660-800

662.- INSTRUMENTO QUE SE UTILIZA PARA MEDIR VALORES DE RESISTENCIA MUY ALTOS, SIENDO SU PRINCIPAL FUNCIÓN VERIFICAR EL AISLANTE QUE SE ENCUENTRA EN SISTEMA DE TRANSMISIÓN DE POTENCIA, MAQUINARIA ELÉCTRICA, TRANSFORMADORES, ETC. WATIMETRO. MEGGER. MEGA-OHMÍMETRO.

664.- EN UNA TIERRA DE CHASIS, SI EL CHASIS NO ESTÁ CONECTADO AL POTENCIAL DE TIERRA FÍSICA, SE DICE QUE SE ENCUENTRA. FLOTANDO. NO HAY TIERRA. MAL ATERRIZADO.

665.- DE ACUERDO AL CÓDIGO ELÉCTRICO NACIONAL ESTADOUNIDENSE, LOS CONDUCTORES DE TRES HILOS TIENEN UN CABLE DE TIERRA QUE DEBE SER DE COLOR. BLANCO. ROJO. VERDE.

666.- ES UN INSTRUMENTO PARA MEDIR NIVELES MUY ALTOS DE RESISTENCIA, COMO EN EL INTERVALO DE LOS MEGAOHMS. OHMETRO. MEGA-OHMÍMETRO. MEGGER.

671.LAS FUENTES CON VOLTAJE CON DISTINTOS VALORES NOMINALES DE VOLTAJE NO SE CONECTAN EN _________ CON EL CIRCUITO. SERI. PARALELO.

667.- ES UN DISPOSITIVO ELECTRÓNICO SEMICONDUCTOR DE TRES TERMINALES QUE PUEDE UTILIZARSE PARA PROPÓSITOS DE AMPLIFICACIÓN Y CONMUTACIÓN. TRANSISTOR. TIRISTOR. VARISTOR.

668.- ES UN INSTRUMENTO DE MEDICIÓN DE RESISTENCIA EN EL QUE EL GALVANÓMETRO ESTÁ UBICADO EN SERIE CON LA RESISTENCIA DESCONOCIDA. MEGA-OHMÍMETRO. MEGGER. OHMÍMETRO.

669.- EN CONVERSIÓN DE FUENTES, PARA LA FUENTE DE CORRIENTE, EN LA PRÁCTICA, SIEMPRE SE PRESENTARÁ UNA RESISTENCIA INTERNA EN ___________ CON LA CON LA FUENTE DE CORRIENTE. PARALELO. SERIE. SERIE/PARALELO. PARALELO/SERIE.

670.- EN CONVERSIÓN DE FUENTES, PARA LA FUENTE DE VOLTAJE, EN LA PRÁCTICA, SIEMPRE SE PRESENTARÁ UNA RESISTENCIA INTERNA EN_ ___________ CON LA CON LA FUENTE DE VOLTAJE. PARAELO/SERIE. SERIE/PARALELO. SERIE. PARALELO.

671.- LAS FUENTES DE VOLTAJE CON DISTINTOS VALORES NOMINALES DE VOLTAJE NO SE CONECTAN EN ___________ CON EL CIRCUITO. SERIE. PARALELO. SERIE/PARALELO. PARALELO/SERIE.

677. TEOREMA QUE ESTABLECE QUE CUALQUIER RED DE CD LINEAL BILATERAL DE DOS TERMINALES PUEDE SER REEMPLAZADA POR UN CIRCUITO EQUIVALENTE QUE CONSISTE DE UNA FUENTE DE CORRIENTE Y UN RESISTOR EN PARALELO. TEOREMA DE NORTON. TEOREMA DE SUSTITUCION. TEOREMA DE RECIPROCIDAD. TEOREMA DE KIRCHOFF.

709.- EN UNA RED COMPUESTA POR UN CAPACITOR UN DIODO Y UN ELEMENTO RESISTIVO, PERO ESTA PUEDE TAMBIEN EMPLEART UNA FUENTE INDEPENDIENTE DE DC PARA INTRODUCIR UN DESPLAZAMIENTO ADICIONAL. CAMBIADORA DE VOLTAJE. CAMBIADORA DE CORRIENTE. CAMBIADORA DE NIVEL.

672.- EN EL MÉTODO DE ANÁLISIS DE NODOS -MÉTODO GENERAL-, ¿QUÉ LEY SE APLICA PARA OBTENER LAS ECUACIONES DE LA RED?. LCK. LVK. RDV.

673.- TÉCNICA PARA DETERMINAR LAS CORRIENTES DE MALLA -LAZO- DE UNA RED Y DA POR RESULTADO UN CONJUNTO REDUCIDO DE ECUACIONES EN COMPARACIÓN CON EL MÉTODO DE CORRIENTE DE RAMA. ANALISIS DE NODOS. ANALISIS DE MALLAS. ANALISIS DE PUENTE.

674.- CONFIGURACIÓN DE RED QUE TÍPICAMENTE TIENE UNA APARIENCIA DE DIAMANTE EN LA QUE NO HAY DOS ELEMENTOS EN SERIE O EN PARALELO. REDES DE PUENTE. REDES DE MALLA. REDES DE NODOS.

675.- TEOREMA QUE ESTABLECE QUE LA CORRIENTE O EL VOLTAJE DE UN ELEMENTO EN UNA RED LINEAL BILATERAL ES IGUAL A LA SUMA ALGEBRAICA DE LAS CORRIENTES O VOLTAJES PRODUCIDOS INDEPENDIENTEMENTE POR CADA FUENTE. TEOREMA DE NORTON. TEOREMA DE THEVENIN. TEOREMA DE SUPERPOSICIÓN.

676.- APLICANDO EL TEOREMA DE SUPERPOSICIÓN EN EL ANÁLISIS DE REDES, LAS FUENTES DE VOLTAJE SE SUSTITUYEN POR UN __________ Y LAS FUENTES DE CORRIENTE POR UN______________ . CIRCUITO ABIERTO/ CIRCUITO CERRADO. CORTO CIRCUITO/CIRCUITO ABIERTO. CIRCUITO CERRADO/ CORTO CIRCUITO.

710.- LOS DIODOS ZENER SE UTILIZAN MAS FRECUENTES EN REDES. REGULADORAS DE TENSION. REGULADORAS DE VOLTAJE. REGULADORAS DE CORRIENTE.

677.- TEOREMA QUE ESTABLECE QUE CUALQUIER RED DE CD LINEAL BILATERAL DE DOS TERMINALES PUEDE SER REEMPLAZADA POR UN CIRCUITO EQUIVALENTE QUE CONSISTA DE UNA FUENTE DE CORRIENTE Y UN RESISTOR EN PARALELO. TEOREMA DE NORTON. TEOREMA DE SUPERPOSICION. TEOREMA DE THEVENIN.

711.- LOS CIRCUITOS ____________ DE VOLTAJE SE EMPLEAN PARA MANTENER EL VOLTAJE PICO DE UN TRANSFORMADOR RELATIVAMENTE BAJO, MIENTRAS SE ELEVA EL VOLTAJE DE SALIDA PICO HASTA DOS TRES CUATRO O MAS VECES EL VOLTAJE PICO RECTIFICADO. MULTIPLICADORES. SEMICONDUCTORES. SUPERCONDUCTORES.

678.- TEOREMA QUE ESTABLECE QUE UNA CARGA RECIBIRÁ POTENCIA MÁXIMA DE UNA RED DE CD LINEAL BILATERAL CUANDO SU VALOR RESISTIVO TOTAL SEA EXACTAMENTE IGUAL A LA RESISTENCIA DE THÉVENIN DE LA RED COMO ES VISTA POR LA CARGA. MÁXIMA TRANSFERENCIA DE RESISTENCIA. MÁXIMA TRANSFERENCIA DE VOLTAJE. MÁXIMA TRANSFERENCIA DE POTENCIA.

679.- TEOREMA QUE ESTABLECE QUE SI EL VOLTAJE Y LA CORRIENTE A TRAVÉS DE CUALQUIER RAMA DE UNA RED DE CD BILATERAL SON CONOCIDOS, ESTA RAMA PUEDE SER REEMPLAZADA POR CUALQUIER COMBINACIÓN DE ELEMENTOS QUE MANTENDRÁ EL MISMO VOLTAJE Y LA MISMA CORRIENTE A TRAVÉS DE LA RAMA ESCOGIDA. TEOREMA DE SUSTITUCIÓN. TEOREMA DE RECIPROCIDAD. TEOREMA DE NORTON.

680.- TEOREMA APLICABLE A REDES DE UNA SOLA FUENTE, QUE ESTABLECE QUE LA CORRIENTE -I- EN CUALQUIER RAMA DE UNA RED, DEBIDA A UNA SOLA FUENTE DE VOLTAJE -E- EN CUALQUIER OTRA PARTE DE LA RED, SERÁ IGUAL A LA CORRIENTE A TRAVÉS DE LA RAMA EN QUE LA FUENTE ESTABA ORIGINALMENTE LOCALIZADA SI LA FUENTE ES COLOCADA EN LA RAMA EN QUE LA CORRIENTE I SE MIDIÓ EN UN PRINCIPIO. TEOREMA DE THEVENIN. TEOREMA DE SUSTITUCION. TEOREMA DE RECIPROCIDAD.

681.- DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR CUYAS CARACTERÍSTICAS SON LAS MISMAS QUE LAS DE UN INTERRUPTOR QUE SÓLO PERMITE LA CONDUCCIÓN DE CORRIENTE EN UNA SOLA DIRECCIÓN. DIODO. DIODO REAL. DIODO IDEAL.

682.- ¿CÓMO SE COMPORTA UN DIODO IDEAL CUANDO VF = 0 VOLTS E IF ES CUALQUIER VALOR. CIRCUITO CERRADO. CIRCUITO ABIERTO. CIRCUITO SERIE.

683.- ES UN MATERIAL QUE POSEE UN NIVEL DE CONDUCTIVIDAD QUE SE LOCALIZA ENTRE LOS EXTREMOS DE UN DIELÉCTRICO Y DE UN CONDUCTOR. CONDUCTOR. SEMICONDUCTOR. SUPERCONDUCTORES.

684.- ¿CUÁNTOS ELECTRONES EN ÓRBITA TIENE UN ÁTOMO DE GERMANIO?. 18. 32. 9.

685.- UNA UNIÓN DE ÁTOMOS, REFORZADO POR ELECTRONES COMPARTIDOS SE DENOMINA: ENLACE COVALENTE. ENLACE PENTAVALENTE. ENLACE TRIVALENTE.

686.- SON AQUELLOS SEMICONDUCTORES QUE SE HAN REFINADO CUIDADOSAMENTE CON EL OBJETIVO DE REDUCIR LAS IMPUREZAS HASTA UN NIVEL MUY BAJO, TAN PUROS COMO SEA POSIBLE MEDIANTE LA UTILIZACIÓN DE LA TECNOLOGÍA MODERNA. MATERIALES EXTRÍNSECOS. MATERIALES INTRÍNSECOS.

687.- LOS MATERIALES SEMICONDUCTORES COMO GERMANIO Y EL SILICIO QUE PRESENTAN UNA REDUCCIÓN EN LA RESISTENCIA CUANDO SE INCREMENTA LA TEMPERATURA SE DICE QUE TIENE UN COEFICIENTE DE TEMPERATURA. POSITIVO. NEGATIVO.

713.- LA CORRIENTE DE COLECTOR ESTA FORMADA POR DOS COMPONENTES DE LOS CUALES AL COMPONENTE DE CORRIENTE MINORITARIA SE LE DOMINA__________. CORRIENTE DE FUGA. CORRIENTE DE SATURACION. CORRIENTE DE BASE.

688.- ES UN MATERIAL SEMICONDUCTOR QUE SE HA SUJETADO HA UN PROCESO DE DOPAJE. MATERIAL EXTRÍNSECO. MATERIAL INTRINSECO.

689.- UN MATERIAL TIPO N SE FORMA MEDIANTE EL DOPADO DE UN CRISTAL PURO DE GERMANIO O SILICIO CON ÁTOMOS DE IMPUREZAS QUE CUENTEN CON: 3 ELECTRONES DE VALENCIA. 5 ELECTRONES DE VALENCIA. 1ELECTRON DE VALENCIA.

690.- UN MATERIAL TIPO P SE FORMA MEDIANTE EL DOPADO DE UN CRISTAL PURO DE GERMANIO O SILICIO CON ÁTOMOS DE IMPUREZAS QUE CUENTEN CON: 1 ELECTRON DE VALENCIA. 5 ELECTRONES DE VALENCIA. 3 ELECTRONES DE VALENCIA.

691.- EN UN MATERIAL TIPO P EL HUECO SE DENOMINA: PORTADOR MAYORITARIO. PORTADOR MINORITARIO.

692.- EN UN DIODO SEMICONDUCTOR, LA CORRIENTE QUE SE FORMA BAJO UNA SITUACIÓN DE POLARIZACIÓN INVERSA SE DENOMINA: CORRIENTE DE SATURACIÓN DIRECTA. CORRIENTE DE SATURACIÓN INVERSA. CORRIENTE DE SATURACIÓN EN CORTE.

693.- EL POTENCIAL MÁXIMO DE POLARIZACIÓN INVERSA QUE PUEDE APLICARSE A UN DIODO ANTES DE INGRESAR EN LA REGIÓN ZENER SE DENOMINA: RDV. PRM. VOLTAJE PICO INVERSO.

694.- ¿CÓMO SE COMPORTA EL NIVEL DE RESISTENCIA DE DC DE UN DIODO A MENOR CORRIENTE A TRAVÉS DE ÉL?. AUMENTA. DISMINUYE. SE MANTIENE.

695.- ES LA RESISTENCIA PRESENTADA POR LA CONEXIÓN ENTRE EL MATERIAL SEMICONDUCTOR Y EL CONDUCTOR METÁLICO EXTERNO. RESISTENCIA FIJA. RESISTENCIA DE CONTACTO. RESISTENCIA VARIABLE.

696.- ES UNA COMBINACIÓN DE ELEMENTOS ELEGIDOS DE FORMA APROPIADA PARA REPRESENTAR DE LA MEJOR MANERA LAS CARACTERÍSTICAS TERMINALES REALES DE UN DISPOSITIVO, SISTEMA O SIMILAR, PARA UNA REGIÓN DE OPERACIÓN PARTICULAR. CIRCUITO EQUIVALENTE. CIRCUITO SERIE. CIRCUITO BASICO. CIRCUITO PARALELO.

697.- EN EL DIODO SEMICONDUCTOR, ¿QUÉ EFECTO CAPACITIVO SE PRESENTA EN LA REGIÓN DE POLARIZACIÓN INVERSA?. CAPACITANCIA DE TRANSICION. CAPACITANCIA DE DIFUSION. CAPACITANCIA EQUIVALENTE.

698.- EN EL DIODO SEMICONDUCTOR, ¿QUÉ EFECTO CAPACITIVO SE PRESENTA EN LA REGIÓN DE POLARIZACIÓN DIRECTA?. CAPACITANCIA DE TRANSICION. CAPACITANCIA EQUIVALENTE. CAPACITANCIA DE DIFUSIÓN.

699.- EN UN DIODO, ES LA SUMA DEL TIEMPO DE ALMACENAMIENTO Y EL INTERVALO DE TRANSICIÓN. TIEMPO DE RECUPERACIÓN DIRECTA. TIEMPO DE RECUPERACIÓN INVERSO. TIEMPO DE RECUPERACIÓN FIJA.

714.- QUE DEFINE LA FLECHA EN EL SÍMBOLO GRÁFICO DE UN TRANSISTOR. LA DIRECCION DE LA CORRIENTE DE BASE. LA DIRECCION DE LA CORRIENTE DE EMISOR. LA DIRECCION DE LA CORRIENTE DE COLECTOR.

724.- ¿COMO SE DENOMINA NORMALMENTE EN LA HOJA DE ESPECIFICACIONES TIPICA DE UN TRANSISTOR A LA CORRIENTE MAXIMA DE COLECTOR?. CORRIENTE CONTINUA DE EMISOR. CORRIENTE CONTINUA DE BASE. CORRIENTE CONTINUA DE COLECTOR.

704.- SI EN UN DIODO SE EXCEDE EL VALOR PIV EN POLARIZACIÓN INVERSA, ¿EN QUÉ REGIÓN DE OPERACIÓN ENTRARÍA EL DIODO. TENSION UMBRAL. AVALANCHA ZENER. REGION DE RUPTURA.

705.- UN RECTIFICADOR DE ONDA COMPLETA DISEÑADO CON DOS DIODOS, REQUIERE DE UN____________ PARA ESTABLECER LA SEÑAL DE ENTRADA A TRAVÉS DE CADA SECCIÓN DEL SECUNDARIO DEL TRANSFORMADOR. TRANSFORMADOR TP. TRANSFORMADOR CON DERIVACION CENTRAL (CT). TRANSFORMADOR PT.

707.- ¿CUÁL ES LA DIFERENCIA ENTRE UN RECORTADOR SIMPLE EN SERIE Y UN RECORTADOR POLARIZADO EN SERIE?. FUENTE CONMUTADA. FUENTE CA. FUENTE DC.

712- ¿CUÁNTOS CAPACITORES Y DIODOS TIENE UN DUPLICADOR DE VOLTAJE?. 2 CAPACITORES Y 2 DIODOS. 2 CAPACITORES Y UN DIODO. 1 CAPACITOR Y 2 DIODOS.

713.- LA CORRIENTE DE COLECTOR ESTÁ FORMADA POR DOS COMPONENTES, DE LOS CUALES AL COMPONENTE DE CORRIENTE MINORITARIA SE LE DENOMINA: . CORRIENTE SATURADA. CORRIENTE INVERSA. CORRIENTE DE FUGA.

715.- EN UN TRANSISTOR, ¿CUÁL ES LA REGIÓN QUE POR LO GENERAL SE UTILIZAN PARA LOS AMPLIFICADORES LINEALES?. REGION ACTIVA. REGION SATURADA. REGION DE CORTE.

716.- ¿CUÁL ES LA REGIÓN DE OPERACIÓN DE UN TRANSISTOR CUANDO LA UNIÓN BASE-EMISOR SE ENCUENTRA POLARIZADA EN FORMA DIRECTA, MIENTRAS QUE LA UNIÓN COLECTOR-BASE SE ENCUENTRA POLARIZADA EN FORMA INVERSA. ACTIVA. CORTE. SATURACION.

717.- ¿CUÁL ES LA REGIÓN DE OPERACIÓN DE UN TRANSISTOR CUANDO LA UNIÓN BASE-EMISOR COMO LA UNIÓN COLECTOR-BASE SE ENCUENTRA EN POLARIZACIÓN INVERSA?. SATURACION. ACTIVA. CORTE.

718.- ¿CUÁL ES LA REGIÓN DE OPERACIÓN DE UN TRANSISTOR CUANDO LA UNIÓN BASE-EMISOR COMO LA UNIÓN COLECTOR-BASE SE ENCUENTRAN EN POLARIZACIÓN DIRECTA. CORTE. SATURACION. ACTIVA.

719.- EN UN TRANSISTOR, ¿CUÁL ES EL VALOR APROXIMADO DE ALFA PARA DISPOSITIVOS REALES?. 088 A 0988. 090 A 0998. 087 A 0997.

720.- ¿CUÁLES SON LOS VALORES TÍPICOS DE LA AMPLIFICACIÓN DE VOLTAJE PARA LA CONFIGURACIÓN DE BASE-COMÚN. ENTRE 30 Y 300. ENTRE 60 Y 300. ENTRE 50 Y 300.

721.- PARA DISPOSITIVOS REALES EN CONFIGURACIÓN EMISOR-COMÚN, EL NIVEL DE BETA SUELE TENER UN RANGO APROXIMADO ENTRE___________--. 50 Y 400. 30 Y 400. 60 Y 400.

722.- ¿CUÁL ES EL NOMBRE FORMAL DE BETA DE AC?. FACTOR DE AMPLIFICACIÓN DE CORRIENTE DIRECTA EN COLECTOR COMÚN. FACTOR DE AMPLIFICACIÓN DE CORRIENTE DIRECTA EN BASE COMÚN. FACTOR DE AMPLIFICACIÓN DE CORRIENTE DIRECTA EN EMISOR COMÚN.

723.- TIPO DE CONFIGURACIÓN QUE SE UTILIZA PRINCIPALMENTE PARA PROPÓSITOS DE ACOPLAMIENTO DE IMPEDANCIAS, YA QUE CUENTA CON UNA ALTA IMPEDANCIA DE ENTRADA Y UNA BAJA IMPEDANCIA DE SALIDA. COLECTOR-COMÚN. BASE-COLECTOR. EMISOR-COMUN.

711.- UN TRANSISTOR EN CONFIGURACIÓN COLECTOR-COMÚN, TIENE UNA IMPEDANCIA DE ENTRADA _____________Y UNA IMPEDANCIA DE SALIDA _________. ALTA-ALTA. BAJA-ALTA. ALTA-BAJA.

725.- EN LAS HOJAS DE ESPECIFICACIONES DE TRANSISTORES, LAS CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS SE DIVIDEN A SU VEZ EN CARACTERÍSTICAS DE: APAGADO Y DE PEQUEÑA SEÑAL. ENCENDIDO, APAGADO Y DE PEQUEÑA SEÑAL. ENCENDIDO Y DE PEQUEÑA SEÑAL.

726.- EN LA MEDICIÓN DE LA UNIÓN BASE-EMISOR DE UN TRANSISTOR EN LA REGIÓN ACTIVA, SU RESISTENCIA DEBERÁ SER: . ALTA. BAJA. IGUAL.

727.- SI LA PUNTA DE PRUEBA POSITIVA DE UN ÓHMETRO SE CONECTA A LA BASE Y LA NEGATIVA AL EMISOR DE UN TRANSISTOR, ¿QUÉ TIPO DE TRANSISTOR ES SI LA LECTURA REGISTRADA ES BAJA RESISTENCIA?. NPN. PNP. NP. PN.

728.- SI LA PUNTA DE PRUEBA POSITIVA DE UN ÓHMETRO SE CONECTA A LA BASE Y LA NEGATIVA AL EMISOR DE UN TRANSISTOR, ¿QUÉ TIPO DE TRANSISTOR ES SI LA LECTURA REGISTRADA ES ALTA RESISTENCIA?. PNP. NPN. NP. PN.

729.- ¿CUÁL DE LAS TRES CORRIENTES DE UN TRANSISTOR ES LA MAYOR?. CORRIENTE DE BASE. CORRIENTE DE EMISOR. CORRIENTE DE COLECTOR.

730.- PARÁMETRO DE UN TRANSISTOR QUE RELACIONA LA CORRIENTE DEL EMISOR CON LA DEL COLECTOR. BETA. PUNTO DE REPOSO. ALFA.

737.- ¿CUALES SON LOS METODOS QUE PUEDEN APLICARSE PARA ANALIZAR LA CONFIGURACION POR DIVISION DE VOLTAJE EN UN TRANSISTOR?. APROXIMADO Y EXACTO. EXACTO Y APROXIMADO.

731.- EN UN TRANSISTOR INDICA EL GRADO DE CAMBIO EN EL PUNTO DE OPERACIÓN DEBIDO A UNA VARIACIÓN DE TEMPERATURA. FACTOR DE SALTO. FACTOR DE SEGUIMIENTO. FACTOR DE ESTABILIDAD.

732.- PARA QUE UN BJT PUEDA POLARIZARSE EN LA REGIÓN LINEAL O ACTIVA, SE DEBEN CUMPLIR LAS SIGUIENTES CONDICIONES. : BASE-EMISOR POLARIZACIÓN DIRECTA BASE-COLECTOR POLARIZACIÓN INVERSA. : BASE-COLECTOR POLARIZACIÓN DIRECTA BASE-EMISOR POLARIZACIÓN INVERSA. : BASE-EMISOR POLARIZACIÓN DIRECTA BASE-COLECTOR POLARIZACIÓN DIRECTA.

733.- PARA QUE UN BJT PUEDA POLARIZARSE EN LA REGIÓN DE CORTE, SE DEBEN CUMPLIR LAS SIGUIENTES CONDICIONES. BASE- EMISOR POLARIZACIÓN INVERSA BASE-COLECTOR POLARIZACIÓN INVERSA. BASE- COLECTOR POLARIZACIÓN INVERSA BASE-EMISOR POLARIZACIÓN INVERSA. BASE- EMISOR POLARIZACIÓN INVERSA BASE-COLECTOR POLARIZACIÓN DIRECTA.

754.- LOS TRANSISTORES MOSFET SE CLASIFICAN EN: INCREMENTAL Y DECREMENTAL. DECREMENTAL Y INCREMENTAL.

734.- EN UN CIRCUITO CON POLARIZACIÓN FIJA, DONDE LA UNIÓN B-E TIENE POLARIZACIÓN DIRECTA, ¿CUÁL ES EL VALOR DEL VOLTAJE DE EMISOR?. VOLTAJE DE EMISOR IGUAL A 1 VOLTS. VOLTAJE DE EMISOR IGUAL A 0 VOLTS. VOLTAJE DE EMISOR IGUAL A 10 VOLTS.

735.- ¿CUÁL ES LA DIFERENCIA ENTRE UN CIRCUITO CON POLARIZACIÓN FIJA Y UNO CON POLARIZACIÓN ESTABILIZADO EN EMISOR?. CORRIENTE DE EMISOR. RESISTENCIA DE EMISOR. VOLTAJE DE EMISOR.

736.- TIPO DE POLARIZACIÓN QUE SE UTILIZA EN UN TRANSISTOR POR TENER UNA SENSIBILIDAD A CAMBIOS EN BETA ES MUY PEQUEÑA. POLARIZACIÓN POR DIVISIÓN DE CORRIENTE. POLARIZACIÓN DIRECTA DE VOLTAJE. POLARIZACIÓN POR DIVISIÓN DE VOLTAJE.

738.- EXISTEN TRANSISTORES QUE SE DENOMINAN COMO _____________DEBIDO A LA VELOCIDAD CON LA QUE PUEDEN CONMUTAR DE UN NIVEL DE VOLTAJE A OTRO. TRANSISTORES DE REPOSO. TRANSISTORES POR DIVISION DE VOLTAJE. TRANSISTORES DE CONMUTACION.

739.- ES EL TIEMPO TOTAL REQUERIDO PARA QUE UN TRANSISTOR CONMUTE DEL ESTADO DE APAGADO AL DE ENCENDIDO. TIEMPO DE APAGADO. TIEMPO DEFINIDO. TIEMPO DE ENCENDIDO.

740.- EN UN TRANSISTOR, ES EL TIEMPO DEFINIDO COMO LA SUMA DEL TIEMPO DE RETRASO EN EL ESTADO DE CARGA DE LA ENTRADA Y EL INICIO DE UNA RESPUESTA DE SALIDA Y EL TIEMPO DE SUBIDA. TIEMPO DE APAGADO. TIEMPO DE ENCENDIDO. TIEMPO DE RETRASO.

739.- ES EL TIEMPO TOTAL REQUERIDO PARA QUE UN TRANSISTOR CONMUTE DEL ESTADO DE APAGADO AL ENCENDIDO. TIEMPO DE ENCENDIDO. TIEMPO DE RETASO. TIEMPO DE APAGADO.

741.- EN UN TRANSISTOR, ES EL TIEMPO DEFINIDO COMO LA SUMA DEL TIEMPO DE ALMACENAMIENTO Y EL TIEMPO DE CAÍDA. TIEMPO DE RETRASO. TIEMPO DE ENCENDIDO. TIEMPO DE APAGADO.

743.- PARA UN TRANSISTOR AMPLIFICADOR TÍPICO EN LA REGIÓN ACTIVA, EL VOLTAJE COLECTOR-EMISOR NORMALMENTE SE ENCUENTRA ENTRE EL ___________DEL VOLTAJE DE VCC. 25 AL 75 POR 100. 35 AL 75 POR 100. 50 AL 75 POR 100.

745.- ¿CUÁL DE LOS SIGUIENTES PARÁMETROS OCASIONA QUE EL PUNTO DE POLARIZACIÓN SE DESVÍE DEL PUNTO DE OPERACIÓN DETERMINADO EN UN TRANSISTOR AMPLIFICADOR?. VOLTAJE. TEMPERATURA. CORRIENTE.

746.- LAS REDES DE TRANSISTORES QUE SON MUY ESTABLES Y RELATIVAMENTE INSENSIBLES ANTE VARIACIONES DE LA TEMPERATURA TIENEN FACTORES DE ESTABILIDAD _______. BAJOS. ALTOS. MUY POBRES.

764.- EN UN TRANSISTOR JFET, PARA LOS VOLTAJES DE COMPUERTA VGS MENORES QUE MAS NEGATIVOS QUE EL NIVEL DE ESTRECHAMIENTO, LA CORRIENTE DE DRENAJE ES IGUAL A: ID = 0A. ID= 1A. ID= 2A.

747.- PARA LA MAYORÍA DE LAS CONFIGURACIONES DE LOS TRANSISTORES, EL ANÁLISIS DE DC INICIA CON LA DETERMINACIÓN DE LA CORRIENTE DE:_______________ . EMISOR. COLECTOR. BASE.

748.- EN UN TRANSISTOR, ¿QUÉ EFECTOS TIENE EL VOLTAJE BASE-EMISOR CON RESPECTO AL INCREMENTO EN LA TEMPERATURA?. DISMINUYE. AUMENTA. SE MANTIENE.

749.- UN TRANSISTOR BJT ES UN DISPOSITIVO CONTROLADO POR:___________. VOLTAJE. CORRIENTE.

750.- UN TRANSISTOR JFET ES DISPOSITIVO CONTROLADO POR: VOLTAJE. CORRIENTE.

752.- LOS FETS CANAL N DEPENDEN ÚNICAMENTE DE LA CONDUCCIÓN DE: ELECTRONES. HUECOS.

769.- INSTRUMENTO QUE PUEDE SER EMPLEADO PARA DESPLEGAR LAS CURVAS CARACTERISTICAS DE LOS JFETS AJUSTANDO ADECUADAMENTE SUS DISTINTOS CONTROLES: TRAZADOR DE CURVAS. AGUSTADOR DE CURVAS. CENTRALIZADOR DE CURVAS.

771.- LOS TRANSISTORES MOSFET SE DIVIDEN EN: TIPO DECREMENTAL E INCREMENTAL. TIPO INCREMENTAL E DECREMENTAL.

753.- ES UNA DE LAS CARACTERÍSTICAS MÁS IMPORTANTES DE UN TRANSISTOR FET SOBRE UN BJT. SU CORRIENTE DE DRENAJE. SU IMPEDANCIA DE SALIDA. SU IMPEDANCIA DE ENTRADA.

755.- TIPO DE TRANSISTOR QUE SE HA CONVERTIDO EN UNO DE LOS DISPOSITIVOS MÁS IMPORTANTES UTILIZADOS EN EL DISEÑO Y LA CONSTRUCCIÓN DE LOS CIRCUITOS INTEGRADOS PARA COMPUTADORAS DIGITALES. BJT. MOSFET. FET.

757.- EN UN JFET LA PARTE SUPERIOR DEL CANAL TIPO N SE ENCUENTRA CONECTADA POR MEDIO DE UN CONTACTO ÓHMICO A. COMPUERTA. FUENTE. DRENAJE.

758.- EN UN JFET LA PARTE INFERIOR DEL CANAL TIPO N SE ENCUENTRA CONECTADA POR MEDIO DE UN CONTACTO ÓHMICO A: DRENAJE. COMPUERTA. FUENTE.

759.- EN UN JFET CANAL N LOS DOS MATERIALES TIPO P SE ENCUENTRAN CONECTADOS ENTRE SI Y CON LA TERMINAL DE: FUENTE. COMPUERTA. DRENAJE.

760.- EN UN TRANSISTOR, ES AQUELLA REGIÓN QUE NO PRESENTA PORTADORES LIBRES Y ES, POR TANTO, INCAPAZ DE SOPORTAR LA CONDUCCIÓN A TRAVÉS DE ELLA. REGION OHMICA. REGION DE AGOTAMIENTO. REGION INCREMENTAL.

761.- LA CORRIENTE DE DRENAJE MÁXIMA DE UN JFET, SE DENOTA POR: IDSS. IDS. IDSSI.

762.- EN UN TRANSISTOR JFET, LA REGIÓN EMPLEADA NORMALMENTE EN LOS AMPLIFICADORES LINEALES (AMPLIFICADORES CON MÍNIMA DISTORSIÓN DE SEÑAL APLICADA) SE LE DENOMINA COMO REGIÓN DE: CORRIENTE CONSTANTE. CORRIENTE CONTINUA. CORRIENTE FINAL.

763.- ¿CUÁL ES LA REGIÓN DE UN JFET QUE PUEDE SER UTILIZADA COMO UN RESISTOR VARIABLE, CUYA RESISTENCIA SEA CONTROLADA POR MEDIO DEL VOLTAJE DE LA COMPUERTA A LA FUENTE?. REGION OHMICA. REGION CONSTANTE. REGION DE FUGA.

765.- EN EL SÍMBOLO GRÁFICO DE UN TRANSISTOR JFET, LA FLECHA SE ENCUENTRA APUNTANDO HACIA_______________ PARA EL CASO DEL DISPOSITIVO DE CANAL N. FUERA DEL SIMBOLO. DENTRO DEL SIMBOLO.

785.- ¿QUE TIPO DE COEFICIENTE DE TEMPERATURA TIENEN LOS FETS VMOS?. POSITIVO. NEGATIVO.

766.- LA CURVA DE TRANSFERENCIA PARA UN JFET PUEDE OBTENERSE UTILIZANDO LA. ECUACIÓN DE NORTON. ECUACIÓN DE THEVENIN. ECUACIÓN DE SHOCKLEY.

787.- DISPOSITIVO QUE POR SU ALTA IMPEDANCIA DE ENTRADA, SU RAPIDEZ DE CONMUTACION Y BAJOS NIVELES DE POTENCIA DE OPERACION ES MUY UTIL PARA LOS CIRCUITOS LOGICOS: CMOS. MOSFET. FETS.

767.- EN LOS JFETS ES LA REGION QUE DEFINE LOS VALORES MINIMOS PERMISIBLES DE VDS PARA CADA NIVEL DE VGS Y DE VDS MAX. REGION INCREMENTAL. REGION OHMICA. REGION DECREMENTAL.

768.- EN LOS JFETS ES LA CORRIENTE MÁXIMA DE DRENAJE. CORRIENTE DE SATURACION. CORRIENTE DE CORTE. CORRIENTE CONSTANTE.

770.- DURANTE EL ANÁLISIS DE LA CONFIGURACIÓN DE UN JFET, ¿CUÁL ES EL PRIMER PARÁMETRO QUE DEBE DETERMINARSE?. VGP. VGS. VGD.

772.- ¿QUÉ SIGNIFICAN LAS SIGLAS MOSFET?. TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO METAL-ÓXIDO-SEMICONDUCTOR. TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO METAL-ÓXIDO-CONDUCTOR. TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO ÓXIDO-METAL SEMICONDUCTOR.

790.- PARA EL ANALISIS DE DC DE UN JFET EN CONFIGURACION DE POLARIZACION FIJA, LA CORRIENTE DE COMPUERTA ES APROXIMADAMENTE IGUAL A: 1V. 0V. 5V.

773.- UN TRANSISTOR MOSFET TIENE UNA IMPEDANCIA DE ENTRADA: SUPER BAJA. BAJA. ALTA.

774.- UN TRANSISTOR MOSFET LA COMPUERTA PERMANECE AISLADA DEL CANAL POR MEDIO DE UNA CAPA MUY DELGADA DE: DIÓXIDO DE SILICIO. DIÓXIDO DE GERMANIO. DIÓXIDO DE CROMO.

775.- LA ALTA IMPEDANCIA DE ENTRADA DE UN MOSFET TIPO DECREMENTAL SE DEBE A LA CAPA AISLANTE DE____________EMPLEADA EN SU CONSTRUCCIÓN. DIÓXIDO DE GERMANIO. DIÓXIDO DE CROMO. DIÓXIDO DE SILICIO.

776.- LOS MOSFET TIPO DECREMENTAL DEBIDO A QUE CUENTAN CON UNA CAPA AISLANTE ENTRE LA COMPUERTA Y EL CANAL, HA PROVOCADO OTRO NOMBRE PARA EL DISPOSITIVO, CONOCIDO COMO: IDSS. IGFET. IDFET.

777.- EN LOS MOSFET LA REGIÓN DE VOLTAJES POSITIVOS DE LA COMPUERTA SOBRE EL DRENAJE O LAS CARACTERÍSTICAS DE TRANSFERENCIA A MENUDO ES CONOCIDA COMO: REGIÓN INCREMENTAL. REGIÓN DECREMENTAL. REGIÓN SUPERINCREMENTAL.

778.- EN LOS MOSFET LA REGIÓN ENTRE EL NIVEL DE CORTE Y DE SATURACIÓN DE IDSS SE CONOCE COMO: REGIÓN SUPERDECREMENTAL. REGIÓN DECREMENTAL. REGIÓN INCREMENTAL.

779.- EN EL SÍMBOLO GRÁFICO DE UN TRANSISTOR MOSFET DE TIPO DECREMENTAL, LA FLECHA SE ENCUENTRA APUNTANDO HACIA __________________PARA EL CASO DEL DISPOSITIVO DE CANAL N. DENTRO DEL SÍMBOLO. FUERA DEL SÍMBOLO.

797.- PARA LOS MOSFETS TIPO INCREMENTAL DE CANAL N, LA CORRIENTE DE DRENAJE ES PARA AQUELLOS NIVELES DE VOLTAJE COMPUERTAFUENTE MENORES QUE EL NIVEL DE UMBRAL VGS TH. UNO. CERO. CINCO.

780.- TIPO DE TRANSISTOR CUYA CURVA DE TRANSFERENCIA NO ESTÁ DEFINIDA POR LA ECUACIÓN DE SHOCKLEY Y LA CORRIENTE DE DRENAJE AHORA ESTÁ EN CORTE HASTA QUE VGS ALCANZA UNA MAGNITUD ESPECÍFICA. MOSFET DE TIPO SUPERINCREMENTAL. MOSFET DE TIPO INCREMENTAL. MOSFET DE TIPO DECREMENTAL.

781.- ¿CUÁL ES LA PRINCIPAL DIFERENCIA ENTRE LA CONSTRUCCIÓN DE LOS MOSFET DE TIPO DECREMENTAL Y LOS DE TIPO INCREMENTAL?. LA AUSENCIA DE UN CANAL ENTRE LAS TERMINALES DEL DRENAJE Y LA COMPUERTA. LA AUSENCIA DE UN CANAL ENTRE LAS TERMINALES DE LA COMPUERTA Y LA FUENTE. LA AUSENCIA DE UN CANAL ENTRE LAS TERMINALES DEL DRENAJE Y LA FUENTE.

782.- EN LOS MOSFET TIPO INCREMENTAL EL NIVEL VGS QUE OCASIONA UN INCREMENTO SIGNIFICATIVO DE LA CORRIENTE DE DRENAJE SE CONOCE COMO. VOLTAJE DE UMBRAL. CORRIENTE UMBRAL. CORRIENTE FUGAS.

783.- EN LOS MOSFET TIPO INCREMENTAL PARA VALORES DE VGS MENORES QUE EL NIVEL DE UMBRAL, LA CORRIENTE DEL DRENAJE ES: 0 MILIAMPERES. .5 MILIAMPERES. 1 MILIAMPERES.

784.- ¿CUÁL ES LA DIFERENCIA ENTRE LOS SÍMBOLOS DE LOS MOSFETS DE TIPO INCREMENTAL CON RESPECTO A LOS TIPO DECREMENTAL?. QUE LA LÍNEA ENTRE EL COMPUERTA Y LA FUENTE ES UNA LÍNEA PUNTEADA. QUE LA LÍNEA ENTRE EL DRENAJE Y LA FUENTE ES UNA LÍNEA PUNTEADA. QUE LA LÍNEA ENTRE EL FUENTE Y LA COMPUERTA ES UNA LÍNEA PUNTEADA.

661.- METODO QUE SE UTILIZA EN LA SOLUCION DE REDES SERIEPARALELO CON UNA SOLA FUENTE, DONDE EL ANALISIS PROCEDE HACIA LA FUENTE, DETERMINA LA CORRIENTE DE LA FUENTE Y LUEGO REGRESA A LA INCOGNITA BUSCADA. METODO DE REDUCCION Y REGRESO. METODO DE REGRESO Y REDUCCION. METODO DE MALLA Y TENSION. METODO DE TENSION Y MALLA.

786.- TIPO DE CONFIGURACIÓN QUE RESULTA DE CONSTRUIR UN MOSFET DE CANAL-P Y CANAL-N SOBRE EL MISMO SUSTRATO. ARREGLO DE MOSFET. COMPLEMENTARIO DE MOSFET. TRANSFERENCIA DE MOSFET.

660.- ES LA UNION DE DOS O MAS RAMAS. UNION. NODO. CONJUNTO.

789.- QUE ECUACION SE APLICA PARA RELACIONAR LAS CANTIDADES DE ENTRADA Y DE SALIDA DE LOS TRANSISTORES JFET Y MOSFET DE TIPO DECREMENTAL. LEY DE SHOCKLEY. LEY DE NORTON. LEY DE THEVENIN.

791.- UNA DESVENTAJA DE LA CONFIGURACIÓN DE POLARIZACIÓN FIJA DE UN TRANSISTOR JFET ES: REQUIERE TRES FUENTES DE DC. REQUIERE DOS FUENTES DE DC. REQUIERE UNA FUENTES DE DC.

792.- TIPO DE CONFIGURACIÓN DE UN JFET QUE ELIMINA LA NECESIDAD DE CONTAR CON DOS FUENTES DE ALIMENTACIÓN DE DC. AUTOPOLARIZACION. SEMIPOLARIZACION.

793.- EN LA CONFIGURACIÓN DE AUTOPOLARIZACIÓN DE UN JFET, EL VOLTAJE DE CONTROL DE LA COMPUERTA A LA FUENTE ESTÁ DETERMINADO POR: EL VOLTAJE A TRAVÉS DEL RESISTOR RT. EL VOLTAJE A TRAVÉS DEL CAPACITOR RS. EL VOLTAJE A TRAVÉS DEL RESISTOR RS.

794.- EN LA POLARIZACIÓN POR DIVISOR DE VOLTAJE DEL JFET, EL INCREMENTO EN LOS VALORES DE RS, OCASIONA NIVELES __________ DE ESTABILIDAD DE ID. MAYORES. MENORES. IGUALES.

795.- EN LA POLARIZACIÓN POR DIVISOR DE VOLTAJE DEL JFET, EL INCREMENTO EN LOS VALORES DE RS, OCASIONA VALORES MÁS NEGATIVOS DE: IGFET. IDSS. VGS.

796.- TIPO DE TRANSISTOR QUE PERMITIR PUNTOS DE OPERACIÓN CON VALORES POSITIVOS DE VGS Y NIVELES DE ID QUE EXCEDEN IDSS. MOSFET DE TIPO INCREMENTAL. MOSFET DE TIPO DECREMENTAL. MOSFET DE TIPO SUPERDECREMENTAL.

798.- UNA DE LAS APLICACIONES MÁS COMUNES DEL JFET ES COMO UN RESISTOR VARIABLE CUYO VALOR DE RESISTENCIA ESTÁ CONTROLADO POR EL VOLTAJE DE DC APLICADO EN LA TERMINAL DE. CUMPUERTA. FUENTE. DRENAJE.

799.- UNO DE LOS FACTORES MÁS IMPORTANTES QUE AFECTAN LA ESTABILIDAD DE UN SISTEMA ES: LA VARIACIÓN DE CORRIENTE. LA VARIACIÓN DE VOLTAJE. : LA VARIACIÓN DE TEMPERATURA.

800.- A MEDIDA QUE UN SISTEMA SE CALIENTA, LA TENDENCIA USUAL ES QUE LA GANANCIA: SE INCREMENTA. SE MANTIENE. DISMINUYE.