suponiendo que se elimina el electron de valencia de un atomo de cobre. ¿la carga electrica neta del atomo sera? 1 3 5. los atomos de silicio conforman un patron ordenado de atomos llamado? cristal duro
aleacion . un semiconductor intrinseco tiene algunos huecos a temperatura ambiente que causa estos huecos? energia termica excitacion de electrones carga electrica . a temperatura ambiente un cristal de silicio intrinseco se comporta de forma similar como un conductor aislante neutro. el tiempo transcurrido entre la creacion de un bueco y su desaparicion se denomina periodo de vida tiempo transcurrido tiempo de vida . en un semiconductor intrinseco el numero de huecos es igual a electrones de valencia el numero de electrones libres electron libre . el flujo de los electrones de valenccia cuando giran a la derecha indica que los huecos se mueven para izquierda derecha se mantienen . para producir un semiconductor de tipo n que utilizarias? atomos donantes atomos de valencia electrones libres . cuantos electrones libres contiene un semiconductor de tipo p 4 solo los producidos por energia termica 2. cuantos electrones de valencia tiene la plata 1 4 7. cuantos electrones hay en orbital de valencia de un atomo de silicio que esta dentro de un cristal? 1 8 4. como es un semi conductor de tipo n positivo negativo neutro. un semiconductor de tipo p contiene huecos y iones positivos electrones libres iones negativos . que es lo que genera la zona de deplexion ensanchamiento recombinacion recopilacion . normalmente en un diodo de silicio la corriente inversa es enorme muy pequeña reducida . otro elemento semiconductor principalmente utilizado en la fabricacion de resistencias comun es magnesio carbono aluminio. que es un semiconductor intrinseco? un semiconductor puro conductor puro . cual es la forma de incrementar la conductividad de un semiconductor es dopaje mayor corriente electrones de valencia . un semiconductor dopado se denomina semiconductor intrinseco semiconductor extrinseco semiconductor . como se denomina un atomo trivalente? atomo receptor atomo de valencia atomo donador . atomo de silicio pentavalente se denomina semiconductor tipo n semiconductor tipo p semiconductor tipo c . como se denomina un atomo de silicio trivalente semiconductor tipo p semiconductor tipo n semiconductor tipo c . el borde entre la zona de tipo p y tipo n se demonima union union np union pn . que significa la palabra diodo dioxido dos electrodos union de electrodos . como se le llama al campo electrico entre los iones campo de valencia barrera de potencial campo de union . como se le llama al conecet del material tipo n y el material tipo p polarizacion indirecta polarizacion directa materiales pn. la corriente inversa de satiracion se duplica cuando la temperatura de union aumenta 12°c 10 °c 21 °f . como se le llama al lado p y a lado n lado p anodo y lado n catodo lado p catpdo y lado n anodo lado p atomo y lado n anodo. la tension de umbral de un diodo es aproximadamente igual a barrera de umbral barrera de proteccion tension de proteccion . el diodo ideal es generalmente adecuado para conducir atomos conducir corriente detectar averias . la resistencia interna de un diodo 1n4001 es .23 .87 .43. es aquel que tiene solamente un diodo y en este se produce una corriente punsante y circula en un solo sentido puente rectificador rectificador de onda completa rectificador de media onda . cual es la funcion de los rectificadores convertir ac en dc reducir voltaje aumentar la coriiente. cual es el rectificador que se comporta como dos rectificadores de media onda puente rectificador rectificador de onda completa rectificador doble . cual es la diferencia de un rectificador de onda completa y un puente rectificador el numero de bobinas de un transformador la diferencia de voltaje la diferencia de corriente .
