Ciencia de los materiales bloque3

Se dispone de una muestra de Si puro con forma de disco cilindrico de 1cm de radio y 0,1 cm de grosos. Sabiendo que, a cierta temperatura, O=4,4*10^-4, la resistencia electrica en direccion axial valdrá: 7,23 kO. 6,75 O. 15,67 mO.

El nivel de Fermi es: El nivel mas alto de energía ocupado a la temperatura de 0 K. El nivel mas alto de energia permitido. El promedio de los niveles de energia permitidos. Ninguna de las opciones anteriores es correcta.

La banda de valencia es la banda mas externa que contiene electrones incluso 0 K, mientras que la banda de conduccion es la banda de menor energia en la que a 0 K existen estados vactos. Verdadero. Falso.

Cuando un campo electrico actua sobre un metal, los electrones se ven arrastraedos: En la direccion y sentido del campo. En la direccion del campo, pero sentido opuesto. En direccion perpendicular a la del campo.

De acuerdo con el modelo de Drude, la conductividad electrica se calcula como: n*e^2*t/m. n*e*t/m. n^2*e*t/m.

La movilidad del electron es directamente proporcional a la masa del electron e inversamente proporcional a tiempo medio entre colisiones. Verdadero. Falso.

La velocidad de un electrón situado exactamente en nivel de Fermi de un metal con E=3.0 eV resultat ser: 2,13*10^10 m/s. 1,03*10^6 m/s. 1,03*10^4 m/s. 2,13*10^6 m/s.

El efecto Hall consiste en que, cuando un material conductor por el que circula una intensidad de corriente I, se coloca en el seno de un campo magnetico, cuya direccion es paralela a la de dicha corriente, se genera una diferencia de potencial transversal tanto a la direccion de la corriente como a la del campo. Verdadero. Falso.

Respecto a la influencia de distintos parámetros sobre la conduccion en los conductores, la resistividad por p=p_1+p_D+p_v, donde: p_1 es la contribucion debida a la impurezas y depende de la concentracion de impurezas y, en menor medida, de la temperatura. p_D es la resistividad del material debida a la difusión. p_1 es la contribucion debida a las impurezas y depende unicamente de la concentracion de impurezas.

A temperaturas no muy bajas, una de las siguientes afirmaciones referidas a la resistividad de un metal es falsa: Al aumentar la temperatura, la resistividad aumenta de manera lineal. Al aumentar la temperatura, la resistividad aumenta de manera exponencial. La acumulacion de dislocaciones incrementa la resistividad.

La resistividad de un metal aumenta linealmente con la temperatura porque: La velocidad del electron es directamente proporcional a la temperatura. La densidad del gas de electrones varia linealmente con la temperatura. El recorrido libre medio es inversamente proporcional a la temperatura.

El parametro denominado razon de resistividad residual, que permite conocer el grado de pureza de un metal, dado por (p_v+p_1)/p_D. Verdadero. Falso.

A medida que la temperatura se aproxima al cero absoluto, la resistividad de todos los metales tiende a : Cero. Un valor finito. Un valor infinito.

Un solucion solida de dos metales tiene una resistividad que es: Mayor que la resistividad menor de sus dos componentes puros. Menor que la de cualquiera de la de sus dos componentes puros. Igual a la del componente puro con resistividad mas alta.

En relacion a la conductividad electrica de aleaciones Cu-Zn. El Cu puro, a una temperatura de 0 ºC, tiene una resistividad nula. La contribucion debida a la temperatura en la resistividad de una aleacion de 85Cu-15Zn es mayor que la de Cu puro. La contribucion debida a la temperatura de la resistividad de una aleacion de 85Cu-15Zn a 0ºC no es nula.

De una aleacion bifasica de bronce, se sabe quye la fraccion en volumen de una de las fases, cuya resistividad es 1,9 *10^-8 O*m, es del 70%. Si la resistividad electrica de la otra fase es de 5*10^-7 O*m, la conductividad electrica de la aleacion ( en unidades del sistema internacional ) será de: 1,63*10^-7. 6,12*10^6. 1,83*10^4. Ninguna de las opciones anteriores es correcta.

La conductividad del Au es mayor que la de la Ag y la de esta, a su vez, mayor que la del Cu. Verdadero. Falso.

En los elementos metalicos superconductores, la temperatura critica es del orden de decenas de K. Verdadero. Falso.

Bajo la presencia de un campo electrico, los huecos en un semiconductor adquieren una velocidad de arrastre: En la misma direccion y sentido del campo. En la misma direccion, pero sentido contrario al del campo. En direccion perpendicular a la del campo aplicado.

Si, en un semiconductor puro, se general n electrones de conduccion por unidad de volumen, la conductividad electrica será proporcional a 2n. Verdadero. Falso.

La conductividad es un semiconductor viena dada por la ecuacion O= enu+epu, donde: u_o <u_h. u_e ~ u_h. u_e > u_h.

La mayor conductividad de los semiconductores frente a los aislantes se debe: A la existencia de intervalo prohibido en los aislantes. A la existencia de solapamiento de bandas en los semiconductores. Al valor mas pequeño del intervalo prohibido en los semiconductores. A la existencia de una banda de conduccion mas ancha en los semiconductores que en los aislantes.

Para un semiconductor intriseco, a temperatura ambiente, la concentracion de huecos es de 5*10^16 m^-3. Si tras un proceso de dopado y a la misma temperatura, la concetracion de huecos disminuye a 1*10^8 m^-3, la concentracion de electrones debera valer: 2,5*10^25. 5*10^8. 1*10^8.

En relación a las corrientes, debidas a electrones y a huecos, la corriente total a través de un semiconductor viene dado por: La suma de ambas. La diferencia entre ambas. El producto de ambas.

Cuando se dopa un trozo de silicio con impurezas de arsénico, el semiconductor resultante es extrinseco de tipo p. Verdadero. Falso.

Cuando se dopa un trozo de silicion con impurezas de aluminio, el semiconductor resultante es extrinseco de tipo p. Verdadero. Falso.

En un semiconductor extrinseco de tipo n, los portadores de cargo son: Electrones. Electrones y huecos, aunque hay mas electrones. Electrones y huecos, aunque hay mas huecos.

La concetracion de los portadores de carga, en los semiconductores extrinsecos: En baja en el rango de bajas temperaturas debido a la vibracion termica de la red cristalina. En baja a altas temperaturas por disminuir la movilidad electronica. Aumenta en el rango de bajas temperaturas por actuar los dopantes como promotores del mecanismo conductor.

Cada atomo donante en un semiconductor tipo n a temperatura ambiente: Está cargado positivamente. Está cargado negativamente. Es neutro, como todos los atomos.

Respecto a la resistividad electrica: En los metales aumenta y en los semiconductores intrisecos, disminuye al aumentar la temperatura,. En los metales disminuye y en los semiconductores extrinsecos al aumentar la temperatura. Tanto en metales como en semiconductores varia linealmente con la temperatura.

La dependencia termica de la conductividad en un semiconductor intriseco es exponencial, con una energia de activacion de E/2. Verdadero. Falso.

En un semiconductor extrinseco, a temperaturas muy bajas, todas las impurezas estan ionizadas, por lo que se llega a su retgion de agotamiento. Verdadero. Falso.

El silicio contiene 5*10^28 atomos/m^3. Si se dopa con atomos de arsenico, en una concentracion atomica de 4 atomos por millon de Arsenico, en la region de agotamiento, la concentracion de electrones libre será aproximadamente: 4*10^23 electrones/m^3. 10^23 electrones/m^3. 2*10^23 electrones/m^3.

La movilidad de los portadores en un semiconductores extrinseco: Depende unicamente de la temperatura. Depende unicamente de nivel de dopado. Depende tanto del nivel de dopado como de la temperatura. Ninguna de las opciones anteriores es correcta.

En un semiconductor uniformemente dopado, la difusividad y movilidad de los portadores están interrelacionadas por la relacion de Einstein D/u = kn T/e. Verdadero. Falso.

Es una union pn, existe una diferencia de potencial a traves de la region de empobrecimiento, de modo que: El lado p de dicha region es positivo, mientras que el lado n es negativo. El lado n de dicha region es positivo, mientras que el lado p es negativo. Ambos lados son negativos, pero la carga del lado n es mayor en valor absoluto.

En un transistor de efecto campo, la corriente esta determinada por un unico tipo de portador. Verdadero. Falso.

La conductividad de un semiconductor amorfo está regida por la distancia que es capaz de recorres un electron de conduccion antes de ser reatrapado. Verdadero. Falso.

El denominado proceso de oxidacion en los polimeros semiconductores consiste en extraer un electron de la cadena polimerica rompiendo el enlace simple entre dos atomos C. Verdadero. Falso.