Un conversor D/A es un dispositivo que convierte a una palabra digital codificada en un nivel de amplitud (voltios). El nivel de
amplitud de salida está cuantificado.
Selecciona una o más de una: Los conversores D/A tienen una respuesta instantánea ya que no consumen ciclos de reloj. Deben funcionar respetando la frecuencia de muestreo a la que se muestrearon las muestras digitales que representan. El número de escalones de salida puede ser arbitrario. Para recuperar la señal original mediante un conversor D/A es necesario un proceso de filtrado pasa baja posterior sobre la
señal escalonada construida. La característica de transferencia de un conversor D/A depende del tipo de código con el que trabaje. Básicamente constan de un conjunto de resistencias o condensadores que escalan tensiones, corrientes o cargas, y de un
conjunto de conmutadores que se activan según la palabra código.
Una señal con un ancho de banda de 15khz se muestrea para ser codificada en binario. ¿Cual es la frecuencia de muestreo a partir
de la cual la señal muestreada puede reconstruirse de nuevo sin pérdida de información?
Selecciona una: 15Khz 1.5Khz 50 Khz 30Khz.
Los sistemas de codificación diferencial (DPCM) son sistemas que tienen en cuenta la correlación entre las muestras anteriores
(tienen memoria), para conseguir un código óptimo. El caso particular mas sencillo es el codificador delta lineal que consta de un
cuantificador de un sólo bit que genera una señal de impulsos alternantes que pueden convertirse a un formato binario.
Selecciona una o más de una: El comparador diferencial actúa directamente sobre el integrador. Salvo el error de cuantificación, la señal escalonada de salida siempre reproduce a la de la entrada. La señal predicha a comparar se obtiene de un integrador. La señal 'delta' es generada por un generador de impulsos que muestrea a la señal previamente cuantificada. Las funciones de muestreo y cuantificación se encuentran invertidas La señal predicha es proporcional a un conjunto finito de muestras anteriores programadas con anterioridad.
El potencial de contacto o potencial Buit-in en una unión semiconductora se produce como consecuencia de la aparición de un
campo eléctrico interno en la zona de transición de la unión. Indicar cuáles de las afirmaciones son las correctas:
Selecciona una o más de una: El potencial de contacto o potencial buit-in interviene en la expresión de la densidad de corrientes en un diodo según el
modelo de Shockley. A temperatura ambiente, la anchura de la zona de transición en ausencia de potencial externo depende del potencial de
contacto y de las concentraciones de los elementos de la parte P y la parte N El potencial de contacto mide el desplazamiento entre las bandas de energías de la parte P y la parte N. A temperatura ambiente el potencial de contacto depende sólo de las concentraciones de los elementos dopantes de la
parte P y de la parte N.
En la unión PN aparecen dos efectos capacitivos debidos a dos fenómenos concretos: La Capacidad de Transición es debida a a la
aparición de la carga iónica espacial en la zona de transición o capa vacía y la Capacidad de Difusión que es debida a la inyección
de portadores minoritarios.
Selecciona una o más de una: La capacidad de difusión se da independientemente de que el diodo se polarice en directa o en inversa. La capacidad de transición es fija y no cambia con el estado de polarización del diodo. La capacidad de difusión se da solo cuando el diodo se polariza en directa. La capacidad de transición depende del estado de polarización del diodo.
Cuando se polariza a un diodo, la tensión externa aplicada modifica el flujo de portadores, la geometría de la zona de transición y la
altura de las bandas. Emparejar las siguientes definiciones: Cuando la unión PN se polariza en inversa Cuando la unión PN se polariza en directa.
Los filtros activos nos permiten seleccionar una parte del espectro de frecuencias de una señal y eliminar otra parte en base al
concepto de banda pasante y banda eliminada. En la banda pasante el contenido en frecuencias de una señal debe quedar
inalterado, y en la banda eliminada, suprimido. En la banda pasante de un filtro ideal debe cumplirse que:
Selecciona una o más de una: El argumento de la función de transferencia no depende de la frecuencia. No se modifique la amplitud de las frecuencias que formen parte de la banda pasante, por lo que la derivada del módulo de
la función de transferencia del filtro debe ser cero. Debe existir una distorsión lineal de fase constante en todas las componentes espectrales que se encuentren dentro de la
banda pasante. Los retardos de fase y de grupo deberán ser iguales dentro de la banda pasante.
La Característica de transferencia de un comparador con histéresis sigue caminos distintos dependiendo de si la señal de entrada se
desplaza desde un nivel negativo a otro positivo o desde un nivel positivo a otro negativo. La consecuencia de este comportamiento
es
Selecciona una o más de una: Que los niveles de salida pueden cambiar en función del nivel de histéresis que depende del divisor de tensión que se
realimenta con la entrada. Que existen dos niveles de salida que se corresponden con la tensiones de saturación positiva y negativa del amplificador. Que existen dos niveles de comparación positivo y negativo simétricos. Que existen dos niveles de comparación no simétricos que pueden cambiarse con un divisor de tensión situado a la salida
del Amplificador.
La distorsión armónica que aparece en los osciladores sinusoidales reales es debida a
Selecciona una o más de una: Que se mantiene la condición de arranque y no se ajusta después a la condición de mantenimiento. Como consecuencia, la
ganancia de los amplificadores crece cada vez mas hasta que la saturación hace aparecer la distorsión. La inestabilidad inherente y propia de un circuito realimentado positivamente que contiene elementos con comportamiento
no lineal tales como la saturación en AOs o la limitación de ganancia mediante diodos zeners. Que se usan diodos zeners en oposición o limitadores de ganancia que alteran la ganancia de lazo del oscilador. Que no se cumple estrictamente la condición de mantenimiento de la oscilación y como consecuencia de ello, hay un
aumento en la ganancia de los amplificadores que pueden saturarse modificándose la forma sinusoidal de las señales de salida.
El denominador de la función de transferencia de un filtro se describe en términos de productorios de pares de polos complejos
conjugados con el de un polo simple (si existe). El par de polos complejos conjugados se caracteriza por cuatros parámetros que
tienen relación. Emparejar las siguientes definiciones: La frecuencia de
corte Wc EL factor alpha (alfa,beta) factor beta factor de calidad.
Un Semiconductor se define como Semiconductor Intrínseco si
Selecciona una o más de una: no se encuentra dopado con material alguno; es decir, es una estructura cristalina pura. se encuentra dopado por igual número de aceptores y donadores a temperatura ambiente. se encuentra dopado con aceptores y dadores a una temperatura dada pero se verifica que p=n=ni. se encuentra dopado por igual número de aceptores y donadores con independencia de la temperatura.
Internet usa el modelo de capas estandar OSI para establecer una comunicación mediante conmutación de paquetes (7 capas).
Emparejar las definiciones del modelo. Control del flujo de datos, forma de terminar el mensaje y recuperación de errores. Gestiona la Red, estructura los distintos tipos de paquetes y los formatos. Controla el formato de los datos, codificación, representación de datos y posible transformación de
códigos. Interconecta de forma mecanica y eléctrica los distintos medios Nivel de Usuario. Proporciona Servicios y Procedimientos dependientes de la Aplicación. Controla la información de extremo a extremo. Ensambla y desensambla mensajes y tiene en cuenta
prioridades. Controla el dialogo entre procesos, realiza almacenamientos intermedios y recupera errores.
Los Osciladores de Relajación que generan señales de Rampa e Impulso son circuitos circuitos no lineales realimentados
positivamente que usan una función no lineal de comparación por histéresis y otra de integración lineal controlada por fuentes de
corriente. Los generadores de rampa-impulso se utilizan en muchas aplicaciones de diseño mixto.
Selecciona una o más de una: El nivel de corriente constante se consigue manteniendo los transistores FETs o MOSFets en zona lineal. La generación de rampas con distintas pendientes se debe al uso de fuentes de corrientes que cambian su valor en los
procesos de carga y descarga de un condensador. La duración del impulso se consigue exclusivamente actuando sobre el nivel de histéresis del comparador. Normalmente se utilizan dos transistores FETs o MOSFets para crear las fuentes de corriente.
En situaciones de equilibrio térmico y ausencia de campos eléctricos externos, los electrones y los huecos realizan movimientos
aleatorios al azar dentro de la estructura cristalina de un semiconductor. Los electrones y los huecos se mueven de forma ordenada
si:
Selecciona una o más de una: hay una diferencia de concentración espacial de electrones o huecos en el semiconductor. hay una diferencia de concentración de elementos dopantes en el cristal. se aplica un campo eléctrico externo a un semiconductor intrínseco o extrínseco. hay una concentración de elementos dopantes dentro del cristal.
Las comunicaciones en banda de base no alteran el espectro de la señal que se quiere transmitir. Sin embargo, los procesos de
modulación-demodulación permiten trasladar los contenidos informativos de las señales a otras zonas del espectro
electromagnético haciendo posible la optimización de los canales de comunicación (especialmente el radioeléctrico) y la
multicanalización en frecuencia. Emparejar los distintos tipos de modulación con sus propiedades: La información se incluye en palabra digitales codificadas. La información se incluye en el tiempo de duración de un tren de pulsos periódico. La información se incluye en la posición relativa de un impulso situado en un intervalo
de tiempo periódico y constante. La información se incluye en los cambios de fase generalizada de una señal analógica
sinusoidal. La información se incluye en los cambios de amplitud de una señal analógica
sinusoidal. La información se incluye en las alturas relativas de un tren de impulsos periódico.
Para que un circuito realimentado oscile y mantenga su oscilación de forma indefinida es necesario que
Selecciona una o más de una: La parte imaginaria de la ganancia de lazo particularizada a la frecuencia de oscilación sea uno y la parte real de la ganancia
de lazo particularizada a la frecuencia de oscilación sea cero. La parte imaginaria de la ganancia de lazo particularizada a la frecuencia de oscilación sea cero y la parte real de la
ganancia de lazo particularizada a la frecuencia de oscilación sea igual a 1. La parte imaginaria de la ganancia de lazo particularizada a la frecuencia de oscilación sea cero y la parte real de la
ganancia de lazo particularizada a la frecuencia de oscilación sea mayor que 1. La parte imaginaria de la ganancia de lazo particularizada a la frecuencia de oscilación sea menor que 1 y la parte real de la
ganancia de lazo particularizada a la frecuencia de oscilación sea mayor que 1.
Los sistemas de comunicación pueden transmitir señales adaptándolas a las características del canal de comunicación. Los sistemas
de comunicación en banda de base transmiten las señales tal como se originan; sin embargo, los sistemas de comunicación
basados en modulación alteran las características espectrales de las señales transmitidas (moduladoras), por medio de portadoras.
Por otro lado, también es posible transmitir información mediante pulsos codificados que han sido construidos mediante procesos
de muestreo y cuantificación. Emparejar las siguientes definiciones: Sistemas en banda de base. Sistema de Modulación Angular. Sistema de Modulación en Amplitud. Sistema de modulación por código de impulsos o
PCM Sistema de Modulación por Impulsos.
Los procesos de generación y recombinación de portadores se oponen a la existencia de desequilibrios en la densidad local o
espacial de portadores a lo largo del semiconductor.
Selecciona una: La evolución de la concentración de portadores fuera del equilibrio sigue una ley exponencial decreciente con el tiempo. La evolución de la concentración de portadores fuera del equilibrio en función del tiempo sigue una ley lineal con el
tiempo. La evolución de la concentración de portadores fuera del equilibrio sigue una ley exponencial creciente con el tiempo.
En los semiconductores extrínsecos existe una disparidad entre el número de electrones y huecos al alterarse su concentración
por la presencias de sustancias dopantes donadoras o aceptoras.
Selecciona una o más de una: Las sustancias donadoras son las que ceden un electrón por átomo donador haciendo que el semiconductor sea de tipo P.
Al ceder el electrón, el átomo se ioniza positivamente creando una perturbación local de campo en el cristal. Las sustancias aceptoras son las que captan un electrón por átomo donador haciendo que el semiconductor sea de tipo P.
Al capturar el electrón, el átomo dopante se ioniza negativamente creando una perturbación local de campo en el cristal. Las sustancias donadoras son las que ceden un electrón por átomo donador haciendo que el semiconductor sea de tipo N.
Al ceder el electrón, el átomo se ioniza positivamente creando una perturbación local de campo en el cristal. Las sustancias aceptoras son las que captan un electrón por átomo donador haciendo que el semiconductor sea de tipo N.
Al capturar el electrón, el átomo dopante se ioniza negativamente creando una perturbación local de campo en el cristal.
En la unión PN aparecen dos efectos capacitivos debidos a dos fenómenos concretos: La Capacidad de Transición es debida a a la
aparición de la carga iónica espacial en la zona de transición o capa vacía y la Capacidad de Difusión que es debida a la inyección
de portadores minoritarios.
Selecciona una o más de una:
La capacidad de difusión se da solo cuando el diodo se polariza en directa La capacidad de difusión se da independientemente de que el diodo se polarice en directa o en inversa.
La capacidad de transición depende del estado de polarización del diodo. La capacidad de transición es fija y no cambia con el estado de polarización del diodo.
El potencial de contacto o potencial Buit-in en una unión semiconductora se produce como consecuencia de la aparición de un
campo eléctrico interno en la zona de transición de la unión. Indicar cuáles de las afirmaciones son las correctas:
Selecciona una o más de una: A temperatura ambiente, la anchura de la zona de transición en ausencia de potencial externo depende del potencial de
contacto y de las concentraciones de los elementos de la parte P y la parte N
El potencial de contacto o potencial buit-in interviene en la expresión de la densidad de corrientes en un diodo según el
modelo de Shockley A temperatura ambiente el potencial de contacto depende sólo de las concentraciones de los elementos dopantes de la
parte P y de la parte N. El potencial de contacto mide el desplazamiento entre las bandas de energías de la parte P y la parte N.
.
Los tres parámetros que miden la calidad de un transistor bipolar son la Eficiencia de Emisor, el Factor de Transporte y el Factor
de multiplicación de Colector. En un transistor ideal los tres factores tendrían un valor unitario. Ordenar sus definiciones:
Factor de
multiplicación
de Colector Factor de
Transporte Eficiencia de
Emisor
.
Un Semiconductor se define como Semiconductor Intrínseco si
Selecciona una o más de una no se encuentra dopado con material alguno; es decir, es una estructura cristalina pura. se encuentra dopado con aceptores y dadores a una temperatura dada pero se verifica que p=n=ni. se encuentra dopado por igual número de aceptores y donadores con independencia de la temperatura se encuentra dopado por igual número de aceptores y donadores a temperatura ambiente.
En Semiconductores extrínsecos existe una disparidad entre el número de electrones y el número de huecos por unidad de
volumen como consecuencia del dopado. Esto es una consecuencia de que las bandas de energía de los electrones de valencia de
estos elementos dopantes se encuentran situadas dentro de la zona o banda prohibida del semiconductor.
Selecciona una o más de una: Las sustancias aceptoras tienen bandas de energía prohibida próximas a la banda de conducción Las sustancias donadoras tienen bandas de energía prohibida próximas a la banda de valencia Las sustancias donadoras tienen bandas de energía prohibida próximas a la banda de conducción Las sustancias aceptoras tienen bandas de energía prohibida próximas a la banda de valencia.
En situaciones de equilibrio térmico y ausencia de campos eléctricos externos, los electrones y los huecos realizan movimientos
aleatorios al azar dentro de la estructura cristalina de un semiconductor. Los electrones y los huecos se mueven de forma
ordenada si:
Selecciona una o más de una: hay una concentración de elementos dopantes dentro del cristal. se aplica un campo eléctrico externo a un semiconductor intrínseco o extrínseco hay una diferencia de concentración espacial de electrones o huecos en el semiconductor hay una diferencia de concentración de elementos dopantes en el cristal.
.
Ordenar los distintos tipos de ruidos en semiconductores y las causas que los originan. Movimiento de electrones y huecos debidos a capturas y/o emisiones en niveles energéticos
interbanda. Movimiento de electrones o huecos debido a la corriente o flujo fluctuante de electrones y
huecos. Movimiento de electrones y huecos debidos a la contaminación de semiconductores por metales
pesados. Movimiento aleatorio de electrones o huecos por su energía vibracional o térmica:.
Los electrones confinados en redes cristalinas poseen energías que se distribuyen en bandas. En semiconductores intrínsecos, el
movimiento de electrones se realiza en la banda de conducción y supone también el movimiento de un hueco en la banda de
valencia. Es decir, la conducción tiene lugar por pares electrón-hueco.
Selecciona una o más de una: Habrá mas o menos pares electrón-hueco dependiendo de la temperatura a la que se encuentre el cristal. Los pares electrón-hueco creados se cancelan por recombinación haciendo que la conducción se realice en la superficie del
cristal Para que un hueco adquiera movilidad es necesario que salte a la banda de conducción. Mientras tanto no contribuye al
proceso conductivo. Los electrones pueden moverse en la banda de valencia contribuyendo igualmente a la conducción La aparición de electrones y huecos ocurre cuando aparece la energía térmica necesaria para hacer saltar a un electrón a
la banda de conducción. Se crearán electrones y huecos siempre que las bandas de conducción y valencia tengan niveles vacantes.
El modelo de Ebers-Moll del transistor bipolar no explica una serie de fenómenos de segundo orden que aparecen en el transistor
real y que deben corregirse. Los fenómenos de segundo orden mas importantes que tienen en cuenta los modelos actuales de
transistor bipolar son:
Selecciona una o más de una: La dependencia de las ganancias en corriente con la corriente de colector La conductividad finita de las regiones semiconductoras de base, colector y emisor El tamaño de la base en función de la tensión de polarización de la unión Base-Colector El tamaño de la base en función de la tensión de polarización de la unión Base-Colector.
La teoria general del filtrado estandariza el comportamiento de los filtros para que los polinomios cumplan una serie de requisitos sobre la frecuencia de corte y sobre el modulo al cuadrado de la funcion de transferencia. Para filtros de tipo pasa baja: a frecuencia 0, el modulo de la amplitud debe valer la unidad todas las aproximaciones deben pasar por un punto común denominado frecuencia de corte la frecuencia de corte debe estar normalizada a la frecuencia de un radian por segundo se define un factor de rizado que esta asociado a la máxima variacion del modulo de la amplitud en la banda pasante la banda pasante debe ser maximamente plana en el origen de frecuencias los polos de la funcion de transferencia deben estar a la derecha del plano complejo.
la ganancia de lazo en un circuito realimentado la ganancia del circuito que conecta la salida con la entrada la suma o la diferencia de la señal de entrada con la señal de realimentada dependiendo de que sea una alimentacion positiva o negativa el producto de la funcion de transferencia del circuito a realimentar y la funcion de transferencia del circuito que cierra el lazo y realiza la realimentacion la ganancia global del circuito realimentado, es decir, su salida dividida entre su entrada en el dominio de la frecuencia.
Los conversores Analógico-Digitales (A/D) transforman una señal analógica en otra digital a través de tres procesos: Muestreo-retención, cuantificación y codificación. La cuantificación se realiza mediante comparadores diferenciales y la codificación en líneas generales es binaria ponderada. La estructura hardware de los conversores A/D permite una clasificación en conversores de lazo abierto o de lazo cerrado. Emparejar las siguientes identidades según la técnica empleada: Conversor A/D tipo Tensión-Frecuencia Conversor A/D por integración en rampa. Conversor A/D por integración en doble rampa Conversor A/D por modulación PWM. Conversor A/D por aproximaciones sucesivas. Conversor A/D rampa-contador Conversor A/D tipo Flash.
|
