FREI_05

1. Cual es el voltaje de polarización de un transistor de silicio entre base-emisor?. 1.2V. 0.7V. 0.5V. 0.9V.

2. Cual es el vinculo entre la variables de entrada y salida en un tranmsistor de silicio. Alfa. Beta. Omega. Ganancia.

3. En un transistor de efecto de campo la relación entre las cantidades de entrada y salida es: Lineal. Exponencial. No lineal. Infinita.

4. Cuales son la funciones que producen lineas rectas cuando una variable se grafica contra otra?. Lineales. Exponenciales. No lineales. Constantes.

5. Cuales son la funciones que producen curvas como las que se obtienen para las caracteristicas del JFET?. Lineales. Exponenciales. No lineales. Constantes.

6. Cual es el metodo que limita las soluciones a una precisión de décimas, aunque es el más rapido para los amplificadores FET?. Metodo Matematico. Metodo de Aproximación. Metodo de Gráfico. Metodo Integral.

7. Cual es la variable de control de entrada para un BJT?. Nivel de corriente. Nivel de voltaje. Nivel de resistencia. Nivel de ganancia.

8. Cual es la variable de control de entrada para un FET?. Nivel de ganacia. Nivel de resistencia. Nivel de corriente. Nivel de voltaje.

9. En los BJT y FET, cual es la variable controlada en el lado de la salida?. Nivel de resistencia. Nivel de voltaje. Nivel de corriente. Nivel de ganacia.

10. Cual es la ecuación aplicada a los JFET, MOSFET tipo de empobrecimiento y a los MESFET para relacionar cantidades de entrada y salida?. Ecuación de Kirchoff. Ecuación de Shockley. Ley de Ohm. Teorema de Tevenin.

11. Cual es la configuración más simple para el JFET de canal n?. Compuerta común. Polarización Fija. Autopolarización. Polarización por divisor de voltaje.

12. Como se cosideran los capacitores de acoplamiento en el analisis de cd?. cortocircuitos. bajas impedancias. circuitos abiertos. resistencias.

13. Como se cosideran los capacitores de acoplamiento en el analisis de ca?. cortocircuitos. bajas impedancias. circuitos abiertos. resistencias.

14. Cual es la configuración que requiere de dos fuentes de cd, su uso es limitado y no se incluye en las configuraciones más comunes de FET?. Polarización Fija. Compuerta común. Autopolarización. Polarización por divisor de voltaje.

15 Cual es la configuración que elimina la necesidad de dos fuentes de alimentación de cd, donde el voltaje de control de la compuerta a la fuente ahora lo determina el voltaje a traves de un resistor en la fuente?. Polarización Fija. Compuerta común. Autopolarización. Polarización por divisor de voltaje.

16. Cual es la configuración que es aplicada a amplificadores tanto a transistores BJT y FET?. Polarización por realimentación. Compuerta común. Autopolarización. Polarización por divisor de voltaje.

17. Cual es la configuración donde la terminal de la compuerta esta en contacto con la tierra y la señal de entrada por lo general se aplica a la terminal fuente?. Polarización Fija. Compuerta común. Autopolarización. Caso especial.

18. Como se denomina a una red de valor práctico recurrente por su relativa simplicidad donde hay una conexión directa de la compuerta y la fuente a tierra?. Polarización por realimentación. Caso especial. Autopolarización. Polarización Fija.

19. La semejanza entre las curvas de transferencia de los JFET y de los MOSFET tipo empobrecimiento permite analizarlos de la misma manera en el dominio de: ca. cd. frecuencia. tiempo.

20. La diferencia principal entre los dos es que los MOSFET tipo empobrecimiento permiten puntos de operación con valores: positivos de Vgs. negativos de Vgs. positivos de Vds. negativos de Vds.

21 En el MOSFET tipo enriquecimiento de canal n, la corriente de drenaje es: __________ con niveles de voltaje menores que el umbral. infinita. positiva. negativa. cero.

22. Cual es la configuración de polarización más popular para los mosfet de tipo enriquecimiento?. Compuerta común. Polarización por realimentación. Autopolarización. Polarización por divisor de voltaje.

23. Como se denomina la intersección de la caracteristica de transferencia del dispositivo y la curva de polarización de la red?. Punto Q. Constante K. Punto de corte. Constante de operación.

24. En la solución de fallas una vez que se obtienen los niveles de voltaje, se pueden calcular los niveles de corriente por medio de: La ley de Kirchhoff. La ley de ohm. La ecuación de Shockley. El teorema de thevenin.

25. En la solución de fallas, rara vez se miden los niveles de ________ puesto que tales maniobras requieren perturbar la estructura de la red para insertar el medidor. Resistencia. Voltaje. Corriente. Potencia.

26. El elemento más sensible en las configuraciones de BJT y JFET es: el divisor de voltaje. la potencia. el amplificador. la corriente.

27. Cual es el tipo de FET que emplea una imagen espejo de las curvas de transferencia y las direcciones de corriente se invierten a las del canal n?. quasciente. enriquecimiento. canal p. empobrecimiento.

28. Como se denomina a la curva del JFET que se puede utilizar para cualquir nivel de Idss y Vp. Curva de polarización. Curva operacional. Curva universal. Curva quiscente.

29. En la curva universal del JFET, se puede utilizar la escala vertical m para determinar la solución de configuraciones de: Polarización por realimentación. Autopolarización. Polarización Fija. Divisor de voltaje.

30. En la curva universal del JFET, se puede utilizar la escala vertical M para determinar la solución de configuraciones de: Polarización por realimentación. Autopolarización. Polarización Fija. Divisor de voltaje.

31. Cual es el dispositivo que presenta una alta impredancia de entrada?. Transistor de Efecto de Campo. Transistor de union bipolar. Amplificador de corriente. Amplificador de voltaje.

32. El JFET como un resistor variable, cuya resistencia lo controla el voltaje de cd aplicado a la terminal de: Compuerta. Drenaje. Fuente. Base.

33. Cuando el JFET sigue una trayectoria bastante recta a medida que el voltaje del drenaje a la fuente y a la corriente de drenaje se incrementan, se comporta como: Resistor fijo. Capacitor fijo. Impedancia fija. Inductor fijo.

34. En las curvas de I-V cuanto más pronunciada sea la pendiente, la resistencia será: mayor. menor. infinita. constante.

35. En las curvas de I-V cuanto más horizontal sea la curva sea la pendiente, la resistencia será: mayor. menor. cero. infinita.

36. En el FET, cuando se incrementa la resistencia del drenaje a la fuente a medida que el voltaje de la compuerta a la fuente se aproxima al valor de: operación. cero. infinito. estrangulamiento.

37. En los JFET, los posibles niveles de Vgs, entre cero y el valor de estrangulamiento son: constantes. infinitos. ideales. operacionales.

38. En el ampplificador no inversor se indica que las señales de entrada y salida estan en: cero. infinito. defasadas. fase.

39. Uno de los factores más importantes que afectan la estabilidad de un sistema es la variación de: la resistencia. la temperatura. la ganancia. la frecuencia.

40. A medida que un sistema se calienta, la tendencia usual es que se incremente la: la resistencia. la ganancia. la frecuencia. la inestabilidad.

41. Se basa en que la información puede ser transmitida en un rayo de luz. Par de cobre. Fibra óptica. Radiotransmisor. Oscilador.

42. En la fibra optica, cual es el elemento que se encuentra rodeado por una capa externa y que puede ser tan pequeño como 8 micrometros. nucleo. revestimiento. recubrimiento. alma.

43. en la fibra óptica, es el elemento que compuesto de vidrio o plastico que tiene un indice de refracción diferente para garantizar que la luz en el nucleo choque y se refleje de vuelta a él. recubrimiento protector. revestimiento. alma. protector.

44. En la fibra optica, cual es el componente que se agrega para proteger las capas contra los efectos ambientales externos?. nucleo. revestimiento. recubrimiento. alma.

45. La mayoria de los sistemas de comunicación ópticos funcionan en el intervalo de frecuencia de: Ultravioleta. Rayos Gama. Rayos X. Infrarojo.

46. Cual es el componente de un sistema de comunicación optico cuyo unico proposito es convertir la señal de entrada en una de niveles correspondientes de intensidad luminosa para dirigirla a lo largo de la fibra optica?. Modulador. Demodulador. Repetidor. Fibra optica.

47. Cual es el componente de un sistema de comunicación optico cuyo unico proposito es convertir las intensidades de luz variables en niveles de voltaje que coinciden con los de la señal original?. Modulador. Demodulador. Repetidor. Fibra optica.

48. Proporciona una excelente ganancia de voltaje con la ventaja adicional de una alta impedancia de entrada. Amplificadores con Transistores de efecto de campo. Amplificadores con Transistores de Union Bipolar. Amplificadores con Transistores de efecto de campo de tipo enriquecimiento. Amplificadores con Transistores de efecto de campo de tipo empobrecimiento.

49. Cual es el tipo de circuito que tiene una impedancia de entrada mucho mayor que la configuración con JFET. MOSFET de empobrecimiento. MOSFET de enriquecimiento. MESFET. BJT.

50. Cual es el dispositivo que controla una gran corriente de salida por medio de una corriente de entrada pequeña?. Dispositivo BJT. Dispositivo FET. Dispositivo MESFET. Dispositivo MOSFET.

51. Cual es el dispositivo que controla una corriente de salida, por medio de un pequeño voltaje de entrada?. Dispositivo BJT. Dispositivo FET. Dispositivo MESFET. Dispositivo MOSFET.

52. El BJT es un dispositivo controlado por: Voltaje. Resistencia. Corriente. Ganancia.

53. El FET es un dispositivo controlado por: Impedancia. Ganancia. Voltaje. Corriente.

54. Mientras que el BJT tiene un factor de amplificación (Beta), el FET tiene un factor de: Ganancia. Transconductancia. Impedancia. Potencia.

55. Cual es el dispositivo más popular en circuitos digitales, sobre todo en circuitos CMOS que requieren un muy bajo consumo de potencia. MOSFET tipo empobrecimiento. BJT. JFET. MOSFET tipo enriquecimiento.

56. El/La __________ de la compuerta a la fuente controla la _________ del drenaje a la fuente de un JFET. Corriente - Transconductancia. Corriente - Voltaje. Voltaje - Corriente. Voltaje - Transconductancia.

57. En el JFET un cambio en la corriente del drenaje que resultara de un cambio en el voltaje de la compuerta a la fuente se determina mediante un factor de: Tranconductancia. Potencia. Ganancia. Amplificación.

58. La impedancia de todos los JFET comerciales es lo bastante grande para suponer que las terminales de entrada se aproximan a : Un cortocircuito. Un circuito Abierto. Un circuito cerrado. Un circuito Resistivo.

59. En las hojas de especificaciones de los JFET, que representa el parametro Yos ??. Impedancia de entrada. Impedancia de salida. Transconductancia. Ganancia.

60. En el circuito equivalente de un JFET en el dominio de ca, la flecha de corriente apunta del drenaje a la fuente para establecer un: control de ganancia. defasamiento. factor de amplificación. factor de potencia.

61. Cual es la configuración que requiere sólo una fuente de cd para establecer el punto de operación deseado?. Configuración de polarización fija. Configuración autopolarización. Configuración del divisor de voltaje. Configuración en fuente-seguidor.

62. Cual es la configuración del JFET que requiere dos fuentes de voltaje de cd?. Configuración de polarización fija. Configuración autopolarización. Configuración del divisor de voltaje. Configuración en cascada.

63. En la configuración de polarización fija del JFET, su función es aislar la configuración de polarización de cd de la señal aplicada y la carga, actúan como equivalentes de cortocircuito para el análisis de ca. Resistencias de de carga. Bajas impedancias. Capacitores de Acoplamiento. Inductores de Acoplamiento.

64. Cual es el equivalente de un capacitor en condiciones de cd?. circuito abierto. cortocircuito. impedancia. reactancia.

65. Cual es el equivalente de un capacitor en condiciones de ca?. circuito abierto. cortocircuito. impedancia. reactancia.

66. La ganancia tipica de un amplificador JFET es _____________ que la que generalmente se presenta en los BJT de configuraciones semejantes. mayor. igual. menor. infinita.

67. Cual es la configuración del JFET donde la compuerta estas conectada a la tierra en común de la red?. Configuración compuerta común. Configuración de polarización fija. Configuración en cascada. Configuración en fuente-seguidor.

68. Como se conoce a la configuración del JFET en fuente-seguidor?. Configuración de Drenaje Común. Configuración de Compuerta Común. Configuración de Fuente Común. Configuración en Emisor Común.

69. Cual es la configuración donde la salida se toma de la fuente, y cuando la fuente de cd la reemplaza su equivalente en cortocircuito el drenaje se pone a tierra?. Configuración de polarización fija. Configuración de autopolarización. Configuración en fuente-seguidor. Configuración en cascada.

70. En la configuración de fuente-seguidor del JFET, la ganancia nunca puede ser ____________. igual o mayor que uno. igual o mayor que cero. infinita. igual o mayor que 10.

71. Como se denomina a los MOSFET de tipo empobrecimiento?. D-MOSFET. E-MOSFET. JFET. BJT.

72. En los D-MOSFET cuando el dispositivo sea de canal n, Vgs será: Positivo. Infinito. Negativo. Cero.

72. En los D-MOSFET cuando el dispositivo sea de canal p, Vgs será: Infinito. Cero. Positivo. Negativo.

74. Como se denomina a los MOSFET de tipo enriquecimiento?. D-MOSFET. E-MOSFET. JFET. BJT.

75. Cual es el dispositivo que que puede ser tanto canal n (nMOS) y como canal p (pMOS)?. JFET. FET. MOSFET de tipo empobrecimiento. MOSFET de tipo enriquecimiento.

76. En los MOSFET de tipo enriquecimiento como se denomina a la impedancia de salida del drenaje a la fuente (rd) en las hojas de especificaciones?. transconductancia. ganancia. admitancia. impedancia.

77. En la configuración por realimentación de Drenaje del E-MOSFET, supone que para situaciones de ca se proporciona una _____________ entre Vo y Vi. Alta ganancia. Baja transconductancia. Alta impedancia. Baja impedancia.

78. La ganancia máxima de un amplficador es: la ganancia con carga. la ganancia sin carga. infinita. cero.

79. La ganancia con carga siempre es menor que: la ganancia con carga. la ganancia sin carga. infinita. cero.

80. Una impedancia de la fuente siempre reducirá la ganancia total por debajo del : cero. nivel sin carga. nivel sin carga o con carga. nivel con carga.

81. Cual es la configuración de los JEFT Y MOSFET donde la salida de una etapa aparece como entrada de la siguiente: Configuración en cascada. Configuración de autopolarización. Configuración en fuente-seguidor. Configuración por Divisor de Voltaje.

82. En la configuración en cascada, se define como el producto de la ganancia de cada etapa incluidos los efectos de carca de la siguiente etapa. La reactancia total. La ganancia total. La transconductancia total. La impedancia total.

83. En la configuración de cascada, la funcion principal de las etapas de cascada es porducir: la mayor transconductancia total. la mayor amplificación total. la mayor ganancia total. la mayor impediancia total.

84. Se define como la relación de cambio de la corriente de drenaje asociado a un cambio particular de voltaje de la compuerta a la fuente del FET. Ganancia. Impedancia. Transconductancia. Factor de potencia.

85. En las hojas de especificaciones la transconductancia gm, aparece como: Beta. Gama. Yfs. Yoo.

86. Cuando Vgs es de la mitad del valor de estrangulamiento, gm es: la mitad del valor maximo. un cuarto del valor máximo. cero. el valor máximo.

87. Cuando Id es de un cuarto del nivel de saturación de IDSS, gm es ___________el valor de la condición de saturación. el máximo. la mitad. cero. un cuarto.