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- 1.- Un enlace covalente entre dos átomos o grupos de átomos se produce cuando: a) Estos átomos se unen, compartiendo los electrones de valencia (del último nivel), para alcanzar entre todos ellos los cuatro electrones necesarios en su última capa y así permanecer estables. b) Estos átomos se unen, compartiendo los electrones de valencia (del último nivel), para alcanzar entre todos ellos los ocho electrones necesarios en su última capa y así permanecer estables. c) Estos átomos se unen, compartiendo los electrones de valencia (del último nivel), para alcanzar entre todos ellos los dieciséis electrones necesarios en su última capa y así permanecer estables.

- 2.- El dopado de un semiconductor consiste en: a) Añadirle solamente impurezas donadoras. b) Añadirle solamente impurezas aceptadoras. c) Añadirle cualquiera de las anteriores.

- 3.- Cuando se habla de la unión PN, se denomina barrera de unión o región de agotamiento a: a) Al espacio en la unión sin portadores mayoritarios. b) Al espacio en la unión sin portadores minoritarios. c) Al espacio en la unión con portadores mayoritarios.

- 4.- Si se conecta una batería a un diodo de unión, para polarizarlo inversamente: a) El polo positivo se conecte al material tipo P y el polo negativo al material tipo N. b) El polo positivo se conecte al material tipo N y el polo negativo al material tipo P. c) El polo positivo se puede conectar indistintamente al material tipo N o P y el polo negativo indistintamente al material tipo P o N.

- 5.- En un diodo polarizado inversamente, el flujo de corriente a través de la barrera de unión no es cero debido a: a) Los portadores mayoritarios, huecos en el material P y electrones en el material N que cruzan la unión. b)Los portadores minoritarios, huecos formados en el material P, que cruzan la unión. c) Los portadores minoritarios, huecos formados en el material N, que cruzan la unión.

- 6.- Un diodo estándar que esté polarizado directamente, no conducirá de manera apreciable hasta que la tensión aplicada se aproxime a un determinado valor de tensión, según el tipo de diodo. Esta tensión se denomina: a) Tensión de ruptura directa. b) Tensión de avalancha. c) Tensión de umbral.

- 8.- Cuando hay varios diodos en serie: a) Se emplean para trabajar con altas corrientes. b) Se emplean para trabajar con altas tensiones. c) Se emplean para trabajar indistintamente con altas tensiones y altas corrientes.

- 9.- En un diodo, ¿Qué se conoce como tensión de ruptura?. a) Al valor de la tensión directa a partir del cual esta aumenta exponencialmente una vez sobrepasada la tensión de umbral, provocando la destrucción del diodo debido al aumento de la temperatura. b) Al valor de la tensión inversa a partir del cual esta aumenta exponencialmente, provocando la destrucción del diodo debido al aumento de la temperatura. c) Al valor de la tensión inversa a partir del cual la corriente inversa aumenta sin control, provocando la destrucción del diodo debido al aumento de la temperatura.

- 10.- Cuando hay varios diodos en paralelo: a) La corriente total que circula será la suma de las corrientes que circulan por cada diodo, cuando están polarizados directamente. b) La corriente total que circula será la misma corriente que circula por cada diodo, pues por todos circulará la misma, cuando están polarizados directamente. c) La corriente total que circula no podrá ser superior a la corriente que circula por el diodo más “débil”, ya que aunque nominalmente los diodos sean similares, no serán los mismos valores para todos ellos debido a las diferencias que se producen en su fabricación.

- 11.- La conducción en un tiristor de silicio se puede obtener: a) Sobrepasando su tensión de umbral de 0,7 V. b) Mediante el uso del electrodo de puerta o “gate” al que se aplica un potencial positivo para originar la conducción. c) Mediante el uso del electrodo de puerta o “gate” al que se aplica un potencial negativo para originar la conducción.

- 12.- Después de que el rectificador controlado a silicio se dispare por la señal de puerta: a) La corriente que circula a través del dispositivo es independiente del voltaje o de la corriente de puerta. b) La corriente que circula a través del dispositivo depende del voltaje de ruptura directa. c) La corriente que circula a través del dispositivo dependerá del voltaje o de la corriente de puerta.

- 13.- El tiristor principalmente: a) Se emplea para manejar corrientes muy elevadas sin dañarse. b) Se emplea para manejar y mantener constantes corrientes medias. c) Se emplea para manejar y controlar corrientes muy pequeñas.

- 14.- Un triac es un dispositivo semiconductor de: a) Dos capas. b) Tres capas. c) Cuatro capas. (PNPN = que el tiristor SCR).

- 15.- Un triac en circuitos de corriente alterna se diferencia de un SCR en: a) Que permite el paso de la corriente en ambas direcciones. b) Que no se puede cambiar la dirección del flujo de corriente a través del triac. c) Que tiene dos puertas, para aplicar en una de ellas los pulso positivos y en la otra los pulsos negativos (trigger).

- 16.- Con el diodo led se monta una resistencia: a) En serie con él para limitar la tensión que cae en el diodo. b) En serie para limitar la corriente que circula por el diodo. c) En paralelo para mantener constante su tensión de umbral.

- 17.- ¿Quién determina el color de la luz emitida por un LED?. a) El plástico que lo recubre. b) Las sustancias con las que ha sido dopado. c) La tensión aplicada al diodo.

- 18.- Los diodos fotoconductores: a) Son sensibles a la luz y cuando aumenta la intensidad luminosa que incide en ellos, disminuye la corriente inversa en la misma proporción. b) Son sensibles a la luz y cuando aumenta la intensidad luminosa que incide en ellos, aumenta la corriente directa en la misma proporción. c) Son sensibles a la luz y cuando aumenta la intensidad luminosa que incide en ellos, aumenta la corriente inversa en la misma proporción. (porque deben polarizarse inversamente).

- 19.- Los diodos fotoconductores: a) Son una unión P-N normal y se polarizan debido a la intensidad luminosa que incide en ellos. b) Son una unión P-N normal con una cubierta transparente. c) Son una unión P-N especialmente dopados con una cubierta transparente.

- 20.- Una fotorresistencia. a) Es una resistencia emisora de luz. b) Es una resistencia variable. c) Es una resistencia de valor fijo que se activa al incidir en ella la luz.

- 21.- Cuando el voltaje a través un varistor excede de un cierto valor tanto en la dirección negativa como positiva, el dispositivo lleva a cabo un recorte de los picos de tensión. Ese voltaje es conocido como: a) Voltaje de disparo. b) Voltaje de umbral. c) Voltaje de ruptura.

- 22.- El varistor actúa de una manera similar a: a) Un varicap. b) Un diodo túnel. c) Un diodo zener.

- 23.-¿Cómo se denomina al dispositivo semiconductor cuya función es que su resistencia varíe en función de la diferencia de tensión entre sus bornes?. a) Diodo. b) Transistor. c) Varistor.

- 24.-Los varistores suelen usarse para proteger circuitos contra: a) Las variaciones de tensión al incorporarlos en paralelo con el circuito a proteger. b) Las variaciones de corriente al incorporarlos en paralelo con el circuito a proteger. c) Las variaciones de tensión al incorporarlos en serie con el circuito a proteger.

- 25.- Los diodos rectificadores se han diseñado principalmente para: a) Regular la tensión continua (DC). b) Convertir la corriente alterna (AC) en corriente continua (DC). c) Dado que sólo conducen en un sentido, bloquear los picos de tensión que aparecen en los circuitos.

- 26.- La tensión continua que aparece a la salida de los circuitos rectificadores es: a) Una tensión máxima. b) Una tensión media. c) Una tensión eficaz.

- 27.- En un circuito rectificador elemental de media onda el diodo está conectado en: a) Serie entre la entrada y la salida. b) Serie con la entrada y en paralelo con la salida. c) Paralelo con la entrada y en serie con la salida.

- 28.- En un circuito rectificador la resistencia de carga RL sirve para: a) Limitar la tensión del circuito. b) Limitar la cantidad de corriente que fluye por el circuito y desarrollar una señal de salida debido al flujo de corriente que circula a través de ella. c) Determinar la tensión de salida en función de su valor óhmico.

- 29.- En el rectificador de onda completa, tipo puente, la frecuencia de salida es: a) El doble que la frecuencia de entrada del circuito. b) La misma frecuencia que la de entrada del circuito. c) La mitad de la frecuencia de entrada del circuito.

- 30.- Las características que identifican al rectificador de onda completa son: a) Un transformador, dos diodos y la resistencia de carga. b) Un transformador con toma media en el secundario, dos diodos y la resistencia de carga. c) Un transformador con toma media en el secundario, cuatro diodos y la resistencia de carga.

- 31.- En un circuito rectificador de onda completa la tensión de pico que soporta el diodo que no conduce es: a) La mitad que la tensión de entrada. b) La misma que la tensión de entrada. c) El doble que la tensión de entrada.

- 32.- Cuando se prueba la polarización directa de un diodo con un óhmetro: a) El cable rojo del óhmetro se coloca en el cátodo y el cable negro (común) en el ánodo. b) El cable rojo del óhmetro se coloca en el ánodo y el cable negro (común) en el cátodo. c) El cable rojo del óhmetro y el cable negro (común) se pueden conectar indistintamente, tanto en el ánodo como en el cátodo.

- 33.- Los transistores BJT - NPN y PNP son dispositivos de: a) Resistencia controlada. b) Tensión controlada. c) Corriente controlada.

- 34.- Los transistores JFET pueden ser del tipo: a) N si la barra es de material tipo N. b) P si la puerta es de material tipo P. c) N si la puerta es de material tipo N.

- 35.- En funcionamiento normal, en un transistor BJT - NPN: a) La unión emisor-base está polarizada inversamente y la unión colector-base directamente. b) La unión emisor-base está polarizada directamente y la unión colector-base inversamente. c) La unión emisor-base está polarizada directamente y la unión colector-base directamente.

- 36.- Un transistor BJT - NPN, configurado como emisor común: a) Tiene una tensión grande de polarización directa entre la unión base-emisor (VEE) y tiene una tensión pequeña de polarización inversa entre la unión colector-base (VCC). b) Tiene una tensión pequeña de polarización directa entre la unión base-emisor (VEE) y tiene una tensión pequeña de polarización directa entre la unión colector-base (VCC). c) Tiene una tensión pequeña de polarización directa entre la unión base-emisor (VEE) y tiene una tensión grande de polarización inversa entre la unión colector-base (VCC).

- 37.- ¿Qué corriente se puede considerar como el factor de control para un transistor BJT – NPN configurado como emisor común?. a) La de emisor IE. b) La de base IB. c) La de colector IC.

- 38.- La ganancia de potencia de un transistor configurado como base común: a) Es muy alta. b) Es media. c) Es muy baja.

- 42.- La recta de carga de un transistor viene determinada por las dos condiciones más extremas de funcionamiento del transistor para una VCC y RL determinadas. Estas son: a) Cuando VCE = 0V y cuando IB = 0 mA. b) Cuando VCC = 0V y cuando IC = 0 mA. c) Cuando VCE = 0V y cuando IC = 0 mA.

- 43.- Si se desea que un transistor BJT trabaje normalmente, el punto “Q” se determina para: a) Una corriente de base. b) Un conjunto de curvas de corriente de base. c) La corriente de base más alta que corta a la recta de carga.

- 44.- Los terminales de un transistor de efecto de campo JFET de tipo N, se conocen como: a) Fuente, drenador y puerta. b) Emisor, base y colector. c) Ánodo, cátodo y puerta.

- 45.- En un transistor de efecto de campo JFET de tipo N, los electrones libres de la barra de tipo N que circularán desde la fuente al drenador, originan: a) Un campo electrostático que se opone a la circulación de los electrones libres. b) Un campo electrostático que favorece a la circulación de los electrones libres. c) Distintas caídas de tensión a través del cristal.

- 46.- En un transistor de efecto de campo JFET de canal P, la “puerta” para que sea capaz de controlar la corriente de drenador ID: a) Tiene que ser negativa con respecto a la “fuente”. b) Tiene que ser positiva con respecto la “fuente”. c) Es indistinto, puede ser negativa o positiva pues la “puerta” siempre controlará la corriente de drenador ID.

- 47.- En un MOSFET se coloca un aislador consistente en una capa de óxido para conectar a ella el terminal de: a) La “fuente”. b) La “puerta”. c) El “drenador”.

- 48.-En un MOSFET con canal N de acumulación: a) El “canal” de tipo N está muy dopado. b) El “canal” de tipo N está dopado muy ligeramente. c) El “canal” de tipo N está dopado de una manera intermedia.