PREGUNTAS TEST POTENCIA

¿Qué magnitudes relaciona el factor de potencia de entrada en un convertidor conmutado?. La potencia activa y la potencia aparente. La potencia instantánea y la potencia aparente. El valor medio de la potencia instantánea y la potencia aparente. La tensión eficaz y la tensión media.

En el diseño del radiador de un semiconductor de potencia la resistencia térmica calculada es de 1 º/C. ¿Qué longitud del disipador cuya característica se da en la figura debe emplearse?: 35 mm. 72 mm. 135 mm. No es posible emplear este disipador.

¿Qué significado tiene que en el cálculo de la resistencia termica (Rth ra) para un semiconductor de potencia el valor resultante sea negativo?: No es necesario acoplar radiador. Hemos elegido una temperatura ambiente demasiado baja. La temperatura de unión del semiconductor es demasiada baja. El semiconductor no puede evacuar la potencia de pérdidas producida.

En un diodo de potencia, ¿qué indica el parámetro trr (tiempo de recuperación inversa)?: El tiempo que requiere el diodo para pasar de bloqueo a conducción. El tiempo que requiere el diodo para pasar de conducción a bloqueo. El tiempo que es necesario aplicar el pulso de disparo. El tiempo que tarda la corriente de fugas en desaparecer cuando el diodo pasa de bloqueo a conducción.

La principal ventaja de los diodos de tipo Schottky frente a los diodos de potencia de unión p-n es que: Soportan mayor tensión inversa. La caída de tensión en conducción es menor. Conducen mayor corriente directa. Son más baratos.

Para asociar en paralelo dos diodos de potencia se emplea una red de ecualización formada por una bobina en serie con cada diodo. Dichas bobinas deben acoplarse magnéticamente de forma que las tensiones que se produzcan en ellas sean: De signo opuesto. Del mismo signo. Las bobinas no deben estar acopladas magnéticamente. No se deben emplear bobinas en la asociación en serie de diodos.

La ventaja de emplear trenes de impulsos en lugar de pulsos de larga duración en el disparo de un SCR es que: El tiempo de conmutación a conducción es menor. El circuito de disparo es más sencillo. La potencia disipada en el circuito de puerta es menor. Ninguna de las anteriores.

En un SCR, ¿qué representa la corriente de enclavamiento o enganche iL?: La corriente por debajo de la cual se bloquea. La corriente de fugas en bloqueo inverso. La corriente por debajo de la cual el SCR no se mantiene en conducción en el disparo. La corriente por encima de la cual el SCR no se mantiene en conducción en el disparo.

Para el disparo de un TRIAC con aislamiento entre la masa del circuito de control y el de potencia, se suele utilizar: Divisor de tensión resistivo. Transformador de red para 50 Hz. Transformador de impulsos. Ninguna de las anteriores.

La ventaja de los GTO en comparación con los SCR es que: La velocidad de conmutación a conducción es menor. Pueden conducir corriente en los dos sentidos. Pueden dispararse con pulsos positivos o negativos. Pueden bloquearse mediante el terminal de puerta.

¿Qué condiciones se cumplen cuando un circuito electrónico de potencia se encuentra trabajando en conmutación en régimen estacionario?. Las tensiones y corrientes de todo el circuito son constantes. Las tensiones de todo el circuito pueden variar pero no las corrientes. Las tensiones y corrientes de todo el circuito tienen el mismo valor al inicio y al final de un periodo de conmutación. Los valores medios de las corrientes a través de las bobinas y de las tensiones en extremos de los condensadores son cero.

De entre los que se citan ¿qué factor limita la máxima frecuencia de conmutación en un convertidor electrónico de potencia?. El tamaño de los componentes magnéticos. El circuito de control. La potencia de pérdidas en los semiconductores de potencia. La velocidad de conmutación de los circuitos de disparo.

¿Cuál es el parámetro necesario para elegir un disipador para un dispositivo de potencia?. La resistencia térmica unión-ambiente, Rja. La resistencia térmica unión-cápsula, Rjc. La resistencia térmica cápsula-radiador, Rcr. La resistencia térmica radiador-ambiente, Rra.

¿Por qué los diodos de potencia pueden conducir corrientes de mayor intensidad que los de pequeña señal?. Su disposición vertical permite aumentar la sección de paso. Por la existencia de la región de deriva (“drift region”). Por su disposición superficial en la oblea de silicio. Porque los terminales de contacto son de mayor sección.

¿Qué inconveniente presenta la utilización de optoacopladores con etapa de salida con fototransistor en el aislamiento entre etapas de potencia y de control?. No pueden transmitir señales de continua. Necesitan una fuente de alimentación auxiliar. El producto de la tensión aplicada por la duración del impulso es una constante. No pueden trabajar a frecuencias elevadas.

En la asociación en serie de diodos de potencia, el valor las resistencias de la red de ecualización estática debe ser. Mucho menor que la resistencia equivalente del diodo en bloqueo. Mucho mayor que la resistencia equivalente del diodo en bloqueo. Mucho menor que la resistencia equivalente del diodo en conducción. Pueden tomar cualquier valor.

¿Cuál es el principal inconveniente de los SCR cuando son usados en aplicaciones de conmutación a partir de tensión continua?. Que no pueden bloquearse mediante el terminal de puerta. Que es necesario aplicar un pulso para ponerlos en conducción. Que no pueden bloquear tensiones de continua directas. Que no pueden bloquear tensiones de continua inversas.

¿Qué características debe tener el pulso de disparo de un SCR?. Se debe aplicar entre puerta y cátodo, debe tener una duración mayor que el tgt del SCR y su tensión y corriente deben situarse dentro del área de disparo seguro. Se debe aplicar entre puerta y ánodo, debe tener una duración mayor que el tgt del SCR y su tensión y corriente deben ser mayores que la VRWM y la ITM. Se debe aplicar entre puerta y cátodo y debe tener una duración mayor que el trr del SCR. Se debe aplicar entre puerta y cátodo y su tensión y corriente deben ser mayores que la Vgt y la IL.

Si entre los terminales de ánodo y cátodo de un SCR que se encuentra en bloqueo se aplica un escalón de tensión con una pendiente superior al dVD/dt indicado en las hojas de características, ¿qué ocurrirá?. El SCR se destruye. El SCR continúa en bloqueo. El SCR pasa a conducción. El SCR estará en conducción sólo durante el intervalo de subida de la tensión.

. Un TRIAC controla la potencia aplicada a una carga resistiva a partir de la tensión de red alterna monofásica. El bloqueo del TRIAC se produce: En 180º. En 90º. Cuando la corriente iT se hace menor que IL. Cuando la corriente iT se hace menor que IH.

¿Qué condiciones se cumplen cuando un circuito electrónico de potencia se encuentra trabajando en conmutación en régimen estacionario?. Las tensiones y corrientes de todo el circuito son constantes. Las tensiones de todo el circuito pueden variar pero no las corrientes. Las tensiones y corrientes de todo el circuito tienen el mismo valor al inicio y al final de un periodo de conmutación. Los valores medios de las corrientes a través de las bobinas y de las tensiones en extremos de los condensadores son cero.

En la fase de diseño de un convertidor electrónico de potencia, indicar qué ocurre si se decide emplear una frecuencia de conmutación elevada: El precio de los semiconductores de potencia es bajo. Las pérdidas en los semiconductores de potencia son pequeñas. Las pérdidas en los semiconductores de potencia son grandes. El tamaño de los componentes inductivos es grande.

Un circuito está formado por una alimentación de continua, una carga con componente inductiva y un semiconductor de potencia trabajando en conmutación, conectados en serie. ¿Qué ocurre en la carga si no se emplea un diodo volante (de libre circulación) conectado en antiparalelo con la carga?. Aparece una sobretensión en el instante de conmutación a conducción del semiconductor. Aparece una sobretensión en el instante de conmutación a bloqueo del semiconductor. Aparece una sobrecorriente en el instante de conmutación a conducción del semiconductor. Aparece una sobrecorriente en el instante de conmutación a bloqueo del semiconductor.

¿Cuál es el efecto que se produce al emplear ventilación forzada en el disipador térmico de un semiconductor de potencia?. Se reduce la resistencia térmica del disipador. Disminuyen las pérdidas de potencia en el semiconductor. Aumenta la resistencia térmica del disipador. Aumenta el rendimiento del convertidor.

¿Cuáles son los principales parámetros de selección de un diodo de potencia?. IF(AV) max, VF, trr. IRM, VRWM, trr. IF(AV) max, I^2t, trr. IF(AV) max, VRWM, trr.

En un SCR la magnitud diT/dt representa: El máximo aumento que puede tener la corriente anódica en el instante del disparo. El máximo aumento que puede tener la corriente de puerta en el instante del disparo. El máximo aumento que debe tener la corriente de puerta para provocar el disparo. La máxima corriente anódica que puede conducir en el instante del disparo.

En un circuito de disparo de TRIAC empleando una red desfasadora R – C, ¿qué utilidad tiene el empleo de un DIAC conectado entre la red desfasadora y la puerta del TRIAC?. Proteger la puerta del TRIAC. Poder alcanzar ángulos de disparo superiores a 180º. Poder alcanzar ángulos de disparo superiores a 90º. Permitir que el TRIAC se dispare en los semiciclos negativos de la tensión de red.

En un rectificador controlado de doble onda monofásico la conmutación de los tiristores: Es siempre natural. Puede ser natural o forzada por fuente inversa de tensión. Es siempre forzada por fuente inversa de tensión. Es siempre forzada por fuente inversa de intensidad.

Cuando se dispara un SCR mediante un transformador de impulsos, el secundario del transformador de impulsos debe conectarse entre los siguientes terminales: El ánodo y el cátodo del SCR. La puerta y el ánodo del SCR. La puerta y el cátodo del SCR. La puerta del SCR y la masa del circuito.

Sobre una carga resistiva de 2 ohm se aplica la tensión rectangular de la figura, con una amplitud de 100 V, un ciclo de trabajo de 0,5 y una frecuencia de 10 kHz.La potencia activa aplicada a la carga será de: 1250 W. 2500W. 5000W. 20000W.

Mediante un regulador de alterna formado por un TRIAC se controla la potencia aplicada a una carga resistiva desde la red de alterna monofásica. El TRIAC se dispara mediante una red desfasadora R – C y un DIAC conectado entre el terminal de puerta del TRIAC y el nudo común de la resistencia y el condensador. El disparo del TRIAC se produce: Cuando la tensión del condensador supera la tensión de disparo VGT del TRIAC. Cuando la corriente principal del TRIAC supera el valor de mantenimiento, IH. Cuando la corriente principal del TRIAC supera el valor de enganche, IL. Cuando la tensión aplicada al DIAC supera el valor de ruptura, VBO.

¿Cuál de las siguientes afirmaciones NO ES APLICABLE a la utilización de transformadores de impulsos en el aislamiento del disparo entre etapas de potencia y de control?. No pueden transmitir señales de continua. Necesitan una fuente de alimentación auxiliar. El producto de la tensión aplicada por la duración del impulso es una constante. El aislamiento de tensión es muy elevado.

En una aplicación de potencia se asocian dos SCR en paralelo. Para asegurar el reparto equilibrado de la corriente, indicar el método más adecuado: Conectar una resistencia en serie con cada SCR. Conectar una red RC en serie con cada SCR. Conectar una bobina en serie con cada SCR, acopladas magnéticamente. Conectar una resistencia en paralelo con cada SCR.

¿Cuál es la ventaja de conmutar un transistor bipolar entre las zonas de cuasisaturación y corte en lugar de hacerlo entre fuerte saturación y corte?. El transistor puede soportar mayor tensión en corte. Los tiempos de conmutación son menores. La potencia de pérdidas en conducción es mayor. Ninguna de las anteriores.

La resistencia drenador-surtidor de un transistor MOSFET de potencia trabajando en su zona óhmica (rDS(ON)) tiene la siguiente característica: Aumenta al aumentar la temperatura. Disminuye al aumentar la temperatura. Es independiente de la temperatura. Puede aumentar o disminuir cuando aumenta la temperatura.

La ventaja de los IGBT frente a los transistores MOSFET de potencia es que: El control se realiza por corriente. El control se realiza por tensión. Pueden conducir mayor corriente. La frecuencia de conmutación es mayor.

En una fuente de alimentación conmutada de tipo reductora (buck), ¿qué ocurre en la tension de salida si la ESR del condensador es baja?. El ciclo de trabajo debe ser alto. El rizado de la corriente de la bobina es elevado. El rizado de la tensión de salida es alto. Ninguna de las anteriores.

La resistencia térmica unión-ambiente que aparece en las hojas de datos de los semiconductores de potencia: Depende del encapsulado del semiconductor. Depende del radiador. Depende del contacto entre la unión semiconductora y el radiador. Depende del contacto entre la cápsula del semiconductor y el radiador.

Un circuito está formado por una alimentación de continua, una carga con componente inductiva y un semiconductor de potencia trabajando en conmutación, conectados en serie. ¿Qué ocurre en la carga si no se emplea un diodo volante (de libre circulación) conectado en antiparalelo con la carga?. Aparece una sobretensión en el instante de conmutación a conducción del semiconductor. Aparece una sobretensión en el instante de conmutación a bloqueo del semiconductor. Aparece una sobrecorriente en el instante de conmutación a conducción del semiconductor. Aparece una sobrecorriente en el instante de conmutación a bloqueo del semiconductor.

¿Cómo se calcula la potencia activa consumida por una carga en un circuito de potencia trabajando en conmutación?. Como producto de la tensión media en la carga por la corriente media a través de la carga. Como producto de la tensión eficaz en la carga por la corriente eficaz a través de la carga. Como valor medio del producto de la tensión instantánea en la carga por la corriente instantánea a través de la carga. Como la potencia máxima dividida por la raíz cuadrada de dos.

Para una determinada aplicación se emplea un convertidor electrónico de potencia que debe manejar 3 A y conmutar a 100 kHz. De los semiconductores de potencia que se relacionan ¿cuál es el que debería emplearse?. SCR. TRIAC. BJT de potencia. MOSFET de potencia.

Un semiconductor de potencia de un convertidor electrónico funciona de tal forma que debe soportar tensiones inversas de bloqueo muy elevadas. De los semiconductores de potencia que se relacionan ¿cuál es el más adecuado?. SCR. BJT. IGBT. MOSFET.

¿Cuál es el principal inconveniente de los SCR cuando son usados en aplicaciones de conmutación a partir de tensión continua?. Que no pueden bloquearse mediante el terminal de puerta. Que es necesario aplicar un pulso para ponerlos en conducción. Que no pueden bloquear tensiones de continua directas. Que no pueden bloquear tensiones de continua inversas.

¿Qué consecuencia tiene el fenómeno de la corriente de cola en los IGBT?. Las pérdidas en conducción son pequeñas. El tiempo de conmutación a ON es grande. El tiempo de conmutación a OFF es grande. El tiempo de retardo en la conmutación a OFF es pequeño.

En un rectificador monofásico de doble onda semicontrolado, trabajando en conducción continua y régimen estacionario: Los dos SCR conducen en todo momento. Cada SCR se bloquea cuando se dispara el otro SCR. Los SCR se bloquean al final de cada semiperiodo de la tensión de la red. Los SCR se bloquean cuando la corriente de carga se anula.

. En una fuente conmutada de tipo reductor sin aislamiento (BUCK), ¿qué misión cumple el diodo de libre circulación?. Permite que el ciclo de trabajo supere el 50%. Permite la circulación de la corriente de la bobina cuando el transistor está en conducción. Permite la circulación de la corriente de la bobina cuando el transistor está en bloqueo. Permite la circulación de la corriente del condensador cuando el transistor está en bloqueo.

En la desmagnetización del transformador de una fuente de alimentación conmutada en configuración forward, ¿qué ventajas presenta el circuito con diodo zéner frente al devanado terciario?. Es más fácil implementar. Presenta menores pérdidas. Mejora el rendimiento de la fuente conmutada. Permite la desmagnetización total del núcleo en cada ciclo.

¿Cómo se genera la forma de onda en diente de sierra típica de los circuitos integrados de control de convertidores electrónicos de potencia?. Mediante la carga y descarga de un condensador a partir de una fuente de tensión y una resistencia. Mediante la carga de un condensador a partir de una fuente de corriente y la descarga a través de un cortocircuito. A partir de un oscilador integrado. Mediante la carga de un condensador a partir de una fuente de tensión y la descarga a partir de una fuente de corriente.

En una fuente de alimentación conmutada, ¿por qué interesa trabajar a frecuencia elevada?. Para disminuir las pérdidas en los semiconductores. Para disminuir el tamaño de los componentes magnéticos. Para aumentar el rendimiento energético. Ninguna de las anteriores.

Sobre una carga con componente inductiva muy elevada, de forma que la corriente a través de ella puede considerarse constante y de valor 2 A, se aplica la tensión rectangular de la figura, con una amplitud de 100 V, un ciclo de trabajo de 0,4 y una frecuencia de 10 kHz. La potencia activa aplicada a la carga será: 80W. 200W. 2000W. 5000W.

¿Cuál de las siguientes afirmaciones sobre las familias de semiconductores de potencia de los tiristores y la de los transistores es cierta?. Ningún tiristor puede bloquearse por el terminal de control y todos los transistores sí que pueden. Ningún transistor puede bloquearse por el terminal de control y todos los tiristores sí que pueden. Todos los tiristores pueden conducir corrientes positivas y negativas y los transistores sólo positivas. La velocidad de conmutación de los transistores es mayor que la de los tiristores.

En el cálculo de la resistencia térmica radiador-ambiente de un radiador para una aplicación el resultado es de 2.1 º/W. El radiador del que se dispone tiene una resistencia térmica máxima de 0.95 º/W. Como consecuencia: El radiador es adecuado para la aplicación. El radiador no puede usarse en esta aplicación. Es necesario utilizar varios semiconductores de potencia conectados en paralelo. Es necesario aplicar ventilación forzada en el radiador.

La resistencia térmica cápsula -radiador de un semiconductor de potencia: Depende del tipo de semiconductor. Depende del color del radiador (si es anodizado negro mejora). Depende del contacto entre la unión semiconductora y el radiador. Depende del contacto entre la cápsula del semiconductor y el radiador.

2. Sobre una carga de 1 Ω se aplican diferentes formas de onda de tensión: - v1: continua, de valor 100 V. - v2: cuadrada, con amplitud V2m = 200 V y ciclo de trabajo δ2 = 0.5. - v3: cuadrada, con amplitud V3m = 400 V y ciclo de trabajo δ3 = 0.25. Indicar cuál de las afirmaciones siguientes es cierta: En los tres casos se producirá la misma disipación de potencia en la resistencia. La mayor disipación de potencia en la resistencia se producirá cuando se aplique la tensión v1. La mayor disipación de potencia en la resistencia se producirá cuando se aplique la tensión v2. La mayor disipación de potencia en la resistencia se producirá cuando se aplique la tensión v3.

En el circuito de la figura la alimentación es VDC = 100 V, la resistencia de carga es de 4 Ω y la inductancia de la bobina tiene un valor muy elevado, de forma que la corriente a través de ella puede considerarse constante, de valor 10 A. El interruptor trabaja en conmutación con una frecuencia de 100 kHz y un ciclo de trabajo δ = 0.4. La potencia disipada en la carga tendrá el siguiente valor: 200 W. 250W. 400W. 625W.

¿Por qué los diodos de potencia pueden conducir corrientes de mayor intensidad que los de pequeña señal?. Su disposición vertical permite aumentar la sección de paso. Por la existencia de la región de deriva (“drift region”). Por su disposición superficial en la oblea de silicio. Porque los terminales de contacto son de mayor sección.

Un SCR que se encuentra en bloqueo puede pasar a conducción directa sin aplicar disparo en la puerta en la siguiente situación: Cuando la corriente anódica es muy elevada. Cuando se produce un aumento brusco de la tensión ánodo-cátodo. Cuando se produce una disminución brusca de la tensión ánodo-cátodo. Nunca.

. En un transistor BJT de potencia trabajando en conmutación, ¿cuál es el inconveniente de trabajar entre las zonas de corte y cuasisaturación en comparación con el modo de trabajo entre corte y saturación fuerte?: El SOA es menor. La disipación de potencia en el BJT es mayor. La velocidad de conmutación del BJT es menor. El circuito de disparo del BJT debe suministrar mayor corriente.

Los transistores MOSFET de potencia presentan la siguiente característica: Son difíciles de conectar en paralelo. Se controlan mediante la tensión aplicada entre los terminales de puerta y drenador. No consumen corriente por el terminal de puerta. Durante su conmutación es necesario aplicar corriente en el terminal de puerta.

¿Cuál es la diferencia entre el circuito de excitación de puerta de un IGBT y el de un MOSFET de potencia?. El IGBT necesita una corriente de puerta mantenida en todo el intervalo de conducción y el MOSFET sólo necesita mantener la tensión. El IGBT precisa únicamente de un pulso para iniciar la conducción y luego se enclava en el funcionamiento y el MOSFET necesita mantener la tensión en todo el intervalo de conducción. El MOSFET necesita una corriente de carga de la capacidad de puerta en la conmutación a conducción y una corriente de descarga en la conmutación a bloqueo, mientras que el IGBT sólo necesita corriente en la conmutación a conducción. Ninguna.

¿Qué consecuencia tiene el fenómeno de la corriente de cola en los IGBT?. Las pérdidas en conducción son pequeñas. El tiempo de conmutación a ON es grande. El tiempo de conmutación a OFF es grande. El tiempo de retardo en la conmutación a OFF es pequeño.

¿Cuál de las siguientes afirmaciones es aplicable a la utilización de transformadores de impulsos en el aislamiento del disparo entre etapas de potencia y de control?. Pueden transmitir señales de continua. Necesitan una fuente de alimentación auxiliar. El producto de la tensión aplicada por la duración del impulso es constante. No eliminan falsos disparos de semiconductores producidos por interferencias en los circuitos.

En una fuente de alimentación conmutada de tipo FORWARD, ¿qué ventaja tiene trabajar a frecuencia elevada?. Disminuir las pérdidas por conducción en los semiconductores. Disminuir las pérdidas por conmutación en los semiconductores. Disminuir el tamaño de los componentes magnéticos y del condensador de filtro. Ninguna de las anteriores.

En una fuente de alimentación conmutada de tipo buck ¿qué efecto produce la resistencia equivalente en serie (ESR) del condensador de salida?. Aumenta el rizado de corriente en la bobina de choque. Disminuye el valor necesario de la capacidad del condensador. Aumenta el rizado de la tensión de salida. Disminuye el ciclo de trabajo.

Una fuente de alimentación tipo BUCK trabaja en lazo cerrado, en régimen estacionario y conducción continua. Indicar lo que sucede si disminuye el valor de la resistencia de carga: Puede pasar a trabajar en conducción discontinua. Aumenta el rizado de la tensión de salida. Aumenta el rizado de la corriente a través de la bobina de choque. Aumenta el valor medio de la corriente a través de la bobina de choque.

Una fuente de alimentación conmutada en configuración BUCK tiene una tensión de entrada continua de 20 V y su circuito de control trabaja en lazo cerrado empleando un modulador PWM integrado SG3524. La señal de realimentación se toma de la salida de la fuente conmutada en el punto medio de un divisor de tensión formado por dos resistencias iguales de 10 kΩ. Dicha señal se compara con una tensión continua de referencia de 5 V. La tensión de salida de la fuente conmutada será, aproximadamente: 2,5V. 5V. 7,5V. 10V.

Una fuente de alimentación conmutada en configuración forward emplea una red de desmagnetización disipativa con diodo zéner. La tensión de entrada es de 30 V, la tensión de zéner es de 20 V y el tiempo de desmagnetización del transformador es de 30 µs. ¿Qué ocurre si se sustituye el diodo zéner por uno de 40 V?. El transistor soporta menos tensión en bloqueo que en el caso anterior. El tiempo de desmagnetización aumenta. El transformador podría saturarse. El tiempo de desmagnetización disminuye.

Una fuente de alimentación conmutada en configuración forward emplea un transformador con devanado auxiliar de desmagnetización con relación de transformación N1/N3 = 1, siendo la tensión de alimentación VDD = 300 V. La máxima tensión drenador – surtidor que deberá soportar el transistor MOSFET de potencia será aproximadamente: 150 V. 300 V. 450 V. 600 V.

Un circuito está formado por una alimentación de continua, una carga con componente inductiva y un semiconductor de potencia trabajando en conmutación, conectados en serie. ¿Qué ocurre en la carga si no se emplea un diodo volante (de libre circulación) conectado en antiparalelo con la carga?. Aparece una sobretensión en el instante de conmutación a conducción del semiconductor. Aparece una sobretensión en el instante de conmutación a bloqueo del semiconductor. Aparece una sobrecorriente en el instante de conmutación a conducción del semiconductor. Aparece una sobrecorriente en el instante de conmutación a bloqueo del semiconductor.

En un convertidor electrónico de potencia con carga resistiva de 0.89 Ω el valor medio de la corriente de carga 127.3 A y el valor eficaz es de 197.1 A. La potencia entregada a la carga es aproximadamente: 14.42 kW. 20.39 kW. 24.45 kW. 34.57 kW.

¿Por qué motivo un diodo de potencia puede soportar mayores niveles de tensión de bloqueo que uno de pequeña señal?. Por su mayor sección. Por el tipo de encapsulado. Por tener una capa de deriva (drift region). Por ser mayor su caída de tensión en conducción.

¿Cuál es el principal inconveniente de los SCR en aplicaciones de conmutación a partir de tensión continua?. Que no pueden bloquearse mediante el terminal de puerta. Que es necesario aplicar un pulso para ponerlos en conducción. Que no pueden bloquear tensiones de continua directas. Que no pueden bloquear tensiones de continua inversas.

El SOA de un transistor bipolar de potencia es más reducido que el de un MOSFET de potencia debido a: La menor corriente en conducción. La menor tensión en corte. El fenómeno de segunda ruptura. Ninguna de las anteriores.

En una aplicación de potencia, una carga tiene uno de sus terminales conectado al terminal de masa de una fuente de alimentación continua. El otro terminal de la carga se conecta al terminal de surtidor de un transistor MOSFET de potencia (de canal n) y el drenador se conecta al positivo de la alimentación. El circuito de excitación del MOSFET debe conectarse entre los siguientes terminales: Puerta (G) del MOSFET y masa de la alimentación. Puerta (G) y Surtidor (S) del MOSFET. Puerta (G) y Drenador (D) del MOSFET. Ninguna de las anteriores.

Teniendo en cuenta el modelo equivalente del IGBT de la figura, ¿a qué se debe el fenómeno de la corriente de cola?. A la baja velocidad de conmutación del transistor MOSFET. A la resistencia existente entre el terminal de surtidor del IGBT y el colector del transistor PNP. A que la rápida conmutación a conducción del MOSFET retrasa la conmutación del transistor PNP. A que la rápida conmutación a bloqueo del MOSFET retrasa la conmutación del transistor PNP.

¿Qué ocurre en una fuente de alimentación conmutada de tipo reductora (buck) si se sustituye el condensador del filtro por otro de la misma capacidad y un valor de ESR más elevado?. El rizado de la corriente de la bobina aumenta. El rizado de la tensión de salida aumenta. El rizado de la corriente de la bobina disminuye. El rizado de la tensión de salida disminuye.

En una fuente conmutada de tipo forward con aislamiento y con red pasiva de disipación de la energía de magnetización del trasformador, para la elección del diodo zener de disipación debe tenerse en cuenta: El valor de la inductancia de choque. La tensión de salida de la fuente. El tiempo necesario para desmagnetizar el núcleo. Los tiempos de conmutación del transistor.

15. En una fuente conmutada de tipo Buck controlada en lazo cerrado con un circuito integrado tipo SG3524, ¿cómo afecta una disminución de la tensión de entrada al comportamiento en régimen estacionario de la fuente?. Aumenta la corriente de carga. Aumenta la corriente proporcionada por la fuente de entrada. Disminuye el ciclo de trabajo de la fuente conmutada. Disminuye la corriente de carga.

En el convertidor DC/DC de la figura la tensión de alimentación es VDC = 100 V, la carga consta de una resistencia y una inductancia de valor muy elevado, de forma que la corriente a través de ella se puede considerar constante, de valor 8 A. El interruptor S trabaja en conmutación, con una frecuencia de 10 kHz y un ciclo de trabajo δ = 0.3. Suponiendo que el interruptor y el diodo tienen características ideales, la potencia aparente de entrada del convertidor es aproximadamente: 800VA. 438VA. 240VA. 72VA.

El circuito térmico de un semiconductor de potencia con un disipador de calor acoplado está formado por la siguientes resistencias térmicas: Rth(j-c) = 1 ºK/W, Rth(cr) = 2 ºK/W, Rth(r-a) = 1 ºK/W. La temperatura ambiente es de 40 ºC y la potencia a disipar en el semiconductor es de 20 W. La temperatura de unión máxima es de Tj = 150 ºC. ¿Cual es la temperatura de la cápsula en estas condiciones?. 100ºC. 80ºC. 60ºC. 30ºC.

En los cálculos térmicos del semiconductor de potencia de un convertidor conmutado resulta un valor de la resistencia térmica radiador-ambiente negativo. ¿Cuál es el efecto de conectar varios semiconductores en paralelo?. Reducir la resistencia térmica del disipador acoplado a cada semiconductor de la asociación. Disminuir la potencia disipada en cada semiconductor de la asociación. Aumentar el rendimiento del convertidor. Reducir la corriente de carga del convertidor.

En un SCR, ¿qué representa la corriente de enclavamiento o enganche IL?: La corriente de ánodo a cátodo por debajo de la cual se bloquea. La corriente de fugas en bloqueo inverso. La corriente de ánodo a cátodo que debe alcanzar el SCR para mantenerse en conducción tras el disparo. La corriente de ánodo a cátodo por encima de la cual el SCR no se mantiene enconducción tras el disparo.

Un regulador de alterna con TRIAC alimenta una carga resistiva de 20 Ω a partir de un red de alterna de 220 V eficaces, 50 Hz. Si la caída de tensión en conducción en el TRIAC es VT = 1.5 V, la máxima potencia disipada en el TRIAC es, aproximadamente: 14.9 W. 10.5 W. 7.4 W. 5.3 W.

Para la excitación de un transistor BJT se emplea el circuito de la figura: Este circuito tiene las siguientes características: Conmutación a ON del BJT rápida y conmutación a OFF rápida. Conmutación a ON del BJT lenta y conmutación a OFF rápida. Conmutación a ON del BJT rápida y conmutación a OFF lenta. Conmutación a ON del BJT lenta y conmutación a OFF lenta.

¿Por qué motivo los transistores MOSFET de potencia pueden conectarse directamente en paralelo en un convertidor conmutado?. Por presentar un coeficiente de temperatura negativo entre los terminales de potencia. Por presentar un coeficiente de temperatura positivo entre los terminales de potencia. Por ser un dispositivo controlado por corriente. Ninguna de las anteriores.

En los transistores MOSFET de potencia trabajando en conmutación la corriente suministrada por el circuito de disparo debe ser de la siguiente forma: Pico positivo para conmutar a la zona óhmica, nula en la zona óhmica y pico negativo para conmutar a no conducción. Pico positivo para conmutar a la zona óhmica, valor de continua positivo en la zona óhmica y pico negativo para conmutar a no conducción. Pico negativo para conmutar a la zona óhmica, valor de continua positivo en la zona óhmica y pico positivo para conmutar a no conducción. Pico negativo para conmutar a la zona óhmica, nula en la zona óhmica y pico positivo para conmutar a no conducción.

A la hora de seleccionar el condensador de filtro de la etapa de salida de una fuente conmutada, ¿cual es la característica más restrictiva?. La ESR. La capacidad nominal. La tensión nominal. Todas son igualmente restrictivas.

¿Puede una fuente conmutada trabajar en lazo abierto?. Sí, aunque en ese caso la tensión de salida variará con las variaciones de la tensión de entrada y de la carga. Sí, manteniendo la tensión de salida constante frente a variaciones de la tensión de entrada. No, porque la fuente conmutada estaría trabajando en conducción discontinua. No, porque en ese caso la tensión media en extremos de la bobina de choque no sería nula.

En una fuente de alimentación de tipo forward alimentada a partir de una tensión continua Vi, la relación de transformación entre el devanado primario y el de desmagnetización tiene un valor N1/N3 = 1.5. Suponiendo que los semiconductores tienen características ideales, la tensión que debe soportar el transistor en bloqueo será aproximadamente: Vi. 1.5Vi. 2Vi. 2.5Vi.

En el circuito de la figura la alimentación es VDC = 100 V, la resistencia de carga es R = 1 Ω y el valor medio de la tensión aplicada a la carga es Vo(AV) = 40 V. Si se supone que el semiconductor de potencia (S) trabaja en conmutación y tiene características ideales, la potencia aplicada a la carga será: 4 kW. 3.2 kW. 1.6 kW. 10 kW.

Un circuito está formado por una fuente de alimentación de continua, un semiconductor de potencia trabajando en conmutación y una carga R – L, con un diodo de libre circulación conectado en paralelo. Para que el circuito trabaje en régimen estacionario se debe cumplir la siguiente condición: El valor medio de la tensión en extremos de la parte inductiva de la carga debe ser cero. El valor medio de la corriente de carga debe ser cero. La tensión de carga debe ser constante. La corriente de carga debe ser constante.

En las fuentes de alimentación conmutadas en configuración sin transformador, ¿qué relación hay entre los valores de tensión de salida y entrada?. La tensión de salida puede ser mayor, menor o igual a la de entrada. La tensión de salida es siempre mayor o igual a la de entrada. La tensión de salida es siempre menor o igual a la de entrada. La tensión de salida es siempre igual a la de entrada.

En una fuente de alimentación conmutada en configuración forward con devanado de desmagnetización del transformador, indicar lo que ocurre con la corriente de magnetización del transformador cuando deja de conducir el transistor: Provoca una sobretensión en el primario del transformador. Se transfiere al secundario del transformador. Se transfiere por el devanado de desmagnetización hacia la entrada de la fuente de alimentación. Circula por el devanado primario del transformador hacia la entrada de la fuente de alimentación.

Para el control en lazo cerrado de una fuente de alimentación en configuración Buck se emplea un circuito integrado SG3524. Teniendo en cuenta que en el circuito el terminal 12 (Colector 1) del SG3524 está cortocircuitado con el terminal 13 (Colector 2) y el terminal 11 (Emisor 1) del SG3524 está cortocircuitado con el terminal 14 (Emisor 2) y conectados a masa, indicar cuál de las siguientes afirmaciones es cierta: La frecuencia de la fuente conmutada es el doble que la del oscilador del SG3524. El máximo valor del ciclo de trabajo de la fuente conmutada es aproximadamente 1. El mínimo valor del ciclo de trabajo de la fuente conmutada es aproximadamente 0.5. El máximo valor del ciclo de trabajo de la fuente conmutada es aproximadamente 0.5.

En el circuito de la figura, la carga tiene una componente inductiva muy grande, de forma que la corriente a través de ella (Io) puede considerarse constante y de valor 10 A. El interruptor conmuta con una frecuencia de 1 kHz y con un ciclo de trabajo de 0.3. Si se consideran ideales los semiconductores ¿Cómo es la potencia de entrada con respecto a la potencia de salida?. Mayor, ya que en la entrada está presente durante todo el intervalo de conmutación la tensión de 100 V. Menor, ya que en la salida la corriente por la carga es constante. Iguales. Depende del valor del ciclo de trabajo.

Un convertidor electrónico de potencia alimenta una carga resistiva pura a partir de una alimentación de continua. Si se considera que los semiconductores tienen características ideales el factor de potencia a la entrada del convertidor será: Igual a 1. Menor de 1. Mayor de 1. Igual o menor de 1, dependiendo del valor del punto de trabajo del convertidor.

¿Cuál es la diferencia entre el circuito de excitación de puerta de un IGBT y el de un MOSFET de potencia?. El IGBT necesita una corriente de puerta mantenida en todo el intervalo de conducción y el MOSFET sólo necesita mantener la tensión. El IGBT precisa únicamente de un pulso para iniciar la conducción y luego se enclava en el funcionamiento y el MOSFET necesita mantener la tensión en todo el intervalo de conducción. El MOSFET necesita una corriente de carga de la capacidad de puerta en la conmutación a conducción y una corriente de descarga en la conmutación a bloqueo, mientras que el IGBT sólo necesita corriente en la conmutación a conducción. Ninguna.

En la fuente conmutada de tipo Forward de la figura, cuando el transistor está soportando una tensión de bloqueo de valor 2·Vi + VF ¿cuál es la tensión de ánodo a cátodo en el diodo D3 en ese intervalo?. 2·Vi + VDS. 2·Vi - VDS. -2·Vi + VDS. VF.

¿qué tensión ánodo-cátodo soporta el diodo D1 una vez la energía de magnetización del transformador se ha descargado completamente?. – Vi – VF. – Vi + VF. VF. -VF.

¿A qué es debida la inductancia de magnetización que aparece en el modelo del transformador real de una fuente conmutada de tipo forward? a) A b) c) A la necesidad de modelar la. A la necesidad de modelar el flujo de dispersión que se produce en los bobinados del transformador. A la necesidad de modelar las pérdidas por efecto Joule del transformador. A la necesidad de modelar la energía invertida en magnetizar el núcleo del transformador. Ninguna de las anteriores.

Una fuente de alimentación conmutada en configuración reductora se controla empleando el modulador PWM integrado SG3524. La señal de realimentación se toma de la salida de la fuente conmutada en el punto medio de un divisor de tensión formado por dos resistencias iguales de 10 kΩ. Dicha señal se compara con una tensión continua de referencia de 2.5 V. La tensión de salida de la fuente conmutada será, aproximadamente: 2.5 V. 5 V. 7.5 V. La tensión de salida no depende de la tensión de referencia.

Un convertidor electrónico de potencia está constituido por: Exclusivamente el circuito de potencia, que a su vez se construye con semiconductores de potencia. El circuito de potencia y el circuito de control. El circuito de potencia y los circuitos de excitación o disparo de los semiconductores que conforman el circuito de potencia. El circuito de potencia, los circuitos de excitación o disparo de los semiconductores de potencia y el circuito de control.

En la comparativa entre un semiconductor ideal y uno real, ¿en qué afecta el que la conmutación del dispositivo real no se haga en tiempo cero?. Exclusivamente en la frecuencia de conmutación máxima a la que puede funcionar. Exclusivamente en las pérdidas de potencia, que son mayores en un semiconductor real. Exclusivamente en las pérdidas de potencia, que son menores en un semiconductor real. En la frecuencia de conmutación máxima a la que puede funcionar y en las pérdidas de potencia.

Para bloquear un SCR que se encuentra en conducción es necesario realizar la siguiente operación: Aplicar un pulso de corriente negativo en el terminal de puerta. Reducir la tensión anódica por debajo del valor VGT. Reducir la corriente anódica por debajo del valor IH. Reducir la corriente anódica por debajo del valor IL.

¿El SOA de un MOSFET de potencia es más reducido que el de un transistor bipolar de potencia?. Sí, debido a la menor corriente en conducción. Sí, debido a la menor tensión en corte. Sí, debido al fenómeno de segunda ruptura. No.

Indicar cuál de las siguientes afirmaciones sobre transistores MOSFET de potencia es cierta: Se controlan mediante la tensión aplicada entre los terminales de puerta y drenador. Presentan un coeficiente de temperatura negativo. Las pérdidas de potencia en conmutación son proporcionales al valor RDS(on). Ninguna de las anteriores.

En un convertidor Forward, si la inductancia de magnetización del transformador aumenta ¿qué efecto tiene sobre el comportamiento de la fuente?. El devanado terciario debe tener menos espiras que el primario. El devanado secundario debe tener las mismas espiras que el primario. La corriente máxima por el devanado secundario disminuye. La corriente máxima por el devanado primario disminuye.

En una fuente de alimentación conmutada en configuración Buck el factor de regulación de línea se define de la siguiente forma: Relación entre la potencia de salida y la potencia de entrada. Relación entre la variación de la tensión de salida y la variación del ciclo de trabajo. Relación entre la variación de la tensión de salida y la variación de la tensión de entrada. Relación entre la variación de la tensión de salida y la variación de la corriente de carga.

Determinar qué afirmación de las que se relacionan es falsa, cuando se habla del comportamiento de una bobina que se encuentra en un circuito que trabaja en conmutación y está en estado estacionario: La corriente al principio y al final del periodo de conmutación toma el mismo valor. El valor medio de la corriente a través de la bobina es cero. El valor medio de la corriente a través de la bobina es distinto de cero. El valor medio de la tensión en extremos de la bobina es cero.

Un semiconductor de potencia se emplea en una determinada aplicación haciéndole trabajar en régimen de conmutación. Indicar cuál de las siguientes afirmaciones es falsa: En el estado de bloqueo, el semiconductor soporta una tensión entre los terminales de potencia que depende del circuito en el que se encuentra. En el estado de conducción, la caída de tensión entre los terminales de potencia del semiconductor depende de sus propias características. En el estado de bloqueo, la corriente a través del semiconductor depende de las características del propio semiconductor. En el estado de conducción, la corriente a través del semiconductor depende de las características del propio semiconductor.

En un convertidor Forward se sustituye el transformador por otro cuya inductancia de magnetización es mayor. ¿Qué efecto tiene sobre el comportamiento de la fuente de alimentación conmutada?. El devanado de desmagnetización debe tener menos espiras que el primario. El devanado secundario no puede tener las mismas espiras que el primario. El valor medio de la corriente por el devanado secundario disminuye. El valor medio de la corriente por el devanado de desmagnetización disminuye.

Mediante un interruptor de potencia se conecta una fuente de continua de 100 V a una carga RL de valores R = 10 Ω y L = 100 mH. Si el circuito parte del reposo determinar el tiempo que transcurrirá desde que se conecta el interruptor hasta que la corriente a través de la carga alcance el 95% de su valor final. 10ms. 30ms. 50ms. 100ms.

¿Cuál de los siguientes tipos de diodo de potencia es el más adecuado para ser utilizado en la implementación del puente completo de un rectificador de doble onda semicontrolado?. Diodo de propósito general. Diodo rápido de recuperación rápida. Diodo rápido de recuperación suave. Diodo Schottky.

Indicar qué forma tiene la corriente de puerta de un IGBT trabajando con una frecuencia de conmutación f, un periodo T y un ciclo de trabajo δ: Nula en todo momento. Continua positiva entre 0 y δT y nula entre δT y T. Pico positivo en la conmutación a ON y nula el resto del periodo. Pico positivo en la conmutación a ON, pico negativo en la conmutación a OFF y nula el resto del periodo.

¿Qué ocurre en una fuente de alimentación conmutada trabajando en conducción continua y régimen estacionario cuando aumenta el valor óhmico de la resistencia de carga, suponiendo que los componentes tienen características ideales?. Aumenta el rizado de la corriente en la bobina de choque. Disminuye el rizado de la corriente en la bobina de choque. Puede pasar a trabajar en conducción discontinua. Aumenta el rizado de la tensión de salida.

¿Qué ocurre en una fuente conmutada de tipo Boost (elevadora) si el ciclo de trabajo es menor de 0.5?. La tensión de salida es mayor que el doble de la de entrada. La tensión de salida es igual a la de entrada. La tensión de salida es mayor que la de entrada. La tensión de salida es menor que la de entrada.

¿Como puede medirse de forma práctica el rizado de la tensión de salida en una fuente de alimentación conmutada tipo Buck?. Mediante un multímetro, seleccionando la medida de tensiones DC. Mediante un multímetro, seleccionando la medida de tensiones AC. Mediante un osciloscopio, seleccionando el acoplamiento en DC. Mediante un osciloscopio, seleccionando el acoplamiento en AC.

¿Qué ventaja presenta la fuente conmutada tipo forward frente a una configuración formada por una fuente no estabilizada y un convertidor buck?. El rizado de la tensión de salida es menor. El rectificador de la fuente no estabilizada soporta una tensión menor. El núcleo del transformador es menor. El transistor de conmutación soporta una tensión menor.

En un convertidor electrónico de potencia ¿qué problema puede ocasionar una variación rápida de la corriente a través de una rama de un circuito?. La aparición de una sobretensión debido a inductancias en la rama. La aparición de una sobretensión debido a capacidades en la rama. El aumento de la constante de tiempo de la rama del circuito. Ninguna de las anteriores.

¿Qué ventaja presenta un transistor darlington integrado frente a un transistor único?. La caída de tensión colector-emisor en conducción es menor. El tiempo de conmutación a conducción es menor. El tiempo de conmutación a bloqueo es menor. La ganancia de corriente es mayor.

En un SCR, ¿qué representa la corriente de mantenimiento IH?. La corriente anódica por debajo de la cual se bloquea. La corriente anódica de fugas en bloqueo inverso. La corriente anódica por debajo de la cual el SCR no se mantiene en conducción en el disparo. La corriente anódica por encima de la cual el SCR no se mantiene en conducción en el disparo.

Una fuente de alimentación conmutada en configuración forward trabaja en régimen estacionario y conducción continua. Si la tensión de salida es de 5 V, la corriente media de salida máxima de 25 A y la mínima de 2 A, el máximo rizado de la corriente en la bobina de choque podrá ser: 2 A. 4 A. 12.5 A. 23 A.