TRANSISTORES

Un transistor NPN estará en la zona de saturación si. ECE>0.2V y VBE>0.7V. ECE=0.2V y VBE=0.7 V. ECE<0.2V y VBE=0.7 V.

En un transistor NPN en configuración EC la resistencia de entrada es: Pequeña y la salida grande. Grande y la salida es pequeña. Pequeña y la salida pequeña. Grande y la salida grande.

Las corrientes de polarización que definen el punto de trabajo de un transistor en EC están relacionadas por una de las siguientes expresiones. B=Ie.(a/1+a). B=Ic/Ie. B=Ic/ib. a=Ic/ib.

Un transistor está en zona de corte si. Vbe=0.7v. Ib=0. Ib>0. Ib<0.

Un transistor es un componente que está formando por. Emisor, puerta y drenaje. Emisor, base y colector. Emisor, puerta y colector. Anodo, cátodo y puerta.

Un transistor de Unión Bipolar es un dispositivo semiconductor con tres uniones PN. Verdadero. Falso.

Un transistor de unión bipolar puede ser de tipo NPN Y PNP. Verdadero. Falso.

Seleccione el tipo de transistor que corresponde la imagen. NPN. PNP. Foto transistor.

Selección e el tipo de transistor que corresponde la siguiente imagen. NPN. PNP. Foto transistor.

El siguiente símbolo pertenece a. Transistor BJT canal P. Transistor BJT NPN. Transistor BJT PNP.

Las terminales de un transistor JFET son. Drenador, fuente, compuerta. Drenador, surtidor, base. Base, colector, emisor. Anodo, cátodo y compuerta.

La polarización del transistor en el siguiente circuito es: Polarización fija. Polarización alimentada por la base. Polarización alimentada por el colector. Polarización alimentada por el emisor.

Si un transistor PNP funcionado como amplificador y que tiene las siguientes características: Una polarización por división de tensión, sin ganancia de corriente, con ganancia de tensión y potencia, con la entrada por el emisor y la salida por el colector, entonces estaríamos diciendo que el transistor se encuentra configurado como: Se trata de un emisor NPN. Colector común. Emisor común. Base común.

El FET es un dispositivo de tres terminales que se utiliza en varias aplicaciones que coinciden, en gran medida, con las del transistor BJT. ¿Cuál de las siguientes opciones representan las siglas FET?. Baja impedancia de entrada. Transistor bipolar de unión. Alta impedancia de salida. Transistor de efecto de campo.

¿Cuál de las siguientes opciones es una de las características importantes del FET?. Baja impedancia de entrada. Baja impedancia de salida. Alta impedancia de entrada. Alta impedancia de salida.

¿Al referirse a transistores el tipo FET con respecto a los BJT, estos resultan más estables a qué condiciones de temperatura?. Altas temperaturas. Bajas temperaturas. Altas y bajas temperaturas. Temperaturas bajo cero.

Los FET son más estables a la temperatura de los BJT, y en general son más pequeños que los BJT, Está característica de los FET los hace particularmente útiles en: Circuitos de potencia. Chips de circuito integrado. La implementación de tarjetas de memoria. La conducción en una sola dirección.

¿A qué corresponde este símbolo electrónico?. Diodo Zener. Transistor NPN. Transistor. Transistor PNP.

La base de un transistor NPN se estrecha y: Esta soñada con material pentavalente. Fuertemente dopada. Metálica. Ligeramente dopada.

En un transistor NPN, el porcentaje de corriente del emisor con respecto a la base es de: El 60% de la corriente de emisor se dirige al colector y el 40% a la base. El 99% de la corriente de emisor se dirige al colector y el 1% a la base. El 60% de la corriente de colector se dirige al emisor y el 40% a la base.

¿Cuál de las siguientes características no corresponde a un transistor BJT?. Se dividen en dos categorías NPN Y PNP. Disponen de tres terminales llamados, emisor, base y colector. Su funcionamiento depende del flujo de electrones libres o de huecos, pero no de ambos. Su funcionamiento depende del flujo de electrones libres y huecos.

Las corrientes en un transistor son: Por lo general menores de las corrientes de los PNP. Negativas. Usualmente mayores que las NPN. Opuestas a las corrientes NPN.