FREI_10

1. Los transistores de potencia han controlado las caracteristicas de _______________________. potencia y ganancia. encendido y apagado. ganancia y frecuencia. voltaje y corriente.

2. Los transistores, que se utilizan como elementos de conmutación, funcionan en la región de. apagado. encendido. saturación. corte.

3. La velocidad de conmutación de los transistores modernos es ____________ que la de los tiristores. pequeña. mucho mayor. mucho menor. igual.

4. Tienen un amplio uso en convertidores de cd a cd y de cd a ca, con los diodos conectados en paralelo a la inversa para proporcionar un flujo de corriente bidireccional. Amplificadores. Transistores de potencia. Diodos de Potencia. Tiristores.

5. Los MOSFET, COOLMOS. BJT, IGBT, o los SIT se pueden considerar como ________________ ideales para explicar las técnicas de conversión de potencia. interruptores. amplificadores. atenuadores. filtros.

6. El circuito de compuerta es parte integral de un convertidor de potencia que consta de dispositivos _________________. semiconductores de potencia. amplificadores de potencia. filtros de potencia. componente de potencia.

7. Han sido los dispositivos más deseables por sus características de conmutación superiores. IGBT. COOLMOS. MOSFET. BJT.

8. Se usan en aplicaciones de electrónica de potencia con capacidades de voltaje de entre 1.2 kV y 6.5 kV. IGBT. COOLMOS. MOSFET. BJT.

9. Son materiales que poseen propiedades intrínsecas, y ofrecen súper desempeño en comparación con dispositivos de silicio equivalentes. WBG. Boro. Germanio. Arseniuro.

10. Los materiales semiconductores,donde la velocidad de saturación de electrones más alta conduce a frecuencias de funcionamiento ______________. más altas. más bajas. nulas. minimas.

11. Es un dispositivo controlado por voltaje y requiere sólo una pequeña corriente de entrada, con la velocidad de conmutación es muy alta y los tiempos de conmutación son del orden de nanoegundos. IGBT. COOLMOS. MOSFET. BJT.

12. Se utilizan cada vez más en convertidores de alta frecuencia y baja potencia. Los MOSFET no tienen los problemas de fenómenos de segunda ruptura como los BJT. IGBT. COOLMOS. MOSFET. JFET.

13. Los dos tipos de MOSFET son. MOSFETs tipo N y MOSFETS top P. MOSFETs de agotamiento y MOSFETS de enriquecimiento. MOSFETs npn y MOSFETS pnp. MOSFETs de agotamiento y MOSFETS.

14. Tipo de MOSFET que se forma sobre un sustrato de silicio tipo p, con dos secciones de silicio /i fuertemente dopadas para las conexiones de baja resistencia. Un MOSFET tipo conmutacion tipo p. Un MOSFET tipo agotamiento de canal n. Un MOSFET tipo enriquecimiento de canal p. Un MOSFET tipo saturación de canal n.

15. Cuales son las terminales del MOSFET?. CCOMPUERTA, COLECTOR Y EMISOR. COMPUERTA, DRENAJE Y FUENTE. BASE, COLECTOR Y EMISOR. ANODO, CATODO Y COMPUERTA.

16. Se utilizan como dispositivos de conmutación en la electrónica de potencia. Para reducir la resistencia en estado de conducción por contar con un área de conducción más grande. Un BJT tipo pnp. Un MOSFET tipo agotamiento. Un MOSFET tipo enriquecimiento. Un BJT tipo npn.

17. Es la relación de la corriente de drenaje al voltaje de compuerta, define las características de transferencia y es un parámetro muy importante. la transconductancia. la ganacia. la eficiencia. la frecuencia de operación.

18. Los MOSFET son dispositivos controlados por voltaje y su impedancia de entrada es. infinita. cero. muy alta. muy baja.

19. Es el voltaje entre compuerta y fuente se hace lo bastante negativo, el canal se agola por completo, ofrece un alto valor de Rds, y no fluye corriente del drenaje a la fuente,. Voltaje de saturación. Voltaje de operación. Voltaje de estrangulamiento. Voltaje de agotamiento.

20. Tipo de Transistores de Potencia que requieren baja energía de compuerta, y tienen una muy alta velocidad de conmutación y bajas pérdidas en estado de conmutación. IGBT. COOLMOS. MOSFET. JFET.

21. Para los MOSFET tipo agotamiento el voltaje de compuerta (o entrada) podría ser. positivo. positivo o negativo. negativo. cero.

22. . Para los MOSFET tipo enriquecimiento el voltaje de compuerta (o entrada) podría ser. positivo. positivo o negativo. negativo. cero.

23. un MOSFET tiene un diodo interno que a menudo se llama: diodo PN. diodo de cuerpo. diodo nucleo. diodo Schottky.

24. MOSFET, es el tiempo que se requiere para cargar la capacitancia de entrada al nivel del voltaje de umbral. El tiempo de retraso de encendido o conducción. El tiempo de subida. El tiempo de retraso de apagado o bloqueo. El tiempo de caída.

25. El MOSFET, es el tiempo de carga de compuerta del nivel de umbral al voltaje de compuerta completo, el cual se requiere para llevar el transistor a la región lineal. El tiempo de retraso de encendido o conducción. El tiempo de subida. El tiempo de retraso de apagado o bloqueo. El tiempo de caída.

26. MOSFET, tiempo requerido para que la capacitancia de entrada se descargue del sobrevoitaje de compuerta a la región de estrangulamienio, debe disminuir de manera significativa antes de que Vds comience a subir. El tiempo de retraso de encendido o conducción. El tiempo de retraso de apagado o bloqueo. El tiempo de subida. El tiempo de caída.

27. MOSFET, es el tiempo requerido para que la capacitancia de entrada se descargue de la región de estrangulamiento al voltaje de umbral. El tiempo de retraso de encendido o conducción. El tiempo de retraso de apagado o bloqueo. El tiempo de subida. El tiempo de caída.

28. Es una nueva tecnología para MOSFETs de potencia de alto voltaje que implcmenta una estructura de compensación en la región de deriva vertical de un MOSFET para mejorar la resistencia en estado de conducción. IGBT. COOLMOS. BJT. SIT.

29. Se pueden utilizar en aplicaciones hasta un rango de potencia de 2 kVA como fuentes de potencia para estaciones de trabajo y servidores, fuentes de potencia íninterrumpible (UPS), convertidores de alta potencia para sistemas de microondas y médicos, hornos de inducción, y equipo de soldar. IGBT. COOLMOS. MOSFET. SIT.

30. El área activa del microcircuilo de COOLMOS es aproximadamente_________________ que la de un MOSFET estándar. cinco veces más pequeña. cinco veces más grande. tres veces más pequeña. tres veces más grande.

31. Estos dispositivos pueden reemplazar a los MOSFET de potencia convencionales en todas las aplicaciones y en la mayoría de los casos sin ninguna adaptación del circuito. IGBT. COOLMOS. BJT. SIT.

32. Son simples en cuanto a su construcción, para amplificaciones de bajo nivel están siendo reemplazados por los MOSFET. IGBT. COOLMOS. JFET. BJT.

33. Existen dos tipos de FET de unión, que son: npn. pnp. canal n y canal p. enriquecimiento y agotamiento.

34. Es el valor que hará que el JFET funcione en la región de saturación y por consiguiente no incrementará de manera significativa la corriente de drenaje. voltaje de agotamiento. voltaje de ensanchamiento. región óhmica. voltaje de saturación.

35. En esta región el voltaje de drenaje a fuente Vos es bajo y el canal no se ensancha. Región óhmica. Región de saturación. Región de corte. Región de agotamiento.

36. El voltaje de drenaje a fuente Vds es mayor que el voltaje de ensanchamiento, y la corriente de drenaje id es casi independiente de Vds. Región óhmica. Región de saturación. Región de corte. Región de agotamiento.

37. En la región de corte el voltaje de compuerta a fuente es menor que el voltaje de ensanchamiento. Región óhmica. Región de saturación. Región de corte. Región de agotamiento.

38. Es un JFET que normalmente se encuentra en estado de conducción, y se debe aplicar un voltaje negativo de compuerta a fuente para bloquearlo o apagarlo. JFET de canal lateral (LCJFET). JFET vertical (VJFET). JFET de trinchera vertical (VTJFET). JFET de rejilla enterrada (BGJFET).

39. Es un JFET que está en estado de conducción (modo de agotamiento) y bloqueado o apagado por un voltaje de compuerta a fuente negativo. JFET de canal lateral (LCJFET). JFET vertical (VJFET). JFET de trinchera vertical (VTJFET). JFET de rejilla enterrada (BGJFET).

40. Es un JFET que puede ser o un dispositivo normalmente en estado de bloqueo (modo de enriquecimiento) o un dispositivo en estado de conducción (modo de agotamiento), según el espesor del canal vertical y los niveles de dopado de la estructura. JFET de canal lateral (LCJFET). JFET vertical (VJFET). JFET de trinchera vertical (VTJFET). JFET de rejilla enterrada (BGJFET).

41. Es un JFET que utiliza una pequeña separación entre celdas, la cual contribuye a una baja resistencia en estado de conducción y a altas densidades de corriente de saturación. JFET de canal lateral (LCJFET). JFET vertical (VJFET). JFET de trinchera vertical (VTJFET). JFET de rejilla enterrada (BGJFET.

42. Es un JFET que es la combinación de los diseños de LCJFET y el BGJFET combina una capacidad de conmutación rápida debido a la baja capacitancia en la compuerta-drenaje con baja resistencia específica en estado de conducción. JFET de canal lateral (LCJFET). JFET vertical (VJFET). JFET de rejilla enterrada (BGJFET. JFET de trinchera vertical y doble compuerta (DGVTJFET).

43. Es un transistor que se forma agregando una segunda región p o n a un diodo de unión pn. IGBT. COOLMOSS. JFET. BJT.

44. Como se denominan las tres terminales del transisto bipolar de union. colector, drenaje y base. colector, emisor y base. compuerta, drenaje y fuente. compuerta drenaje y emisor.

45. Cuales son los dos tipos del transistor bipolar de union. transistor NPN y transistor PNP. tipo enriquecimiento y tipo agotamiento. canal n y canal p. saturación y corte.

46. cuales son las tres configuraciones comunes del Transistor bipolar de union. colector común, drenaje comun y emisor común. colector común, base común y emisor común. compuerta comun, drenaje comun y emisor comun. compuerta comun, base común y emisor comun.

47. Un transistor tiene tres regiones de operación: de conmutación, diasparo y saturación. de ensanchamiento, estrangulación y activa. de agotamiento y de enriquecimiento. de corte, activa y de saturación.

48. Es la región donde el transistor se bloquea o apaga y la corrieente de base no es suficiente para encenderlo, y ambas uniones se polarizan a la inversa. corte. activa. saturación. agotamiento.

49. Region donde el transistor actúa como un amplificador, donde la comente de base se amplifica por una ganancia y el voltaje del colector-emisor se reduce con la comente de base. corte. activa. saturación. enriquecimiento.

50. Es la region del transistor donde la corriente de base es suficientemente alta de modo que el voltaje colector-emisor es bajo, y el transistor actúa como un interruptor. corte. activa. saturación. agotamiento.

51. como se denomina a la relación de la corriente de colector Ic a la corriente de base Ib. Coeficiente de amplificación. Eficiencia. Ganancia de corriente en sentido directo. Transconductancia.

52. En el Transistor de union bipolar, se puede definir como el punto por encima del cual cualquier incremento de la corriente de base no aumenta significativamente la corriente de colector. corte. activa. saturación. agotamiento.