esencial alojomora examen

Para un diodo 1N4007 una temperatura de la unión Tj = -50ºC corresponde a... La curva T1. La curva T2. La curva T3. Ninguna de las anteriores.

Los puentes rectificadores de la figura tienen distinta... Designación. Distribución de terminales. Forma de montaje. Potencia.

¿Cuál de los encapsulados mostrados es de cátodo común?. Dispositivo III. Dispositivo II. Dispositivo IV. Dispositivo I.

Cuanto mayor es el tamaño del diodo soporta... Mas corriente inversa. Menos tensión inversa. Mas corriente directa. Menos temperatura de la unión.

En la fabricación de diodos de potencia... La superficie de la unión depende de la densidad de corriente que debe admitir. El espesor de la unión depende de la tensión inversa. El encasuplado final no depende de sus valores eléctricos máximos. No hay una relación directa entre las dimensiones de la unión y la potencia a manejar.

Gracias al proceso de biselado en la fabricación de los diodos de potencia, se consigue... Un mayor gradiente de potencial. Que soporte una tensión inversa mayor. Aumentar el valor de la corriente superficial. Que la tensión directa sea menor.

Cuando se conectan en serie varios diodos de potencia del mismo tipo... La distribución de la tensión inversa entre los diodos de la rama puede equilibrarse mediante la conexión de una resistencia en paralelo con cada uno. La tensión inversa aplicada a la rama se reparte por igual entre todos ellos. Los diodos más rápidos dejarán de conducir antes, lo que les es favorable pues soportaran una tensión inversa menor. El tiempo de recuperación inversa será el mismo para todos.

Cuando se conectan en paralelo varios diodos de potencia del mismo tipo.... Es preciso conectar una resistencia en paralelo con cada diodo a fin de uniformar sus características. El valor de la resistencia a conectar en serie con cada diodo será tanto mayor cuanto mayor sea la corriente que deba circular por dicha rama. La dispersión de las características estáticas de los diodos hace que puedan provocarse fuertes desequilibrios en sus respectivas contribuciones a la corriente de carga. Se crea un desequilibrio que se hace menos patente con el aumento de la temperatura, ya que es positivo el coeficiente de temperatura de la tensión en los diodos.

El valor de la corriente que un diodo de potencia puede soportar, si sus picos se repiten cada 20 ms con una duración del pico de 1 ms y para una cierta temperatura de la cápsula, se denomina... IFAV. IFRM. IFSM. IFRMS.

El tipo de encapsulado de un diodo de potencia depende de... La corriente de fugas. La temperatura ambiente. La intensidad nominal del diodo. La caida de tensión directa.

Del espesor "d" de la capa N- del diodo de potencia de la figura depende... La tensión directa de pico repetitiva. La tensión de ruptura. La corriente directa media. La tensión de umbral.

Los diodos de potencia que mayor corriente directa (IFAV) conducen tienen cápsula... SOD-80. D2PACK. DO-4. DO-200AC.

Cuando el módulo de la figura forma parte de un puente rectificador de potencia, una de las fases de la alimentación alterna de red se debe aplicar al.... Terminal 1. Terminal 2. Terminal 3. Cualquiera de las tres.

La cápsula del diodo de la figura... Aisla la unión semiconductora de la atmósfera para evitar su deterioro químico y provee la conexión eléctrica al circuito mejorando la disipación de potencia. Es de tipo disco, especial par diodos de baja potencia. Se conecta al circuito exterior soldando los terminales de ánodo y cátodo. Es exclusiva para los diodos de selenio y de óxido de cobre.

De entre los parámetros dinámicos de los diodos de potencia, el fenómeno de recuperación inversa... Se produce al pasar del estado de bloqueo al de condución en un tiempo no nulo. Sólo es apreciable cunado los diodos forman parte de rectificadores que trabajan a la frecuencia de la red (50 Hz). Es particularmente perjudicial cuando se trabaja a frecuencias elevadas. Tiene menor influencia que el de recuperación directa.

Los diodos zener trabajan habitualmente... En polarización directa. En polarización inversa. Por cátodo a masa. En ambas polarizaciones, directa e inversa.

Los diodos zener se utilizan principalmente en... Estabilización de tensiones, circuitos recortadores y protección contra sobretensiones. Rectificación de potencia. Amplificación de señales de audio.. Sintonización FM.

¿Cuál de los símbolos de la figura no representa al diodo zener?. D1. D4. D2. D3.

Los datos más relevantes en el manejo de un diodo zener son... La anchura de la barrera de potencial. La Iz tipica y la tensión umbral. La tensión zener y la potencia de disipación máxima. El tiempo de recuperación directo.

Según la nomenclatura del zener de la figura.... "BZ" indica que es de Bromuro de Zinc. "Y97" indica que está fabricado en el año 97. "C" indica que lo siguiente es la corriente del zener. ''C" indica una tolerancia del 5%.

La tensión umbral de un diodo Schottky vale.. 1,2 v. 0,7 v. 0,3 v. 1 v.

En un diodo varicap... A medida que aumenta la tensión inversa aplicada, disminuye su capacidad. A medida que aumenta la tensión inversa aplicada, aumenta su capacidad. Se modifica su capacidad variando la tensión directa aplicada. No se puede modificar su capacidad ya que queda establecida en el proceso de fabricación.

De entre los diodos citados a continuación, el único que tiene tres uniones es... El diodo zener. El diodo Schockley. El diodo Varicap. Ningún diodo tiene más de una unión PN.

Cuando un diodo túnel.... Se poraliza inversamente se comporta de forma distinta a una unión PN. No está polarizado es cuando conduce. Se poraliza directamente se comporta exactamente igual que un diodo de unión. Se poraliza directamente, en una zona concreta de su curva característica se comporta de forma distinta a una unión PN.

Aquellos diodos que almacenan carga mientras conducen en directa y que al conmutar siguen conduciendo en inversa, durante un breve intervalo de tiempo, se denominan... Diodos bidireccionales. Diodos de recuperación en escalón. Diodos Gunn. Diodos de potencia.

Los diodos túnel.... Poseen un elevado grado de dopado. Tienen concentraciones de átomos aceptores y donadores menores que los diodos comunes. Trabajan fundamentalmente en polarización inversa. Todas las respuestas anteriores son ciertas.

Los diodos que por sus características se emplean en amplificación de ondas centimetricas, osciladores de microondas, radar y mando a distancia de ciertos sistemas, son los.... Diodos Gunn. Diodos IGBT. Diodos varica. Diodos Schokley.

En multiplicadores de frecuencia son muy útiles los diodos.... De recuperación en escalón. Varicap. Invertidos. De corriente constante.

El símbolo de la figura representa a un diodo... De sintonia. Rectificador. Supresor de tensión. Shockley.

Para las lámparas de incandescencia comunes no está normalizada la potencia de... 40 W. 60 W. 230 W. 150 W.

Si una vez encendida, quitamos el cebador del equipo de una fluorescente... La lámpara sigue encendida. Podemos apagarla y encenderla de nuevo durante la siguiente hora sin necesidad de cebador. La lámpara se apaga. Se produce un fuerte arco eléctrico debido al balasto que puede provocar la destrucción del tubo.

En el equipo auxiliar de encendido de una fluorescente, la reactancia se emplea para... Conseguir diferentes tonos de blanco. Disminuir la temperatura de los filamentos de los electrodos. Filtrar los parásitos y ruidos de la red. Provocar una sobretensión capaz de iniciar el cebado de la lámapara y limitar después la corriente.

Según el montaje de la figura... Se cumple que IE = IB + IC. El colector es el electrodo que controla el paso de la corriente. La bateria VCB debería estar colocada al revés para polarizar adecuadamente la unión de colector. Habría que sustituir las baterías por sendos generadores de CA para lograr una correcta polarización del transistor.

Para que un transistor BJT este polarizado en la zona activa debe tener... La unión E-B inversamente polarizada y la unión C-B directamente polarizada. La unión E-B y la unión C-B inversamente polarizadas. La unión E-B y la unión C-B directamente polarizadas. La unión E-B directamente polarizada y la unión C-B inversamente polarizada.

Un transistor NPN con los valores indicados se encuentra... En corte. Bloqueado. Saturado. En la zona activa.

Si aumentamos la β de un transistor BJT, el punto de trabajo Q se desplaza hacia la zona... No se mueve. De corte. De ruptura. De saturación.

Sobre la familia de curvas características del transistor en emisor común de la figura, el punto de trabajo... Q3 indica que el transistor está en saturación. Q2 indica que el transistor está en corte. Q4 y Q5 producen la máxima potencia disipada en el BJT. Q1 corresponde al funcionamiento como amplificador en clase A.

En el punto de saturación de la recta de carga de un transistor en continua... La temperatura ambiente disminuye. La corriente de colector es máxima. La corriente de base es mínima. La tensión colector-emisor es muy grande.

Un transistor bipolar trabajando en conmutación... Tiene su punto de trabajo situado en el centro de la recta de carga. Se comporta como un interruptor cerrado en el corte y abierto en saturación. Disipa poca potencia en saturación y mucha en corte. Se comporta como un interruptor abierto en el corte y cerrado en saturación.

Cuando un BJT trabaja en conmutación, cuanto más breves sean los pulsos el área de operación segura... Aumenta. No varia. Disminuye. No existe.

Cuando en un transistor aumenta la temperatura... Tiende a aumentar la IC. Tiende a disminuir la IC. Tiende a disminuir la IB. No pasa nada, el funcionamiento del dispositivo es independiente de cualquier cambio de temperatura.

En un transistor BJT la ganancia de tensión es la relación entre... La tensión de entrada y la de salida. La tensión de salida y la de entrada. La tensión VCE y la tensión VCE. La tensión VBE y la tensión VCE.

La familia de curvas características de la figura corresponden a... Un transistor NPN conectado en CC. Un transistor en EC. Un transistor uniunión. Un transistor PNP conectado en BC.

El montaje en colector común tiene... Baja impedancia de entrada y alta de salida. Baja impedancia de entrada y baja de salida. Alta impedancia de entrada y alta de salida. Alta impedancia de entrada y baja de salida.

¿Qué montaje básico del transistor produce un desfase de 180º entre las tensiones de entrada y salida?. Emisor común. Base común. Colector común. Ninguno.

La familia de curvas características de la figura pertenecen a un BJT en configuración...7. Emisor común. Base común. Colector común. Ninguna.

En el montaje colector común el terminal de salida del transistor es... El emisor. La base. La cápsula. El colector.

Cuando aumenta la temperatura de un transistor en montaje de EC, la ganancia de corriente β... Aumenta. Tiende a cero. Disminuye. No varia.

Dadas las curvas características del BJT en EC de la figura, la impedancia de entrada vale... Zi = 1 MΩ. Zi = 2 KΩ. Zi = 1 KΩ. Zi = 2 MΩ.

En la familia de curvas características de colector de la figura... Si aumenta la temperatura, el punto Q se desliza hacia abajo sobre la recta de carga. Se puede observar que la β de un transistor no es constante debido a que la curvas no son paralelas al eje de las X. Hay un valor, BVCEO , que hay que alcanzar para saturar el transistor. Se comprueba que en saturación la VCE es máxima.

Según el gráfico de la figura, el transistor trabaja como amplificador... Clase AB. Clase C. Clase A. Clase B.

A medida que aumenta el valor de la resistencia de carga en un transistor en EC se obtiene mayor amplificación de... Tensión. Corriente. Frecuencia. Impedancia.

Cuanto menor sea la pendiente de la curva característica IC = f(VCE), la amplificación del transistor... Es mayor. Es menor. Tiende a cero. No varia.

Para calcular la potencia disipada por un transistor en EC efectuaremos el producto... VCE * IC. VBE * IC. VBE * IB. VCE * IB.

Si un transistor NPN en EC esta correctamente polarizado, se cumple que... IB = IC. IC = IE + IB. IB < IE. IC > IE.

¿Qué montaje del transistor no amplifica tensión?. Emisor común. Base común. Colector común. Ninguno.

La resistencia de carga mínima que se puede conectar a un transistor es aquélla que hace que la recta de carga correspondiente sea... Pasarela al eje de las X. Pasarela al eje de las Y. Secante a la curva de máxima potencia. Tangente a la hipérbola de máxima disipación de potencia.

Una forma de minimizar la distorsión de amplitud que se produce en una etapa amplificadora en EC consiste en... Aumentar el valor pico a pico de la corriente alterna de emisor por encima del 10 % de la intensidad continua de emisor. Reducir el valor de pico de la señal aplicada en la base. No introducir realimentación negativa en el emisor. Polarizar el transistor para que su punto Q de trabajo se encuentre en la zona de menor linealidad.

El fenómeno de segunda ruptura del transistor BJT... Aparece como consecuencia de una distribución no uniforme de corriente en el dispositivo, produciéndose puntos calientes que pueden provocar su destrucción. Se conoce también con el nombre de avalancha primaria. Se produce preferentemente en los tipos PNP. Todas las respuestas anteriores son ciertas.

Observando la siguiente familia de curvas de salida de un transistor, deducimos que la ganancia de corriente vale... βCC = 50. βCC = 150. βCC = 100. βCC = 10.

Un transistor cuya PDmax = 1 W que tiene 10 V entre colector-emisor se quemará cuando la corriente de colector sea... IC = 200 mA. IC = 100 mA. IC = 1 mA. IC = 10 mA.

El transistor no se puede saturar cuando trabaja con polarización... Por divisor de tensión. Con realimentación de colector. De base. Con realimentación de emisor.

¿Cuál de los siguientes encapsulados de transistores lleva disipador de calor incorporado?. Q1. Q2. Q3. Ninguno de los tres.

La βcc de los transistores de potencia es... Mayor que los de pequeña señal. Igual que los de pequeña señal. Menor que los de pequeña señal. 200 ÷ 500.

La ruptura secundaria de un BJT de potencia... Provoca la destrucción térmica del dispositivo cuando la Ic y la Vce aumentan excesivamente. Puede presentarse en el turn-on y nunca en el turn-off. No se produce durante la conmutación. Es una destrucción por avalancha.

Debido a la diferencia de portadores que atraviesan la unión base-colector de un BJT de potencia, la relación que existe entre los tres parámetros que pueden provocar la primera ruptura es: BVSUS = BVCEO = BVCBO. BVSUS > BVCEO > BVCBO. BVSUS < BVCEO < BVCBO. BVSUS = 2 BVCEO = BVCBO.

Un transistor de potencia con una curva de desvataje como la de la figura, que debe funcionar en un intervalo de temperatura de la cápsula entre 40 y 80 ºC, podrá disipar en las peores condiciones como máximo... 100 W. 130 W. 140 W. 150 W.

Los principales razones por las que el transistor BJT de potencia presenta un retraso en la conmutación son... Las capacidades parásitas CBE y CCB y el tiempo necesario para la difusión de los portadores en la base. La capacidad CCE y la tension de saturación. La ganancia hFE. La tensión de ruptura colector-emisor con la base abierta y el condensador de emisor.

Es falso que la configuración Darlington de dos transistores.... Obligue a ambos a trabajar en conmutación. Se use en amplificadores de potencia, en reguladores de tensión y en etapas de salida que ataquen a relés, motores, etc. Sea de uso tan común que se comercialicen juntos en un único encapsulado. Obtenga elevada ganancia de corriente.

En el montaje indicado se cumple que la ganancia de corriente total: β = β1 + β2. β = β1 - β2. β = β1 / β2. β = β1 * β2.

Sobre las curvas características estáticas de drenador de un JFET canal N en fuente común indicadas en la figura... La zona II es la de ruptura. La zona I es la óhmica. La zona IV es la de saturación. La zona III es la de corte.

Sobre las curvas características anteriores, la región óhmica se denomina también... De saturación. Activa. De corte. Lineal.

Los terminales de un JFET se denominan... Ánodo, cátodo y puerta. Emisor, Base y colector. Base 1, base 2 y puerta. Drenador, puerta y surtidor.

El transistor JFET es un dispositivo controlado por... Tensión. Resistencia. Campo magnético. Corriente.

Los transistores de efecto de campo de unión... De doble puerta tiene un campo de aplicación mucho más amplio que los de puerta única. Están dotados de dos puertas que suelen estar conectadas internamente constituyendo un único terminal exterior. No presentan ningún tipo de analogía con respecto a los BJT. Se conocen abreviadamente como MOSFET debido a su constitución interna.

La diferencia más clara entre el JFET y MOSFET de empobrecimiento es que... Uno se gobierna por tensión y el otro por corriente. El MOSFET puede trabajar con tensiones de puerta tanto positivas como negativas. Las dos respuestas anteriores son ciertas. En el FET el sustrato es accesible desde el exterior.

El transistor JFET difiere del bipolar en que... Su impedancia de entrada es mucho menor. Su velocidad de conmutación es alrededor de 10 veces mayor. Para magnitudes elevadas de tensión, la corriente no se mantiene constante y en aplicaciones con altas intensidades no presenta pérdidas. Tiene mucha menos ganancia de tensión.

¿Cuál de las siguientes ventajas de los FET sobre los BJT es falsa?. Bajo consumo de corriente y potencia a la entrada. Su reducido tamaño que los hace idóneos en la fabricación de circuitos integrados. Pequeña impedancia de entrada. Elevada estabilidad frente a las variaciones de temperatura.

Para que un JFET esté correctamente polarizado en funcionamiento normal es necesario que... La unión diodo puerta-surtidor esté en directa y la puerta-drenador en inversa. La unión diodo puerta-surtidor esté en inversa y la puerta-drenador en directa. Ambas uniones diodo deben estar en inversa. Ambas uniones diodo deben estar en directa.

Para diseñar un amplificador multietapa con una elevada impedancia de entrada y una gran ganancia de tensión la mejor solución es conectar... Dos BJT en EC, el primero NPN y el segundo PNP. En la primera etapa un JFET como seguidor de fuente y en la segunda un BJT en EC. Dos transistores JFET en seguidor de surtidor, uno de canal N y otro de canal P. En la primera etapa un transistor BJT en EC y en la segunda un JFET como seguidor de fuente.

Un transistor JFET actúa como una fuente de corriente constante de valor IDSS cuando se cumple que la tensión drenador-surtidor es... Mayor que la tensión de estrangulamiento y menor que la de ruptura. Mayor que la tensión de ruptura. Nula. Menor que la tensión de estrangulamiento o contracción.

Cuando el JFET trabaja en la zona óhmica se cumple que: RDS = VP / IDSS. RDS = VDS max - VP / IDSS. RDS = VDS max / IDSS. RDS = VP - VDS max / IDSS.

La característica de transferencia de un JFET canal N se corresponde con la que aparece en... El cuadrante IV. El cuadrante II. El cuadrante I. El cuadrante III.