Electrónica básica
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Título del Test: Electrónica básica Descripción: Tema 1 - Semiconductores. |
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Las impurezas trivalentes provocan que los electrones de la banda valencia salten al nivel aceptor con una probabilidad mayor que el salto a la banda de conducción, dejando un hueco libre en la banda de conducción. Verdadero. Falso. Las impurezas trivalentes provocan que los electrones de la banda valencia salten al nivel aceptor con una probabilidad mayor que el salto a la banda de conducción, dejando un hueco libre en la banda de conducción. Verdadero. Falso. En un semiconductor la concentración de huecos en la banda de conducción no aumenta con la temperatura. Verdadero. Falso. Las impurezas pentavalentes generan n nivel donador mas próximo a la banda de conducción y dentro de la banda de valencia. Verdadero. Falso. La ley de acción de masas los semiconductores intrínsecos presentan un enunciado diferente a la existente en los semiconductores extrínsecos. Verdadero. Falso. La concentración de portadores en un semiconductor no es inversamente proporcional a la conducción eléctrica que presentan. Verdadero. Falso. La ionización de impurezas depende de la temperatura del sistema, pero no depende de la función de probabilidad de ocupación de dicho nivel. Verdadero. Falso. A una temperatura de 700ºK, en una muestra de silicio dopado con impurezas donadoras, con una concentración ND = 1017 átomos/cm3 se comporta como un semiconductor intrínseco. Verdadero. Falso. Por cada electrón que pasa a la banda de valencia aparece un hueco en la banda de conducción. Verdadero. Falso. La existencia de impurezas pentavalentes en semiconductores intrínsecos no genera una ionización negativa al perder electrones ligados a la red cristalina a temperaturas medias. Verdadero. Falso. La función de trabajo no representa a la energía máxima necesaria para arrancar un electrón de un sólido y sacarlo fuera de la superficie. Verdadero. Falso. Los semiconductores extrínsecos dopados con impurezas donadoras sólo cumplen la ley de acción de masas a temperaturas muy altas. Verdadero. Falso. A temperaturas bajas no se puede aplicar la hipótesis de ionización total de un semiconductor extrínseco, pero se conoce la concentración intrínseca. Verdadero. Falso. La expresión de la conductividad en un semiconductor viene dada por la siguiente ecuación. Verdadero. Falso. La concentración de huecos en un semiconductor intrínseco se representa mediante la siguiente expresión. Verdadero. Falso. La concentración de electrones en un semiconductor no extrínseco depende de la concentración de huecos en la banda de valencia. Verdadero. Falso. La función de distribución Maxwell-Bolzmann es una aproximación de la expresión de FermiDirac válida únicamente para temperaturas altas. Verdadero. Falso. En un semiconductor dopado con impurezas aceptoras, a temperaturas bajas, la concentración de las impurezas ionizadas difiere de la concentración total de impurezas trivalentes. Verdadero. Falso. Los semiconductores extrínsecos dopados con impurezas pentavalentes a temperaturas altas no se comportan como los semiconductores compensados totalmente a temperaturas medias. Verdadero. Falso. La anchura de la banda prohibida en un metal depende de la temperatura a la que se encuentra el material. Verdadero. Falso. Una muestra de silicio no dopada con impureza no se considera un semiconductor intrínseco. Verdadero. Falso. La movilidad de los portadores negativos se expresa mediante la siguiente ecuación. Verdadero. Falso. Función de probabilidad de ocupación de Fermi-Dirac viene dada por la siguiente expresión. Verdadero. Falso. La presencia de impurezas aceptoras en un semiconductor hace que en el sistema se necesite una mayor energía para la creación de un hueco extra, que para la formación de un par electrón-hueco. Verdadero. Falso. |