FUNDAMENTOS Bloque 2: Propiedades Eléctricas y Semiconductores

En un semiconductor extrínseco de tipo p la conducción a bajas temperaturas se debe al movimiento de: Los electrones activados térmicamente. Los huecos. Los electrones y huecos. No hay conducción neta a bajas temperaturas.

En los semiconductores extrínsecos, la brecha o nivel prohibido de energía, Ed, necesaria para activar térmicamente la conducción de tipo extrínseco, es: Inferior a Eg. Superior a Eg. Igual a Eg. Depende de la concentración de dopante.

En un semiconductor intrínseco la conductividad está controlada por: La movilidad y la temperatura. La temperatura y la concentración de dopante. La temperatura, movilidad y la brecha o nivel prohibido, Eg. La concentración de dopante.

¿Cuál de los siguientes elementos permite obtener semiconductores de silicio tipo n, donadores?: Fósforo, P. Aluminio, Al. Boro, B. Germanio, Ge.

En un semiconductor tipo n la conducción a alta temperatura se debe a: Electrones donadores. Electrones donadores y electrones activados térmicamente. Electrones donadores, huecos y electrones activados térmicamente. Huecos y electrones activados térmicamente.

¿Qué le pasa a la resistividad eléctrica de un conductor eléctrico cuando aumenta la temperatura?: Aumenta. Disminuye. Se mantiene constante. Es independiente de la temperatura.

¿En qué supuesto tenemos los menores valores de conductividad dentro de un material?: Cuando esta envejecido. Cuando es templado o solubilizado. Cuando esta sobreenvejecido. Cuando esta mecanizado.

Una aleación presenta el grano muy fino y en consecuencia tendremos: Alta resistencia y resistividad. Excelente conductividad. Un grano alargado/estirado. Un envejecimiento correcto.

El diseño y cálculo de componentes eléctricos conductores debe controlar parámetros como: Conductividad eléctrica del material y factor geométrico del conductor. La intensidad de corriente. La temperatura. La diferencia de potencial.

Los electrones se ordenan en los sólidos cristalinos metálicos en: Orbitales atómicos de baja energía. Bandas continuas de energía. Orbitales atómicos separados. Bandas de estados de energía muy próximos.

El campo eléctrico acelera los electrones de un metal que están situados en: La banda de valencia. La banda de conducción. Fuera del átomo. Es independiente de la banda en la que estén situados.

La correlación entre resistencia eléctrica y temperatura para los metales indica: La resistividad disminuye con la temperatura. La conductividad aumenta con la temperatura. La resistividad es creciente a mayores temperaturas. La resistividad permanece constante con la temperatura.

El contenido de impurezas en los sólidos metálicos implica: Aumento de la conductividad, por el efecto benéfico... Disminución de la conductividad, al distorsionar la red cristalina e introducir defectos cristalinos. Disminución de la conductividad si la impureza es más resistiva. Muy ligero aumento de la conductividad.

La adición de aleantes, solubles por solución sólida en un metal, no permite obtener: Aleaciones más conductoras respecto del metal puro. Aleaciones mejoradas en resistencia mecánica y eléctrica. Aleaciones con peores propiedades mecánicas y eléctricas. Aleaciones mejoradas en características resistentes, pero de menor conductividad.

Las aleaciones que endurecen por precipitación de segundas fases muestran: Conductividad independiente del estado de tratamiento térmico. Mayores conductividades y características resistentes en la etapa de temple. Mejor conductividad, pero peor comportamiento mecánico tras el temple. Alta resistencia mecánica y buena conductividad en la etapa de maduración (envejecimiento).

Un conductor de cobre puro puede endurecerse mediante: Envejecimiento. Acritud mas envejecimiento. Transformación martensítica. Acritud.

Una conductividad eléctrica de 106 IACS corresponde a un conductor de: Cobre puro OFHC. Plata. Cobre aleado. Oro.

La estructura electrónica de los semiconductores está formada por: Dos bandas de energía con algunos estados superpuestos. Dos bandas de energía, con electrones conductores en la de conducción. Bandas de valencia y conducción, separadas por un intervalo prohibido de energía. Bandas de valencia y conducción coincidentes.

La concentración de portadores de carga, en los semiconductores extrínsecos: Disminuye en el rango de bajas temperaturas por actuar la agitación térmica de la red cristalina. Disminuye a altas temperaturas al disminuir la movilidad. (La concentración aumenta, la movilidad baja). Aumenta en el rango de bajas temperaturas. Ninguna es correcta.