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En una unión de tipo pn la zona de carga espacial: Aumenta con polarización negativa. Disminuye con polarización en inversa. Aumenta con la concentración de impureza donadora. Aumenta con la concentración de impureza aceptadora.

En un transistor bipolar de unión (BJT), un incremento en la tensión colector-base: Provoca una disminución de la anchura efectiva de la base, aumentando la corriente por el colector. Este efecto se conoce como efecto Ebbers – Moll. Provoca un aumento de la anchura efectiva de la base, aumentando la corriente por el colector. Este efecto se conoce como efecto Ebbers – Moll. Provoca una disminución de la anchura efectiva de la base, aumentando la corriente por el colector. Este efecto se conoce como efecto Early. Provoca una disminución de la anchura efectiva de la base, aumentando la corriente por el colector. Este efecto se conoce como efecto Avalancha.

Polarizar una unión PN en directa implica: Crear un campo externo que se suma al interno, de modo que se aumenta la zona de carga espacial y por tanto se genera corriente mayoritaria de difusión. Crear un campo externo que se resta al interno, de modo que se reduce la zona de carga espacial y por tanto se genera corriente mayoritaria de difusión. Disminuir la barrera de potencial que deben superar los portadores mayoritarios, de modo que se genera corriente mayoritaria de arrastre. Aumentar la barrera de potencial que deben superar los portadores mayoritarios, de modo que se genera corriente mayoritaria de arrastre.

Indique la afirmación incorrecta: En un amplificador operacional ideal se puede suponer que: La ganancia de tensión en lazo abierto es infinita. La impedancia de entrada es infinita. La impedancia de salida es nula. La entrada inversora (V-) y la entrada no inversora (V+) están a diferente tensión.

En un semiconductor intrínseco: Si es de tipo p, la impureza es de tipo aceptadora, a temperatura ambiente se encuentra totalmente ionizada, y genera la mayor densidad de portadores en la banda de conducción. Si es de tipo n, la impureza es de tipo donadora, a temperatura ambiente se encuentra totalmente ionizada, y genera la mayor densidad de electrones en la banda de conducción. Si es de tipo p, la impureza es de tipo aceptadora, a temperatura ambiente se encuentra parcialmente ionizada, y genera la mayor densidad de portadores en la banda de valencia. Ninguna es correcta.

En un transistor MOSFET de acumulación de canal p donde VSG=0, si entre drenador y fuente se aplica una tensión positiva, la corriente a través del drenador será: Creciente con VDS. Decreciente con VDS. Nula. Creciente con la corriente de la puerta.

En un semiconductor extrínseco de tipo p: Los portadores mayoritarios son electrones. La ionización de la impureza aceptadora produce electrones. La ionización de la impureza donadora produce huecos. Ninguna respuesta es correcta.

En un transistor de bipolar de tipo pnp: La corriente de colector es igual a la de emisor. En activa directa, la tensión base-emisor está polarizada en directa y la tensión base-colector en inversa. En activa directa, la tensión emisor-base está polarizada en directa y la tensión colector-base en inversa. Ninguna de las anteriores es correcta.

En un semiconductor en equilibrio térmico: El balance de cargas positivas y negativas debe ser neutro en todo el cristal en cualquier caso. El balance de cargas positivas y negativas no dependerá del equilibrio térmico. Si está polarizado en directa, el balance de cargas será positivo (más cargas positivas que negativas), ya que existe corriente. Si está polarizado en directa, el balance de cargas será negativo (más cargas negativas que positivas), ya que existe corriente.

El efecto Early. Es el efecto que produce la variación en el grosor de la región de deplexión en un transistor BJT (de tipo npn). A medida que aumenta la tensión entre colector y emisor, la probabilidad de recombinación en la base es menor y la corriente aumenta. Es el efecto que produce la variación en el grosor de la región de deplexión en un transistor BJT (de tipo npn). A medida que aumenta la tensión entre colector y emisor, la probabilidad de recombinación en la base es menor y la corriente disminuye. Es el efecto que produce la variación en el grosor de la región de deplexión en un transistor BJT (de tipo pnp). A medida que aumenta la tensión entre colector y emisor, la probabilidad de recombinación en la base es menor y la corriente aumenta. Es el efecto que produce la variación en el grosor de la región de deplexión en un transistor BJT (de tipo pnp). A medida que aumenta la tensión entre colector y emisor, la probabilidad de recombinación en la base es menor y la corriente disminuye.

En un diodo de unión tipo PN: Si está polarizado en directa, la corriente de difusión aumenta con la polarización y es mayor que la de arrastre. Si está polarizado en inversa, la corriente de difusión disminuye con la polarización y es menor que la de arrastre. Si está en equilibrio la corriente de difusión es aproximadamente igual a la de arrastre. Todas son correctas.

En un transistor bipolar de unión (BJT), un incremento en la tensión colector-base lleva asociado un incremento en la anchura de la zona de carga espacial de dicha unión. Este aumento provoca una disminución de la anchura efectiva de la base, aumentando la corriente por el colector. Este efecto se conoce como efecto Ebbers – Moll. Este aumento provoca un aumento de la anchura efectiva de la base, aumentando la corriente por el colector. Este efecto se conoce como efecto Ebbers – Moll. Este aumento provoca una disminución de la anchura efectiva de la base, aumentando la corriente por el colector. Este efecto se conoce como efecto Early. Este aumento provoca una disminución de la anchura efectiva de la base, aumentando la corriente por el colector. Este efecto se conoce como efecto Avalancha.

En un semiconductor extrínseco de tipo n: Los portadores mayoritarios son huecos. El nivel energético asociado a los portadores de carga mayoritarios se encuentra cercano a la banda de conducción. El nivel energético asociado a los portadores de carga mayoritarios se encuentra cercano a la banda de valencia. La ionización de la impureza aceptadora produce electrones.

En un BJT de tipo pnp: El modelo de pequeña señal (AC) es el mismo que el de un tipo npn. El punto de trabajo viene determinado por la tensión colector-emisor y la corriente de colector. La característica I-V para el punto de trabajo es opuesta a la de un tipo npn. Mantiene el mismo convenio de signos que un tipo npn.

En un semiconductor extrinseco de tipo p, el nivel de Fermi: Se encuentra en la banda de conducci´on, por encima del nivel energ´etico asociado a la impureza aceptadora. Se encuentra en la banda de valencia (cercano a ella / en el gap), por debajo del nivel energ´etico asociado a la impureza aceptadora. Se encuentra en la banda de valencia, por encima del nivel energ´etico asociado a la impureza donadora. Se encuentra en la banda de conducci´on, por encima del nivel energ´etico asociado a la impureza donadora.

En un semiconductor extr´ınseco: Si es de tipo n, la impureza es de tipo donadora y a temperatura ambiente se encuentra parcialmente ionizada. Si es de tipo p, la impureza es de tipo aceptadora, a temperatura ambiente se encuentra totalmente ionizada, y genera la mayor densidad de portadores en la banda de conducci´on. Si es de tipo n, la impureza es de tipo donadora, a temperatura ambiente se encuentra totalmente ionizada, y genera la mayor densidad de electrones en la banda de conducci´on. Si es de tipo p, la impureza es de tipo aceptadora, a temperatura ambiente se encuentra parcialmente ionizada, y genera la mayor densidad de portadores en la banda de valencia.

En un diodo de uni´on tipo pn (sobre zona de carga espacial): Si se polariza en directa, la zona de carga espacial aumenta. Si se polariza en directa, la corriente de difusi´on aumenta y es mayor que la de arrastre. Si se polariza en inversa, la zona de carga espacial disminuye. Si se polariza en inversa, la corriente arrastre disminuye y es menor que la de difusi´on.

En un BJT tipo npn: Si polarizamos la uni´on base-emisor en directa y la uni´on base-colector en inversa decimos que el transistor est´a trabajando Activa Inversa. Si polarizamos la uni´on base-emisor en inversa y la uni´on base-colector en directa decimos que el transistor est´a trabajando Activa Inversa. Si polarizamos la uni´on base-emisor en directa y la uni´on base-colector en directa decimos que el transistor est´a trabajando Corte. Si polarizamos la uni´on base-emisor en directa y la uni´on base-colector en inversa decimos que el transistor est´a trabajando Saturaci´on.