ELECTRICIDAD TELMEX

Son una clase especial de elementos cuya conductividad se encuentra entre la de un buen conductor y la de un aislante. A) Conductores. B) Semiconductores. C) Aislantes. D) Semi aislantes.

Cuales son los tres semiconductores más frecuentemente utilizados en la construcción de dispositivos electrónicos. A) Germanio, Silicio, Arseniuro de Galio. B) Germanio, Plata, Silicio. C) Plata, Oro y Aluminio. D) Plata, Oro y Cobre.

Los átomos que tienen cuatro electrones de valencia se llaman. A) Pentavalente. B) Tetravalente. C) Trivalente. D) Intrínsecos.

Los átomos que tienen tres electrones de valencia se llaman. A) Intrínseco. B) Tetravalentes. C) Pentavalentes. D) Trivalentes.

Los átomos que tienen cinco electrones de valencia se llaman. A) Tetravalentes. B) Intrínsecos. C) Pentavalentes. D) Trivalentes.

Qué es un enlace covalente. A) La transferencia de electrones entre un metal y un no metal. B) La unión entre átomos mediante el compartimiento de electrones. C) La separación de protones dentro del núcleo. D) La pérdida total de energía de un átomo.

Se aplica a cualquier material semiconductor que haya sido cuidadosamente refinado para reducir el número de impurezas a un nivel muy bajo; en esencia, lo más puro posible que se pueda fabricar utilizando tecnología actual. A) Semiconductor. B) Semiconductor extrínseco. C) Material conductor. D) Semiconductor intrínseco.

Cómo se llama el proceso de agregar impurezas a un semiconductor puro para modificar sus propiedades eléctricas. A) Ionización. B) Polarización. C) Impurificación o dopado. D) Rectificación.

Un material semiconductor que ha sido sometido al proceso de dopado se conoce como material. A) Intrínseco. B) Extrinseco. C) Conductor. D) Rectificación.

Cuales son los dos materiales extrínsecos de inmensurable importancia en la fabricación de dispositivos semiconductores. A) Silicio y germanio. B) Material tipo N y material tipo P. C) Cobre y aluminio. D) Oro y plata.

Cómo se crea un material semiconductor tipo N. A) Introduciendo elementos con dos electrones de valencia. B) Introduciendo elementos con tres electrones de valencia. C) Introduciendo elementos de impureza con cinco electrones de valencia. D) Eliminando todos los electrones de valencia del material.

Cómo se forma un material semiconductor tipo P. A) Dopando un cristal puro con átomos que tienen cinco electrones de valencia. B) Dopando un cristal puro con átomos que tienen tres electrones de valencia. C) Eliminando todos los electrones del cristal. D) Mezclando únicamente materiales conductores.

Cómo se llama la corriente que aparece en condiciones de polarización inversa en un diodo semiconductor y se representa por Is ​. A) Corriente directa. B) Corriente alterna. C) Corriente de saturación en inversa. D) Corriente de corte.

Cuales son los valores de conducción o voltaje umbral de Ge, Si y GaAs. A) Ge = 0.7 V, Si = 1.2 V, GaAs = 0.3 V. B) Ge = 1.2 V, Si = 0.3 V, GaAs = 0.7 V. C) Ge = 0.3 V, Si = 0.7 V, GaAs = 1.2 V. D) Ge = 0.5 V, Si = 0.5 V, GaAs = 0.5 V.

Que indica el siguiente símbolo. A) Un resistor en serie. B) Un capacitor cargado. C) Un diodo semiconductor en polarización directa. D) Un diodo semiconductor en polarización inversa.

Que indica el siguiente símbolo. A) Un resistor en serie. B) Un capacitor cargado. C) Un diodo semiconductor en polarización directa. D) Un diodo semiconductor en polarización Inversa.

Qué representa el ánodo y el cátodo en un diodo. A) El ánodo es el terminal negativo y el cátodo el positivo. B) El ánodo corresponde al potencial positivo o más alto y el cátodo al potencial negativo o más bajo. C) Ambos terminales tienen siempre el mismo potencial. D) El cátodo es el terminal de corriente altern.

Qué característica distingue a un diodo ideal de un interruptor simple. A) Puede conducir corriente en ambas direcciones. B) Funciona únicamente con corriente alterna. C) Puede conducir corriente solamente en una dirección. D) Tiene siempre una resistencia infinita.

Qué representa un diodo ideal en sus regiones de operación. A) Un circuito abierto en conducción y un corto circuito en no conducción. B) Un corto circuito en la región de conducción y un circuito abierto en la región de no conducción. C) Un resistor variable en todas las regiones. D) Una fuente de voltaje constante.

Cuál de los siguientes dispositivos es un semiconductor de tres capas formado por materiales tipo N y tipo P. A) Capacitor. B) Resistor. C) Transistor. D) Inductor.

Cuales son los nombres que recibe las terminales de un transistor. A) Emisor, colector y base. B) Entrada, corriente y batería. C) Energía, carga y borne. D) Emisión, conducción y barrera.

Qué significado tiene la abreviatura BJT en electrónica. A) Basic Junction Terminal. B) Bipolar Junction Transistor. C) Binary Junction Technology. D) Base Junction Transfer.

Cuáles son los dos tipos principales de transistores BJT. A) PNP y NPN. C) Serie y paralelo. B) Activo y pasivo. D) AC y DC.

Cuál es una diferencia principal entre un transistor BJT y un MOSFET. A) El MOSFET se controla por corriente y el BJT por voltaje. B) No existe diferencia entre ellos. C) Ambos se controlan únicamente por resistencia. D) El BJT se controla por corriente y el MOSFET por voltaje.

Como se le conoce al siguiente transistor. A) Transistor PNP. B) Transistor NPN. C) Transistor N. D) Transistor P.

Como se le conoce al siguiente Transistor. A) Transistor P. B) Transistor N. C) Transistor PNP. A) Transistor NPN.