Electrónica analogica

En ausencia de campo eléctrico, en una barra de semiconductor intrínseco, la corriente de huecos debida a la difusión, si la hubiera es: En un semiconductor intrínseco nunca hay corriente de difusión. Siempre es constante, al tratarse de un semiconductor intrínseco. Siempre es igual a la de los electrones. Proporcional al gradicente de la concentración de huecos.

En una unión pn polarizada en sentido directo, la corriente que circula por la unión está compuesta fundamentalmente por. Portadores mayoritarios. Portadores minoritarios. Por ambos tipos de portadores a partes iguales. Ninguno, ya que no circula corriente.

En una unión pn polarizada en sentido inverso, el valor máximo del campo eléctrico para una tensió de polarización determinada. Crece con el nivel de dopado en las zonas P y N. Es constante siempre. Crece cuando bajamos el dopado. Es constante, al ser constante la tensión de polarización.

En un transistor bipolar npn trabajando en la zona activa, la corriente de emisor en valor absoluto comparada con la corriente de colector es siempre. Muy parecida. Depende del circuito. Mayor. Menor.

Si en un transistor bipolar, aumentamos el ancho de la base, sin alterar el resto de los parámetros, el parámetro alpha comparado con el del transistor original es: Igual. Menor. Mayor. Ninguna de las anteriores.

En un transistor bipolar pnp al corte, la tensión base-emisor es: Cero o negativa. Siempre cero. Cero o positiva. Unas veces es positiva y otras negativa.

En un transistor JFET de canal n, trabajando en la zona activa, la tensión base-emisor es: Positiva. Negativa. Cero. Positiva y negativa.

En un transistor MOSFET de enriquecimiento de canal n, trabajando en la zona activa, la corriente de drenador es proporcional. Al cuadrado de la diferencia entre Udc y Vt. Cuadrado de la diferencia entre Ugs y Vt. A Ugs. Ninguna de las anteriores.

En dos barras idénticas de silicio, a 300K, con dopados n y p, en los que Na=Nd y ambos muchos mayores que ni: La concentración de np es mayor que la concentración de pn. la concentración de np es menor que la concentración de pn. la concentración de np es igual que la concentracion pn. depende del valor de Na y Nd.

En una unión polarizada en sentido inverso con dopados muy diferentes en la zona p y la zona n, la zona de transición es: mas ancha que la zona de menor depado. mas ancha en la zona de mayor dopado. igual en ambas zonas. de ancho constante.

En una unión polarizada pn en sentido inverso, la concentración de minoritarios en el borde de la zona de transición. crece con la tensión de polarización. es constante siempre. decrece con la tensión de polarización. Varia, pero no depende de la tensión de polarización.

En un transistor bipolar npn trabajando en la zona activa, la corriente de emisor en valor absoluto comparada con la corriente de colector es siempre. igual. depende del circuito. un poco mayor. un poco menor.

En un transistor bipolar npn, trabajando en saturación, la corriente de colector, ic, es: Porpocional a la corriente de base. Constante. la fija el circuito. Ninguna de las anteriores.

En un transistor JFET de canal n, trabajando en la zona óhmica, con tensión puerta-fuente constante, la corriente del drenador es: Proporcional a la tensión fuente. Inversamente proporcional a la tensión puerta-fuente. Independiente de la tensión puerta-fuente. Proporcional a la tensión drenador-fuente.

En un transistor bipolar npn al corte, la tensión base-emisor es. Cero o negativa. Cero o positiva. Siempre cero. Unas veces positiva y otras negativa.

En un transistor MOSFET de enriquecimiento de canal n, trabajando en zona activa, la tensión puerta-drenador es: mayor o igual que la tensión de umbral Vt. Menor o igual que la tensión umbral Vt. Independiente de la tensión. Ninguna de las anteriores.

En dos uniones pn polarizadas en sentido inverso, sin entrar en avalancha, con dopados idénticos en las zonas P y N, pero con distintos valores de dopado en cada una de las uniones. ¿Para la misma tensión de polarización, a temperatura ambiente, el campo eléctrico en la unión es?. Igual es ambos casos. mayor en la unión menos dopada. mayor en la unión más dopada. solo depende de la tensión de polarización.

En una unión PN polarizada en sentido directo, ¿la concentración de huecos en el borde de la zona de transición N es?. Siempre la misma que en equilibrio. Muy superior a la del equilibrio. Muy inferior a la de equilibrio. Unas veces superior, otras inferior a la de equilibrio.

En un transistor pnp trabajando en saturación, ¿la tensión colector-emisor es siempre?. Proxima a cero, pero negativa. Cero. Depende fundamental de la corriente de base. Unas veces positiva y otras negativa.

En un transistor JFET de canal n, con tensión puerta-fuente negativa constante, trabajando en el límite entre la región óhmica y la región de saturación del canal, ¿la tensión drenador fuente?. Depende de la corriente de drenador. es igual a Ugs+Vpo. es igual a la tensión de estrangulamiento del canal Vpo. es independiente de la corriente de drenador.

En un transistor MOSFET de enriquecimiento de canal n, operando con una tensión puerta-fuente inferior a la tensión umbral Vth, ¿la corriente de drenador?. Es proporcional a la tensión drenador-fuente. Es aproximadamente cero. proporcional a la tensión umbral Vth. proporcional a )Ugs-Vth)^2.

En una unión pn polarizada en sentido directo, la concentración de minoritarios en el borde de la zona de transición. crece con la tensión de polarización. es constante siempre. decrece con la tensión de polarización. varia, pero no depende de la tensión de polarización.

En un transistor bipolar npn trabajando en la zona activa, la tensión colector base es siempre: positiva. depende del circuito. cero. negativa.

En un JFET de canal p en la zona de saturación del canal, la corriente de puerta, tomando como referencia positiva que la corriente entra por la puerta, es. propocional a la tensión puerta-fuente. proporcional a la tensión de estrangulamiento Vp. aproximadamente cero y positiva. aproximadamente cero y negativa.

En una unión pn polarizada en sentido inverso, sin entrar en avalancha, ¿la concentració de huecos en el borde de la zona de transición de la zona N?. Es igual a la concentración de equilibrio. Es independiente de la polarización. crece con la polarización por encima de la de equilibrio. decrece con la polarización por debajo de la de equilibrio.

En una unión pn polarizada en sentido directo, ¿la concentración de huecos en el borde de la zona de transición de la zona N es?. siempre es la mmisma que en equilibrio. muy inferior a la de equilibrio. muy superior a la de equilibrio. unas veces superior, otras inferior a la de equilibrio.

En un transistor npn, trabajando en la zona activa, ¿la tensión colector-base es?. cero o negativa. siempre positiva. siempre negativa. unas veces positiva y otras es negativa.

en un transistor JFET de canal n, con tensión puerta-fuente negativa constante, trabajando la región de saturación del canal, ¿la corriente de drenador es?. proporcional a la tensión puerta-fuente. es proporcional a Vpo. es proporcional a (a+Ugs/Vpo)^2. la fija el circuito.

En un transistor MOSFET de enriquecimiento de canal n, con una tensión puerta-fuente constante, mayor que Vth, operando en la zona límite entre la región óhmica y la región de saturación del canal, ¿la tensión drenador-fuente?. es proporcional a la corriente de drenador. aproximadamente cero. proporcional a la tensión de umbral Vth. igual a (Ugs-Vth).

En una unión PN polarizada en sentido inverso, sin entrar en avalancha, con un dopado mucho mayor en la zona N, que en la zona P. El ancho de la zona de transición. de la zona P es mayor que el de la zona N. de la zona N es mayor que el de la zona P. de las zonas P y N son idénticos. no depende del sentido del dopado.

En una unió PN ideal de Si polarizada en sentido directo con 0,3V a 300K, ¿la concentración de electrones libres en el borde de la zona P?. siempre la misma e igual a la de equilibrio. mayor que sin polarizar. mucho menor que en una unión sin polarizar. no depende de la tensión de polarización.

En un transistor bipolar pnp trabajando en la región activa ¿la tensión base-emisor es siempre?. proxima a cero, pero positiva. siempre positiva. siempre negativa. positiva o negativa, dependiendo de la corriente de base.

En un transistor bipolar pnp ¿la longitud de la región de base debe ser?. Igual a la longitud de difusión de los huecos. Igual a la longitud de difusión de los electrones. Mayor que la longitud de difusión de los electrones huecos. Menor que le longitud de difusión de los huecos.

En un transistor JFET de canal n, con tensiñon puerta-fuente negativa constante, trabajando en la región de saturación del canal, ¿la tensión drenador fuente?. depende de la corriente de drenador. es igual a Ugs+Vpo. es igual a la tensión de estrangulamiento del canal Vpo. depende del circuito.

En un transistor MOSFET de enriquecimiento de canal n, operando en la región de saturación del canal con la tensión puerta-fuente constante ¿la corriente de drenador?. es proporcional a la tensión drenador-fuente. proporcioanl a la tensión umbral Vth. aproximadamente cero. proporcional a (Ugs-Vth)^2.

En una unión PN polarizada en sentido inverso, sin entrar en avalancha, con dopados diferentes en las zonas P y N, ¿para una tensión de polarización cualquiera, a temperatura ambiente, el campo es máximo?. En el borde del lado P de la zona de transición. En el borde del lado N de la zona de transición. En la unión. En cualquier punto de la zona de transición, es constante.

En una unión PN ideal de Si polarizada en sentido directo 0,3 V, a 300K, ¿la diferencia de potencial entre los bordes P y N de la zona de transición es?. Siempre la misma e igual a la de equilibrio. Mayor que en equilibrio. Cero voltios. Igual a la diferencia entre la tensión de equilibrio y la de polarización.

En un transistor bipolar npn la longitud de la región de base debe ser. igual a la longitud de difusión de los electrones. igual a la longitud de difusión de los huecos. mayor que la longitud de difusión de los huecos electrones. menor que la longitud de difusión de los electrones.

En un transistor MOSFET de enriquecimiento de canal n, operando con la zona resistiva con tensión puerta-fuente constante ¿la corriente de drenador?. es proporcional a la tensión drenador-fuente. aproximadamente cero. proporcional a la tensión umbral Vth. proporcional a (Ugs-Vth)^2.

En dos uniones PN polarizadas en sentido inverso, con dopados idénticos en las zonas P y N, pero con distintos valores de dopado en cada una de las uniones. Para la misma tensión de polarización, a temperatura ambiente, el ancho de la zona de transición es. igual en ambos casos. mayor en la unión más dopada. mayor en la unión menos dopada. independiente del dopado.

En un transistor bipolar npn trabajando al corte, las uniones de emisor y colector estan. ambas polarizadas en sentido directo. ambas polarizadas en sentido inverso. la de emisor en sentido directo y la de colector en sentido inverso. igual a la concentración de electrones.

en un transistor JFET de canal n, trabajando la zona ohica, con tensión puerte-fuente constante, la corriente de drenador. depende de la tensión drenador-fuente. es constante. es siempre muy próxima a cero. es independientemente de la tensión puerta-fuente.

En un transistor MOSFET de canal n en la zona de saturación del canal, la corriente de puerta, en continua, tomando como referencia positiva cuando la corriente entra por la puerta, es: proporcional a la tensión drenador-fuente. es proporcional a (Ugs-Vth)^2. aporximadamente cero y positiva. aproximadamente cero y negativo.

En una unión PN polarizada en sentido inverso muy dopada que entra en conducción por efecto zener ¿la tensión de entrada en conducción?. crece con el aumento del dopada. decrece con el aumento del dopado. es independiente del dopado. es independiente de la temperatura.

En un transistor bipolar trabajando en saturación ¿las uniones del emisor y base están polarizadas?. la de emisor directa, la de colector inversa. las dos con polarización inversa. las dos con polarización directa. la de emisor inversa, la de colector directa.

La concentración intrínseca de un material semiconductor. es función de su nivel de dopado. es función del campo eléctrico. depende de que el material sea p o n. es una característica propia del material semiconductor.

En una unión on polarizada en sentido inverso, el ancho de la zona de transición, al aumentar la tensión de polarización. se mantiene constante. crece. decrece. es independiente de la tensión de polarización.

En un semiconductor tipo p a 0K, el hueco creado por cada átomo de impurezas se encuentra en niveles energeticos de la. banda de conducción. banda prohibida. banda de valencia. depende del dopado.

En un transistor bipolar npn en saturación, la corriente de colector es. la fija el circuito. siempre cero. inversamente proporcional a la corriente de base. independiente de la corriente de base.

En un transistor JFET de canal n, trabajando en al zona en que el canal está lejos de su estrechamiento máximo, la corriente de drenador es. proporcional a la tensión puerta-fuente. inversamente proporcional a la tensión puerta-fuente. independiente de la tensión puerta-fuente. proporcional a (Upf-Vpinchoff)^2.

Dos barras idénticas de silivio a 300K, una se dopa para general un material semiconductor tipo N y la otra para tipo P, la concentración del dpado en cada una de ellas es igual por lo que Nd=Na y ambos mucho mayores que ni: La concentración de nn es menor que la de pp. la concentración de nn es menor que la de np. la concentración de nn es igual que la de np. la concentración de nn es igual que la de pp.

en una unión PN en equilibrio, sin polarizar, en la que la zona N está más dopada que la P, a temperatura ambiente, el ancho de la zona de transición en la zona P es. menor que el ancho de la zona N. igual que el ancho de la zona N. mayor que el ancho en la zona N. cero, por no estar polarizada la unión.

En una unión PN polarizada en sentido inverso: la zona de transición aumenta y la corriente es muy pequeña porque se favorece el movimiento de los portadores de carga minoritarios. la zona de transición aumenta y la corriente es nula. la zona de transición disminuye y la corriente es alta porque se favorece el movimiento de los portadores de carga mayoritarios. la zona de transición aumenta hasta equilibrar el movimiento de portadores por difusión de forma que la corriente neta es cero.

En un transistor bipolar PNP en zona activa. la unión BC está polarizada inversamente, favoreciendo la circulación de corriente de colector a emisor porque los huecos inyectados desde el emisor a la base, se convierten en minoritarios en la base y la polarización inversa de la unión BC favorece su circulación hacia colecto. la unión BC está polarizada inversamente, favoreciendo sólo la circulación de los minoritarios,electrones en el colector, y por tanto haciendo que la corriente de colector a emisor sea muy pequeña. la unión BE está polarizada directamente, favoreciendo sólo la circulación de los minoritarios, electrones en el emisor, y por tanto haciendo que la corriente de colector a emisor sea muy pequeña. la unión BC está polarizada inversamente, favoreciendo la circulación de corriente de colector a emisor porque los electrones inyectados desde el emisor a la base, se convierten en minoritarios en la base y la polarización inversa de la unión BC favorece su circulación hacia colector.

En un transistor bipolar trabajando en la zona de saturación, la corriente de colector. es proporcional a la corriente de base. es igual a la corriente de emisor. depende del circuito conectado entre colector y emisor. es mayor que la corriente de base amplificada por beta.

En un transistor NPN al corte. la corriente de emisor a base es cero y la unión base-emisor está polarizada directamente. la corriente de emisor a base es positiva y la unión base-emisor está polarizada inversamente. la corriente de emmisor a base es negativa y la unión está polarizada directamente. la corriente de emisor a base es cero y la unión base-emisor no está polarizada directamente.

en un transistor JFET de canal N con tensión positiva entre drenador y fuente y que trabaja con el canal estrangulado. la corriente de drenador a fuente es cero porque el canal está cerrado. la tensión puerta-fuente es negativa y circula corriente de drenador a fuente compuesta de forma mayoritaria por electrones. la tensión puerta-fuente es negativa y circula corriente de drenador a fuente compuesta de forma mayoritaria por huecos. la tensión puerta-fuente es positiva y circula corriente de drenador a fuente compuesta de forma mayoritaria por electrones.

En un transistor MOSFET de enriquecimiento de canal N, trabajando en la zona de saturación,. la tensión puerta-fuente es positiva y la corriente de drenador depende de la diferencia entre la tensión puerta-fuente y la tensión umbral. la tensión puerta-fuente es negativa y la corriente de drenador depende de la diferencia entre la tensión puerta-fuente y la tensión umbral. la tensión puerta-fuente es positiva y circula corriente de drenador a fuente compuesta de forma mayoritaria por huecos. ninguna de las anteriores.

La imagen de la figura representa cómo es la densidad de corriente de los minoritarios en una unión PN polarizada directamente, ¿qué afirmación es cierta?. en la zona de transición la densidad de corriente total es la suma de la densidad de corriente de los portadores mayoritarios. la concentración de minoritarios cerca de la zona de transición se reduce. la densidad de corriente total en la zonas alejadas de la zona de transición es prácticamente cero. en la densidad de corriente de los minoritarios domina el efecto por difusión siendo despreciable el movimiento de minoritarios por campo eléctrico.

En una unión PN polarizada en sentido inverso: la zona de transición aumenta hasta equilibrar el movimiento de portadores por difusión de forma que la corriente neta es cero. la zona de transición aumenta y la corriente es nula. la zona de transición aumenta y la corriente es muy pequeña porque se favorece el movimiento de los portadores de carga minoritarios. la zona de transición disminuye y la corriente es alta porque se favorece el movimiento de los portadores de carga mayoritarios.

En un transistor bipolar NPN en zona activa. la unión BC está polarizada inversamente, favoreciendo la circulación de corriente de colector a emisor porque los electrones inyectados desde el emisor a la base, se convierten en minoritarios en la base y la polarización inversa de la unión BC favorece su circulación hacia colector. la unión BC está polarizada inversamente, favoreciendo sólo la circulación de los minoritarios, huecos en el colector, y por tanto haciendo que la corriente de colector a emisor sea muy pequeña. la unión BC está polarizada directamente, favoreciendo la circulación de los huecos inyectados desde el emisor a la base, y por tanto haciendo que la corriente de colector a emisor sea alta. la unión BC está polarizada inversamente, favoreciendo la circulación de corriente de colector a emisor porque los huecos inyectados desde el emisor a la base, se convierten en mayoritarios en la base y la polarización inversa de la unión BC favorece su circulación hacia colector.

En un transistor bipolar trabajando en la zona de saturación, la corriente de colector. es proporcional a la corriente de base b. es igual a la corriente de emisor. depende del circuito conectado entre colector y emisor. es mayor que la corriente de base amplificada por beta.

En un transistor JFET de canal N, trabajando en la zona en la que el canal está lejos de su estrechamiento máximo, la corriente de drenador es: proporcional al valor absoluto de la tensión puerta-fuente. independiente de la tensión puerta-fuente. proporcional a·(1 + VGS/VPO)^2. inversamente proporcional al valor absoluto de la tensión puerta-fuente.

En un transistor JFET de canal P con tensión positiva entre drenador y fuente y que trabaja con el canal estrangulado,. la corriente de drenador a fuente es cero porque el canal está cerrado. la tensión puerta-fuente es negativa y circula corriente de drenador a fuente compuesta de forma mayoritaria por huecos. la tensión puerta-fuente es positiva y circula corriente de drenador a fuente compuesta de forma mayoritaria por huecos. la tensión puerta-fuente es positiva y circula corriente de drenador a fuente compuesta de forma mayoritaria por electrones.

En un transistor MOSFET de enriquecimiento de canal N, trabajando con el canal estrangulado. la tensión puerta-fuente es positiva y la corriente de drenador depende de la diferencia entre la tensión puerta-fuente y la tensión umbral. la tensión puerta-fuente es negativa y la corriente de drenador depende de la diferencia entre la tensión puerta-fuente y la tensión umbral. la tensión puerta-fuente es positiva y circula corriente de drenador a fuente compuesta de forma mayoritaria por huecos. la tensión puerta-fuente es negativa y circula corriente de drenador a fuente compuesta de forma mayoritaria por electrones.