Alojomora 7-OT

El transistor de efecto de campo es de tipo... Bipolar. Metal-óxido-semiconductor. Unipolar. Tripolar.

Sobre las curvas características estáticas de drenador de un JFET canal N en fuente común indicadas en la figura... La zona II es la de ruptura. La zona I es la óhmica. La zona IV es la de saturación. La zona III es la de corte.

Sobre las curvas características anteriores, la región óhmica se denomina también... De saturación. Activa. De corte. Lineal.

Es falso que los JFET... Puedan actuar como una resistencia o como una fuente de corriente, dependiendo de la situación de su punto Q de funcionamiento. Tengan una impedancia de entrada mayor que los BJT. Sean unidireccionales y tengan dos tipos de portadores de carga. Sean más sencillos de fabricar y ocupen menos espacio en su integración que los BJT.

Los terminales de un JFET se denominan... Ánodo, cátodo y puerta. Emisor, Base y colector. Base 1, base 2 y puerta. Drenador, puerta y surtidor.

El transistor JFET es un dispositivo controlado por... Tensión. Resistencia. Campo magnético. Corriente.

Los transistores de efecto de campo de unión... De doble puerta tiene un campo de aplicación mucho más amplio que los de puerta única. Están dotados de dos puertas que suelen estar conectadas internamente constituyendo un único terminal exterior. No presentan ningún tipo de analogía con respecto a los BJT. Se conocen abreviadamente como MOSFET debido a su constitución interna.

A medida que la tensión de puerta de un JFET canal N es más negativa, el canal se hace... Más largo. Más estrecho. Más ancho. Más conductor.

La diferencia más clara entre el JFET y MOSFET de empobrecimiento es que... Uno se gobierna por tensión y el otro por corriente. El MOSFET puede trabajar con tensiones de puerta tanto positivas como negativas. Las dos respuestas anteriores son ciertas. En el FET el sustrato es accesible desde el exterior.

El circuito de polarización de la figura... Es correcto para la configuración en surtidor común. Tiene la pila VGG conectada al revés. Está en montaje drenador común. Todas las respuestas anteriores son falsas.

El transistor JFET difiere del bipolar en que... Su impedancia de entrada es mucho menor. Su velocidad de conmutación es alrededor de 10 veces mayor. Para magnitudes elevadas de tensión, la corriente no se mantiene constante y en aplicaciones con altas intensidades no presenta pérdidas. Tiene mucha menos ganancia de tensión.

En las características de drenador de un JFET canal N de la figura se cumple que... VGS4 = VGS3 = VGS2 = VGS1. VGS4 < VGS3 < VGS2 < VGS1. VGS4 > VGS3 > VGS2 > VGS1. VGS4 = 0 V.

La transconductancia o conductancia mutua del JFET se define como... atención a esta pregunta. atención a esta pregunta.

¿Cuál de las siguientes ventajas de los FET sobre los BJT es falsa?. Bajo consumo de corriente y potencia a la entrada. Su reducido tamaño que los hace idóneos en la fabricación de circuitos integrados. Pequeña impedancia de entrada. Elevada estabilidad frente a las variaciones de temperatura.

En un JFET los terminales de surtidor y drenador son intercambiables en muchas aplicaciones de... Corriente continua. Frecuencias intermedias. Alta frecuencia. Baja frecuencia.

Para que un JFET esté correctamente polarizado en funcionamiento normal es necesario que... La unión diodo puerta-surtidor esté en directa y la puerta-drenador en inversa. La unión diodo puerta-surtidor esté en inversa y la puerta-drenador en directa. Ambas uniones diodo deben estar en inversa. Ambas uniones diodo deben estar en directa.

Para diseñar un amplificador multietapa con una elevada impedancia de entrada y una gran ganancia de tensión la mejor solución es conectar... Dos BJT en EC, el primero NPN y el segundo PNP. En la primera etapa un JFET como seguidor de fuente y en la segunda un BJT en EC. Dos transistores JFET en seguidor de surtidor, uno de canal N y otro de canal P. En la primera etapa un transistor BJT en EC y en la segunda un JFET como seguidor de fuente.

Un transistor JFET actúa como una fuente de corriente constante de valor IDSS cuando se cumple que la tensión drenador-surtidor es... Mayor que la tensión de estrangulamiento y menor que la de ruptura. Mayor que la tensión de ruptura. Nula. Menor que la tensión de estrangulamiento o contracción.

Cuando el JFET trabaja en la zona óhmica se cumple que: RDS = VP / IDSS. RDS = VDS max - VP / IDSS. RDS = VDS max / IDSS. RDS = VP - VDS max / IDSS.

La característica de transferencia de un JFET canal N se corresponde con la que aparece en... El cuadrante IV. El cuadrante II. El cuadrante I. El cuadrante III.

En un JFET ideal sus correspondientes curvas características de salida... Se superpondrían en la zona óhmica. Serían horizontales en la zona de fuente de corriente. No presentarían zona de ruptura. Todas las respuestas anteriores son ciertas.

Para que un JFET ideal se comporte como una resistencia, su punto Q de funcionamiento debe ser... Q4. Q2. Q1. Q3.

Estableciendo analogías entre el BJT y el JFET, podemos decir que... El emisor es similar a la puerta. La base es similar a la fuente. El colector es similar al drenador. Ninguna de las anteriores.

La corriente de drenador máxima que un JFET canal N puede conducir se produce cuando la tensión puerta-fuente es... Máxima positiva. Máxima negativa. Cero. Infinita.

Dadas las curvas características de salida de un JFET canal N de la figura, sabemos que... IDSS = 10 mA. La tensión de estrangulamiento es de 30 V. La tensión de ruptura es de 5 V. Todas las respuestas anteriores son ciertas.

Si en la hora de características de un JFET canal N aparece que la tensión puerta-fuente de corte es de -6V, sabemos que la tensión de estrangulamiento valdrá: Vp = 1 V. Vp = -6 V. Vp = 0 V. Vp = 6 V.

Según los datos contenidos en al curva de transferencia de un JFET de la figura, deducimos que.. VDS = 12 V. RDS = 7,5 KΩ. IDSS = 5 mA. VGS(off) = - 4 V.

El modelo equivalente del JFET de la figura es válido cuando actúa en la zona... Óhmica. De saturación. De corte. De ruptura.

Como transistor MOS de potencia se emplea el... MOSFET de enriquecimiento. MOSFET de empobrecimiento. Cualquiera de los dos tipos anteriores. FET.

El tiempo más corto de los que intervienen en el proceso de conmutación de un MOS de potencia es... El tiempo de retardo. El tiempo de subida. El tiempo de caída. El tiempo de descarga.

De entre las características dinámicas de los MOS de potencia, se conoce como "tiempo de descarga" al que... Tarda la corriente de drenador en pasar del 90 al 10 % de su valor final. Transcurre desde que se aplica la señal de entrada hasta que la corriente de drenador alcanza el 10 % de su valor final. Tarda la corriente de drenador en pasar del 10 al 90 % de su valor final. Transcurre desde que se anula la tension de entrada hasta que la corriente de drenador cae al 90 % de su valor inicial.

En los transistores MOS de potencia, la capacidad parásita responsable de los retrasos en las commutación es... CDS. CDG. CBS. CGS.

Los transistores MOSFET.... Son FET de metal-óxido-semiconductor. Reciben también el nombre de IGFET. Las dos respuestas anteriores son ciertas. Trabajan con elevadas intensidades de puerta.

La figura muestra el dibujo esquemático de un MOSFET canal N... De empobrecimiento. De deplexión. Las dos respuestas anteriores son ciertas. De enriquecimiento.

En la figura anterior, la puerta es el... Terminal I. Terminal II. Terminal III. Terminal IV.

En los transistores MOSFET, el sustrato se suele unir internamente a... La fuente. La puerta. El drenador. La cápsula.

El símbolo del MOSFET de acumulación canal N es el de... Q3. Q4. Q1. Q2.

Los transistores MOSFET de acumulación se conocen también por el nombre de... MOS de empobrecimiento. MOS de enriquecimiento o de canal inducido. MOS de canal difuso. MOS de deplexión.

En el circuito de polarización del MOSFET de la figura... Si se invierte la polaridad de VGS disminuye la corriente de cargas a través del canal. Los electrones libres circulan por el canal desde el drenador hacia la fuente. La tensión negativa de puerta VGS controla el ancho del canal, funcionando en estas condiciones como un FET. Observamos que no tiene la puerta aislada del canal.

Un MOSFET de potencia mejora las características de un transistor IGBT salvo en... La resistencia drenador-surtidor. La capacidad de puerta. La máxima corriente de pico. La velocidad de conmutación.

¿Cuál de las siguientes características de los MOSFET frente a los BJT es falsa?. Los MOSFET tienen una velocidad de respuesta menor, es decir, son más lentos en conmutación. Los MOSFET tienen una velocidad de respuesta menor, es decir, son más lentos en conmutación. Los MOSFET disponen de buena capacidad para soportar sobrecargas y alta impedancia de entrada. Los MOSFET tienen un coeficiente de temperatura positivo al ser la conducción por portadores mayoritarios.

En un MOSFET de acumulación canal N, se dice que el canal se ha estrangulado (pinch-off) cuando... VT < 0. VGS ≤ VT. VDS = VGS - VT. VDS < VGS - VT.

En el símbolo genérico del MOSFET con 4 terminales de la figura, el substrato es... El terminal 1. El terminal 3. El terminal 4. El terminal 2.

El área de operación segura (SOAR) de un MOSFET de potencia está limitada por... La ID máxima. La tensión de ruptura BVDSS4. La temperatura máxima de la unión. Los tres factores anteriores.

En un MOSFET de potencia, la mayor parte de las pérdidas de potencia se producen en... El bloqueo. La conducción. El corte. La conmutación.

¿Cuál de las siguientes no es una aplicación de los MOSFET?. Amplificación de BF y RF con bajo ruido y poca distorsión. Circuitos de conmutación de potencia. Circuitos mezcladores de RF y circuitos de control automático de ganancia, CAG. Circuitos digitales con tecnología TTL.

Al conectar en paralelo varios MOSFET de potencia... Se reduce la RDS(ON) y la corriente a controlar aumenta. Empeora el comportamiento térmico. Aumenta la inductancia LDS. Disminuye la ID.

El símbolo de la figura corresponde a un transistor MOSFET... De empobrecimiento canal N. De empobrecimiento canal P de doble surtidor. De empobrecimiento canal P de doble puerta. De empobrecimiento canal P de doble sustrato.

En transistor PMOS de enriquecimiento, a medida que la tensión de la puerta es más negativa la corriente de drenador... No varia. Disminuye. Cambia de signo. Aumenta.

El dióxido de silicio (SiO2 ) que se utiliza en la fabricación de los MOSFET es un material... Semiconductor de silicio dopado con impurezas aceptadoras. Semiconductor de silicio dopado con impurezas donadoras. Conductor metálico. Aislante.

Observando las curvas características de salida de un MOSFET de empobrecimiento canal N, se tiene que para valores positivos de VGS su funcionamiento es... En modo de ruptura. En modo de empobrecimiento. En modo de enriquecimiento. En modo de corte.

Si a un MOSFET de enriquecimiento canal N aplicamos una tensión nula entre puerta y fuente (VGS =0)..... Se convierte en un MOSFET de enriquecimiento canal P. Se convierte en un MOSFET de empobrecimiento canal N. La capa de inversión tipo N que conecta el surtidor al drenador permite la circulación de una corriente de drenador máxima. La corriente de drenador es nula y el transistor está en corte.

En un MOSFET de enriquecimiento se define como "tensión umbral" a la tensión puerta surtidor que... Mantiene el transistor en el corte. Crea la carga de inversión de tipo N que comunica el surtidor con el drenador. Lleva al transistor a la zona de ruptura. Hace trabajar al MOSFET en modo de empobrecimiento.

En los transistores MOSFET la delgada capa de aislamiento se puede destruir si... Se aplica una excesiva tensión puerta-surtidor. Se retira o inserta el dispositivo en un circuito mientras la alimentación está conectada. Se toca excesivamente con las manos el componente, debido a la carga estática que se deposita sobre el. Todas las respuestas anteriores son ciertas.

Un transistor MOSFET puede llegar a tener... 4 terminales. 3 terminales. 6 terminales. 5 terminales.

El funcionamiento de un MOSFET en empobrecimiento es similar al del JFET cuando la tensión de puerta es... Positiva. Negativa. Cualquiera de las anteriores. En ningún caso.

¿Cuál de los siguientes parámetros se pueden encontrar en los datasheets de los MOSFET de enriquecimiento?. ID(on). VGS(th). VGS(on). Cualquiera de las anteriores.

El IGBT consiste básicamente en... Un transistor PNP controlado por un MOSFET de canal N, en configuración Darlington. Dos transistores MOS imbricados. Un tiristor en paralelo con un diodo. Un tiristor en serie con un BJT.

Los transistores de efecto de campo utilizan como portadores de carga... Electrones libres y huecos simultáneamente. Sólo electrones libres. Sólo huecos. Electrones libres o huecos.

El transistor cuyo símbolo se muestra en la figura es un... NMOS de enriquecimiento. NPN Schottky. Bipolar de puerta aislada. Bipolar NPN de potencia.

El transistor de efecto de campo de puerta aislada se conoce por el nombre de... IGFET. APET. FET. JFET.

Las curvas características de la figura pertenecen a un transistor... FET. NMOS. MOS. IGBT.

La estructura de la figura pertenece a un... MOS. IGBT. FET. UJT.

En el IGBT el control se hace por... Corriente. Temperatura. Tensión. Campo magnético.

IGBT son las siglas de... Tiristor bidireccional gobernado por impulsos. Transistor MOS de potencia. Triac básico de gobierno por corriente. Transistor bipolar de puerta aislada.

¿Qué capa del IGBT canal N de la figura no es estrictamente necesaria para el funcionamiento del dispositivo?. Drain drift. Body. Inyección. Buffer.

El transistor UJT se conoce también como... PUT. UNI. TUN. Uniunión.

De entre los símbolos de transistores de la figura, el correspondiente al UJT tipo N es... Q3. Q1. Q4. Q2.

Observando la curva característica del UJT de la figura tenemos que... La zona comprendida entre los puntos III y IV es de resistencia negativa. Los ejes están permutados. El punto I se llama "valle". El punto II se llama "pico".

La aplicación más común del UJT es... Generar impulsos de polaridad variable y frecuencia constante. Generar impulsos de polaridad constante y frecuencia variable. Generar señales alternas senoidales de frecuencia variable. Amplificar señales de ruido.

Dado el circuito de polarización del UJT de la figura, éste conduce si... VE > η * VBB. VE > η * VBB + 0,7. VE < η * VBB. VE = 0.

La relación intrínseca η de un UJT no depende de... El proceso de fabricación. La geometría del elemento. El grado de dopado. Las resistencias de polarización.

El transistor UJT no recibe el nombre de... Transistor de unión única. Diodo de corriente alterna. Transistor monounión. Diodo de doble base.

Según las siguientes mediciones realizadas con un óhmetro analógico al UJT tipo 2N2646, concluimos que.. Está en buen estado. Está averiado. Está en cortocircuito. Tiene fugas.

El UJT de la figura se hace conductor con una tensión de pico: Vp = 10 V. Vp = 12 V. Vp = 7,7 V. Vp = 7 V.

El UJT del montaje de la figura estará estropeado si... El óhmetro Ω1 marca infinito en ambos sentidos. El óhmetro Ω2 marca cero en ambos sentidos. Las dos respuestas anteriores son ciertas. El óhmetro Ω3 marca lo mismo en ambos sentidos.

Según el circuito equivalente del transistor UJT mostrado en la figura, el parámetro η (relación intrínseca) vale... η = RB1 * RB2. η = RB1 / RB2. η = RB1 / (RB1 + RB2 ). η = RB1 + RB2.

Observando la curva característica del UJT mostrada en la figura, la zona de saturación donde el transistor se comporta como un diodo conductor es la... Zona I. Zona II. Zona III. Ninguna.

Dada la constitución interna del UJT tipo N de la figura... El emisor, de tipo N, está podo dopado. El emisor está situado equidistante de las bases. Los contactos de las bases son óhmicos, no rectificadores. La barra semiconductora es de silicio tipo P.

Un UJT tipo N... Tiene una relación intrínseca η programable por el usuario. Tiene una zona P poco dopada en comparación con la N. Se puede bloquear si se disminuye la corriente de emisor por debajo del valor de la corriente de valle. Conduce cuando la tensión aplicada entre las dos bases (VB2B1 ) alcanza el llamado valor de pico.

Siendo RB1 la resistencia de la barra de silicio entre el terminal de emisor y el de la base B1 de un UJT, la gráfica que define correctamente su evolución con la intensidad de emisor es... La curva II. La curva IV. La curva III. La curva I.

El circuito de la figura es equivalente a un... SUS. GTO. UJT. IGBT.

Los transistores de la figura son... UJT. Ambos de montaje superficial. MOSFET de potencia. FET.

El transistor que en realidad tiene estructura de tiristor es el llamado... PUT. UJT. IGBT. CMOS.

Un transistor de efecto Hall es sensible a... Los campos magnéticos. Los campos eléctricos. La humedad relativa del aire. La luz solar.