Alojomora 7T segunda parte

En el montaje colector común el terminal de salida del transistor es... El emisor. La base. La cápsula. El colector.

Para calcular la potencia disipada por un transistor en EC efectuaremos el producto... VCE * IC. VBE * IC. VBE * IB. VCE * IB.

Cuando aumenta la temperatura de un transistor en montaje de EC, la ganancia de corriente β... Aumenta. Tiende a cero. Disminuye. No varia.

Si un transistor NPN en EC esta correctamente polarizado, se cumple que... IB = IC. IC = IE + IB. IB < IE. IC > IE.

Dadas las curvas características del BJT en EC de la figura, la impedancia de entrada vale... Zi = 1 MΩ. Zi = 2 KΩ. Zi = 1 KΩ. Zi = 2 MΩ.

En la familia de curvas características de colector de la figura... Si aumenta la temperatura, el punto Q se desliza hacia abajo sobre la recta de carga. Se puede observar que la β de un transistor no es constante debido a que la curvas no son paralelas al eje de las X. Hay un valor, BVCEO , que hay que alcanzar para saturar el transistor. Se comprueba que en saturación la VCE es máxima.

Según el gráfico de la figura, el transistor trabaja como amplificador... Clase AB. Clase C. Clase A. Clase B.

Observando las curvas características de salida de la figura, para que el transistor trabaje en clase C el punto de reposo debe ser... Q3. Q4. Q1. Q2.

A medida que aumenta el valor de la resistencia de carga en un transistor en EC se obtiene mayor amplificación de... Tensión. Corriente. Frecuencia. Impedancia.

Cuanto menor sea la pendiente de la curva característica IC = f(VCE), la amplificación del transistor... Es mayor. Es menor. Tiende a cero. No varia.

La VBE de un transistor bipolar de silicio trabajando como amplificador vale... 0,5 ÷ 0,9 V. La mitad de la tensión de alimentación. El doble de la tensión de alimentación. 0 V.

¿Qué montaje del transistor no amplifica tensión?. Emisor común. Base común. Colector común. Ninguno.

La resistencia de carga mínima que se puede conectar a un transistor es aquélla que hace que la recta de carga correspondiente sea... Pasarela al eje de las X. Pasarela al eje de las Y. Secante a la curva de máxima potencia. Tangente a la hipérbola de máxima disipación de potencia.

Una forma de minimizar la distorsión de amplitud que se produce en una etapa amplificadora en EC consiste en... Aumentar el valor pico a pico de la corriente alterna de emisor por encima del 10 % de la intensidad continua de emisor. Reducir el valor de pico de la señal aplicada en la base. No introducir realimentación negativa en el emisor. Polarizar el transistor para que su punto Q de trabajo se encuentre en la zona de menor linealidad.

La disipación máxima de potencia del transistor de la figura se produce a una temperatura del la cápsula de: 200 ºC. 100 ºC. ≤ 25 ºC. 150 ºC.

De la gráfica anterior se deduce que la Rrhjc del transistor vale... 1,45 ºC/W. 10 ºC/W. 2,71 ºC/W. 1 ºC/W.

El fenómeno de segunda ruptura del transistor BJT... Aparece como consecuencia de una distribución no uniforme de corriente en el dispositivo, produciéndose puntos calientes que pueden provocar su destrucción. Se conoce también con el nombre de avalancha primaria. Se produce preferentemente en los tipos PNP. Todas las respuestas anteriores son ciertas.

¿Cuál de los circuitos de la figura no es adecuado para proteger al transistor de potencia con carga inductiva?. Circuito II. Circuito I. Circuito III. Circuito IV.

La estructura interna de la figura pertenece a un BJT... PNP. NPN de potencia. NPN de media potencia. NPN de baja potencia.

En un transistor BJT con una ganancia de 100, si circulan 50 mA por el colector la corriente de base valdrá: IB = 50 μA. IB = 0. IB = 50 mA. IB = 0,5 mA.

Observando la siguiente familia de curvas de salida de un transistor, deducimos que la ganancia de corriente vale... βCC = 50. βCC = 150. βCC = 100. βCC = 10.

Un transistor cuya PDmax = 1 W que tiene 10 V entre colector-emisor se quemará cuando la corriente de colector sea... IC = 200 mA. IC = 100 mA. IC = 1 mA. IC = 10 mA.

Dada la curva característica de entrada de un transistor mostrada en la figura, la curva para VCE = 20 V se produce debido al efecto... Zener. De avalancha. Early. Transistor.

Los distintos circuitos de polarización tienen como objetivo conseguir que el transistor trabaje... Preferentemente en la región activa. Únicamente en la región de saturación. Solamente en la región de corte. Establemente en cualquier punto de la recta de carga.

En un circuito sin estabilizar, el efecto que tienen las variaciones de temperatura sobre la corriente de fugas de un BJT... No tiene la más mínima importancia por lo que siempre se puede despreciar. Tiende a desplazar el punto de trabajo Q. No modifica la posición del punto Q de funcionamiento. Lleva instantáneamente a trabajar al transistor a la zona de corte.

La polarización con realimentación de colector y de emisor corresponde al... Circuito II. Circuito III. Circuito I. Circuito IV.

El transistor no se puede saturar cuando trabaja con polarización... Por divisor de tensión. Con realimentación de colector. De base. Con realimentación de emisor.

Cuando la cápsula de un transistor tiene un saliente, muesca, punto o cualquier otra marca, el terminal más próximo a ella es... El emisor. No se puede saber así de antemano. El colector. La base.

¿Cuál de los siguientes encapsulados de transistores lleva disipador de calor incorporado?. Q1. Q2. Q3. Ninguno de los tres.

¿Cuál de los siguientes encapsulados de transistores se conoce como tipo TO-3?. Encapsulado 1. Encapsulado 4. Encapsulado 2. Encapsulado 3.

La mica que se coloca en el montaje de transistores con radiador es en la figura el... Elemento 2. Elemento 3. Elemento 1. Elemento 4.

La cápsula del transistor SMD de la figura se denomina... SOD-80. DPAK. SOT-23. TO-220.

Todos los transistores de la figura... Son del mismo tipo y fabricante. Son de potencia. Tienen encapsulado TO-92. Comparten la misma disposición de terminales.

¿Cuál de los transistores de la figura es de potencia?. BC547. TIP31. SC107. BC108.

El transistor 2N2222.... Está marcado con el código de designación americano. Es de baja potencia. Todas las respuestas anteriores son ciertas. Dispone de cápsula metálica.

Cuando un transistor dispone únicamente de dos terminales de conexión es porque... Hay transistores que no llevan colector. El tercero está conectado internamente a la cápsula metálica. Funciona perfectamente sin el otro. Se va a montar en colector común.

El transistor bipolar de potencia... Disipa mayor potencia en conmutación que en régimen lineal. No puede funcionar a frecuencias más elevadas que el SCR. No suele trabajar en régimen de corte-saturación. Tiene como limitación el fenómeno de avalancha secundaria.

La βcc de los transistores de potencia es... Mayor que los de pequeña señal. Igual que los de pequeña señal. Menor que los de pequeña señal. 200 ÷ 500.

La ruptura secundaria de un BJT de potencia... Provoca la destrucción térmica del dispositivo cuando la Ic y la Vce aumentan excesivamente. Puede presentarse en el turn-on y nunca en el turn-off. No se produce durante la conmutación. Es una destrucción por avalancha.

Algunos transistores de potencia tienen el colector conectado directamente a la cápsula para... Que en caso de destrucción sea más fácil su sustitución por otro nuevo. Dejar que el calor escape al exterior tan rápidamente como sea posible. Ahorrarse un terminal. Asegurar la conexión de dicho terminal con la masa del chasis del montaje, lo que siempre es preceptivo.

Debido a la diferencia de portadores que atraviesan la unión base-colector de un BJT de potencia, la relación que existe entre los tres parámetros que pueden provocar la primera ruptura es: BVSUS = BVCEO = BVCBO. BVSUS > BVCEO > BVCBO. BVSUS < BVCEO < BVCBO. BVSUS = 2 BVCEO = BVCBO.

Un transistor con una PDmax = 5 W a 25 ºC y un factor de desvataje de 25 mW/ºC, podrá disipar a 50 ºC una potencia de... 5 W. 2,33 W. 4,37 W. 1 W.

Un transistor de potencia con una curva de desvataje como la de la figura, que debe funcionar en un intervalo de temperatura de la cápsula entre 40 y 80 ºC, podrá disipar en las peores condiciones como máximo... 100 W. 130 W. 140 W. 150 W.

¿Cuál de los siguientes parámetros no determina el área de operación segura. SOAR, de un BJT de potencia?. Ruptura secundaria. Intensidad máxima de colector. Temperatura máxima de la unión. Ganancia de tensión Av.

Los principales razones por las que el transistor BJT de potencia presenta un retraso en la conmutación son... Las capacidades parásitas CBE y CCB y el tiempo necesario para la difusión de los portadores en la base. La capacidad CCE y la tension de saturación. La ganancia hFE. La tensión de ruptura colector-emisor con la base abierta y el condensador de emisor.

La conexión Darlington consiste en.... Dos transistores en base común conectados en serie. Dos BJT en emisor común en antiserie. Dos seguidores de emisor conectados en cascada. Dos transistores en paralelo.

Es falso que la configuración Darlington de dos transistores.... Obligue a ambos a trabajar en conmutación. Se use en amplificadores de potencia, en reguladores de tensión y en etapas de salida que ataquen a relés, motores, etc. Sea de uso tan común que se comercialicen juntos en un único encapsulado. Obtenga elevada ganancia de corriente.

En el montaje indicado se cumple que la ganancia de corriente total: β = β1 + β2. β = β1 - β2. β = β1 / β2. β = β1 * β2.

Cuando se conectan transistores en paralelo se consigue... Aumentar la ganancia. Aumentar la potencia. Disminuir la corriente de base. Dicha conexión no es posible.

El transistor de la figura es... Uniunión programable. NPN Schottky. NPN de avalancha. NPN túnel.