Electronica analogica

Una fuente ideal de tensión tiene: a). una corriente dependiente de la carga. b). una tensión o voltaje dependiente de la carga. c). Resistencia interna nula. d). Resistencia interna infinita.

Una corriente eléctrica la cual transmite información es una: a). cinta magnética. b). señal electrónica. c). corriente directa. d). corriente alterna.

Un semiconductor intrínseco presenta algunos huecos a temperatura ambiente causados por: a). Electrones de valencia. b). Energía térmica. c). Electrones libres. d). El dopaje.

Una fuente ideal de corriente tiene: a). Resistencia interna nula. b). Una tensión dependiente de la carga. c). Resistencia interna infinita. d). Una corriente dependiente de la carga.

Un semiconductor tipo p tiene huecos y: a). Átomos donadores. b). Iones positivos. c). Átomos aceptores. d). Iones negativos. e). Átomos pentavalentes. f). Átomos trivalentes.

Una fuente real de tensión o voltaje tiene: a). Resistencia interna pequeña. b). Resistencia interna nula. c). Una corriente dependiente de la carga. d). Resistencia interna infinita.

¿Cuál de los siguientes es un aparato análogico?. a). Una televisión. b). Una computadora PC. c). Un reproductor CD. d). Un reloj digital.

La unión de un electrón libre con un hueco recibe el nombre de: a). Tiempo de vida. b). Energía termica. c). Recombinación. d). Enlace covalente.

Los huecos son minoritarios en un semiconductor tipo: a). Tipo p. b). Extrínseco. c). Tipo n. d). Intrínseco.

Una corriente eléctrica es un flujo de: a). Electrones. b). Protones. c). Netrones. d). Átomos.

La conductividad eléctrica de los elementos semiconductores puede ser cambiada al añadir. a). Materiales aislantes. b). Materiales conductores. c). Impurezas. d). Materiales semiconductores.

¿Cuál de los siguientes teoremas son utilizados en circuitos?. a). Kirchoff de corrientes. b). de Norton. c). de Superposición. d). Kirchoff de voltajes. e). de Thévenin.

¿Cuál de las siguientes leyes se considera la ley de los circuitos serie?. a). de Norton. b). de Thévenin. c). Kirchoff de corrientes. d). Kirchoff de voltajes. e). de Superposición.

¿Cuál/es de los siguientes elementos se pueden mover?. a). Portadores minoritarios. b). Electrones libres. c). Iones. d). Huecos. e). Portadores mayoritarios.

Las televisiones y los radios primitivos eran más grandes que sus versiones modernas porque usaban: a). Tubos de vacío. b). Sílice. c). Transistores. d). Semiconductores.

¿Cuál es la diferencia básica del diodo rectificador y el diodo zener?. a). VBRK. b). Potencia disipada. c). Vy(Vgama). d). Ninguna.

Los diodo son la unión de 2 semiconductores N-P. Al unirse se forman dentro del diodo. a). Una zona. b). Dos zonas. c). Tres zonas. d). Ninguna de la opciones.

¿En que región debe operar el diodo zener?. a). PD. b). PI. c). PD y PI. d). Ninguna de las opciones.

Desde el punto de vista de portadores de carga presentan. a). Ninguna de las opciones. b). Huecos. c). Electrones. d). Electrones y huecos.

¿Cuantas polarizaciones pueden soportar el diodo?. a). Ninguna de las opciones. b). PD. c). PI. d). PI y PD.

Electricamente el diodo ¿se puede comportar como un?: a). Interruptor abierto. b). Ninguna de las opciones. c). Interruptor abierto-cerrado. d). Interruptor cerrado.

¿Cuál propiedad eléctrica generalmente no cumple el LED?. a). Baja potencia disipada. b). Baja IF. c). Vy(Vgama)grande. d). Alto VBRk.

¿Se dice que el diodo de silicio está PD si:?. a). Va -1V y Vb -1.7V. b). Va=3V y Vb=3.7V. c). Va=0V y Vb=1V. d). Va=3V y Vb=1V.

¿Cuántas zonas de dopaje tiene un transistor BJT?. a). Una zona. b). Dos zonas. c). Tres zonas. d). Cuatro zonas.

La ganancia de corriente en un transistor BJT es la relación entre: Corriente de entrada Ib y corriente de salida Ic. Ic e Ie. Ib e Ie.

En el funcionamiento como amplificador de un transistor BJT, el diodo entre base y emisor o la unión BE normalmente tiene: a). Polarización directa o PD. b). No conduce. c). Polarización inversa o PI. d). Funciona en la zona de ruptura.

..... ..... es un dispositivo electrónico que contiene tres capas de semiconductores y puede ser usado como un interruptor. a). Ninguna de las opciones presentadas. b). Un diodo. c). Un SCR. d). Un FET. e). Un BJT transistor bipolar.

¿Cuales de las siguientes acciones hace un transistor BJT?. a). Amplifica señales débiles. b). Regula la corriente. c). Rectifica el voltaje de la RED proporcionada por CFE. d). Regula el voltaje o tensión.

¿En un transistor npn, los portadores mayoritarios en la base son:?. a). Ninguna de las tres respuestas. b). Electrones. c). Huecos. d). Hay electrones y huecos.

¿A qué se debe la zona de deplexión o agotamiento en un diodo?. a). A la recombinación. b). Al dopaje. c). A la barrera de potencial.