E.G

En los semiconductores intrínsecos el nivel de Fermi se encuentra en: Próximo a la banda de conducción al estar ésta más poblada de electrones que la banda de valencia de huecos. Próximo a la banda de valencia al estar ésta más poblada de electrones que la banda de conducción de huecos. Se encuentra en el centro del gap dado que la banda de valencia y la de conducción tienen la misma densidad de portadores de carga. Depende de si es un semiconductor intrínseco p o n.

En un semiconductor intrínseco, los portadores de carga mayoritarios son: Los huecos. Los electrones. No hay portadores mayoritarios ya que la densidad de portadores es la misma. Depende de si es un semiconductor extrínseco p o n.

En un semiconductor extrínseco, los portadores de carga mayoritarios son: Los huecos. Los electrones. No hay portadores mayoritarios ya que la densidad de portadores es la misma. Depende de si es un semiconductor extrinseco p o n.

En un semiconductor extrínseco de tipo n: Los portadores mayoritarios son huecos. El nivel energético asociado a los portadores de carga mayoritarios se encuentra cercano a la banda de conducción. El nivel energético asociado a los portadores de carga mayoritarios se encuentra cercano a la banda de valencia. La ionización de la impureza aceptadora produce electrones.

En el estudio de la variación de la densidad de portadores de carga con la temperatura en un semiconductor extrínseco, la región de saturación: Se alcanza a altas temperaturas cuando la densidad de portadores minoritarios iguala a la de mayoritarios. Es aquella en que no aumenta la densidad de portadores de carga a pesar de aumentar la temperatura. Es aquella en que se incrementa la densidad de portadores mayoritarios cuando aumenta la temperatura. Ninguna de las anteriores es correcta.

En una unión P-N polarizada en directa: Se crea un campo eléctrico externo que se suma al interno creado por las cargas de la región de deplexión. Se crea un campo eléctrico externo que se resta al interno creado por las cargas de la región de deplexión. No se genera ningún campo eléctrico interno debido a que la unión está en ruptura. Se genera un campo eléctrico debido al fenómeno de inyección de portadores.

En una unión P-N polarizada en inversa: Se crea un campo eléctrico externo que se suma al interno creado por las cargas de la región de deplexión. Se crea un campo eléctrico externo que se resta al interno creado por las cargas de la región de deplexión. No se genera ningún campo eléctrico interno debido a que la unión está en ruptura. Se genera un campo eléctrico debido al fenómeno de inyección de portadores.

En un diodo de unión tipo PN: Si está polarizado en directa, la corriente de difusión aumenta con la polarización y es mayor que la de arrastre. Si está polarizado en inversa, la corriente de difusión disminuye con la polarización y es menor que la de arrastre. Si está en equilibrio la corriente de difusión es aproximadamente igual a la de arrastre. Todas son correctas.

En un diodo polarizado en directa, al que se superpone una señal alterna incremental de alta frecuencia, el modelo equivalente del mismo se puede representar como: Una resistencia incremental en paralelo con un condensador (capacidad), donde tanto la resistencia como el condensador, varían en función del punto de trabajo del diodo. Una resistencia incremental en serie con un condensador (capacidad), donde tanto la resistencia como el condensador, varían en función del punto de trabajo del diodo. Una resistencia incremental en paralelo con una bobina (inductor), donde tanto la resistencia como el inductor, varían en función del punto de trabajo del diodo. No se puede modelar ya que no es posible tener en cuenta las capacidades asociadas al diodo, de transición y difusión.

Las corrientes en un transistor pnp son: Por lo general menores que las corrientes de los npn. Opuestas a las corrientes npn. Usualmente mayores que las npn. Negativas.

En un transistor BJT trabajando en activa directa: La corriente del colector depende directamente de la tensión aplicada entre el colector y el emisor. La corriente del colector es nula. La corriente del colector es proporcional a la tensión entre la base y el emisor. La corriente del colector es independiente de la tensión aplicada entre el colector y el emisor.

Un transistor BJT se comporta como: Dos diodos enfrentados, formando una unión npn o bien pnp. Un amplificador de corriente cuando la unión base-emisor se polariza en directa y la unión base-colector en inversa. Un amplificador de corriente cuando la unión base-emisor se polariza en directa y la unión base-colector en directa. Un circuito abierto cuando la unión base-emisor se polariza en inversa y la unión colectorbase en inversa.

Selecciona la afirmación correcta: Los BJT son dispositivos biestables. Los BJT son dispositivos controlados por tensión. Los FET son dispositivos controlados por intensidad. Los FET son dispositivos unipolares.

En un transistor MOSFET de acumulación de canal N donde VGS=0, si entre drenador y fuente se aplica una tensión positiva, la corriente a través del drenador será: Creciente con VDS. Decreciente con VDS. Nula. Creciente con la corriente de la puerta.

La característica ID-VGS de un transistor MOSFET de acumulación es: Idéntica que la de un MOSFET de deplexión, excepto en un desplazamiento debido al valor diferente de la tensión umbral. Idéntica que la de un MOSFET de deplexión, siempre y cuando el canal sea de tipo p. Idéntica que la de un MOSFET de deplexión, siempre y cuando el canal sea de tipo n. La característica ID-VGS no aporta información alguna a la caracterización de un transistor de efecto campo.

En un JFET de canal n: La manera de impedir el paso de corriente entre la fuente y el drenador es crear una zona de deplexión en el canal. Para ello sólo hay que polarizar en inversa las uniones pn. La manera de impedir el paso de corriente entre la fuente y el drenador es crear una zona de acumulación en el canal. Para ello sólo hay que polarizar en directa las uniones pn. La manera de impedir el paso de corriente entre la fuente y el drenador es crear una zona de acumulación en el canal. Para ello sólo hay que polarizar en inversa las uniones pn. La manera de impedir el paso de corriente entre la fuente y la puerta es crear una zona de deplexión en el canal. Para ello sólo hay que polarizar en inversa las uniones pn.

En un BJT tipo npn: Si polarizamos la unión base-emisor en directa y la unión base-colector en inversa decimos que el transistor está trabajando Activa Inversa. Si polarizamos la unión base-emisor en inversa y la unión base-colector en directa decimos que el transistor está trabajando Activa Inversa. Si polarizamos la unión base-emisor en directa y la unión base-colector en directa decimos que el transistor está trabajando Corte. Si polarizamos la unión base-emisor en directa y la unión base-colector en inversa decimos que el transistor está trabajando Saturación.

En cuanto a los tranistores BJT y FET: Los FET tienen mejor respuesta en frecuencia que los BJT. Los BJT tienen mejor respuesta en frecuencia que los FET. Ambos tienen la misma respuesta en frecuencia. Nos e posible determinar la respuesta en frecuencia al ser dispositivos multipolares.

En un diodo de unión tipo pn: Si se polariza en directa, la zona de carga espacial aumenta. Si se polariza en directa, la corriente de difusión aumenta y es mayor que la de arrastre. Si se polariza en inversa, la zona de carga espacial disminuye. Si se polariza en inversa, la corriente arrastre disminuye y es menor que la de difusión.

En un semiconductor extrínseco de tipo p, el nivel de Fermi: Se encuentra en la banda de conducción, por encima del nivel energético asociado a la impureza aceptadora. Se encuentra en la banda de valencia, por debajo del nivel energético asociado a la impureza aceptadora. Se encuentra en la banda de valencia, por encima del nivel energético asociado a la impureza donadora. Se encuentra en la banda de conducción, por encima del nivel energético asociado a la impureza donadora.