electrónica general (test)

En un semiconductor extrínseco: Si es de tipo n, la impureza es de tipo donadora y a temperatura ambiente se encuentra parcialmente ionizada. Si es de tipo p, la impureza es de tipo aceptadora, a temperatura ambiente se encuentra totalmente ionizada, y genera la mayor densidad de portadores en la banda de conducción. Si es de tipo n, la impureza es de tipo donadora, a temperatura ambiente se encuentra totalmente ionizada, y genera la mayor densidad de electrones en la banda de conducción. Si es de tipo p, la impureza es de tipo aceptadora, a temperatura ambiente se encuentra parcialmente ionizada, y genera la mayor densidad de portadores en la banda de valencia.

Polarizar una unión PN en directa implica: Crear un campo externo que se suma al interno, de modo que se aumenta la zona de carga espacial y por tanto se genera corriente. Crear un campo externo que se resta al interno, de modo que se reduce la zona de carga espacial y por tanto se genera corriente de difusión. Disminuir la barrera de potencial que deben superar los portadores mayoritarios, de modo que se genera corriente de arrastre. Aumentar la barrera de potencial que deben superar los portadores mayoritarios, de modo que se genera corriente de arrastre.

En un semiconductor extrínseco, los portadores de carga mayoritarios son: Los huecos. Los electrones. No hay portadores mayoritarios ya que la densidad de portadores es la misma. Depende de si es un semiconductor tipo p o n.

La característica ID-VGS del JFET: Es análoga a la del MOSFET de deplexión con la salvedad de que en un JFET no se aplican tensiones VGS positivas que polarizarían en directa las uniones pn. Es idéntica a la de un MOSFET ya que comparte la misma estructura. Es distinta a la del MOSFET de deplexión ya de que en un JFET se deben de aplicar tensiones VGS positivas que polarizarían en directa las uniones pn. En ningún caso la característica I-V puede ser idéntica ya que depende de la recta de carga del circuito.

En un semiconductor extrínseco de tipo p: Los portadores mayoritarios son electrones. La ionización de la impureza aceptadora produce electrones. La ionización de la impureza donadora produce huecos. Ninguna respuesta es correcta.

En un transistor de bipolar de tipo npn: La corriente de colector es igual a la de emisor. En activa directa, la tensión base-emisor está polarizada en directa y la tensión base-colector en inversa. En activa directa, la tensión emisor-base está polarizada en directa y la tensión colector-base en inversa. Ninguna de las anteriores es correcta.

En un transistor de bipolar de tipo pnp: La corriente de colector es igual a la de emisor. En activa directa, la tensión base-emisor está polarizada en directa y la tensión base-colector en inversa. En activa directa, la tensión emisor-base está polarizada en directa y la tensión colector-base en inversa. Ninguna de las anteriores es correcta.

En un diodo de unión tipo PN: Si está polarizado en directa, la corriente de difusión aumenta con la polarización y es mayor que la de arrastre. Si está polarizado en inversa, la corriente de difusión disminuye con la polarización y es menor que la de arrastre. Si está en equilibrio la corriente de difusión es aproximadamente igual a la de arrastre. Todas son correctas.

En un transistor bipolar de unión (BJT), un incremento en la tensión colector-base lleva asociado un incremento en la anchura de la zona de carga espacial de dicha unión. Este aumento provoca una disminución de la anchura efectiva de la base, aumentando la corriente por el colector. Este efecto se conoce como efecto Ebbers – Moll. Este aumento provoca un aumento de la anchura efectiva de la base, aumentando la corriente por el colector. Este efecto se conoce como efecto Ebbers – Moll. Este aumento provoca una disminución de la anchura efectiva de la base, aumentando la corriente por el colector. Este efecto se conoce como efecto Early. Este aumento provoca una disminución de la anchura efectiva de la base, aumentando la corriente por el colector. Este efecto se conoce como efecto Avalancha.

En un semiconductor extrínseco de tipo n: Los portadores mayoritarios son huecos. El nivel energético asociado a los portadores de carga mayoritarios se encuentra cercano a la banda de conducción. El nivel energético asociado a los portadores de carga mayoritarios se encuentra cercano a la banda de valencia. La ionización de la impureza aceptadora produce electrones.

En un BJT de tipo pnp: El modelo de pequeña señal (AC) es el mismo que el de un tipo npn. El punto de trabajo viene determinado por la tensión colector-emisor y la corriente de colector. La característica I-V para el punto de trabajo es opuesta a la de un tipo npn. Mantiene el mismo convenio de signos que un tipo npn.

En un semiconductor en equilibrio térmico: Podemos afirmar que el balance de cargas positivas y negativas debe ser neutro en todo el cristal en cualquier caso. El balance de cargas positivas y negativas dependerá de si es un semiconductor extrínseco o intrínseco. Si está polarizado en directa, el balance de cargas será positivo (más cargas positivas que negativas), ya que existe corriente. Si está polarizado en directa, el balance de cargas será negativo (más cargas negativas que positivas), ya que existe corriente.

El efecto Early. Es el efecto que produce la variación en el grosor de la región de deplexión base-colector en un transistor BJT. A medida que aumenta la tensión entre colector y emisor, la probabilidad de recombinación en la base es menor y la corriente aumenta. Es el efecto que produce la variación en el grosor de la región de deplexión base-colector en un transistor BJT. A medida que aumenta la tensión entre colector y emisor, la probabilidad de recombinación en la base es menor y la corriente disminuye. Es el efecto que produce la variación en el grosor de la región de deplexión emisor-colector en un transistor BJT. A medida que aumenta la tensión entre colector y emisor, la probabilidad de recombinación en la base es menor y la corriente aumenta. Es el efecto que produce la variación en el grosor de la región de deplexión colector-emisor en un transistor BJT. A medida que aumenta la tensión entre colector y emisor, la probabilidad de recombinación en la base es menor y la corriente disminuye.