DEFINICIONES TEA

Destilación fraccionada del triclorosilano. Se lleva a cabo, tras la obtención de Si metalúrgico, siendo éste pulverizado y tratado con cloruro de hidrógeno, obteniéndose triclorosilano. El proceso es un método de purificación del Si para eliminar impurezas indeseadas en el Si mediante una columna de destilación, para la obtención de Si de grado electrónico (EGS). Tras este proceso de destilación selectiva el triclorosilano resultante es sometido a un proceso de reducción mediante hidrógeno para formar silicio sólido (EGS) de alta pureza: se puede obtener purezas de hasta 6-7 nueves (7N= 99.99999 %). Método que se emplea en el 90 % de los casos para el crecimiento de lingotes monocristalinos de Si (todo el lingote con la misma estructura cristalina) a partir de silicio policristalino de grado electrónico (EGS). Se aplica utilizando un equipo denominado puller, que dispone de tres zonas: horno, mecanismo de crecimiento del cristal, y mecanismo del control de ambiente. Se utiliza una semilla, que se posa sobre el fundido, y que se va retirando muy lentamente hacia arriba haciendo que el Si adherido a ella se vaya solidificando con la misma estructura cristalina que la semilla. Este proceso va formando el lingote monocristalino de Si. Es una técnica que se utiliza para llevar a cabo el crecimiento de GaAs monocristalino dentro de un horno con dos regiones de temperaturas distintas. En una zona del horno, a mayor temperatura, está el GaAs a una temperatura que lo mantiene fundido, y en la parte de la izquierda, hay As a una temperatura menor. A esta temperatura el As se evapora, creando una alta presión de As, que evita que el As que está en el GaAs se evapore. Junto al GaAs se le coloca una semilla monocristalina de este mismo material que permite, que cuando el GaAs se vaya enfriando, se vaya solidificando en un lingote monocritalino igual que la semilla.

Método de zona flotante o zona fundida. Es una técnica que se utiliza para llevar a cabo el crecimiento de GaAs monocristalino dentro de un horno con dos regiones de temperaturas distintas. En una zona del horno, a mayor temperatura, está el GaAs a una temperatura que lo mantiene fundido, y en la parte de la izquierda, hay As a una temperatura menor. A esta temperatura el As se evapora, creando una alta presión de As, que evita que el As que está en el GaAs se evapore. Junto al GaAs se le coloca una semilla monocristalina de este mismo material que permite, que cuando el GaAs se vaya enfriando, se vaya solidificando en un lingote monocritalino igual que la semilla. Método para la purificación física del Si, con el objetivo de obtener Si de grado electrónico, con un elevado grado de pureza (8-11 N) apto para la fabricación de circuitos integrados. Si se incorpora el uso de una semilla de Si monocristalino permite la obtención de lingotes de Si purificados y monocristalinos. Mediante este método se obtienen concentraciones de impurezas más bajas que con el método de crecimiento Czochralski. Técnica de crecimiento de una capa de óxido de silicio para hacer máscaras (óxido que hace de barrera durante el proceso de dopaje), para óxido de campo (óxido para aislar componentes en un circuito integrado), o para pasivación (óxido que actúa como recubrimiento del circuito integrado una vez que se han fabricado todos los componentes). Esta técnica de crecimiento de óxido es llevada a cabo haciendo llegar a la superficie del Si moléculas de vapor de H2O. El oxígeno del vapor de agua se une al Si, formando la capa de óxido de Si (SiO2).

Método de Crecimiento Czochralski. Método que se emplea en el 90 % de los casos para el crecimiento de lingotes monocristalinos de Si (todo el lingote con la misma estructura cristalina) a partir de silicio policristalino de grado electrónico (EGS). Se aplica utilizando un equipo denominado puller, que dispone de tres zonas: horno, mecanismo de crecimiento del cristal, y mecanismo del control de ambiente. Se utiliza una semilla, que se posa sobre el fundido, y que se va retirando muy lentamente hacia arriba haciendo que el Si adherido a ella se vaya solidificando con la misma estructura cristalina que la semilla. Este proceso va formando el lingote monocristalino de Si. Es una técnica que se utiliza para llevar a cabo el crecimiento de GaAs monocristalino dentro de un horno con dos regiones de temperaturas distintas. En una zona del horno, a mayor temperatura, está el GaAs a una temperatura que lo mantiene fundido, y en la parte de la izquierda, hay As a una temperatura menor. A esta temperatura el As se evapora, creando una alta presión de As, que evita que el As que está en el GaAs se evapore. Junto al GaAs se le coloca una semilla monocristalina de este mismo material que permite, que cuando el GaAs se vaya enfriando, se vaya solidificando en un lingote monocritalino igual que la semilla. Método para introducir dopantes en el semiconductor, y conseguir doparlo selectivamente, formando regiones tipo p o regiones tipo n. Este proceso tiene lugar a altas temperaturas. Se hacen llegar a la superficie del Si átomos de impurezas en estado vapor, que entrarán dentro del Si por diferencias de concentración, y favorecido por las elevadas temperaturas. La concentración de dopantes resultantes en el Si es superior en la superficie, disminuyendo monótonamente al alejarnos de la superficie hacia el interior del Si dopado. Las zonas del semiconductor que están cubiertas con SiO2 no se dopan ya que el óxido actúa de barrera e impide que las impurezas lleguen al semiconductor. Sin embargo, la difusión lateral de las impurezas dentro del semiconductor hace que las impurezas lleguen a zonas que están por debajo del óxido.

Técnica LEC. Método de crecimiento Czochralski encapsulado con líquido: se utiliza para realizar el crecimiento de lingotes monocristalinos de GaAs. Para formar GaAs hay que partir de los dos elementos que forman este compuesto, As y Ga. A la temperatura de fusión del GaAs tanto el As como el Ga tienen presiones de vapor muy elevadas, y fundamentalmente el As se evaporarían fácilmente y 2 abandonaría el fundido. Entonces lo que se hace es aislar o cubrir el fundido con un material que se denomina Óxido Bórico, que es un líquido y que impide la salida del As del fundido. Se lleva a cabo, tras la obtención de Si metalúrgico, siendo éste pulverizado y tratado con cloruro de hidrógeno, obteniéndose triclorosilano. El proceso es un método de purificación del Si para eliminar impurezas indeseadas en el Si mediante una columna de destilación, para la obtención de Si de grado electrónico (EGS). Tras este proceso de destilación selectiva el triclorosilano resultante es sometido a un proceso de reducción mediante hidrógeno para formar silicio sólido (EGS) de alta pureza: se puede obtener purezas de hasta 6-7 nueves (7N= 99.99999 %). Método para la purificación física del Si, con el objetivo de obtener Si de grado electrónico, con un elevado grado de pureza (8-11 N) apto para la fabricación de circuitos integrados. Si se incorpora el uso de una semilla de Si monocristalino permite la obtención de lingotes de Si purificados y monocristalinos. Mediante este método se obtienen concentraciones de impurezas más bajas que con el método de crecimiento Czochralski.

Es una técnica que se utiliza para llevar a cabo el crecimiento de GaAs monocristalino dentro de un horno con dos regiones de temperaturas distintas. En una zona del horno, a mayor temperatura, está el GaAs a una temperatura que lo mantiene fundido, y en la parte de la izquierda, hay As a una temperatura menor. A esta temperatura el As se evapora, creando una alta presión de As, que evita que el As que está en el GaAs se evapore. Junto al GaAs se le coloca una semilla monocristalina de este mismo material que permite, que cuando el GaAs se vaya enfriando, se vaya solidificando en un lingote monocristalino igual que la semilla. Técnica LEC. Método Brigdman. Epitaxia por haces moleculares.

Epitaxia en fase vapor. Crecimiento de una capa epitaxial sobre la oblea. La capa epitaxial es una capa delgada monocristalina que crece sobre un substrato cristalino como es la oblea. Su crecimiento tiene lugar mediante reactivos que llegan a la superficie de la oblea en fase gaseosa. La oblea en este proceso actúa como semilla en el crecimiento del cristal de la capa epitaxial, tal que la capa epitaxial crece con la misma estructura cristalina que tenía la oblea, pero controlándose muy bien el dopaje de dicha capa. Crecimiento de una capa epitaxial sobre la oblea (la oblea actúa como semilla en el crecimiento del cristal) en ultra alto vacío y con mucha precisión. Los reactivos son haces de átomos o moléculas. Es un método muy preciso pero que tiene lugar a temperaturas no muy elevadas, pero a velocidades muy lentas. Los equipos para su realización son muy complejos y sofisticados.

Epitaxia por haces moleculares. Crecimiento de una capa epitaxial sobre la oblea. La capa epitaxial es una capa delgada monocristalina que crece sobre un substrato cristalino como es la oblea. Su crecimiento tiene lugar mediante reactivos que llegan a la superficie de la oblea en fase gaseosa. La oblea en este proceso actúa como semilla en el crecimiento del cristal de la capa epitaxial, tal que la capa epitaxial crece con la misma estructura cristalina que tenía la oblea, pero controlándose muy bien el dopaje de dicha capa. Crecimiento de una capa epitaxial sobre la oblea (la oblea actúa como semilla en el crecimiento del cristal) en ultra alto vacío y con mucha precisión. Los reactivos son haces de átomos o moléculas. Es un método muy preciso pero que tiene lugar a temperaturas no muy elevadas, pero a velocidades muy lentas. Los equipos para su realización son muy complejos y sofisticados.

Oxidación térmica en ambiente húmedo. Técnica de crecimiento de una capa de óxido de silicio para hacer máscaras (óxido que hace de barrera durante el proceso de dopaje), para óxido de campo (óxido para aislar componentes en un circuito integrado), o para pasivación (óxido que actúa como recubrimiento del circuito integrado una vez que se han fabricado todos los componentes). Esta técnica de crecimiento de óxido es llevada a cabo haciendo llegar a la superficie del Si moléculas de vapor de H2O. El oxígeno del vapor de agua se une al Si, formando la capa de óxido de Si (SiO2). Técnica de crecimiento de una capa de óxido de silicio para la puerta de los dispositivos MOS, llevada a cabo haciendo llegar a la superficie de Si moléculas de O2. Las moléculas de se O2 unen al Si formando la capa de óxido (SiO2). Las capas de óxido obtenidas mediante esta técnica son de elevada calidad, por eso se utilizan para fabricar la puerta de los transistores MOSFET.

Oxidación térmica en ambiente seco. Técnica de crecimiento de una capa de óxido de silicio para hacer máscaras (óxido que hace de barrera durante el proceso de dopaje), para óxido de campo (óxido para aislar componentes en un circuito integrado), o para pasivación (óxido que actúa como recubrimiento del circuito integrado una vez que se han fabricado todos los componentes). Esta técnica de crecimiento de óxido es llevada a cabo haciendo llegar a la superficie del Si moléculas de vapor de H2O. El oxígeno del vapor de agua se une al Si, formando la capa de óxido de Si (SiO2). Técnica de crecimiento de una capa de óxido de silicio para la puerta de los dispositivos MOS, llevada a cabo haciendo llegar a la superficie de Si moléculas de O2. Las moléculas de se O2 unen al Si formando la capa de óxido (SiO2). Las capas de óxido obtenidas mediante esta técnica son de elevada calidad, por eso se utilizan para fabricar la puerta de los transistores MOSFET.

Physical Vapor Depositon (PVD) por evaporación térmica. Proceso de deposición de capas de Aluminio mediante calentamiento del metal, para realizar las pistas de conexionado de componentes en circuitos integrados o para realizar contactos óhmicos o contactos rectificadores metal-semiconductor. Se realiza en un ambiente de alto vacío. El metal que se va a depositar se evapora por distintas técnicas, como que puede ser depositar el metal sobre filamentos de tungsteno a altas temperaturas, o calentar el metal mediante inducción RF. Una vez evaporado el metal se hace llegar a la superficie donde se quiere depositar, en la que formará una fina película metálica. Proceso de deposición de capas de Aluminio mediante calentamiento del metal, para realizar las pistas de conexionado de componentes en circuitos integrados o para realizar contactos óhmicos o contactos rectificadores metal-semiconductor. Se realiza en un ambiente de alto vacío. El metal que se va a depositar se evapora pero sin necesidad de calentarlo. Para conseguir que el metal se evapore sin calentarlo éste es sometido a bombardeo de iones acelerados, que consiguen arrancar átomos del metal. Los átomos del metal arrancados, una vez que son volátiles, se transportan como vapor a la superficie del substrato donde se van a depositar.

Physical Vapor Depositon (PVD) por pulverización catódica o sputtering. Proceso de deposición de capas de Aluminio mediante calentamiento del metal, para realizar las pistas de conexionado de componentes en circuitos integrados o para realizar contactos óhmicos o contactos rectificadores metal-semiconductor. Se realiza en un ambiente de alto vacío. El metal que se va a depositar se evapora pero sin necesidad de calentarlo. Para conseguir que el metal se evapore sin calentarlo éste es sometido a bombardeo de iones acelerados, que consiguen arrancar átomos del metal. Los átomos del metal arrancados, una vez que son volátiles, se transportan como vapor a la superficie del substrato donde se van a depositar. Proceso de deposición de capas de Aluminio mediante calentamiento del metal, para realizar las pistas de conexionado de componentes en circuitos integrados o para realizar contactos óhmicos o contactos rectificadores metal-semiconductor. Se realiza en un ambiente de alto vacío. El metal que se va a depositar se evapora por distintas técnicas, como que puede ser depositar el metal sobre filamentos de tungsteno a altas temperaturas, o calentar el metal mediante inducción RF. Una vez evaporado el metal se hace llegar a la superficie donde se quiere depositar, en la que formará una fina película metálica.

Electromigración. Fenómeno que puede afectar a la fiabilidad de los circuitos integrados. Se debe al movimiento que se produce en los átomos de los metales que forman las interconexiones metálicas en los circuitos integrados. Cuando la corriente eléctrica (fundamentalmente cuando presenta unos valores de densidad superior a un valor umbral) pasa por estas pistas de reducidas dimensiones, los electrones de la corriente eléctrica chocan con ellos y consiguen desplazar los átomos de las propias pistas. Esto puede dar lugar a que las pistas o interconexiones metálicas del circuito integrado se queden abiertas. Esto le sucede fundamentalmente al Aluminio, que ha sido el metal que se ha utilizado tradicionalmente para la metalización en los circuitos integrados. A medida que las dimensiones de los circuitos integrados son más pequeñas, tienden a utilizarse otros átomos metálicos para el conexionado de los componentes de los circuitos, lo que complica el proceso de metalización en la fabricación de los circuitos integrados. Proceso de deposición de capas de Aluminio mediante calentamiento del metal, para realizar las pistas de conexionado de componentes en circuitos integrados o para realizar contactos óhmicos o contactos rectificadores metal-semiconductor. Se realiza en un ambiente de alto vacío. El metal que se va a depositar se evapora por distintas técnicas, como que puede ser depositar el metal sobre filamentos de tungsteno a altas temperaturas, o calentar el metal mediante inducción RF. Una vez evaporado el metal se hace llegar a la superficie donde se quiere depositar, en la que formará una fina película metálica. Aunque la oblea en origen es totalmente plana, cuando se van depositando distintas capas de materiales para la fabricación de los circuitos integrados la superficie del circuito empieza a tener escalones. Cuando hay que depositar una capa sobre el substrato, pero éste tiene 6 escalones, hay que intentar que el proceso recubra de la forma más homogénea posible toda la superficie del escalón, intentando que el espesor de toda la capa depositada sea el mismo en todas las zonas del substrato.

Aunque la oblea en origen es totalmente plana, cuando se van depositando distintas capas de materiales para la fabricación de los circuitos integrados la superficie del circuito empieza a tener escalones. Cuando hay que depositar una capa sobre el substrato, pero éste tiene 6 escalones, hay que intentar que el proceso recubra de la forma más homogénea posible toda la superficie del escalón, intentando que el espesor de toda la capa depositada sea el mismo en todas las zonas del substrato. Cobertura de escalones. Cobertura en escalera. Litografía.

Proceso utilizado para posteriormente poder abrir ventanas en el óxido depositado previamente sobre el Si, con el objetivo de dopar de forma selectiva algunas regiones del semiconductor (para fabricar las distintas partes de los transistores, diodos, resistencias, etc…del circuito) o realizar la deposición de capas de metal. La litografía comprende los procesos de fotoexposición o fotoimpresión, a través de un fotolito (o máscara), de la oblea de Si, en la que previamente se ha depositado la capa de óxido de silicio, y sobre ella una capa de fotorresina o resina fotosensible. La fotoexposición se realiza bien con radiación ultravioleta, con rayos X o con haces de electrones o de iones. Cuanto menor sean las dimensiones de los elementos de los circuitos, menor deba ser la longitud de onda de la radiación utilizada. Tras la fotoexposición se realiza el revelado de la fotorresina y, posteriormente, el proceso de grabado del óxido de Si, y el decapado o disolución de la fotorresina. En el proceso de grabado eliminaremos selectivamente el óxido de las zonas no protegidas con la fotorresina, dejando al descubierto el Si que hay debajo. Justo en estas zonas que no están protegidas con el óxido es donde se van a introducir dopantes o a depositar una capa de metal, según corresponda en el proceso de fabricación del circuito integrado. En el resto del semiconductor, como está protegido por el óxido que no ha sido eliminado en el proceso de grabado, y este óxido hace de barrera o 7 protección, no se realiza ninguna modificación del Si. Con la litografía conseguimos hacer llegar a la oblea de forma automatizada las estructuras establecidas en el proceso de diseño para cada uno de los componentes del circuito integrado. Litografía. Fotoimpresión. Electromigración.

Revelado de la fotoresina. Este proceso, que forma parte del proceso de litografía, tiene lugar tras la fotoexposición, consiste en eliminar o disolver la fotorresina o resina fotosensible tras la fotoexposición a través del fotolito. Si es positiva se disuelven las zonas radiadas (correspondiente a las zonas transparentes del fotolito) que se debilitan con la radiación, y si es negativa se disuelven las zonas no radiadas (correspondiente a las zonas opacas del fotolito). Tras el revelado la resina no eliminada es cocida para ser endurecida. Proceso que consiste en eliminar el óxido de silicio (SiO2) de las zonas no protegidas por la resina fotosensible no disuelta en el revelado de la litografía. Se puede llevar a cabo eliminando el óxido tanto de forma química, como a Radiación Fotolito Resina Óxido Capa epitaxial (Si tipo n) Substratto Óxido 8 través de un proceso en seco, que consiste en el bombardeo de iones. Este proceso consiste en eliminar selectivamente el óxido de silicio (SiO2) en aquellas zonas no protegidas por la resina fotosensible no disuelta en el revelado. El grabado químico se lleva a cabo mediante el uso disoluciones en estado líquido que atacan o disuelven el óxido con el que entran en contacto. Es un proceso selectivo químicamente (sólo ataca al óxido y no al Si ni a la resina fotosensible) pero es un proceso isótropo (que quiere decir que tiene lugar de la misma forma en todas las direcciones). Esto implica que tiene lugar el grabado en la dirección vertical, que es la deseada, pero también en la dirección horizontal, lo que hace que haya un ataque o grabado lateral en el óxido que no se quiere eliminar. Esto puede dar lugar a que se elimine parte del óxido que está debajo de la resina fotosensible que lo protege.

Grabado. Este proceso, que forma parte del proceso de litografía, tiene lugar tras la fotoexposición, consiste en eliminar o disolver la fotorresina o resina fotosensible tras la fotoexposición a través del fotolito. Si es positiva se disuelven las zonas radiadas (correspondiente a las zonas transparentes del fotolito) que se debilitan con la radiación, y si es negativa se disuelven las zonas no radiadas (correspondiente a las zonas opacas del fotolito). Tras el revelado la resina no eliminada es cocida para ser endurecida. Proceso que consiste en eliminar el óxido de silicio (SiO2) de las zonas no protegidas por la resina fotosensible no disuelta en el revelado de la litografía. Se puede llevar a cabo eliminando el óxido tanto de forma química, como a Radiación Fotolito Resina Óxido Capa epitaxial (Si tipo n) Substratto Óxido 8 través de un proceso en seco, que consiste en el bombardeo de iones. Este proceso consiste en eliminar selectivamente el óxido de silicio (SiO2) en aquellas zonas no protegidas por la resina fotosensible no disuelta en el revelado. El grabado químico se lleva a cabo mediante el uso disoluciones en estado líquido que atacan o disuelven el óxido con el que entran en contacto. Es un proceso selectivo químicamente (sólo ataca al óxido y no al Si ni a la resina fotosensible) pero es un proceso isótropo (que quiere decir que tiene lugar de la misma forma en todas las direcciones). Esto implica que tiene lugar el grabado en la dirección vertical, que es la deseada, pero también en la dirección horizontal, lo que hace que haya un ataque o grabado lateral en el óxido que no se quiere eliminar. Esto puede dar lugar a que se elimine parte del óxido que está debajo de la resina fotosensible que lo protege.

Grabado en químico. Este proceso consiste en eliminar selectivamente el óxido de silicio (SiO2) en aquellas zonas no protegidas por la resina fotosensible no disuelta en el revelado. El grabado químico se lleva a cabo mediante el uso disoluciones en estado líquido que atacan o disuelven el óxido con el que entran en contacto. Es un proceso selectivo químicamente (sólo ataca al óxido y no al Si ni a la resina fotosensible) pero es un proceso isótropo (que quiere decir que tiene lugar de la misma forma en todas las direcciones). Esto implica que tiene lugar el grabado en la dirección vertical, que es la deseada, pero también en la dirección horizontal, lo que hace que haya un ataque o grabado lateral en el óxido que no se quiere eliminar. Esto puede dar lugar a que se elimine parte del óxido que está debajo de la resina fotosensible que lo protege. Este proceso consiste en liminar selectivamente el óxido de silicio (SiO2) de las zonas no protegidas por la resina fotosensible que no fue disuelta en el revelado. Tiene lugar proyectando perpendicularmente sobre el óxido iones de moléculas de un plasma, que ceden energía a las moléculas de SiO2 para liberarse de sus enlaces y ser arrancadas. Al contrario de lo que sucedía con el grabado húmedo, el grabado en seco es un proceso anisótropo (el grabado tiene lugar sólo en la dirección vertical, apenas tiene lugar en la dirección horizontal (grabado lateral)). Como contrapartida es un proceso poco selectivo químicamente, lo que puede dar lugar a que se vea afectado el substrato de Si por el propio bombardeo de iones.

Grabado en seco (Dry Etching). Este proceso consiste en eliminar selectivamente el óxido de silicio (SiO2) en aquellas zonas no protegidas por la resina fotosensible no disuelta en el revelado. El grabado químico se lleva a cabo mediante el uso disoluciones en estado líquido que atacan o disuelven el óxido con el que entran en contacto. Es un proceso selectivo químicamente (sólo ataca al óxido y no al Si ni a la resina fotosensible) pero es un proceso isótropo (que quiere decir que tiene lugar de la misma forma en todas las direcciones). Esto implica que tiene lugar el grabado en la dirección vertical, que es la deseada, pero también en la dirección horizontal, lo que hace que haya un ataque o grabado lateral en el óxido que no se quiere eliminar. Esto puede dar lugar a que se elimine parte del óxido que está debajo de la resina fotosensible que lo protege. Este proceso consiste en liminar selectivamente el óxido de silicio (SiO2) de las zonas no protegidas por la resina fotosensible que no fue disuelta en el revelado. Tiene lugar proyectando perpendicularmente sobre el óxido iones de moléculas de un plasma, que ceden energía a las moléculas de SiO2 para liberarse de sus enlaces y ser arrancadas. Al contrario de lo que sucedía con el grabado húmedo, el grabado en seco es un proceso anisótropo (el grabado tiene lugar sólo en la dirección vertical, apenas tiene lugar en la dirección horizontal (grabado lateral)). Como contrapartida es un proceso poco selectivo químicamente, lo que puede dar lugar a que se vea afectado el substrato de Si por el propio bombardeo de iones.

Método para introducir dopantes en el semiconductor, y conseguir doparlo selectivamente, formando regiones tipo p o regiones tipo n. Este proceso tiene lugar a altas temperaturas. Se hacen llegar a la superficie del Si átomos de impurezas en estado vapor, que entrarán dentro del Si por diferencias de concentración, y favorecido por las elevadas temperaturas. La concentración de dopantes resultantes en el Si es superior en la superficie, disminuyendo monótonamente al alejarnos de la superficie hacia el interior del Si dopado. Las zonas del semiconductor que están cubiertas con SiO2 no se dopan ya que el óxido actúa de barrera e impide que las impurezas lleguen al semiconductor. Sin embargo, la difusión lateral de las impurezas dentro del semiconductor hace que las impurezas lleguen a zonas que están por debajo del óxido. Difusión. Influsión. Reducción.

Método para introducir dopantes en el semiconductor, que consiste en proyectar sobre la superficie del Si a dopar iones a altas velocidades (partículas energéticas cargadas o iones altamente energéticos). Estos iones, del elemento con 10 el que se quiere dopar, entrarán en el substrato de Si. Se realiza a menores temperaturas que el proceso de dopaje por difusión, y hay un control más preciso de los perfiles de dopaje, pero es un método más caro. La concentración de dopantes en el interior del Si no es superior en la superficie, sino a una determinada distancia de ésta, en función de la velocidad con la que se hayan proyectado los iones de los elementos con los que se ha dopado el Si. Las zonas del semiconductor que están cubiertas con SiO2 no se dopan ya que el óxido actúa de barrera y e impide que las impurezas lleguen al semiconductor. Implantación iónica. Implantación eólica. Proceso de recocido.

Proceso de recocido. Proceso de calentamiento, a la temperatura adecuada, de las obleas en las que el dopaje se ha llevado a cabo mediante implantación iónica. El objetivo es activar los iones implantados, pues la mayoría de los iones implantados no han ocupado en un primer momento posiciones substitucionales en la red cristalina del Si, sino que han ocupado posiciones intersticiales de esta red cristalina, lo que ha evitado que estas impurezas sean 11 activas eléctricamente. Además, este calentamiento permite restaurar los diferentes parámetros del semiconductor dañados en la implantación (movilidad o vida media). Método para introducir dopantes en el semiconductor, que consiste en proyectar sobre la superficie del Si a dopar iones a altas velocidades (partículas energéticas cargadas o iones altamente energéticos). Estos iones, del elemento con 10 el que se quiere dopar, entrarán en el substrato de Si. Se realiza a menores temperaturas que el proceso de dopaje por difusión, y hay un control más preciso de los perfiles de dopaje, pero es un método más caro. La concentración de dopantes en el interior del Si no es superior en la superficie, sino a una determinada distancia de ésta, en función de la velocidad con la que se hayan proyectado los iones de los elementos con los que se ha dopado el Si. Las zonas del semiconductor que están cubiertas con SiO2 no se dopan ya que el óxido actúa de barrera y e impide que las impurezas lleguen al semiconductor. Se produce este efecto cuando se ha realizado dopaje por implantación iónica en un semiconductor en el que el semiconductor tenía una dirección cristalográfica con grandes huecos e intersticios, de tal forma que los iones implantados consiguen recorrer distancias mayores dentro del semiconductor. Existen técnicas para impedir que esto suceda como inclinar y girar el cristal para modificar la dirección cristalográfica.

Acanalamiento. Proceso de calentamiento, a la temperatura adecuada, de las obleas en las que el dopaje se ha llevado a cabo mediante implantación iónica. El objetivo es activar los iones implantados, pues la mayoría de los iones implantados no han ocupado en un primer momento posiciones substitucionales en la red cristalina del Si, sino que han ocupado posiciones intersticiales de esta red cristalina, lo que ha evitado que estas impurezas sean 11 activas eléctricamente. Además, este calentamiento permite restaurar los diferentes parámetros del semiconductor dañados en la implantación (movilidad o vida media). Método para introducir dopantes en el semiconductor, que consiste en proyectar sobre la superficie del Si a dopar iones a altas velocidades (partículas energéticas cargadas o iones altamente energéticos). Estos iones, del elemento con 10 el que se quiere dopar, entrarán en el substrato de Si. Se realiza a menores temperaturas que el proceso de dopaje por difusión, y hay un control más preciso de los perfiles de dopaje, pero es un método más caro. La concentración de dopantes en el interior del Si no es superior en la superficie, sino a una determinada distancia de ésta, en función de la velocidad con la que se hayan proyectado los iones de los elementos con los que se ha dopado el Si. Las zonas del semiconductor que están cubiertas con SiO2 no se dopan ya que el óxido actúa de barrera y e impide que las impurezas lleguen al semiconductor. Se produce este efecto cuando se ha realizado dopaje por implantación iónica en un semiconductor en el que el semiconductor tenía una dirección cristalográfica con grandes huecos e intersticios, de tal forma que los iones implantados consiguen recorrer distancias mayores dentro del semiconductor. Existen técnicas para impedir que esto suceda como inclinar y girar el cristal para modificar la dirección cristalográfica.

¿Qué dos tipos de grabado hay?. En seco y químico o humedo. Húmedo y por difusión. En seco y por difusión.