONECTADOS PARA FORMAR FUNCIONES LÓGICAS: MOS. CMOS. FET. JFET.

446.- SU CIRCUITO BÁSICO ES EL INVERSOR, QUE CONSISTE DE UN TRANSISTOR CANAL P Y UN TRANSISTOR CANAL N: FET. MOS. CMOS. JFET.

447.- UNA COMPUERTA CMOS TÍPICA TIENE UNA DISIPACIÓN DE POTENCIA ESTÁTICA DEL ORDEN DE: 001 MW. 010 MW. 00.1 MW. 0.10 MW.

448.- EL ABANICO DE SALIDA DE LAS COMPUERTAS CMOS ES DE ALREDEDOR DE ______ CUANDO SE OPERAN CON UNA FRECUENCIA DE 1MHZ. 25. 10. 30. 40.

449.- EN UNA COMPUERTA CMOS EL ABANICO DE SALIDA _______ AL AUMENTAR LA FRECUENCIA DE OPERACIÓN. SE NULIFICA. PERMANECE. AUMENTA. DISMINUYE.

450.- ESTA FAMILIA DE LÓGICA DIGITAL ES EL ESTANDAR MAS POPULAR DEBIDO A QUE PERMITE COLOCAR MAS CIRCUITOS EN UN ÁREA DADA DE SILICIO, TIENE UNA BAJA DISIPACIÓN DE POTENCIA, BUENA INMUNIDAD AL RUIDO Y RETARDO DE PROPAGACIÓN RAZONABLE. CMOS. MOS. TTL. ECL.

451.- ¿CUÁNTOS PROTONES TIENE UN ÁTOMO DE COBRE EN EL CENTRO O NÚCLEO?. 29. 3. 16. 32.

452.- CUANTO MÁS LEJANA ES LA ORBITAL DE UN ELECTRÓN EN UN ÁTOMO, LA ATRACCIÓN DEL NÚCLEO ES: IGUAL QUE EN EL NÚCLEO. MAYOR. MENOR. IGUAL EN CUALQUIER ORBITAL.

453.- LOS ELECTRONES DE LOS ORBITALES MÁS ALEJADOS DEL CENTRO O NÚCLEO DE UN ÁTOMO, SE MUEVEN A: LA VELOCIDAD DE LA LUZ. MENOR VELOCIDAD. MÁXIMA VELOCIDAD. EN SENTIDO CONTRAHORARIO.

454.- ¿CUÁL ES EL ORBITAL DE UN ÁTOMO QUE DETERMINA SUS PROPIEDADES ELÉCTRICAS?. EL ORBITAL EXTERIOR. EL PRIMER ORBITAL. EL ORBITAL MEDIO. EL ORBITAL DE CARGA.

455.- ¿LA PARTE INTERNA DE UN ÁTOMO DE COBRE TIENE UNA CARGA RESULTANTE DE?. -1. +1. +5. -5.

456.- ¿CÓMO SE LE CONOCE AL ELECTRÓN DE VALENCIA DE UN ÁTOMO?. ELECTRÓN EXTERNO. ELECTRÓN DE CARGA. ELECTRÓN LIBRE. ELECTRÓN DE FUGA.

457.- ¿CUÁNTOS ÁTOMOS DE VALENCIA DEBE TENER UN ÁTOMO DE COBRE PARA CONSIDERARSE UN BUEN CONDUCTOR?. 3. 2. 4. 1.

458.- ¿CUÁNTOS ELECTRONES DE VALENCIA POSEEN LOS ÁTOMOS DE UN MATERIAL SEMICONDUCTOR?. 1. 8. 4. 2.

459.- ¿CUÁL ES EL INCONVENIENTE DE LOS DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES DE GERMANIO FRENTE A LOS DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES DE SILICIO?. LA EXCESIVA DESIPACIÓN DE POTENCIA. LA EXCESIVA CORRIENTE INVERSA. LA EXCESIVA CORRIENTE DE FUGA. LA EXCESIVA TOLERANCIA AL RUIDO.

460.- ¿CÓMO SE LLAMA A LA ESTRUCTURA QUE SE FORMA AL COMBINARSE DOS ÁTOMOS DE SILICIO?. CRISTAL. DIAMANTE. CUBO CRISTALINO. AISLANTE.

461.- ¿CUÁNTOS ELECTRONES DE VALENCIA POSEE UN ÁTOMO DE SILICIO CUANDO SE LLEVA A CABO LA RECOMBINACIÓN PARA FORMAR UN CRISTAL?. 12. 4. 8. 6.

462.- ¿CÓMO SE LLAMA A LOS 8 ELECTRONES DE VALENCIA DE UN ÁTOMO, EN UN CRISTAL DE SILICIO?. ELECTRONES LIGADOS. ELECTRONES LIBRES. ELECTRONES COMBINADOS. ELECTRONESN DE CRISTAL.

463.- DEBIDO A LOS ELECTRONES LIGADOS EN UN CRISTAL DE SILICIO, ¿CÓMO SE CONSIDERA A ESTE CRISTAL A TEMPERATURA AMBIENTE "25 GRADOS CENTRÍGRADOS"?. CASI UN CONDUCTOR PERFECTO. CASI UN AISLANTE PERFECTO. CASI UN SUPERCONDUCTOR. CASI UN ÁTOMO IDEAL.

464.- LAS VIBRACIONES DE LOS ÁTOMOS DE SILICIO PUEDEN, OCASIONALMENTE, HACER QUE SE DESLIGUE UN ELECTRÓN DEL ORBITAL DE VALENCIA, PROVOCANDO QUE ESTE ELECTRÓN: PIERDA ENERGÍA. GANA ENERGÍA. SE LIBERE. SE NEUTRALICE.

465.- LA SALIDA DE UN ELECTRÓN DE UN ÁTOMO DEJA UN VACÍO, QUE SE DENOMINA HUECO EN EL ORBITAL DE VALENCIA, COMPORTÁNDOSE COMO UNA CARGA: POSITIVA. NEUTRA. NEGATIVA. PASIVA.

466.- EN OCASIONES, UN ELECTRÓN LIBRE SE APROXIMA A UN HUECO, SERÁ ATRAÍDO Y CAERÁ HACIA ÉL. ESTA UNIÓN DE UN ELECTRÓN LIBRE Y UN HUECO SE LLAMA: UNIÓN LIBRE. COMBINACIÓN. RECOMBINACIÓN. REUNIÓN.

467.- NOMBRE QUE RECIBEN LOS ELECTRONES LIBRES Y HUECOS, DEBIDO A QUE TRANSPORTAN LA CARGA ELÉCTRICA DE UN LUGAR A OTRO: CARGA DE VAENCIA. CARGA LIBRE. PORTADORES. CARGADORES.

468.- CUANDO SE AÑADEN ÁTOMOS DE IMPUREZAS A UN CRISTAL INTRINSECO PARA MODIFICAR SU CONDUCTIVIDAD ELÉCTRICA, SE LLAMA: LIGAMIENTO DE ELECTRONES. GANACIA DE ENERGÍA. RECOMBINACIÓN. DOPAJE.

469.-¿CÓMO SE LE CONOCE A LOS ÁTOMOS PENTAVALENTES QUE DONARÁN UN ELECTRÓN EXTRA AL CRISTAL DE SILICIO?. IMPUREZAS DE VALENCIA. IMPUREZAS DONADORAS. IMPUREZAS DE DOPAJE. IMPUREZAS DE RECOMBINACIÓN.

470.- UN SEMICONDUCTOR LIGERAMENTE DOPADO, TIENE UN RESISTENCIA: ALTA. PEQUEÑA. MEDIA. NEUTRA.

471.- UN SEMICONDUCTOR DOPADO FUERTEMENTE, TIENE UN RESISTENCIA: ALTA. PEQUEÑA. MEDIA. NEUTRA.

472.- TIPO DE IMPUREZAS CON LAS QUE SE DEBE DOPAR UN CRISTAL DE SILICIO PARA OBTENER UN EXCESO DE HUECOS: IMPUREZAS DE DOPAJE. IMPUREZAS PENTAVALENTES. IMPUREZAS TRIVALENTES. IMPUREZAS DE VALENCIA.

473.- A MEDIDA QUE AUMENTA EL NÚMERO DE DIPOLOS, LA REGIÓN CERCANA A LA UNIÓN, SE VACÍA DE PORTADORES, A ESTA ZONA SIN PORTADORES SE LE CONOCE COMO: ZONA DE UMBRAL. ZONA DE DOPAJE. ZONA DE POLARIZACIÓN. ZONA DE DEPLEXIÓN.

474.- EL CAMPO ELÉCTRICO ENTRE LOS IONES ES EQUIVALENTE A UNA DIFERENCIA DE POTENCIAL LLAMADA: UMBRAL DE POTENCIA. BARRERA DE POTENCIAL. UMBRAL DE TRABAJO. BARRERA DE POLARIZACIÓN.

475.- ES LA CORRIENTE INVERSA ORIGINADA POR LOS PORTADORES MINORITARIOS PRODUCIDOS TERMICAMENTE: CORRIENTE INVERSA DE SATURACIÓN. CORRIENTE INVERSA DE POLARIZACIÓN. CORRIENTE INVERSA DE CORTE. CORRIENTE INVERSA DE RECOMBINACIÓN.

476.- ES UNA PEQUEÑA CORRIENTE QUE CIRCULA SOBRE LA SUPERFICIE DEL CRISTAL, LA CUAL ES CAUSADA POR IMPUREZAS E IMPERFECCIONES EN SU ESTRUCTURA INTERNA: CORRIENTE SUPERFICIAL DE SATURACIÓN. CORRIENTE INVERSA DE SATURACIÓN. CORRIENTE SUPERFICIAL DE FUGA. CORRIENTE INVERSA DE POLARIZACIÓN.

477.- ES NORMALMENTE LA TENSIÓN DE RUPTURA DE UN DIODO: MAYOR A 50. MENOR DE 45. MENOR A 50. IGUAL A 45.

478.- CUANDO UN ELÉCTRON SALTA DEL PRIMERO AL SEGUNDO ORBITAL, SE DICE QUE _______________ ENERGÍA POTENCIAL CON RESPECTO AL NÚCLEO. PIERDE. GANA. IGUALA LA. DONA.

479.- LA BARRERA DE POTENCIAL DE UN DIODO DE SILICIO DECRECE ________ POR CADA INCREMENTO DE UN GRADO CELSIUS. 2MW. 2 MV. 1MV. 1MW.

480.- EN UN DIODO, CUANDO LA TENSIÓN INVERSA ________, LOS ELECTRONES Y LOS HUECOS SE APARTAN DE LA UNIÓN. AUMENTA. DISMINUYE. ES IGUAL A CERO. ES INFINITA.

481.- EN UN ÁTOMO DE SILICIO, LA DISTANCIA ENTRE LA BANDA DE VALENCIA Y LA BANDA DE CONDUCCIÓN SE DENOMINA: GAP DE POTENCIA. GAP DE ENERGÍA. GAP DE GANANCIA. GAP DE VALENCIA.

482.- EL GERMANIO TIENE UN GAP DE ENERGÍA _________ QUE EL SILICIO. MUCHO MENOR. MUCHO MAYOR. IGUAL. DOS VECES MAS.

483.- ¿CUÁL ES LA RAZÓN POR LA QUE EL DIODO NO ES UN DISPOSITIVO LINEAL?. POR EL UMBRAL DE TENSIÓN. POR LA BARRERA DE POTENCIAL. POR LA DISIPACIÓN DE POTENCIA. POR LA BARRERA DE VOLTAJE.

484.- EN EL SÍMBOLO ELÉCTRICO DE UN DIODO, ES COMO SE LE LLAMA AL LADO "N": NEUTRO. NEGATIVO. ÁNODO. CÁTODO.

485.- SI SE ESTA USANDO LA ____________________ EN UN DIODO, LA DIRECCIÓN SENCILLA ES LA MISMA QUE INDICA LA FLECHA DEL DIODO. CORRIENTE CONVENCIONAL. CORRIENTE ALTERNA. CORRIENTE REAL. CORRIENTE DIRECTA.

486.- SI SE ESTA USANDO ________________ EN UN DIODO, LA DIRECCIÓN SENCILLA ES CONTRARIA A LA DIRECCIÓN DE LA FLECHA DEL DIODO. EL FLUJO DE ELECTRONES. EL FLUJO DE ÁTOMOS. EL FLUJO CONVENCIONAL. EL FLUJO DE POTENCIA.

487.- EN LA ZONA DIRECTA, ES LA TENSIÓN A PARTIR DE LA CUAL LA CORRIENTE EMPIEZA A INCREMENTARSE RAPIDAMENTE: TENSIÓN UMBRAL. TENSIÓN RUPTURA. TENSIÓN POTENCIAL. TENSIÓN POLARIZACIÓN.

488.- DESPUÉS DE SUPERADA LA BARRERA DE POTENCIAL, LO ÚNICO QUE SE OPONE A LA CORRIENTE, ES LA SUMA DE LAS RESISTENCIAS OHMICAS DE LAS ZONAS P Y N, DENOMINADA: RESISTENCIA DE UBRAL. RESISTENCIA INTERNA. RESISTENCIA SUPERFICIAL. RESISTENCIA TOTAL.

489.- NORMALMENTE LA RESISTENCIA INTERNA DE LOS DIODOS, ES: MAYOR A 5 OHMS. MAYOR A 3 OHMS. MENOR A 1 OHMS. MENOR A 10 OHMS.

490.- EN ESTA APROXIMACIÓN DEL DIODO, NO HAY CORRIENTE HASTA QUE APARECE 0.7 VOLTS EN EL DIODO: APROXIMACIÓN IDEAL. PRIMERA APROXIMACIÓN. TERCERA APROXIMACIÓN. SEGUNDA APROXIMACIÓN.

491.- EN ESTA APROXIMACIÓN DEL DIODO, SE INCLUYE LA RESISTENCIA INTERNA RB: PRIMERA APROXIMACIÓN. APROXIMACIÓN IDEAL. TERCERA APROXIMACIÓN. SEGUNDA APROXIMACIÓN.

492.- REALMENTE NO IMPORTA EL VALOR EXACTO DE LA RESISTENCIA EN CONTINUA DEL DIODO, LO ÚNICO QUE SE DESEA SABER ES SI EL DIODO TIENE UNA RESISTENCIA _________ EN POLARICACIÓN DIRECTA Y _______________ CON POLARIZACIÓN INVERSA. PEQUEÑA/GRANDE. GRANDE/PEQUEÑA. PEQUEÑA/MEDIANA. GRANDE/MEDIANA.

493.- UNA LECTURA DE RESISTENCIA EXTREMADAMENTE PEQUEÑA EN AMBAS DIRECCIONES DEL DIODO, REPRESENTA: DIODO EN CORTOCIRCUITO. DIODO QUEMADO. DIODO ABIERTO. DIODO CON FUGA.

494.- ES EL ESTADO DEL DIODO CUANDO SU RESISTENCIA ES ALGO BAJA EN LA DIRECCIÓN INVERSA: DIODO EN CORTOCIRCUITO. DIODO QUEMADO. DIODO ABIERTO. DIODO CON FUGA.

495.- SON LOS DOS ESTILOS BÁSICOS DE MONTAJE DE SUPERFICIE: SL Y SOT. SM Y SOT. MS Y SL. MS Y SOT.

496.- TIPO DE ENCAPSULADO QUE TIENE DOS BORNAS DOBLADAS EN "L" Y UNA BANDA COLOREADA EN UN EXTREMO DEL CUERPO PARA INDICAR LA BORNA CORRESPONDIENTE AL CÁTODO: SM. SL. SOT. MS.

497.- TIPO DE ENCAPSULADO QUE TIENE TRES TERMINALES EN FORMA DE ALA DE GAVIOTA. SUS TERMINALES SE ENUMERAN EN EL SENTIDO CONTRARIO DE LAS AGUJAS DE RELOJ DESDE ARRIBA: SM 23. SOT 23. SL. MS 23.

498.- APROXIMACIÓN DE LOS DIODOS QUE RARA VEZ UTILIZAMOS, PORQUE, NORMALMENTE LA RESISTENCIA INTERNA ES SUFICIENTEMENTE PEQUEÑA Y PUEDE IGNORARSE: APROXIMACIÓN IDEAL. TERCERA APROXIMACIÓN. PRIMERA APROXIMACIÓN. SEGUNDA APROXIMACIÓN.

499.- SU CIRCUITO EQUIVALENTE, ES UN INTERRUPTOR QUE SE CIERRA CUANDO ESTÁ POLARIZADO EN DIRECTA Y SE ABRE CUANDO ESTÁ EN INVERSA: PRIMERA APROXIMACIÓN. APROXIMACIÓN IDEAL. SEGUNDA APROXIMACIÓN. TERCERA APROXIMACIÓN.

500.- ES EL NOMBRE CON QUE TAMBIÉN SE LE CONOCE AL DIODO ZENER. DIODO DE AVALANCHA. DIODO INVERSO. DIODO SCHOTTKY. DIODO LED.