Tema 1 Potencia

En aplicaciones con valores de potencia muy elevados (hasta 5kw) no se emplean transistores bipolares de potencia. V. F.

A los dispositivos de potencia se les pide que no funcionen como interruptor con el maximo rendimiento y minimas perdidas. V. F.

Cuando la corriente en un diac pasa por cero se apaga. V. F.

Los triacs poseen poca estabilidad y en la actualidad su uso es muy poco utilizado. V. F.

El tiristor permite la conduccion de la corriente sujeta al suministro de un pulso de corriente por un terminal adicional denominado puerta. V. F.

Los dispositivos PowerMos son fruto de la tecnología metal-óxido-semiconductor, permite trabajar con altas corrientes. V. F.

El uso principal de los triacs es aplicaciones de alta potencia. V. F.

En la zona de ruptura el diodo bloquea prácticamente el paso de la corriente, conduciendo una corriente parasita de valor muy pequeño. V. F.

El diodo, el tiratron, el transistor bipolar y el IGBT estan ordenadas según su aparicion cronologica. V. F.

Entre las caracteristicas de un IGBT, destaca la alta capacidad de manejar corrientes y potencias altas. V. F.

Para valores de voltaje comprendidas entre 1000 y 250 V, el dispositivo a emplearse no depende de la frecuencia de trabajo. V. F.

Los transistores bipolares de potencia NO se emplean como interruptores por sus bajas velocidades de conmutación y poca ganancia en corriente. V. F.

El diodo Schottky fue descubierto antes que el transistor pero después que el triodo. V. F.

El bloqueo de un tiristor puede producirse dejando de aplicar una tensión entre los terminales del ánodo y el cátodo suficiente o pasando a una corriente de enganche muy pequeña. V. F.

El angulo de disparo en un triac es el tiempo que transcurre entre la conmutacion y el disparo. V. F.

Los diodos son dispositivos no controlados de conducción natural cuando se supera una tensión mínima entre sus terminales. V. F.

El dispositivo que mezcla las caracteristicas de un mosfet y un transistor bipolar se denomina IGBT. V. F.

Los parametros de bloqueo de un diodo no son relevantes cuando se encuentra en la zona de polarizacion inversa. V. F.

Para valores de tension superiores a los kilovatios no es apropiado el uso de IGBT's. V. F.

La intensidad de pico único de un diodo es el valor máximo de la intensidad aplicable con una periodicidad superior a 10 min y con una duración de pico de 10ms. V. F.

El MOSFET es el mejor dispositivo para aplicaciones por debajo de 250 V. V. F.

El tiempo de recuperación en un diodo Schottky es pequeño. V. F.

La salida de un IGBT es como la de un transistor bipolar controlado por tensión. V. F.

Un GTO se apaga con corriente entrada por la puerta. V. F.

Un triac puede dispararse con corriente continua y alterna. V. F.

La asociación de diodos y de resistencias de pequeño valor en serie aumenta la tensión inversa al bloqueo. V. F.

El tiristor es un dispositivo que una vez iniciada la conducción no se necesita continuamente en una corriente por la puerta. V. F.

El triac conmuta del modo de corte al modo de conducción cuando se produce la inyección de una corriente a la compuerta. V. F.

El GTO es basicamente igual que un SCR, pero con una caida de tension en conduccion ligeramente inferior. V. F.

La salida de un IGBT no puede controlarse en corriente ni en tensión. V. F.

Los parametros de bloqueo son relevantes cuando el diodo se encuentra en la zona de polarizacion inversa. V. F.

En la zona de polarización inversa de un diodo se permite el paso de corriente en el dispositivo de muy pequeño valor. V. F.

La circulación en un tiristor no es unidireccional. V. F.

Amplificar señales no es una aplicación propia de un tiristor. V. F.

Los dispositivos que permiten el control de transistores bipolares de puerta aislada individuales o en módulos no son los drivers de IGBT. V. F.

Algunas de las ventajas de los diodos Schottky frente a los diodos normales son tener una mayor caída de potencial en directa y un mayor rango de frencuencias de funcionamiento. V. F.

Un transistor JFET de canal N se representa por el símbolo. V. F.

El voltaje máximo de la onda de entrada y de salida cumple con lo siguiente fórmula (Ventrada = Vsalida + Vdiodo). V. F.

La frecuencia de la onda de entrada y salida tienen el mismo valor. V. F.

La señal de salida parece una onda triangular (aproximadamente). V. F.

El valor máximo de la onda de salida es menor que el de la onda de entrada. V. F.

El aumentar la frecuencia hasta los 10 MHz, el diodo responde con la suficiente rapidez. V. F.

En el cambio de estado del diodo a altas frecuencias, la señal de salida sufre una pequeña distorsión. V. F.

El diodo Schottky se comporta igual que el diodo D1 en baja frecuencia. V. F.

El diodo Schottky tiene la misma velocidad de respuesta que el diodo D1. V. F.

El voltaje máximo de la onda de entrada y de salida cumple con los siguientes fórmula (Ventrada = Vsalida + Vdiodo). V. F.

La frecuencia de la onda de entrada y de salida tienen el mismo valor. V. F.

Algunos parametros importantes para la seleccion de un PowerMos son la corriente máxima, tension de ruptura (200-1200) y tension emisor-colector en directa. V. F.

El orden cronológico de aparicion de los siguientes dispositivos electronicos es diodo, triodo, tiratron, diodo schottky, rectificador de selenio, transistor. V. F.

La velocidad de conmutación de un GTO provoca colas de corriente en el dispositivo, un efecto de rebote e corriente que puede producir efectos no deseados. V. F.

En presencia de una tensión mínima entre sus terminales, los diodos dejan de conducir la corriente y se vuelven dispositivos controlados. V. F.

El transistor bipolar de puerta aislada (IGBT) tiene un mecanismo de disparo de conducción más simple con frecuencias de trabajo más altas que un tiristor. V. F.

La zona de polarización inversa de un diodo se establece cuando la diferencia de tension entre sus terminales del diodo es inferior a la tension umbral e inferior a la tension de bloqueo. V. F.

El triodo permite amplificar señales, asi como controlar el flujo de corriente entre el catodo y anodo. V. F.

Los drivers de IGBT no son capaces de detectar ni sobrecorrientes ni tensiones de funcionamiento altas. V. F.

La intensidad de pico repetitivo es la máxima intensidad que puede ser soportada cada 10 ms por tiempo indefinido, con una duracion de pico de 1 ms. V. F.

Un tiristor no tiene una estructura semiconductora NPNP, en la que los niveles de dopaje de cada capa conservan una relacion entre ellos. V. F.

Los diodos constan de una unión semiconductura que permite el paso de la corriente con una pequeña tensión en directa y un alto de valor de corriente de bloqueo en inversa. V. F.

Los triacs son bidireccionales, permiten el paso de corriente en ambos sentidos, no conservan la activación por disparo tanto con corrientes entrantes como salientes. V. F.

Un diac es un dispositivo que tiene la capacidad de conducir la corriente cuando se supera un cierto valor de tensión caracteristica (Vdiac) y deja conducir cuando la corriente es inferior a cierto valor (Ibo). V. F.

La intensidad de pico único es el pico máximo de intensidad aplicable una vez cada 10 min o más, con una duración de 1 ms. V. F.

Un GTO se apaga con corriente entrante en la puerta y se enciende con corriente saliente en la puerta. V. F.

En los diodos reales existe un tiempo en el que el diodo polarizado en directa se descarga por completo para entrar en el modo de bloqueo, y que dicho tiempo disminuye proporcionalmente con la frecuencia. V. F.

Entre las características de un IGBT destaca la falta incapacidad de manejar corrientes y potencias altas, así como tener una capacidad de conmuntación menor que la del MOSFET, debido a su salida tipo bipolar. V. F.

Algunas de las características de un diodo Schottky son tener un menor rango de frecuencias de funcionamiento, una menor caída de potencial en directa y una menor tensión de bloqueo. V. F.

El diodo de vacío está constituido por una ampolla de vacío y un filamento de wolframio frente a una placa de aluminio caliente. V. F.

El símbolo representa a un GTO. V. F.