alojomora esencial 7T

El símbolo representado corresponde a un transistor... PPN. NPN. PNP. NPP.

Un transistor sin polarizar es similar a... Un interruptor cerrado. Dos diodos contrapuestos. Una red RC. Una resistencia variable.

En un transistor NPN los portadores mayoritarios en la base son... Los huecos. Los iones positivos. Los iones negativos. Los electrones libres.

La mayor parte de los electrones que llegan a la base de un transistor NPN no se recombinan porque... La base está muy dopada. Abandonan el dispositivo por el terminal de la base. Tienen un tiempo de vida muy corto en la base. Tienen que recorrer un camino muy corto hacia el colector ya que la base es muy estrecha.

Los transistores no son... Elementos discretos. Elementos pasivos. Elementos activos. Semiconductores.

En un transistor NPN correctamente polarizado, la corriente de electrones a través de la base es con respecto a la de emisor... Ambas son iguales. Del orden del 4 %. Aproximadamente del 96 %. Del doble de valor.

Según el montaje de la figura... El colector es el electrodo que controla el paso de la corriente. Se cumple que IE = IB + IC. La bateria VCB debería estar colocada al revés para polarizar adecuadamente la unión de colector. Habría que sustituir las baterías por sendos generadores de CA para lograr una correcta polarización del transistor.

Las corrientes de un transistor PNP son... Mucho mayores que las de un NPN. De signo contrario a las de un NPN. Mucho menores que las de un NPN. Negativas.

Un transistor BJT común se quemará si la temperatura de la unión llega a valores comprendidos entre... 50 ÷ 75 ºC. 150 ÷ 200 ºC. 75 ÷ 100 ºC. 25 ÷ 50 ºC.

El transistor cuyo símbolo se presenta en la figura... Es un componente integrado. Es un Darlington. Lleva adosado un radiador cilíndrico. Es discreto, con el colector unido a la cápsula.

Cuando en la base de un transistor se produce la recombinación de un electrón libre con un hueco, el electrón libre se convierte en un... Hueco. Electrón de conducción. Portador mayoritario. Electrón de valencia.

En las características de salida de un transistor bipolar mostradas en la figura, la zona rayada corresponde a... La zona de saturación. La zona activa. La zona prohibida. La zona de corte.

Para que un transistor BJT este polarizado en la zona activa debe tener... La unión E-B inversamente polarizada y la unión C-B directamente polarizada. La unión E-B y la unión C-B directamente polarizadas. La unión E-B y la unión C-B inversamente polarizadas. La unión E-B directamente polarizada y la unión C-B inversamente polarizada.

En un transistor NPN que trabaja en saturación se verifica que... VCE ≈ 0 V. IC = 0 A. VCE = VCC. IC = IB.

Un transistor NPN con los valores indicados se encuentra... En corte. Bloqueado. En la zona activa. Saturado.

Habiendo realizado a un transistor NPN con un óhmetro analógico las medidas indicadas, sabemos que... Está estropeado. Aparentemente se encuentra en buen estado. Puede funcionar solamente como conmutador. Tiene fugas pero funciona bien.

Si aumentamos la β de un transistor BJT, el punto de trabajo Q se desplaza hacia la zona... De corte. De ruptura. No se mueve. De saturación.

Sobre la familia de curvas características del transistor en emisor común de la figura, el punto de trabajo... Q3 indica que el transistor está en saturación. Q2 indica que el transistor está en corte. Q1 corresponde al funcionamiento como amplificador en clase A. Q4 y Q5 producen la máxima potencia disipada en el BJT.

En el punto de saturación de la recta de carga de un transistor en continua... La temperatura ambiente disminuye. La tensión colector-emisor es muy grande. La corriente de colector es máxima. La corriente de base es mínima.

En conmutación, el tiempo que tarda la corriente de colector en evolucionar desde el 10 % hasta el 90 % de su valor en saturación se denomina... Tiempo de almacenamiento, ts . Tiempo de subida, tr . Tiempo de caída, tf . Tiempo de retardo, td .

Cuando un BJT trabaja en conmutación, cuanto más breves sean los pulsos el área de operación segura... No varia. Disminuye. Aumenta. No existe.

Cuando en un transistor aumenta la temperatura... Tiende a aumentar la IC. Tiende a disminuir la IC. Tiende a disminuir la IB. No pasa nada, el funcionamiento del dispositivo es independiente de cualquier cambio de temperatura.

En un transistor BJT la ganancia de potencia se mide en... Vatios. Voltios. Voltiamperios. Es adimensional.

En un transistor BJT la ganancia de tensión es la relación entre... La tensión de entrada y la de salida. La tensión de salida y la de entrada. La tensión VBE y la tensión VCE. La tensión VCE y la tensión VCE.

En un transistor, si α = 0,98 entonces... β= 18. β= 49. β= 12. β= 100.

La IC de un transistor depende de... La corriente de fugas ICEO y la VBE. La ganancia β y la temperatura. Las dos respuestas anteriores son ciertas. Ninguna de las respuestas es cierta.

El circuito EC de la figura es el equivalente de un BJT conocido como... Modelo para grandes señales en CC. Modelo de Ebers-Moll. Modelo híbrido. Modelo en π.

La familia de curvas características de la figura corresponden a... Un transistor uniunión. Un transistor NPN conectado en CC. Un transistor en EC. Un transistor PNP conectado en BC.

¿Cuál de las siguientes características de los MOSFET frente a los BJT es falsa?. Los MOSFET tienen una velocidad de respuesta menor, es decir, son más lentos en conmutación. Los MOSFET disponen de buena capacidad para soportar sobrecargas y alta impedancia de entrada. Los MOSFET tienen un coeficiente de temperatura positivo al ser la conducción por portadores mayoritarios. Los MOSFET resultan más simples de excitar al no requerir corrientes de control tan elevadas.

En un MOSFET de acumulación canal N, se dice que el canal se ha estrangulado (pinch-off) cuando... VDS < VGS - VT. VGS ≤ VT. VT < 0. VDS = VGS - VT.

En el símbolo genérico del MOSFET con 4 terminales de la figura, el substrato es... El terminal 3. El terminal 2. El terminal 4. El terminal 1.

El área de operación segura (SOAR) de un MOSFET de potencia está limitada por... La ID máxima. La tensión de ruptura BVDSS. La temperatura máxima de la unión. Los tres factores anteriores.

En un MOSFET de potencia, la mayor parte de las pérdidas de potencia se producen en... El corte. El bloqueo. La conducción. La conmutación.

¿Cuál de las siguientes no es una aplicación de los MOSFET?. Circuitos de conmutación de potencia. Circuitos digitales con tecnología TTL. Circuitos mezcladores de RF y circuitos de control automático de ganancia, CAG. Amplificación de BF y RF con bajo ruido y poca distorsión.

Al conectar en paralelo varios MOSFET de potencia... Disminuye la ID. Empeora el comportamiento térmico. Aumenta la inductancia LDS. Se reduce la RDS(ON) y la corriente a controlar aumenta.

El símbolo de la figura corresponde a un transistor MOSFET... De empobrecimiento canal P de doble surtidor. De empobrecimiento canal N. De empobrecimiento canal P de doble sustrato. De empobrecimiento canal P de doble puerta.

En la figura... En el 1º cuadrante (IC) se dibujan las características de salida. En el 3º cuadrante (IIIC) se dibujan las características de transferencia de tensión. En el 2º cuadrante (IIC) se dibujan las características de entrada. En el 4º cuadrante (IVC) se dibujan las características de transferencia de corriente.

Según el gráfico de la figura, un transistor BJT en montaje de emisor común debe trabajar siempre en... La región A. La región B. Ambas regiones indistintamente. Ninguna de los dos regiones.

Las características de la figura pertenecen a un transistor BJT en montaje... Emisor común. Base común. Colector común. Ninguno.

En la familia de características de la figura correspondientes a un transistor en EC, para dos temperaturas T1 y T2 se cumple que... T1 < T2. T1 > T2. T1 = T2. La temperatura no afecta a dichas características.

¿Qué montaje básico del transistor tiene una ganancia de corriente próxima a la unidad?. Emisor común. Base común. Colector común. Ninguno.

El montaje en colector común tiene... Baja impedancia de entrada y baja de salida. Baja impedancia de entrada y alta de salida. Alta impedancia de entrada y baja de salida. Alta impedancia de entrada y alta de salida.

En un transistor bipolar discreto conectado en emisor común, el fenómeno de "embalamiento térmico"... Es un proceso acumulativo provocado por una elevación de temperatura, que a su vez aumenta la IC y así sucesivamente, hasta destruir el transistor. No existe. No puede evitarse aunque se coloquen dispositivos de estabilización térmica, pero su efecto es despreciable. Se produce al someter al componente a temperaturas inferiores a las de trabajo recomendadas.

¿Qué montaje básico del transistor produce un desfase de 180º entre las tensiones de entrada y salida?. Emisor común. Base común. Colector común. Ninguno.

La familia de curvas características de la figura pertenecen a un BJT en configuración... Emisor común. Base común. Colector común. Ninguna.

El montaje de BJT conocido como seguidor de emisor se trata del... Emisor común. Base común. Colector común. Emisor a masa.

En el montaje colector común el terminal de salida del transistor es... La base. La base. El emisor. La cápsula.

Para calcular la potencia disipada por un transistor en EC efectuaremos el producto... VCE * IC. VBE * IC. VCE * IB. VBE * IB.

Cuando aumenta la temperatura de un transistor en montaje de EC, la ganancia de corriente β... No varia. Disminuye. Tiende a cero. Aumenta.

Si un transistor NPN en EC esta correctamente polarizado, se cumple que... IB = IC. IB < IE. IC = IE + IB. IC > IE.

Dadas las curvas características del BJT en EC de la figura, la impedancia de entrada vale... Zi = 1 KΩ. Zi = 2 MΩ. Zi = 2 KΩ. Zi = 1 MΩ.

En la familia de curvas características de colector de la figura... Si aumenta la temperatura, el punto Q se desliza hacia abajo sobre la recta de carga. Hay un valor, BVCEO , que hay que alcanzar para saturar el transistor. Se comprueba que en saturación la VCE es máxima. Se puede observar que la β de un transistor no es constante debido a que la curvas no son paralelas al eje de las X.

Según el gráfico de la figura, el transistor trabaja como amplificador.... Clase A. Clase B. Clase AB. Clase C.

Observando las curvas características de salida de la figura, para que el transistor trabaje en clase C el punto de reposo debe ser... Q2. Q1. Q3. Q4.

A medida que aumenta el valor de la resistencia de carga en un transistor en EC se obtiene mayor amplificación de... Frecuencia. Tensión. Corriente. Impedancia.

Cuanto menor sea la pendiente de la curva característica IC = f(VCE), la amplificación del transistor... No varia. Es menor. Tiende a cero. Es mayor.