Test de electronica

El modelo de un transistor BJT polarizado en la región activa directa corresponde con. a. una fuente de corriente controlada por corriente. b. una fuente de tensión controlada por tensión. c. una fuente de tensión controlada por corriente. d. una fuente de corriente controlada por tensión.

En un transistor de silicio BJT pnp polarizado en la región activa directa. a. VCE es aproximadamente -0,7 V. b. VBE es aproximadamente -0,7 V. c. VBE es aproximadamente 0,7 V. d. VCE es aproximadamente 0,7 V.

Un transistor de silicio BJT npn con las uniones base-emisor y base-colector directamente polarizadas se encuentra en la región Seleccione una respuesta. a. activa directa. b. de corte. c. de saturación.

Considere un transistor BJT npn en emisor común con VCE = 3 V , ¿cómo lo llevaría de la región de corte a la región activa directa? Seleccione una respuesta. a. Disminuyendo la intensidad de corriente de base. b. Disminuyendo la tensión VCE. c. Aumentando la intensidad de corriente de base. d. Con ese valor de tensión VCE el transistor no puede encontrarse en la región de corte.

En un transistor BJT, polarizado en la región activa directa ¿cuál es la corriente de menor valor absoluto? Seleccione una respuesta. a. la corriente de colector. b. la corriente de base. c. la corriente de emisor.

En un transistor de silicio BJT npn polarizado en la región activa directa Seleccione una respuesta. a. VCE es positiva con un valor que depende del circuito. b. VCE es aproximadamente 3 V. c. VCE es negativa con un valor que depende del circuito. d. VCE es aproximadamente -3 V.

En un transistor bipolar de unión la zona de semiconductor más estrecha corresponde a Seleccione una respuesta. a. la base. b. el colector. c. el emisor.

Un transistor BJT funciona como interruptor cuando trabaja entre las regiones Seleccione una respuesta. a. activa directa y de saturación. b. depende si es npn o pnp. c. de saturación y de corte. d. de corte y activa directa.

¿Cuál de las siguientes curvas corresponde a la característica de entrada de un transistor bipolar de unión? Seleccione una respuesta. a. curva c. b. curva d. c. curva a. d. curva b.

El transistor bipolar de unión fue desarrollado por Seleccione una respuesta. a. Shockley en los años 40. b. Zener en los años 40. c. Zener en los años 70. d. Shockley en los años 70.

¿En qué región de funcionamiento un transistor de efecto de campo se comporta como una fuente de corriente controlada por tensión? Seleccione una respuesta. a. En la región de corte. b. En la región óhmica. c. En la región de saturación. d. En ninguna.

¿Cuántos terminales de conexión tiene un transistor JFET? Seleccione una respuesta. a. 4. b. 3. c. 2.

¿Qué magnitudes relaciona la curva característica de un transistor de efecto de campo? Seleccione una respuesta. a. Intensidad de corriente por la puerta y tensión drenador-fuente. b. Intensidad de corriente por el drenador y tensión drenador-fuente. c. Intensidad de corriente por el drenador y tensión puerta-fuente. d. Intensidad de corriente por la puerta y tensión puerta-fuente.

En un transistor MOSFET de acumulación de canal p la conducción se debe Seleccione una respuesta. a. al movimiento de huecos a través de un canal de conducción entre la fuente y la puerta. b. al movimiento de electrones libres a través de un canal de conducción entre la fuente y la puerta. c. al movimiento de electrones libres a través de un canal de conducción entre la fuente y el drenador. d. al movimiento de huecos a través de un canal de conducción entre la fuente y el drenador.

En un transistor MOSFET de acumulación se llama tensión umbral al valor de tensión Seleccione una respuesta. a. entre puerta y fuente que hace que comience a circular corriente por el drenador. b. entre drenador y fuente que hace que comience a circular corriente por el drenador. c. entre puerta y fuente que hace que comience a circular corriente por la puerta. d. entre puerta y drenador que hace que comience a circular corriente por el drenador.

¿Cuáles son los terminales de conexión de un transistor MOSFET de acumulación que habitualmente se cortocircuitan? Seleccione una respuesta. a. Sustrato y drenador. b. Sustrato y puerta. c. Sustrato y fuente.

Señale la opción que contiene algún terminal de conexión que no pertenece a un transistor MOSFET de acumulación. Seleccione una respuesta. a. Puerta y drenador. b. Sustrato y fuente. c. Emisor y drenador. d. Sustrato y drenador.

¿En qué regiones de funcionamiento operan como fuentes de corriente los transistores bipolares y los de efecto de campo? Seleccione una respuesta. a. Región activa directa y óhmica. b. Región activa directa y de saturación. c. Región de corte y de saturación. d. Región de saturación y óhmica.

Un transistor MOSFET funciona como interruptor cuando trabaja entre las regiones Seleccione una respuesta. a. de corte y de saturación. b. óhmica y de corte. c. óhmica y de saturación.

Punto/s: 1 La región de saturación de un transistor Seleccione una respuesta. a. MOSFET corresponde a la zona donde éste se comporta como una fuente de corriente y para un BJT a la zona anterior a la activa directa con valores de tensión entre colector y emisor de valor absoluto bajo. b. MOSFET corresponde a la zona donde éste se comporta como una fuente de corriente y para un BJT a la zona donde se comporta como fuente de tensión. c. BJT corresponde a la zona donde éste se comporta como una fuente de corriente y para un MOSFET a la zona donde se comporta como fuente de tensión. d. MOSFET y para un BJT, corresponde a la zona donde se comportan como una fuente de corriente.

¿Cuál de las corrientes en un transistor MOSFET de acumulación es prácticamente nula? Seleccione una respuesta. a. Corriente de drenador. b. Corriente de fuente. c. Corriente de puerta.

En un transistor de efecto de campo en la región de corte, ¿qué intensidades de corriente son nulas? Seleccione una respuesta. a. Sólo IG. b. Sólo IG e ID. c. Todas. d. Sólo IG e IS.

Un transistor MOSFET de acumulación de canal n en la región óhmica Seleccione una respuesta. a. disminuye su resistencia según aumenta VGS. b. aumenta su resistencia según aumenta VGS. c. tiene una resistencia constante.

¿En qué región de funcionamiento un transistor de efecto de campo se comporta como una resistencia controlada por corriente? Seleccione una respuesta. a. En ninguna. b. En la región de saturación. c. En la región de corte. d. En la región óhmica.

Un transistor MOSFET funciona como interruptor cuando trabaja entre las regiones Seleccione una respuesta. a. óhmica y de corte. b. óhmica y de saturación. c. de corte y de saturación.

Para que en un transistor MOSFET de acumulación de canal p se establezca una corriente eléctrica las tensiones deben ser Seleccione una respuesta. a. VGS < 0 y VDS > 0. b. VGS < 0 y VDS < 0. c. VGS > 0 y VDS > 0. d. VGS > 0 y VDS < 0.

Las regiones de funcionamiento de un transistor se denominan Seleccione una respuesta. a. Corte, saturación y activa directa para un BJT y óhmica, saturación y activa directa para un MOSFET. b. Corte, saturación y activa directa para un BJT y corte, saturación y activa directa para un MOSFET. c. Corte, saturación y activa directa para un MOSFET y corte, saturación y óhmica para un BJT. d. Corte, saturación y activa directa para un BJT y corte, saturación y óhmica para un MOSFET.

Para que un transistor BJT funcione como amplificador, debe operar en la región: Seleccione una respuesta. a. de saturación. b. de corte. c. activa directa.

En un transistor de silicio BJT npn polarizado en la región activa directa: Seleccione una respuesta. a. VBE es aproximadamente -0,7 V. b. VCE es aproximadamente 0,7 V. c. VCE es aproximadamente -0,7 V. d. VBE es aproximadamente 0,7 V.

Considere un dispositivo en un circuito, la intersección entre recta de carga y curva característica se conoce como Seleccione una respuesta. a. punto de saturación. b. punto de operación. c. región de funcionamiento.

La ganancia de corriente de un transistor BJT, ?eta, se define como Seleccione una respuesta. a. el cociente entre la intensidad de corriente de base y la de emisor. b. el cociente entre la intensidad de corriente de base y la de colector. c. el cociente entre la intensidad de corriente de emisor y la de colector. d. el cociente entre la intensidad de corriente de colector y la de base.

Indique cuál de los siguientes valores no corresponde a la ganancia de corriente de un transistor BJT, BETA. Seleccione una respuesta. a. 200. b. 3. c. 100.

Considere un transistor BJT npn en emisor común en la región activa directa, si se disminuye la tensión VCE hacia valores muy bajos, manteniendo el valor de la intensidad IB, el transistor evoluciona hacia la región. de corte. de saturación. continua en activa directa.

Un transistor BJT npn se encuentra polarizado en la región activa directa cuando Seleccione una respuesta. a. la unión base-emisor está directamente polarizada y la unión base-colector está inversamente polarizada. b. la unión base-emisor está directamente polarizada y la unión base-colector está directamente polarizada. c. la unión base-emisor está inversamente polarizada y la unión base-colector está inversamente polarizada. d. la unión base-emisor está inversamente polarizada y la unión base-colector está directamente polarizada.

Considere un transistor de silicio BJT npn donde VBE = 0.7 V y VCE = 0.2 V. Dicho transistor se encuentra en la región. de saturacion. activa directa. de corte.