BJT y FET

En la configuración de Emisor Común para transistores BJT, ¿cómo se describen sus ganancias?. Ganancia de corriente baja, ganancia de voltaje alta y ganancia de potencia media. Ganancia de corriente alta, ganancia de voltaje baja y ganancia de potencia baja. Ganancia de corriente alta, ganancia de voltaje alta y ganancia de potencia alta. Ganancia de corriente baja, ganancia de voltaje baja y ganancia de potencia baja.

¿Cuál es la característica principal de las impedancias en la configuración de Base Común (BJT)?. Impedancia de entrada muy alta e impedancia de salida muy baja. Impedancia de entrada muy baja e impedancia de salida muy alta. Impedancia de entrada baja e impedancia de salida alta. Impedancia de entrada alta e impedancia de salida baja.

¿Qué configuración BJT se destaca por tener una ganancia de voltaje baja, pero una impedancia de entrada muy alta y una impedancia de salida muy baja?. Emisor común. Base común. Drenaje común. Colector común.

La configuración de fuente común es la más empleada en los circuitos con transistores FET. ¿Qué características proporciona este arreglo?. Baja impedancia de entrada y nula amplificación de voltaje. Alta impedancia de entrada y buena amplificación de voltaje en bajas y altas frecuencias. Impedancia de salida muy alta sin amplificación de voltaje. Muy baja impedancia de salida y se usa exclusivamente como acoplador.

Sobre la configuración de compuerta común en transistores FET, ¿cuál de las siguientes afirmaciones es correcta?. Maneja muy bien las altas frecuencias y provee una impedancia de salida muy alta. Es la configuración que provee la mayor ganancia de voltaje, superando a la fuente común. Posee una impedancia de entrada sumamente alta y una impedancia de salida muy baja. No provee amplificación de voltaje bajo ninguna circunstancia.

¿Para qué propósito principal se emplea la configuración de drenaje común en los FET?. Para proporcionar la mayor amplificación de voltaje posible en el circuito. Para amplificar señales de muy alta frecuencia utilizando transistores MOSFET exclusivamente. Para acoplar un circuito con muy alta impedancia de salida con otro de muy baja impedancia de entrada, funcionando como acoplador sin proveer ganancia de voltaje. Para obtener una impedancia de entrada muy baja y una impedancia de salida muy alta.

Al comparar las impedancias de la configuración de compuerta común (FET) con la de fuente común, ¿qué diferencia clave existe?. La impedancia de entrada en la compuerta común no es tan alta como en la configuración de fuente común. La impedancia de salida en la compuerta común es muy baja, mientras que en la fuente común es muy alta. Ambas configuraciones tienen exactamente la misma impedancia de entrada y salida. La compuerta común tiene mayor ganancia de voltaje que la fuente común.

¿Qué configuración BJT es conocida por ofrecer tanto alta ganancia de voltaje como de corriente, resultando en la ganancia de potencia más alta?. Base común. Colector común. Emisor común. Fuente común.

¿Cuál de las siguientes configuraciones se caracteriza por tener una ganancia de corriente baja (menor a 1), pero una alta ganancia de voltaje?. Emisor común. Base común. Colector común. Drenaje común.

En términos de amplificación de voltaje en FETs, ¿cuál es la diferencia principal descrita entre fuente común y compuerta común?. La configuración de fuente común no amplifica voltaje. La compuerta común provee amplificación de voltaje, aunque no tan alta como la configuración de fuente común. La compuerta común tiene mayor amplificación de voltaje que cualquier otra configuración. Ninguna de las dos provee amplificación de voltaje; solo amplifican corriente.