TRANSISTORES ELECTRONICA

En la construcción de un transistor NPN, ¿cómo es el dopaje de sus regiones?. La base está fuertemente dopada y el emisor poco dopado. El emisor está fuertemente dopado, la base poco dopada y el colector menos dopado que el emisor. Las tres regiones tienen exactamente el mismo nivel de dopaje. El colector es la región más pequeña y con mayor dopaje de las tres.

¿Qué caracteriza a la "Zona Activa" de un transistor BJT?. El transistor actúa como un interruptor abierto. La corriente de colector es proporcional a la de base (IC=β⋅IB). La tensión VCE es aproximadamente 0,2 V. La corriente de colector es siempre cero independientemente de la base.

¿Cuándo se dice que un BJT está en "Saturación"?. Cuando IC=0 y VCE=VCC. Cuando la tensión colector-emisor (VCE) cae a un valor mínimo, aproximadamente 0,2 V. Cuando la ganancia β tiende a infinito. Cuando la unión base-emisor está polarizada en inversa.

En el método de "Polarización por Divisor de Tensión", ¿qué herramienta se usa para simplificar el circuito de entrada?. El Teorema de Superposición. El equivalente de Thevenin entre Base y Masa. Las leyes de mallas de Maxwell. La transformada de Laplace.

En una recta de carga estática, ¿qué representa el "Punto Q"?. El valor de la frecuencia máxima de trabajo. El punto de trabajo del transistor definido por ICQ y VCEQ. La temperatura de ruptura del componente. El punto donde la ganancia es igual a 1.

En el modelo de "Pequeña Señal", ¿qué representan los parámetros híbridos hie y hfe?. hie es la resistencia de entrada y hfe es la ganancia de corriente (β). hie es la tensión de ruptura y hfe es la capacitancia de puerta. Ambos representan la conductancia de salida. hie es la ganancia de tensión y hfe la resistencia de carga.

¿Cuál es la función de los condensadores de acoplamiento (CI , CS) en un amplificador BJT?. Aumentar la potencia de la señal de continua. Bloquear la componente de continua y dejar pasar solo la señal de alterna. Actuar como filtros paso-bajo para eliminar el ruido. Almacenar energía para cuando se apague la fuente VCC.

¿Cuál es la principal diferencia operativa entre un BJT y un FET?. El BJT es controlado por tensión y el FET por corriente. El BJT es un dispositivo bipolar y el FET es controlado por el campo eléctrico (tensión). El FET no tiene terminal de drenador. El FET siempre consume más potencia que el BJT.

En un amplificador de emisor común como el mostrado en el documento, ¿cuál es el desfase (Θ) entre la señal de entrada (Vin) y la de salida (Vout)?. 0. 90. 180. 360.