La Capacidad de almacenamiento de una estructura MIS o puerta de un transistor MOS, depende en gran medida de la capacidad del oxido que es una función directa de su espesor. Aunque la capacidad asociada a la superficie del semiconductor en las zonas de inversión y vaciamiento sea mayor, la capacidad total observada siempre viene dominada por la capacidad del oxido. Verdadero Falso.
En situaciones de equilibrio térmico y ausencia de campos eléctricos externos, los electrones y los huecos realizan movimientos aleatorios al azar dentro de la estructura cristalina de un semiconductor. Los electrones y los huecos se mueven de forma ordenada si: hay una diferencia de concentración de elementos dopantes en el cristal. hay una diferencia de concentración espacial de electrones o huecos en el semiconductor. se aplica un campo eléctrico externo a un semiconductor intrínseco o extrínseco. hay una concentración de elementos dopantes dentro del cristal.
En Semiconductores extrínsecos existe una disparidad entre el número de electrones y el número de huecos por unidad de volumen como consecuencia del dopado. Esto es una consecuencia de que las bandas de energía de los electrones de valencia de estos elementos dopantes se encuentran situadas dentro de la zona o banda prohibida del semiconductor. Las sustancias donadoras tienen bandas de energía prohibida próximas a la banda de valencia. Las sustancias donadoras tienen bandas de energía prohibida próximas a la banda de conducción. Las sustancias aceptoras tienen bandas de energía prohibida próximas a la banda de valencia. Las sustancias aceptoras tienen bandas de energía prohibida próximas a la banda de conducción.
El potencial de contacto o potencial Buit-in en una unión semiconductora se produce como consecuencia de la aparición de un campo eléctrico interno en la zona de transición de la unión. Indicar cuáles de las afirmaciones son las correctas: El potencial de contacto o potencial buit-in interviene en la expresión de la densidad de corrientes en un diodo según el modelo de Shockley. A temperatura ambiente el potencial de contacto depende sólo de las concentraciones de los elementos dopantes de la parte P y de la parte N. A temperatura ambiente, la anchura de la zona de transición en ausencia de potencial externo depende del potencial de contacto y de las concentraciones de los elementos de la parte P y la parte N El potencial de contacto mide el desplazamiento entre las bandas de energías de la parte P y la parte N.
El modelo de Ebers-Moll del transistor bipolar no explica una serie de fenómenos de segundo orden que aparecen en el transistor real y que deben corregirse. Los fenómenos de segundo orden mas importantes que tienen en cuenta los modelos actuales de transistor bipolar son: Los efectos relacionados con las altas corrientes o altos niveles de inyección en Base y Colector La dependencia de las ganancias en corriente con la corriente de colector. La conductividad finita de las regiones semiconductoras de base, colector y emisor. El tamaño de la base en función de la tensión de polarización de la unión Base-Colector.
El efecto Zener forma parte de los mecanismos de ruptura de una unión semiconductora polarizada en sentido inverso. Este fenómeno suele ocurrir cuando las dos uniones semiconductoras están fuertemente dopadas, la zona de transición es muy estrecha y la tensión inversa alta. También se denomina efecto Túnel por la capacidad que adquiere el electrón para atravesar una barrera energética mas alta que la suya (fenómeno cuántico). Verdadero Falso.
Los procesos de generación y recombinación de portadores se oponen a la existencia de desequilibrios en la densidad local o espacial de portadores a lo largo del semiconductor. La evolución de la concentración de portadores fuera del equilibrio en función del tiempo sigue una ley lineal con el tiempo. La evolución de la concentración de portadores fuera del equilibrio sigue una ley exponencial creciente con el tiempo. La evolución de la concentración de portadores fuera del equilibrio sigue una ley exponencial decreciente con el tiempo.
En la unión PN aparecen dos efectos capacitivos debidos a dos fenómenos concretos: La Capacidad de Transición es debida a a la aparición de la carga iónica espacial en la zona de transición o capa vacía y la Capacidad de Difusión que es debida a la inyección de portadores minoritarios. La capacidad de transición depende del estado de polarización del diodo. La capacidad de difusión se da solo cuando el diodo se polariza en directa. La capacidad de transición es fija y no cambia con el estado de polarización del diodo. La capacidad de difusión se da independientemente de que el diodo se polarice en directa o en inversa. .
El efecto transistor es un fenómeno de distancia relacionado con la vida media de los portadores al atravesar la base del transistor. Para que ocurra el efecto transistor es necesario que la base sea suficientemente ancha frente a la longitud de difusión de los portadores minoritarios que la atraviesan. Verdadero Falso.
Los coeficientes de movilidad y de difusión de un material semiconductor están relacionados de forma inversa por las denominadas relaciones de Einstein: Cuando aumenta la movilidad, disminuye la difusión y viceversa. Verdadero Falso.
Las Regiones de Inversión y de Vaciamiento en una estructura MIS no dependen del nivel de dopado del semiconductor ya que se trata de un fenómeno superficial dependiente exclusivamente del potencial externo aplicado. Verdadero Falso.
La Ley de Acción de Masas dice que el producto de las concentraciones de electrones y huecos en un Semiconductor a una temperatura dada es una constante que coincide con el cuadrado de la concentración intrínseca a esa misma temperatura. Verdadero Falso.
En los semiconductores extrínsecos existe una disparidad entre el número de electrones y huecos al alterarse su concentración por la presencias de sustancias dopantes donadoras o aceptoras. Las sustancias donadoras son las que ceden un electrón por átomo donador haciendo que el semiconductor sea de tipo N. Al ceder el electrón, el átomo se ioniza positivamente creando una perturbación local de campo en el cristal. Las sustancias donadoras son las que ceden un electrón por átomo donador haciendo que el semiconductor sea de tipo P. Al ceder el electrón, el átomo se ioniza positivamente creando una perturbación local de campo en el cristal. Las sustancias aceptoras son las que captan un electrón por átomo donador haciendo que el semiconductor sea de tipo N. Al capturar el electrón, el átomo dopante se ioniza negativamente creando una perturbación local de campo en el cristal. Las sustancias aceptoras son las que captan un electrón por átomo donador haciendo que el semiconductor sea de tipo P. Al capturar el electrón, el átomo dopante se ioniza negativamente creando una perturbación local de campo en el cristal.
Un Semiconductor se define como Semiconductor Intrínseco si se encuentra dopado con aceptores y dadores a una temperatura dada pero se verifica que p=n=ni. no se encuentra dopado con material alguno; es decir, es una estructura cristalina pura. se encuentra dopado por igual número de aceptores y donadores con independencia de la temperatura. se encuentra dopado por igual número de aceptores y donadores a temperatura ambiente.
Ordenar los distintos tipos de ruidos en semiconductores y las causas que los originan. Movimiento de electrones o huecos debido a la corriente o flujo fluctuante de electrones y huecos. Movimiento de electrones y huecos debidos a capturas y/o emisiones en niveles energéticos interbanda. Movimiento aleatorio de electrones o huecos por su energía vibracional o térmica: Movimiento de electrones y huecos debidos a la contaminación de semiconductores por metales pesados.
Los electrones confinados en redes cristalinas poseen energías que se distribuyen en bandas. En semiconductores intrínsecos, el movimiento de electrones se realiza en la banda de conducción y supone también el movimiento de un hueco en la banda de valencia. Es decir, la conducción tiene lugar por pares electrón-hueco. Para que un hueco adquiera movilidad es necesario que salte a la banda de conducción. Mientras tanto no contribuye al proceso conductivo. Se crearán electrones y huecos siempre que las bandas de conducción y valencia tengan niveles vacantes. Los electrones pueden moverse en la banda de valencia contribuyendo igualmente a la conducción. La aparición de electrones y huecos ocurre cuando aparece la energía térmica necesaria para hacer saltar a un electrón a la banda de conducción. Los pares electrón-hueco creados se cancelan por recombinación haciendo que la conducción se realice en la superficie del cristal. Habrá mas o menos pares electrón-hueco dependiendo de la temperatura a la que se encuentre el cristal.
Los tres parámetros que miden la calidad de un transistor bipolar son la Eficiencia de Emisor, el Factor de Transporte y el Factor de multiplicación de Colector. En un transistor ideal los tres factores tendrían un valor unitario. Ordenar sus definiciones: Eficiencia de Emisor Factor de Transporte Factor de multiplicación de Colector.
Cuando se polariza a un diodo, la tensión externa aplicada modifica el flujo de portadores, la geometría de la zona de transición y la altura de las bandas. Emparejar las siguientes definiciones: Cuando la unión PN se polariza en inversa Cuando la unión PN se polariza en directa.
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