TRANSISTORES FET

Es un transistor controlado por corriente?. El transistor BJT. El transistor JFET.

Es un transistor controlado por voltaje?. El transistor JFET. El transistor BJT.

es un dispositivo bipolar; el prefijo “bi” indica que el nivel de conducción es una función de dos portadores de carga, electrones y huecos. el transistor BJT. el transistor FET.

es un dispositivo unipolar que depende no sólo tanto de la conducción de electrones (canal n) como de la condición de huecos (canal p). el transistor FET. el transistor BJT.

Uno de las características más importantes del FET es su alta______. impedancia de entrada. impedancia de salida.

son más estables a la temperatura que los BJT, y en general son más pequeños que los BJT, lo que los hace particularmente útiles en chips de circuitos integrados. Los FET. Los MESFET.

significado de JFET. transistor de efecto de campo de unión. transistor de efecto de campo semiconductor de óxido metálico.

significado de MOSFET. transistor de efecto de campo semiconductor de óxido metálico. transistor de efecto de campo de unión.

significado de MESFET. transistor de efecto de campo semiconductor metálico. transistor de efecto de campo semiconductor de óxido metálico.

Su estabilidad térmica hacen que sean extremadamente populares en el diseño de circuitos de computadora. MOSFET. MESFET.

transistor que es un desarrollo más reciente y aprovecha al máximo la ventaja de las características de alta velocidad del GaAs como material semiconductor base. MESFET. MOSFET.

colaboraron en las etapas iniciales del desarrollo del transistor de efecto de campo. Ian Munro Ross y G. C. Dacey. Ian Munro Ross y G. C. Deysy.

es un dispositivo de tres terminales con una terminal capaz de controlar la corriente entre las otras dos. JFET. MOSFET.

Para este transistor el dispositivo de canal n será el dispositivo importante?. JFET. MOSFET.

En este transistor la parte superior del canal tipo n está conectada mediante un contacto óhmico a un material conocido como______________. drenaje. compuerta.

En ese transistor el drenaje y la fuente están conectados a los extremos del canal tipo n y la compuerta a las dos capas de material tipo p. JFET. MOSFET.

en el transistor JFET Recuerde que la región de empobrecimiento no contiene portadores libres, y por consiguiente es incapaz de__________. conducir. alimentar.

Si Vds se incrementa a un nivel donde pareciera que las dos regiones de empobrecimiento “se tocarán” se originará una condición conocida como________________-. estrangulamiento. ahorcamiento.

coinventor del primer transistor y formulador de la teoría del “efecto de campo” empleada en el desarrollo del transistor y el FET. William Bradford Shockley. John Bardeen.

Para el transistor BJT la corriente de salida IC y la corriente de control de entrada IB están relacionadas por____________. beta. alfa.

En el JFET ,características eléctricas (voltajes) de apagado y encendido. apagado:0.5v a 0.6v encendido:1mA a 5mA. apagado:0.6v a 0.7v encendido:2mA a 6mA.

en la construcción de un MOSFET es la responsable de la muy deseable alta impedancia de entrada del dispositivo. La capa aislante de SiO2. La capa aislante de oxido de silicio.

Con que otro nombre se le conoce al MOSFET aunque esta designación cada vez se utiliza menos en la literatura?. IGFET, compuerta aislada. MESFET.

Ésta es la diferencia principal entre la construcción de los MOSFET tipo empobrecimiento y los tipo enriquecimiento: la ausencia de un canal como componente construido del dispositivo.no hay un canal entre el drenaje y la fuente. QUE LA DE ENRIQUECIMIENTO NO TIENE CANAL ENTRE DRENAJE Y FUENTE,POR ESO ES POBRE.

En el MANEJO DEL MOSFET esto evita que se aplique un potencial a través de dos terminales cualesquiera del dispositivo?. El anillo de cortocircuito. El anillo de potencial.

En el manejo del MOSFET Un método de asegurarse de que este voltaje no sea excedido (tal vez por efectos transitorios, que son cambios agudos de voltaje o corriente) con cualquier polaridad es introducir?. dos diodos Zener. tres diodos Zener.

significado de VMOS. el FET de silicio de óxido metálico vertical. solo cambia la V :VERTICAL.

En el VMOS El resultado neto es un dispositivo con corrientes de drenaje capaces de alcanzar niveles de amperios con niveles de potencia de más de?. 10 W. 12 W.

Los VMOS FET tienen un coeficiente de temperatura positivo, el cual combate la posibilidad de. desbordamiento térmico. Saturación.

La relativamente alta impedancia de entrada, las rápidas velocidades de conmutación y los bajos niveles de potencia de operación de la configuración CMOS, han dado por resultado una disciplina totalmente nueva conocida como?. diseño de lógica CMOS. complementaria (CMOS).

Un uso muy efectivo de la configuración complementaria CMOS es un?. inversor. transformador.

Metal en el MESFET sobre un canal tipo n?. tungsteno. aluminio.