ELECTRÓNICA ANALÓGICA TRANSISTORES FET

Los transistores FET se aplican principalmente como: 1. Amplificadores. 2. Conmutadores. 3. Potenciometros. 1 y 2 son correctas.

La construcción de estos transistores se realiza con: Materiales semiconductores intrinsecos. Materiales N y P como los transistores BJT. Materiales N y P de clase distinta a los que se usan para los BJT.

Suele decirse que los transistores FET son dispositivos unipolares ¿por que?. por que solo tienen un polo de conexión. por que solo pueden conectarse a un dispositivo. por que las corrientes interiores son de huecos junto con electrones. por que las corrientes interiores son de huecos o electrones, pero no ambos.

Dispositivo unipolar, que opera como un dispositivo controlado por voltaje, con corriente de electrones o corriente de huecos, pero no ambos: Transistor bipolar. FET. BJT. Diodo Varicap.

Una característica muy apreciada de los FET es que: Poseen muy alta impedancia de entrada. Poseen muy alta impedancia de salida. Pueden aplicarsele muy altos voltajes.

Para funciones de conmutación suele preferirse: El BJT sobre el FET por su rapidez. El FET sobre el BJT por su estabilidad. El FET sobre el BJT por su rapidez.

Existen dos clases de transistores FET las cuales son: JFET y KFET. JFET y MOSFET. SFET y MOSFET.

Como se llaman las terminales 1 y 2 del JFET de la figura: canal y drenaje. drenaje y sustrato. compuerta y sustrato. fuente y drenaje.

Como se llaman las terminales 3 y 4 del JFET de la figura: compuerta y canal. compuerta y sustrato. fuente y canal. drenaje y fuente.

Como se llaman la parte del numero 5 del JFET de la figura: fuente. sustrato. drenaje. compuerta.

El sustrato de cualquier FET puede ser: Solo tipo N. Solo tipo P. Tipo N o tipo P.

El material del canal respecto al material del sustrato es. el mismo. el opuesto. puede varial.

De acuerdo con el material del canal los JFET SON: de canal P. de canal N. de canal N o de canal P.

Las tres terminales de un FET son: emisor, base y colector. sustrato, base y drenaje. fuente, drenaje y compuerta.

La batería Vds genera una corriente que circula a través del canal, y que se llama: Im. Id. Ig. Is.

La funcion del voltaje Vgs es: controlar el valor de Id. polarizar al FET para que opere libremente. controlar los voltajes externos que se apliquen.

La imagen muestra que en realidad quien controla el valor de Id es: Vds. Vgs. Id no es controlada por voltajes.

¿Qué tipo de FET muestra la imagen?. Tipo P. Tipo N.

¿Qué tipo de FET muestra la imagen?. Tipo P. Tipo N.

En ambos circuitos, quien determina el sentido de Id, ya sea entrando por la fuente o por el drenaje: El polo negativo Vgs. El polo positivo Vgs. El polo negativo de Vds.

La figura muestra un IGFET o MOSFET que partes señalan los números 1 y 3: la fuente y el drenaje. la fuente y el sustrato. la compuerta o el sustrato.

La figura muestra un IGFET o MOSFET que parte señala el número 2: la compuerta. el sustrato. el canal.

La figura muestra un IGFET o MOSFET que parte señala los números 4 y 5: la capa aislante y el sustrato. la capa aislante y el drenaje. la fuente y el drenaje.

Esta clase de FET también se les denomina IGFET, ¿por qué?. la compuerta esta aislada del canal. el canal esta aislado del sustrato. el drenaje esta aislado de la fuente.

La compuerta del IGFET o MOSFET es metálica y se aísla del canal por medio de: una capa de oxido de silicio. una capa de oxido de maganeso. una capa plástica muy delgada.

¿Que significan las siglas MOSFET?. FET de operación mediante sostenimiento. FET operativo de silicones. FET de óxido metálico semiconductor.

Menciona el tipo de MOSFET que representa la imagen: MOSFET tipo N. MOSFET tipo P.

Indica el nombre de las terminales 2 y 4: sustrato y drenaje. drenaje y canal. fuente y drenaje. compuerta y sustrato.

Indica el nombre de las terminales 1 y 3: compuerta y sustrato. compuerta y drenaje. sustrato y drenaje.

Este es un MOSFET tipo P ¿Que lo define?. por la cantidad de terminales que tiene. por que la compuerta y el canal no se tocan. por que la flecha es horizontal. por que la flecha apunta hacia afuera del FET.

El circuito muestra la forma básica para polarizar un MOSFET tipo N, se dice que normalmente esta encendido ¿por que?. por que aunque Vgs fuera cero, de cualquier forma circulara Id, impulsada por Vds. por que aunque Vds fuera cero, de cualquier forma circulara Id, impulsada por Vgs. por que esta encendido desde fábrica.

Mientras Vds es el voltaje de polarización, Vgs es: el voltaje que controla el valor de Id. el voltaje que controla a Vds. el voltaje que impulsa a Id.

Los BJT y MOSFET se dice que son dispositivos controlados por: potencia. corriente. voltaje.

La terminal de sustrato se conecta a: por lo general a la terminal de la fuente. a cualquier parte externa del transistor. no se conecta a ninguna parte.

La imagen muestra las curvas de salida de un MOSFET, estas gráficas dejan en claro que los valores de Id dependen principalmente de: Vgs. Vds. del voltaje de polarización.

Por que a este MOSFET se le llama de crecimiento: porque pueden conectar varios tipos de transistores en serie. porque no tiene canal y este debe ser creado por el voltaje Vgs. porque se puede hacer crecer su corriente aplicando mas voltaje Vds.

La figura muestra un MOSFET de crecimiento, ¿que son las terminales 1 y 3?. sustrato y canal. compuerta y sustrato. fuente y drenaje. compuerta y fuente.

La figura muestra un MOSFET de crecimiento, ¿que son las terminales 2 y 5?. sustrato y canal. compuerta y sustrato. fuente y drenaje. compuerta y fuente.

El símbolo mostrado a la derecha pertenece a un MOSFET: De enriquecimiento tipo N. De enriquecimiento tipo P. De empobrecimiento tipo N.

¿Por qué sabemos que se trata de un MOSFET de enriquecimiento?. porque la flecha apunta hacia adentro. porque el canal se muestra cortado o seccionado. porque la compuerta es vertical.

¿Cuál es el nombre de la terminal 2 y 4?. sustrato y canal. compuerta y sustrato. fuente y drenaje. compuerta y fuente.

¿Cuál es el nombre de la terminal 1 y 3?. sustrato y canal. compuerta y fuente. fuente y drenaje. compuerta y sustrato.

Como definimos que el MOSFET de la imagen es de tipo P. el canal esta cortado y la flecha apunta hacia afuera. el canal esta cortado y la compuerta esta aislada. la compuerta esta aislada y el sustrato esta horizontal.

Los FETs (JFET y MOSFET) pueden conectarse en tres configuraciones distintas ¿Cuáles son?. fuente, drenaje y compuerta común. emisor, drenaje y fuente común. fuente, drenaje y sustrato común.

Los FETs se emplean principalmente como: a) amplificadores. b) conmutadores. a) y b) son correctas.

Indica la configuración del MOSFET de agotamiento tipo N de la imagen: base común. drenaje común. fuente común. compuerta común.

La configuración fuente común es de las más usadas, una de sus principales ventajas es: proporciona una alta ganancia de corriente. proporciona una alta ganancia de voltaje. consume poca potencia.

La configuración fuente común es de las más usadas, otra de sus principales ventajas es: su baja impedancia de entrada. su alta impedancia de entrada. su alta estabilidad térmica.

El circuito muestra un JFET de canal N, de empobrecimiento y cuya configuración es: drenaje común. compuerta común. fuente común.

La configuración JFET de empobrecimiento compuerta común, tiene buena amplificación de voltaje, pero su característica principal es: una baja impedancia de entrada. una alta impedancia de salida. una alta impedancia de entrada.

La imagen mostrada es una tercera configuración usada en los JFET ¿Cúal es?. drenaje común. fuente común. compuerta común. colector común.

Por su alta impedancia de entrada y su baja impedancia de salida, esta configuración se emplea como: acoplador de ganancias. amplificador de voltajes. acoplador de impedancias.