feap 126-150

126. El efecto Early: A) Es el efecto por el cual la corriente que circula por el colector del transistor aumenta linealmente según aumenta la tensión colector-emisor aplicada entre los terminales de colector y emisor, este efecto da lugar a un parámetro de pequeña señal denominado ro=dvCE(t)/diC(t), que es una resistencia de alto valor óhmico. B) Es el efecto por el cual la corriente que circula por la base del transistor aumenta linealmente según aumenta la tensión base-emisor aplicada entre los terminales de base y emisor, este efecto da lugar a un parámetro de pequeña señal denominado rπ=dvBE(t)/diB(t), que es una resistencia de pequeño valor óhmico. C) Es el efecto por el cual la corriente que circula por el emisor del transistor aumenta linealmente según aumenta la tensión base-emisor aplicada entre los terminales de base y emisor, este efecto da lugar a un parámetro de pequeña señal denominado re=dvBE(t)/diE(t), que es una resistencia de bajo valor óhmico. D) Es el efecto por el cual la corriente que circula por el colector del transistor aumenta linealmente según aumenta la tensión base-emisor aplicada entre los terminales de base y emisor, este efecto da lugar a un parámetro de pequeña señal denominado gm= diC(t)/dvBE(t), que es la transconductancia del BJT.

127. Teniendo en cuenta que en la zona de saturación (o pinch-off) la corriente de drenador de un transistor MOSFET de acumulación viene dada por la expresión: iD(t)=K·(vGS(t)-VT)2, la transconductancia de un transistor MOSFET de acumulación se corresponde con: A) gm = ID/VGS. B) gm = K/VT. C) gm = K/(VGS-VT). D) gm = 2K(VGS-VT).

a. b. c. d.

129. En el amplificador en fuente común anterior la resistencia de entrada se podría calcular por la expresión: a. b. c. d.

130. En el mismo amplificador de la pregunta anterior, determine la expresión de la resistencia de salida: a. b. c. d.

131. En una etapa amplificadora en base común o puerta común: A) La impedancia de entrada es mucho mayor que en la etapa en emisor común, las ganancias de tensión y de corriente próximas a la unidad y la impedancia de salida similar a la de una etapa en emisor común. B) La impedancia de entrada es pequeña (menor que la de la etapa en emisor común), la ganancia de tensión próxima a la unidad, la de corriente mayor que la de una etapa en emisor común y la impedancia de salida similar a la de una etapa en colector común. C) La impedancia de entrada es pequeña (menor que la de la etapa en emisor común), la ganancia de tensión relativamente grande, la de corriente próxima a la unidad y la impedancia de salida similar a la de una etapa en emisor común. D) La impedancia de entrada es menor que la de la etapa en emisor común, la ganancia de tensión y la de corriente relativamente grande (mayores que las que se obtienen en una etapa de colector común) y la impedancia de salida pequeña, similar a la de una etapa en colector común.

132. La figura muestra un amplificador multietapa en configuración: A) Cascodo ya que la etapa de entrada es una etapa en fuente común y la de salida es una etapa en base común. B) Darlington, ya que los dos etapas se encuentran conectadas en cascada. C) Cascodo, ya que la etapa de entrada es una etapa en drenador común y la de salida es una etapa en emisor común. D) Ninguna de las respuestas indicadas en las otras opciones es correcta.

133. La impedancia de entrada diferencial de un amplificador diferencial con su entrada formada por un par de transistores bipolares acoplados por emisor, es 2rπ, por tanto: A) la impedancia de entrada será siempre muy pequeña si se utilizan transistores bipolares, ya que rπ siempre es pequeña. B) si se quiere que el amplificador tenga una impedancia de entrada suficientemente grande, se deberá polarizar el transistor con corrientes de colector y base suficientemente pequeñas. C) no es cierto, la impedancia de entrada diferencial es proporcional a ro, resistencia de salida de la fuente de corriente y, por tanto, siempre es muy grande. D) en las etapas de entrada de los amplificadores diferenciales nunca se utilizan transistores bipolares, sino transistores FET, para que la impedancia de entrada sea muy grande.

134. ¿Qué limita el rango de tensiones en modo común a la entrada de un amplificador diferencial?. A) El rango de tensiones en modo común viene limitado exclusivamente por la tensión de alimentación continua, VCC, del amplificador diferencial; ya que, en todo momento las tensiones en modo común de entrada tendrán que ser menores a VCC. B) La entrada en saturación de los transistores del par diferencial por un lado y la entrada en saturación del transistor de salida de la fuente de corriente que se utiliza para la polarización del amplificador. C) La resistencia de salida del generador de funciones que está suministrando la tensión en modo común a la entrada del amplificador diferencial. D) La potencia que puede disipar el dispositivo. En el caso de que la tensión en modo común a la entrada sea demasiado elevada será necesario dotar al amplificador del apropiado disipador.

135. La figura 5 muestra un espejo de corriente básico. Despreciando las corrientes de base, la corriente de salida del circuito vendrá dada por: a. b. c. d.

136. La impedancia de salida de un espejo o fuente de corriente es debida principalmente: A) A la resistencia de colector del circuito de polarización del espejo. B) A la resistencia ro asociada al efecto Early de su transistor de salida. C) A la resistencia rπ que determina el valor de la tensión BE del transistor de salida del espejo. D) A la resistencia re, ya que es esta resistencia la que limita la corriente de emisor (aproximadamente igual a la de colector del transistor de salida) que corresponde con la corriente de salida del circuito.

137. En un amplificador diferencial, la impedancia de salida de la fuente de corriente que lo polariza debe ser: A) Lo más pequeña posible para que la fuente de corriente suministre la mayor corriente posible al par diferencial. B) Debe ser aproximadamente igual a la impedancia de salida del par diferencial con el fin de que exista un buen equilibrio en el amplificador. C) Ya que la fuente de corriente da una corriente de salida constante independiente de la resistencia de carga que tenga, esta resistencia no tiene efecto en las prestaciones del amplificador diferencial y, por tanto, no suele tenerse en cuenta. D) Lo más grande posible para aumentar el CMRR en la configuración con salida asimétrica.

138. ¿Qué pretenden optimizar las estructuras mejoradas de fuentes de corriente como las Cascodo, Wilson y Wilson Mejorado?. A) En las fuentes diseñadas con bipolares se busca mejorar su impedancia de salida así como la dependencia de la corriente de salida con respecto a la β del transistor. En las diseñadas con FET, sólo la impedancia de salida de la fuente. B) En todas las estructuras mejoradas de espejos de corriente lo que se persigue es conseguir aumentar la corriente de salida con respecto a la corriente de referencia del espejo, de tal manera que sea superior a ésta. C) Son estructuras que permiten hacer un uso más eficiente de la tensión de alimentación del circuito posibilitando la eliminación de la tensión negativa característica de cualquier espejo o fuente de corriente. D) Permiten minimizar el número de transistores necesarios para el diseño de la fuente.

139. El concepto de cortocircuito virtual en un Amplificador Operacional: A) Es un concepto sólo aplicable al amplificador operacional ideal independientemente del tipo de realimentación resultante en el circuito en el que se use al amplificador. B) Sólo se puede aplicar a configuraciones del amplificador operacional en las que la realimentación resultante del circuito sea positiva. C) Es consecuencia de la impedancia de entrada nula (cortocircuito a la entrada) vista desde los terminales inversor y no inversor. D) Ninguna de las respuestas es correcta.

140. ¿Qué efecto provoca en la ganancia en lazo cerrado de un amplificador real (en configuración inversora o no inversora) el hecho de que su ganancia en lazo abierto no sea infinita?. A) La ganancia de la configuración sólo depende de las resistencias externas del mismo. Por tanto, una ganancia en lazo abierto finita del amplificador no tiene ningún efecto sobre la ganancia en lazo cerrado. B) La ganancia en lazo cerrado del amplificador se verá multiplicada por la ganancia en lazo abierto que presente el amplificador. C) La ganancia en lazo cerrado ya no dependerá de las resistencias externas de la configuración, inversora o no inversora, sino que sólo dependerá de la ganancia en lazo abierto finita que tiene el amplificador real. D) La ganancia en lazo cerrado propia de la configuración usada para el amplificador se verá reducida por cierto factor determinado por la ganancia en lazo abierto.

141. En general, si un amplificador operacional real con ganancia en lazo abierto finita presenta una resistencia de salida (Rsal) no nula, al conectarlo en configuración inversora o no inversora, la impedancia de salida de la configuración: A) Disminuirá (con respecto a la del propio operacional), dependiendo esta disminución de la ganancia en lazo abierto finita que posea y de las resistencias usadas en la configuración. B) Aumentará (con respecto a la del propio operacional), dependiendo este aumento de la ganancia en lazo abierto finita que posea. C) La impedancia de salida quedará inalterada, ya que no depende de la configuración inversora o no inversora en la que se utilice el amplificador real. D) Varía en función de la ganancia en lazo cerrado que presente la configuración inversora o no inversora del amplificador real, a mayor ganancia en lazo cerrado, mayor impedancia de salida.

142. En un Amplificador Operacional, la corriente de offset: A) Corresponde al módulo de la diferencia entre las corrientes de polarización que entran por los terminales no inversor e inversor. B) Corresponde a las variaciones de la corriente que circula por la fuente de alimentación del amplificador cuando se producen pequeñas variaciones en el valor de la tensión de la misma. C) Es el valor medio de la corriente de polarización de la carga en ausencia de excitación de entrada. D) Es la corriente continua que circula por la salida del amplificador cuando la tensión continua de alimentación, ±Vcc, es cero.

143. El ancho de banda de potencia o ancho de banda para salida máxima del Amplificador Operacional real: A) Es el ancho de banda del amplificador operacional, desde 0 Hz hasta la frecuencia de corte. B) Es el margen de frecuencias comprendido desde los 0 Hz hasta la frecuencia a la que la ganancia del amplificador operacional es de 0 dB. C) Es la frecuencia máxima a partir de la cual una señal de salida de potencia máxima queda distorsionada como consecuencia de la velocidad de respuesta (Slew Rate) finita que presenta el amplificador operacional real. D) Es inversamente proporcional al Slew Rate del amplificador operacional real.

144. Un Amplificador Operacional tiene un ancho de banda para ganancia unidad de 1 MHz. ¿Cuál será el ancho de banda máximo del amplificador si se desea una ganancia en tensión de 20dB?. A) 1 kHz. B) 50 kHz. C) 10 kHz. D) 100 kHz.

145. ¿Qué ventaja ofrece el amplificador diferencial de instrumentación implementado con tres amplificadores operacionales con respecto al amplificador diferencial básico implementado con un solo operacional?. A) El amplificador de instrumentación presenta una impedancia de entrada diferencial mucho mayor y permite un ajuste de ganancia usando una sola resistencia sin afectar a su CMRR. B) El amplificador diferencial de instrumentación presenta una impedancia de salida mayor que el amplificador diferencial básico. C) El amplificador diferencial de instrumentación de tres operacionales sólo usa una única tensión de alimentación de continua, +VCC, mientras que el diferencial básico necesita alimentación simétrica ± VCC. D) El amplificador diferencial de instrumentación de tres operacionales presenta un margen dinámico mayor.

146. En el circuito de la figura, el valor de la corriente que circula por RL es: a. b. c. d.

147. La figura muestra dos posibles circuitos integradores en configuración inversora con amplificadores operacionales. ¿Qué ventajas tiene el circuito b) sobre el a)?. A) El circuito b) se comporta como integrador en todo el margen de frecuencias de funcionamiento del amplificador operacional. B) El circuito b) incluye una resistencia para compensación/reducción de la corriente de offset mientras que el circuito a) no la incluye. C) El circuito b) tiene una resistencia de realimentación que reduce la ganancia del amplificador en continua evitando la saturación del mismo cuando la entrada tiene una pequeña componente continua o incluso como consecuencia de la propia tensión de offset. D) El circuito de la figura b), debido a la resistencia de realimentación RF no funciona como un integrador sino como un amplificador en configuración no inversora.

148. ¿Para qué frecuencias el circuito adjunto se comporta realmente como derivador?. A) Para cualquier frecuencia de la señal de entrada. B) Para frecuencias inferiores a 1/(2πR1C). C) Para frecuencias superiores a 1/(2πR1C). C) Para frecuencias superiores a 1/(2πR1C) e inferiores a 1/(2πRC).

149. Un diodo Schottky es un interruptor no controlable que se caracteriza principalmente por. A) Tener una tensión en directa más pequeña que la del diodo convencional. B) Fijar una tensión constante a su salida cuando se polariza en inverso. C) Los altos niveles de corriente que puede soportar cuando se polariza en directo. D) Los altos niveles de tensión que puede bloquear cuando se polariza en inverso.

150. Para que un tiristor pase a conducción y se mantenga conduciendo después de producirse el disparo del mismo será necesario que,. A) La corriente que circule entre ánodo y cátodo sea superior a IL, conocida como corriente de enclavamiento (Latching Current) tras el disparo y mantenerse por encima de IH, conocida como corriente de mantenimiento (Holding Current) una vez el dispositivo ha pasado a conducción. B) La tensión entre ánodo y cátodo supere la tensión VBO, tensión de ruptura (Break Over Voltage) durante todo el tiempo que se desee mantener conduciendo al dispositivo. C) La corriente que circule por el terminal de puerta, IG, sentido puertacátodo sea superior, en todo el tiempo que se desea tener conduciendo al dispositivo, a la indicada por el fabricante para que se produzca el disparo. D) La corriente de disparo que circula entre puerta y cátodo, IG, debe ser superior a IL, conocida como corriente de enclavamiento (Latching Current) tras el disparo y mantenerse por encima de IH, conocida como corriente de mantenimiento (Holding Current) una vez que el dispositivo ha pasado a conducción.