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762.- HABLANDO DE UPS ¿ EN BASE A QUE SE PONDERÁ, LA CAPACIDAD DE ALMACENAMIENTO DEL BANCO DE BATERIAS?. EN LA CANTIDAD DE EQUIPOS CONECTADOS AL UPS. EN LA PROBABILIDAD DE UN APAGON DE DURACION ESPECIFICA. EN LA DEMANDA DE CORRIENTE DE ACUERDO A LA INFRAESTRUCTURA ALIMENTADA. EN LA CANTIDAD DE CARGAS CONECTADAS.

763.- HABLANDO DE DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES, LOS DISPOSITIVOS BIPOLARES (PORTADORES MINORITARIOS) TAMBIEN HAY UNA CONCESION ENTRE LAS PERDIDAS DE ESTADO ACTIVO Y LAS VELOCIDADES DE. CONMUTACION. SWITCHEO. RECUPERACIÓN. INTERCAMBIO.

764.- ¿CUANDO FLUYE LA CORRIENTE ELECTRICA EN UN MATERIAL?. SI CONTIENE PORTADORES DE CARGA LIBRES. CUANDO EXISTE UNA DIFERENCIA DE ENERGIA POTENCIAL. CUANDO SE CUANTA CON UN ESTADO VACANTE EN LA CAPA DE VALENCIA. CUANDO EXISTE UN CAMPO ELECTRICO.

765.- POR LO GENERAL ¿CUALES SON LOS PORTADORES DE CARGA LIBRES?. NEUTRONES. PROTONES. PARTICULAS CON VACANTES EN LA CAPA DE VALENCIA. ELECTRONES.

766.- ¿CUAL ES LA DENSIDAD DE ELECTRONES LIBRES EN METALES COMO COBRE Y PLATA?. EN EL ORDEN DE 10²³ CM -³. EN EL ORDEN DE 20²³ CM -³. EN EL ORDEN DE 1²³ CM -³. EN EL ORDEN DE 5²³ CM -³.

767.- ¿CUAL ES LA DENSIDAD DE ELECTRONES LIBRES EN METALES COMO CUARZO U OXIDO DE ALUMINIO?. EN EL ORDEN DE 10²³ CM -³. EN EL ORDEN DE 20²³ CM -³. EN EL ORDEN DE 1²³ CM -³. EN EL ORDEN DE 5²³ CM -³.

768.- DEBIDO A LA DENSIDAD DE ELECTRONES LIBRES EN EL SILICIO O EN EL ARSENIURO DE GALIO LA CUAL ES INTERMEDIA ENTRE UN AISLANTE Y UN METAL ¿SE LES LLAMA?. SEMICONDUCTORES. AISLANTES. CONDUCTORES. ELEMENTOS PASIVOS.

769.- ¿CUAL ES EL RANGO DE LA DENSIDAD DE ELECTRONES LIBRES EN LOS SEMICONDUCTORES?. DE 5^8 A 20^19 CM^-3. DE 10²³ CM -³. DE 10^8 A 10^19 CM^-3. DE 15^19 CM^-3.

770.- EN UN METAL O UN AISLANTE, LA DENSIDAD DE PORTADORES LIBRES ES UNA CONSTANTE DEL MATERIAL ¿POR LO QUE NO SE PUEDE?. ALTERAR DE MANERA SIGNIFICATIVA. AUMENTAR SU CANTIDAD DE ELECTRONES LIBRES. DISMINUIR EN VOLUMEN. CAMBIAR EN UN GRADO SIGNIFICATIVO.

771.- ¿COMO SE PUEDE CAMBIAR LA DENSIDAD DE PORTADORES LIBRES EN UN SEMICONDUCTOR?. ALTERARANDO DE MANERA SIGNIFICATIVA LA CANTIDAD DE PROTONES. AUMENTAR SU CANTIDAD DE ELECTRONES LIBRES. POR INTRODUCCION DE IMPUREZAS O POR LA APLICACION DE CAMPOS ELECTRICOS. MEDIANTE LA IONIZACIÓN.

774.- ¿QUE ES LO QUE CREA LA IONIZACION TERMICA?. ALTERA DE MANERA SIGNIFICATIVA LA CANTIDAD DE PROTONES. AUMENTA LA CANTIDAD DE ELECTRONES LIBRES. CREA UN ELECTRON LIBRE Y DEJA ATRAS UNA CARGA POSITIVA FIJA SOBRE EL NUCLEO DEL ATOMO. UNA IONIZACIÓN EN LA ZONA DE RUPTURA.

772.- ESTA CAPACIDAD PARA MANIPULAR LA DENSIDAD DE PORTADORES LIBRES EN GRANDES CANTIDADES ES LO QUE HACE DEL SEMICONDUCTOR UN MATERIAL TAN ________ Y UTIL PARA LAS APLICACIONES ___?. EFICIENTE - ELECTRONICAS. NECESARIO - ELECTRICAS. UNICO - ELECTRICAS. CONFIABLE - ELECTRONICAS.

773.- ¿CUANTOS ELECTRONES DE BALENCIA TIENE EL SILICIO?. CUATRO. SEIS. TRES. CINCO.

775.- ¿CUANTOS ELECTRONES DE BALENCIA TIENE EL BORO?. 4. 6. 3. 5.

776.- AL TENER MAS HUECOS LIBRES EN EL SILICIO, SE LE LLAMA PORTADORES: DONANTES. MAYORITARIOS. SUPERIOES. CONDUCTORES.

777.- AL TENER MAS ELECTRONES LIBRES EN EL SILICIO, SE LE LLAMA PORTADORES: DONANTES. MAYORITARIOS. SUPERIOES. MINORITARIOS.

778.- ¿COMO SE LE CONOCE A UN SEMICONDUCTOR DOPADO?. INTRINSECO. EXTRINSECO. NEUTRAL. ALTERADO.

779.- ¿UN SEMICONDUCTOR DOPADO (EXTRINSECO) ES ELECTRICAMENTE?. NEGATIVO. POSITIVO. NEUTRAL. ALTERADO.

780.- EN TERMINOS SENCILLOS, LOS PORTADORES MINORITARIOS SON MAS ENERGETICOS CON TEMPERATURAS MAS ______, Y POR TANTO ES UN POCO MENOS PROBABLE QUE LOS CAPTURE UN CENTRO DE RECOMBINACION. BAJAS. ALTAS. ESTABLES. EXTREMAS.

781.- ¿CUALES SON LOS METODOS COMUNES DE CONTROL DEL TIEMPO DE VIDA DE UN SEMICONDUCTOR?. DOPAJE CON ORO E IRRADIACION DE ELECTRONES. INYECCION DE ELENTOS CON ELECTRONES LIBRES. DOPAJE CON PLATA. DISMINUIR LA CANTIDAD DE ELEMTOS PORTADORES.

782.- ¿CUANTOS SON LOS METODOS COMUNES DE CONTROL DEL TIEMPO DE VIDA DE UN SEMICONDUCTOR?. CUATRO. DOS. TRES. CINCO.

783.- EN UN SEMICONDUCTOR DOPADO ¿QUE SUCEDE CONFORME SEA MAS ALTA LA DENSIDAD DEL DOPAJE DE ORO?. EL TIEMPO DE VIDA DEL SEMICONDUCTOR AUMENTARA. LA CAPACIDAD DE CONDUCTIVIDAD SERA MAYOR. MAS CORTOS SERAN LOS TIEMPOS DE VIDA DEL SEMICONDUCTOR. LA CAPACIDAD DE CONDUCTIVIDAD SERA MAS PEQUEÑA.

784.- HABLANDO DE UN SEMICONDUCTOR, SE DEFINE COMO LA SUMA DEL FLUJO NETO DE HUECOS EN EL SENTIDO DE LA CORRIENTE Y EL FLUJO NETO DE ELECTRONES EN EL SENTIDO OPUESTO. FLUJO DE CORRIENTE. LA CAPACIDAD DE CONDUCTIVIDAD. DENSIDAD DE FLUJO ELECTRICO. CONDUCTIVIDAD.

785.- ¿POR CUANTOS MECANISMOS SE DICE QUE SE MUEVEN LOS PORTADORES LIBRES?. POR TRES. POR DOS. POR CUATRO. POR CINCO.

786.- ¿A QUE ES PROPORCIONAL LA VELOCIDAD DE ARRASTRE?. A LA FUERZA DE ATRACCION. A LA DENSIDAD DE FLUJO. A LA FUERZA DEL CAMPO ELECTRICO. A LA CANTIDAD DE ELECTRONES LIBRES.

787.- SI HAY UNA VARIACION EN LA DENSIDAD ESPACIAL DE DE PORTADORES DESDE REGIONES DE MAYOR CONCENTRACION HACIA REGIONES DE MENOR CONCENTRACION ¿COMO SE LE LLAMA A ESTE MOVIMIENTO?. DIFUSIÓN. VELOCIDAD DE ARRASTRE. ATRACCIÓN. SATURACION DE LA CAPA DE BALENCIA.

788.- ES LA UNION QUE SE FORMA CUANDO UNA REGION DE TIPO N EN UN CRISTAL DE SILICIO ESTA ADYACENTE O CONTIGUA A UNA REGION DE TIPO P EN EL MISMO CRISTAL. UNION P+N. VELOCIDAD DE ARRASTRE. UNION PN. UNION PNP.

789.- SI LA DENSIDAD DEL RECEPTOR EN EL LADO DE TIPO P ES MUY GRANDE EN COMPARACION CON LA DENSIDAD DEL DONANTE EN EL LADO DE TIPO N, LA UNION A VECES SE DENOMINA: UNION P+N. VELOCIDAD DE ARRASTRE. UNION PN. UNION PNP.

790.- CUANDO EL FLUJO DE HUECOS Y EL FLUJO DE ELECTRONES POR SEPARADO SUMAN CERO, EN LUGAR DE QUE SOLO LA CORRIENTE TOTAL SEA CERO ¿SE DICE QUE ESTA EN?. UNION P+N. REPOSO. EQUILIBRIO. UNION PNP.

791.- SI EL POTENCIAL APLICADO ES POSITIVO EN EL LADO P SE OPONE AL POTENCIAL DE CONTACTO Y REDUCE LA ALTURA DE LA BARRERA DE POTENCIAL, Y SE DICE QUE LA UNION ES DE POLARIZACION: LINEAL. INVERSA. DIRECTA. ALTERNA.

792.- CUANDO LA TENSION APLICADA HACE QUE EL LADO N SEA MAS POSITIVO, SE DICE QUE LA UNION ES DE POLARIZACION: LINEAL. INVERSA. DIRECTA. ALTERNA.

793.- ¿COMO SE LE LLAMA AL INCREMENTO RAPIDO DE CORRIENTE CON LA TENSION DE POLARIZACION INVERSA?. LINEAL. RUPTURA INVERSA. SATURACIÓN. RUPTURA DE AVALANCHA.

794.- EN FISICA DE SEMICONDUCTORES,¿DE QUE OTRA MANERA SE LE DICE A LA RUPTURA INVERSA?. LINEAL. RUPTURA INVERSA. SATURACIÓN. RUPTURA DE AVALANCHA.

795.- ¿QUE ES LO QUE PUEDE PROVOCAR EN UN DIODO SI SE OPERA POR UN LARGO TIEMPO EN POLARIZACION INVERSA?. UN INCREMENTO LINEAL EN LA TEMPERATURA. DESTRUCCION DEL MISMO. SE PUEDE LLEGAR A DESTRUIR EL DISPOSITIVO. RUPTURA DE AVALANCHA.

797.- SI UN ELECTRON LIBRE CON SUFICIENTE ENERGIA CINETICA CHOCA CON ATOMO DE SILICIO, PUEDE ROMPER UN ENLACE COVALENTE ¿LIBERANDO UN?. ION. ELECTRON DE ENLACE. NEUTRON. ELEMENTO ACEPTADOR DE IMPUREZAS.

798.- ¿CUANTO ES APROXIMADAMENTE LA MASA (M) DEL ELECTRON?. 10^-27 G. DE 10^8 A 10^19 CM^-3. DE 10³ CM -³. DE 10^-12 A 10^-14 S.

799.- ¿CUAL ES EL TIEMPO MEDIO ENTRE COLISION DE ELECTRONES CON RETICULO?. 10^-27 G. DE 10^8 A 10^19 CM^-3. DE 10³ CM -³. DE 10^-12 A 10^-14 S.

800.- ¿DE QUE DEPENDE LA TENSION DE RUPTURA DE AVALANCHA BVBD?. DE LA CANTIDAD DE ELEMENTOS LIBRES. DE LOS HUECOS. DEL PERFIL DE DOPAJE. DE LA TEMPERATURA.

801.- EL DOPAJE INTENCIONAL DEL SEMICONDUCTOR POR IMPUREZAS OCASIONA QUE LA DENSIDAD DE _________Y ELECTRONES SEA ENORMEMENTE ___. ELEMENTOS LIBRES - MAYOR. HUECOS - DISTINTA. PORTADORES - MENOR. FLUJO - DISTINTA.

802.- LA DENSIDAD DE PORTADORES MINORITARIOS AUMENTA EXPONENCIALMENTE CON LA: TEMPERATURA. CANTIDAD DE ELEMENTOS LIBRES. POTENCIA. CANTIDAD DE HUECOS.

803.- ¿CUAL ES LA COMPLEJIDAD ADICIONAL PROVENIENTE DE LA MODIFICACION DE DISPOSITIVOS SENCILLOS DE POTENCIA BAJA?. EL AUMENTO DE TEMPERATURA. ADAPTARLOS A APLICACIONES DE ALTA POTENCIA. EL LIMITE POTENCIA. EL PERFIL DE DOPAJE.

804.- ¿ A QUE SE REFIERE CON MODIFICACIONES DE NATURALEZA ESENCIALMENTE GENERICAS EN LOS DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES DE POTENCIA BAJA?. POR MEDIO DE DIFUSIONES DE IMPUREZAS ENMASCARADAS. ACTUAR SOBRE LA REGION N. QUE ES LA MISMA MODIFICACION QUE SE HACE EN TODOS LOS DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES. REALIZAR EL DOPAJE DE ESTOS DISPOSITIVOS.

805.- ¿CON QUE DISPOSITIVO EMPIEZA EL ESTUDIO DE LOS DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES DE POTENCIA?. CON EL DIODO. CON EL SILICIO. CON EL GERMANIO. CON EL TRANSISTOR.

806.- ¿POR QUE MOTIVO EL ESTUDIO DE LOS DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES DE POTENCIA EMPIEZA CON EL DIODO, INCLUYENDO LOS DISPOSITIVOS DE UNION PN COMO LOS DE BARRERA DE SCHOTTKY?. POR ESTUDIAR SU ESCTRUCTURA RESULTA MENOS COMPLEJA. PARA COMPRENDER LOS DEMAS DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES. POR QUE SON LOS DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES MAS SENCILLOS. POR QUE SON LA BASE DE LOS DISPOSITIVOS ELECTRONICOS.

807.- SI SE ENTIENDE PRIMERO CON CLARIDAD LAS CARACTERISTICAS DEL DIODO ¿QUE SE LOGRA HACER MUCHO MAS FACIL?. COMPRENDER LOS DEMAS DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES. COMPRENDER LA RAZON DE LOS TERMINOS SATURACIÓN Y RUPTURA. ENTENDER EL FENOMENO DE DOPAJE. ANALIZAR LOS MOTIVOS DEL REGIMEN DE AVALANCHA.

808.- HABLANDO DE FISICA DE SEMICONDUCTORES, ¿EN QUE REGION DE UNA UNION PN SE LOGRA FORMAR EL ANODO DEL DIODO?. EN LA REGION P NATURAL. EN LA REGION N INTRINSECA. EN LA REGION N MUY DOPADA. EN LA REGION P MUY DOPADA.

809.- LA CAPA N- QUE SUELE LLAMARSE REGION DE ARRASTRE, SOLO SE ENCUENTRA EN LOS DIODOS DE POTENCIA: BAJA. MEDIA. CONSTANTE. ALTA.

810.- ¿QUE GENERAN LAS GRANDES CORRIENTES EN UN DIODO DE POTENCIA?. UN ALTO DOPAJE EN LA REGION N DE LA UNION. CAIDAS OHMICAS QUE OCULTAN LAS CARACTERISTICAS EXPONENCIALES I-V. ALCANZAR EL VOLTAJE DE SATURACIÓN V-I. BAJA CANTIDAD DE ELECTRONES LIBRES EN LA CAPA DE BALENCIA.

811.- LA COMBINACION DE UNA TENSION GRANDE CON RUPTURA Y UNA CORRIENTE GRANDE LLEVA A LA DISIPACION EXCESIVA DE POTENCIA QUE PUEDE DESTRUIR EL DISPOSITIVO CON RAPIDEZ. POR ESTA RAZON SE DEBE EVITAR LA OPERACION DEL DIODO EN ________. INVERSA. DIRECTA. RUPTURA. SATURACIÓN.

812.- CUANDO SE HABLA DE UN DIODO ¿QUE SE ENTIENDE POR DIODO NPT?. NEUTRO POSITIVO TRANSITORIO. DE PERFORACIÓN. DE NO PERFORACIÓN. DOTADO DE IMPUREZAS.

813.- ¿QUE NIVEL DE DOPAJE REQUIERE APROXIMADAMENTE UNA TENSION DE RUPTURA DE 1000 V?. DE 10^8 A 10^19 CM^-3. DE 10^14 CM^-3 O MENOS. DE 10^-12 A 10^-14 S. DE 10^-27 G.

814.- ¿COMO SE FORMAN LAS UNIONES EN LOS DISPOSITIVOS REALES (COMO LO ES EL DIODO)?. POR MEDIO DE DIFUSIONES DE IMPUREZAS ENMASCARADAS. MEDIANTE EL DOPAJE DEL ELEMNTO INTRINSECO. POR DE LA ADICION DE IMPUREZAS. DE LA REDUCION DE IONES DE EXCEDENTES (LIBRES).

815.- ¿DE QUE DEPENDE LA CANTIDAD DE CURVATURA, ESPECIFICADA POR EL RADIO DE CURVATURA EN UNA UNION PN?. DE LA CANTIDADE IMPUREZAS INYECTADAS. DEL TAMAÑO DE LA ZONA DE DEGRADACIÓN. DEL TAMAÑO DE MASCARA DE DIFUSION LA LONGITUD DEL TIEMPO DE DIFUSION Y MAGNITUD DE LA TEMPERATURA. DE LA REDUCION DE IONES DE EXCEDENTES (LIBRES).

816.- LOS ESTUDIOS DE MODELAJE CON UNA UNION PN CILINDRICA DEL RADIO R INDICAN QUE EL RADIO DEBE SER ____ O MAS VECES MAYOR QUE EL ESPESOR DE LA ZONA DE DEGRADACION, EN LA RUPTURA, DE UNA UNION DE PLANO PARALELO COMPARABLE PARA MANTENER LA TENSION DE RUPTURA DE LA UNION CILINDRICA DENTRO DE ____% DE LA TENSION DE RUPTURA DE LA UNION PLANO-PARALELA. DOS - 40. SEIS - 90. TRES - 45. CUATRO - 80.

817.- ¿QUE METODO SE USA PARA EL CONTROL DE LA ZONA DE DEGRADACION?. EL ANILLO DE GUARDA. AUMENTO DE LA TEMPERATURA DE DOPAJE. DELIMITACIÓN DE ELECTRONES LIBRES. EL USO DE CAPAS DE CAMPO.

818.- EN UN DIODO DE UNION PN SIRVE PARA CONTROLAR LA CURVATURA DEL LIMITE DE LA ZONA DE DEGRADACION A FIN DE EVITAR QUE SE REDUZCAN LAS TENSIONES DE RUPTURA. EL ANILLO DE GUARDA. AUMENTO DE LA TEMPERATURA DE DOPAJE. DELIMITACIÓN DE ELECTRONES LIBRES. EL USO DE CAPAS DE CAMPO.

819.- EN SEMICONDUCTORES, ¿COMO ES LA ESTRUCTURA DE UNA UNION METALURGICA?. PLANO/PARALELA. HORIZONTAL/ LINEAL. PLANA/ RESONANTE. VERTICAL /CUAZIRESONANTE.

820.- ¿A QUE AYUDA EL RECUBRIMIENTO DE LAS SUPERFICIES DE MUESTRAS CON MATERIALES APROPIADOS COMO LO SON EL DIOXIDO DE SILICIO U OTRO AISLANTE?. CONTROLAR LOS CAMPOS ELECTRICOS EN LA SUPERFICIE. AUMENTO DE LA TEMPERATURA DE DOPAJE. MEJORAR LA DELIMITACIÓN DE ELECTRONES LIBRES. PERMITIR EL USO DE CAPAS DE CAMPO.

821.- HABLANDO DE MODULACION DE CONDUCTIVIDAD ¿CUANDO OCURRE LA DISIPACION DE POTENCIA EN UN DIODO?. MIENTRAS SE ENCUENTRE POLARIZADO EN INVERSA. CUANDO SE ENCUENTRA CONDUCIENDO. CUANDO ESTA EN ESTADO ACTIVO. MIENTRAS SE ENCUENTRE POLARIZADO EN DIRECTA.

822.- EN UN DIODO DE UNION PN CON ANILLOS DE GUARDA, ¿EN QUE AYUDAN LOS ANILLOS DE GUARDA DENTRO DE LA ZONA DE DEGRADACION?. EL USO DE CAPAS DE CAMPO. AL ANALISIS DE IMPACTO SOBRE PERDIDA DE ESTADO ACTIVO. IMPIDE QUE TENGA UN RADIO DE CURVATURA DEMASIADO PEQUEÑO. A CONTROLAR LOS CAMPOS ELECTRICOS EN LA SUPERFICIE.

823.- ¿COMO SE CONSIDERA LA TENSION DE POLARIZACION DIRECTA EN UN DIODO DE UNION PN?. MENOR QUE EN LA UNION NP. APROXIMADAMENTE CONSTANTE. CON UN INCREMENTO LINEAL. TOTALMENTE VARIABLE.

824.- ¿DE CUANTO ES EL VOLTAJE QUE SE CONSIDERA CONSTANTE EN UN DIODO DE SILICIO?. DE 0.7 A 1.0 V. DE 0.3 A 0.7 V. DE 0.4 A 1.0 V. DE .0.3 A 1.0 V.

825.- ¿COMO SE CALCULARIA LA DISIPACION EN ESTADO ACTIVO DE UN DIODO DE SILICIO?. P = 0.3 I. P = 0.7 R. P = 0.7 I. V= 0.7 I.

826.- EL ANALISIS DE IMPACTO SOBRE PERDIDA DE ESTADO ACTIVO RESUME VARIAS CARACTERISTICAS IMPORTANTES DE LAS PERDIDAS EN ESTADO ACTIVO NO SOLO DE DIODOS, SINO TAMBIEN DE OTROS DISPOSITIVOS BASADOS EN PORTADORES ___, COMO TRANSISTORES DE UNION BIPOLAR Y _____. MINORITARIOS - MOSFET. MAYORITARIOS - JFET. NEUTROS - TIRISTORIES. MINORITARIOS - TIRISTORES.

827.- ¿QUE SUCEDE EN LOS DISPOSITIVOS BIPOLARES Y DE PORTADORES MAYORITARIOS CONFORME AUMENTA LA TENSION DE RUPTURA?. ES POSIBLE QUE ACTUEN COMO UN CONDENSADOR. AUMENTA SU CAPACIDAD DE CONDUCIR EN CONDICIONES MINIMAS. IMPIDE QUE TENGA UN RADIO DE CURVATURA DEMASIADO PEQUEÑO. SUFREN REDUCCIONES EN SUS CAPACIDADES DE CONDUCCION DE CORRIENTE.

828.- EN ELECTRONICA DE POTENCIA, ¿CUALES SON LOS DISPOSITIVOS PREFERIDOS PARA TRABAJAR CON TENSIONES DE BLOQUEO MAYORES (DE VARIOS CIENTOS DE VOLTIOS O MAS)?. INTERRUPTORES CONTROLADOS POR ALTA TENSION. DISPOSITIVOS BIPOLARES. DISYUNTORES. CONVERTIDORES DE FRECUENCIA FIJA.

829.- UN DIODO DE POTENCIA REQUIERE UN TIEMPO FINITO PARA CONMUTAR DEL ESTADO DE BLOQUEO (POLARIZACION ________) AL ESTADO ACTIVO (POLARIZACION _______) Y VICEVERSA. INVERSA - DIRECTA. DIRECTA - INVERSA. LINEAL - DESFASADA. ACTIVA - INACTIVA.

830.- EL USUARIO DE UN DIODO DE POTENCIA SE DEBE PREOCUPAR NO SOLO DEL TIEMPO REQUERIDO DE TRANSICIONES, SI NO TAMBIEN DE: SUS CAPACIDADES DE CONDUCCION DE CORRIENTE. COMO SE COMPORTA EN ESTADO DE RUPTURA. COMO VARIA LA TENSION Y LA CORRIENTE DEL DIODO DURANTE LAS TRANSICIONES. LA CANTIDAD DE ENERGIA DISIPADA DURANTE SU FUNCIONAMIENTO.

831.- ¿EN DONDE SE PUEDEN VISUALIZAR LAS PROPIEDADES DE CONMUTACION DE UN DIODO?. EN LAS HOJAS DE CARACTERISTICAS TECNICAS. EN LAS HOJAS DE ESPECIFICACIONES. EN LAS HOJAS DE DATOS. EN EL DATA SHEET.

832.- EN FISICA DE SEMICONDUCTORES, ¿CUANTOS PROCESOS FISICOS OCURREN DURANTE LA PARTE DE ENCENDIDO DE LAS FORMA DE ONDA DEL DIODO ?. DOS. TRES. UNO. CUATRO.

833.- DURANTE EL TRANSITORIO DE ENCENDIDO DE UN DIODO, UNO DE LOS PROCESOS FISICOS QUE SUCEDEN ES QUE LA CARGA DE ESPACIO ALMACENADA EN LA REGION DE DEGRADACION SE RETIRA ¿ESTO DEBIDO AL CRECIMIENTO DE ?. LA SATURACION. LA CORRIENTE DIRECTA. LA TENSION. LA CORRIENTE DEL DIODO DURANTE LAS TRANSICIONES.

834.- HABLANDO DEL TRANSITORIO DE ENCENDIDO DE UN DIODO ¿COMO SE MODELA LA ZONA DE DESPOBLACION EN CONDICIONES DE POLARIZACION INVERSA?. COMO CONDENSADOR. EN ESTADO ACTIVO. MEDIANTE LAS PROPIEDADES INTRINSECAS DEL DIODO. CONTROLANDO LA CORRIENTE DEL DIODO DURANTE LAS TRANSICIONES.

835.- DURANTE EL TRANSITORIO DE ENCENDIDO DE UN DIODO, CONFORME LA CORRIENTE DIRECTA CRECE CON EL TIEMPO, EXISTE UNA CAIDA DE TENSION CADA VEZ MAS GRANDE A TRAVES DE LA REGION DE: SATURACION. DERIVA. RUPTURA. DE DOPAJE.

836.- ¿MEDIANTE QUE SE DETERMINA LA DURACION DE LA DESCARGA DE LA CAPA DE CARGA ESPACIAL Y EL CRECIMIENTO DE LA DISTRIBUCION DE PORTADORES EXCEDENTES EN LA REGION DE ARRASTRE?. CONSIDERAN LA CANTIDAD EXISTENTE DE ELECTRONES. POR LA CANTIDA DE ELEMENTOS RECEPTORES LIBRES. POR LAS PROPIEDADES INTRINSECAS DEL DIODO. CONTROLANDO LA CORRIENTE DEL DIODO DURANTE LAS TRANSICIONES.

837.- ADEMAS DE LAS PROPIEDADES INTRINSECAS DEL DIODO ¿MEDIANTE QUE OTRA MANERA SE DETERMINA LA DURACION DE LA DESCARGA DE LA CAPA DE CARGA ESPACIAL Y EL CRECIMIENTO DE LA DISTRIBUCION DE PORTADORES EXCEDENTES EN LA REGION DE ARRASTRE?. CONSIDERAN LA CANTIDAD EXISTENTE DE ELECTRONES. POR LA CANTIDA DE ELEMENTOS RECEPTORES LIBRES. POR EL CIRCUITO EXTERNO EN EL CUAL ESTA INCRUSTADO. A TRAVES DE LA CORRIENTE DEL DIODO DURANTE LAS TRANSICIONES.

838.- HABLANDO DEL TRANSITORIO DE ENCENDIDO DE UN DIODO ¿QUE ES LO QUE REDUCE UN VALOR GRANDE DE DI/DT?. LA CANTIDAD EXISTENTE DE ELECTRONES. LOSELEMENTOS RECEPTORES LIBRES. EL CIRCUITO EXTERNO EN EL CUAL ESTA INCRUSTADO. EL TIEMPO REQUERIDO PARA LA DESCARGA DE LA CAPA DE CARGA ESPACIAL.

839.- ¿EN QUE RANGO ESTAN LOS VALORES DE T1 EN LOS TIEMPOS DE CONMUTACION DE DIODOS DE ALTA POTENCIA?. EN EL RANGO DE LOS CIENTOS DE NANOSEGUNDOS. EN EL RANGO DE MILISEGUNDOS. EN EL UMBRAL DE CIENTOS DE PICO SEGUNDOS. EN EL RANGO DE LOS SEGUNDOS.

840.- HABLANDO DE FISICA DE SEMICONDUCTORES, ¿EN QUE RANGO ESTAN LOS VALORES DE T2 EN LOS TIEMPOS DE CONMUTACION DE DIODOS DE ALTA POTENCIA?. EN EL RANGO DE LOS CIENTOS DE NANOSEGUNDOS. EN EL RANGO DE MICRO SEGUNDOS. EN EL UMBRAL DE CIENTOS DE PICO SEGUNDOS. EN EL RANGO DE LOS SEGUNDOS.

841.- ¿CUAL ES LA CONSECUENCIA DE CREAR UN DISPOSITIVO CON TIEMPOS DE ENCENDIDO MAS RAPIDOS?. LIMITANTE EN CAPACIDAD DE CONDUCTIVIDA. MAYOR DISIPACION DE TEMPERATURA. REDUCION DE TIEMPO DE VIDA. MINIMIZAR EL TIEMPO DE VIDA.

842.- EN FISICA DE SEMICONDUCTORES, ¿CUANTOS TIEMPOS SE CONTEMPLAN EN LA PARTE DE APAGADO DE LA DE LA FORMA DE ONDA DE CONMUTACION DE UN DIODO?. 3. DOS. TRES. 4.